JPH06222344A - プラズマ・アドレス指定装置 - Google Patents
プラズマ・アドレス指定装置Info
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- JPH06222344A JPH06222344A JP5234140A JP23414093A JPH06222344A JP H06222344 A JPH06222344 A JP H06222344A JP 5234140 A JP5234140 A JP 5234140A JP 23414093 A JP23414093 A JP 23414093A JP H06222344 A JPH06222344 A JP H06222344A
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- H01J17/48—Cold-cathode tubes with more than one cathode or anode, e.g. sequence-discharge tube, counting tube, dekatron
- H01J17/485—Plasma addressed liquid crystal displays [PALC]
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- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
- G09G3/3662—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix using plasma-addressed liquid crystal displays
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133374—Constructional arrangements; Manufacturing methods for displaying permanent signs or marks
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 第１基板６４から突出する島状部６０の各々
は、導電層１３０が形成された平坦な比較的大きな上面
を有し、略平行な島状部行６２に配列される。網状溝１
１０は、隣接する島状部行間に配置された細長い溝１２
４ａと、各行内の個々の島状部間に延びる枝状溝１２４
ｂとを有する。第２基板６６に形成された列電極５８及
び島状部行の重畳部分は、データ素子を形成する。第１
及び第２基板間には電気光学材料層６８が間挿され、層
６８及び第１基板間にはイオン化可能ガスが収容する。 【効果】 島状部の上面は、電気光学材料層及び第２基
板等の構成要素を支持するために比較的に大きな表面積
を有するので、支持される構成要素が影響される曲がり
の問題が解決される。
は、導電層１３０が形成された平坦な比較的大きな上面
を有し、略平行な島状部行６２に配列される。網状溝１
１０は、隣接する島状部行間に配置された細長い溝１２
４ａと、各行内の個々の島状部間に延びる枝状溝１２４
ｂとを有する。第２基板６６に形成された列電極５８及
び島状部行の重畳部分は、データ素子を形成する。第１
及び第２基板間には電気光学材料層６８が間挿され、層
６８及び第１基板間にはイオン化可能ガスが収容する。 【効果】 島状部の上面は、電気光学材料層及び第２基
板等の構成要素を支持するために比較的に大きな表面積
を有するので、支持される構成要素が影響される曲がり
の問題が解決される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、選択的にイオン化され
るガスを含む近接する溝を有するプラズマ・アドレス指
定装置に関する
るガスを含む近接する溝を有するプラズマ・アドレス指
定装置に関する
【０００２】
【従来の技術】アドレス指定装置は、データ記憶素子、
ビデオ・カメラ及びフラット・パネル液晶表示器を含む
種々の用途に使用できる。この様なアドレス指定装置
は、ブザック等による「Addressing Structure Using I
onizable gaseous Medium」と題する米国特許第４８９
６１４９号に記載されている。
ビデオ・カメラ及びフラット・パネル液晶表示器を含む
種々の用途に使用できる。この様なアドレス指定装置
は、ブザック等による「Addressing Structure Using I
onizable gaseous Medium」と題する米国特許第４８９
６１４９号に記載されている。
【０００３】このアドレス指定装置の好適な実施例で
は、表示スクリーンを横切る一方向に延びる細長い支持
構体により分離される複数の溝の各々の中に充填された
イオン化可能なガスを含む。支持構体は、各溝内のガス
を完全に隔離する。各溝内のガスは選択的にイオン化さ
れて、溝と位置が合うデータ素子の行をアドレス指定す
る。ガスは、各溝の長手方向に延びる基準電極即ちアノ
ード及びデータ・ストローブ電極即ちカソード電極を含
むガス・イオン化構体によりイオン化される。
は、表示スクリーンを横切る一方向に延びる細長い支持
構体により分離される複数の溝の各々の中に充填された
イオン化可能なガスを含む。支持構体は、各溝内のガス
を完全に隔離する。各溝内のガスは選択的にイオン化さ
れて、溝と位置が合うデータ素子の行をアドレス指定す
る。ガスは、各溝の長手方向に延びる基準電極即ちアノ
ード及びデータ・ストローブ電極即ちカソード電極を含
むガス・イオン化構体によりイオン化される。
【０００４】溝内のガスがイオン化されている間、溝の
配列方向と直交する方向に表示スクリーンを横切って延
びる複数のデータ電極上のアドレス指定された表示素子
にデータ信号が供給される。溝配列及びデータ電極間に
配置された液晶材料は、データ信号に応答して表示画像
を形成する。
配列方向と直交する方向に表示スクリーンを横切って延
びる複数のデータ電極上のアドレス指定された表示素子
にデータ信号が供給される。溝配列及びデータ電極間に
配置された液晶材料は、データ信号に応答して表示画像
を形成する。
【０００５】図７は、従来のガラス基板１０の部分拡大
斜視図である。ガラス基板１０には、イオン化可能なガ
スを収容するための複数の平行な溝１２が刻まれ又はエ
ッチングされて形成される。隣接する溝１２は、複数の
細長い支持構体２２を形成する側壁２０により分離され
る。支持構体２２の上面は、適切な誘電体シート及び液
晶材料（図示せず）を含む種々のアドレス指定装置の構
成要素を支持する。
斜視図である。ガラス基板１０には、イオン化可能なガ
スを収容するための複数の平行な溝１２が刻まれ又はエ
ッチングされて形成される。隣接する溝１２は、複数の
細長い支持構体２２を形成する側壁２０により分離され
る。支持構体２２の上面は、適切な誘電体シート及び液
晶材料（図示せず）を含む種々のアドレス指定装置の構
成要素を支持する。
【０００６】ストローブされる行電極即ちカソード３０
及び接地される基準電極即ちアノード３２は、各溝１２
の内面に配置される。カソード３０及びアノード３２は
比較的薄く、細い金属膜である。カソード３０の各々
は、データ・ストローブ回路３８の対応する出力増幅器
３６から行ストローブ信号を受け取り、溝１２内に含ま
れるガスを選択的にイオン化する。
及び接地される基準電極即ちアノード３２は、各溝１２
の内面に配置される。カソード３０及びアノード３２は
比較的薄く、細い金属膜である。カソード３０の各々
は、データ・ストローブ回路３８の対応する出力増幅器
３６から行ストローブ信号を受け取り、溝１２内に含ま
れるガスを選択的にイオン化する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図８は、従来のガラス
基板１０の部分拡大断面図である。支持構体２２は、比
較的広い基部４２及び比較的細い上面１６を有する。溝
１２及び基部４２の夫々の幅４４及び４６は、上面１６
の幅４８よりも十分に広い。故に、基板１０の表面積に
対し上面１６が占める割合は小さく、基板１０上に配置
される誘電体シート２４、液晶材料及び他の構成要素に
対する支持力は、それに応じて小さい。
基板１０の部分拡大断面図である。支持構体２２は、比
較的広い基部４２及び比較的細い上面１６を有する。溝
１２及び基部４２の夫々の幅４４及び４６は、上面１６
の幅４８よりも十分に広い。故に、基板１０の表面積に
対し上面１６が占める割合は小さく、基板１０上に配置
される誘電体シート２４、液晶材料及び他の構成要素に
対する支持力は、それに応じて小さい。
【０００８】誘電体層２４及び他の構成要素を支持する
ための上面１６により与えられる表面領域が比較的小さ
いために、それにより支持される構成要素が過度に曲が
り易くなる。この曲がりは、誘電体シートを破断し、液
晶の間隔を過度に変化させるので好ましくない。
ための上面１６により与えられる表面領域が比較的小さ
いために、それにより支持される構成要素が過度に曲が
り易くなる。この曲がりは、誘電体シートを破断し、液
晶の間隔を過度に変化させるので好ましくない。
【０００９】したがって、本発明の目的は、構成要素を
支持する表面領域が比較的大きいプラズマ・アドレス指
定装置の提供にある。
支持する表面領域が比較的大きいプラズマ・アドレス指
定装置の提供にある。
【００１０】本発明の他の目的は、曲がり易さを抑制し
たプラズマ・アドレス指定装置の提供にある。
たプラズマ・アドレス指定装置の提供にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明のプラズ
マ・アドレス指定装置は、好適な実施例では、表示素子
の２次元アレイを有する表示パネルに使用される。
マ・アドレス指定装置は、好適な実施例では、表示素子
の２次元アレイを有する表示パネルに使用される。
【００１２】本発明のプラズマ・アドレス指定装置は、
離間された複数の島状部により形成された網状構成の溝
内に収容されたイオン化可能ガスを含む。島状部は、略
平行な行に配列されて島状部行を形成し、基板の主面か
ら突出する。島状部行は交互に互いにずらされている。
よって、網状溝は、隣接する島状部行間に配置された細
長い溝と、各行内の個々の島状部間に延び、隣接する細
長い溝に結合する枝状溝とを有する。
離間された複数の島状部により形成された網状構成の溝
内に収容されたイオン化可能ガスを含む。島状部は、略
平行な行に配列されて島状部行を形成し、基板の主面か
ら突出する。島状部行は交互に互いにずらされている。
よって、網状溝は、隣接する島状部行間に配置された細
長い溝と、各行内の個々の島状部間に延び、隣接する細
長い溝に結合する枝状溝とを有する。
【００１３】網状溝内のガスは、島状部列の各々に沿っ
て配置された島状部行と位置が合って並んだ表示素子の
行をアドレス指定するために選択的にイオン化される。
ガスは、各隣接する対の島状部行間の細長い溝の長手方
向に延びる１つの電極を有するガスイオン化構体により
イオン化される。島状部行の両側の電極は、アノード及
びカソードとして機能しその島状部行の付近のガスをイ
オン化する。特に、電極は、その電極が配置された細長
い電極に結合する枝状溝内に含まれるガスをイオン化す
る。
て配置された島状部行と位置が合って並んだ表示素子の
行をアドレス指定するために選択的にイオン化される。
ガスは、各隣接する対の島状部行間の細長い溝の長手方
向に延びる１つの電極を有するガスイオン化構体により
イオン化される。島状部行の両側の電極は、アノード及
びカソードとして機能しその島状部行の付近のガスをイ
オン化する。特に、電極は、その電極が配置された細長
い電極に結合する枝状溝内に含まれるガスをイオン化す
る。
【００１４】各島状部は、それが突出する基板の主面か
ら離間され、且つ主面に平行である上面即ち台地状部分
を有する。島状部の上面は、網状溝により形成される島
状部間の間隔よりも十分に大きな表面領域を有する。し
たがって、台地状部分は、アドレス指定装置の構成要素
を支持するための比較的に大きな表面領域を有する。こ
の大きな表面領域により、支持される構成要素が受ける
曲がりの問題が解決される。
ら離間され、且つ主面に平行である上面即ち台地状部分
を有する。島状部の上面は、網状溝により形成される島
状部間の間隔よりも十分に大きな表面領域を有する。し
たがって、台地状部分は、アドレス指定装置の構成要素
を支持するための比較的に大きな表面領域を有する。こ
の大きな表面領域により、支持される構成要素が受ける
曲がりの問題が解決される。
【００１５】
【実施例】図６は、表示パネル５２として機能するプラ
ズマ・アドレス指定装置を有するフラット・パネル表示
システム５０を示す正面図である。公称同一のデータ記
憶素子又は表示素子５４の矩形の平面アレイは、垂直方
向５６ａ及び水平方向５６ｂに所定間隔だけ互いに離間
される。高品位テレビジョン方式では、表示パネル５２
は、約１０００水平行の各々に約２０００表示素子５４
を含む。
ズマ・アドレス指定装置を有するフラット・パネル表示
システム５０を示す正面図である。公称同一のデータ記
憶素子又は表示素子５４の矩形の平面アレイは、垂直方
向５６ａ及び水平方向５６ｂに所定間隔だけ互いに離間
される。高品位テレビジョン方式では、表示パネル５２
は、約１０００水平行の各々に約２０００表示素子５４
を含む。
【００１６】図１は、本発明によるプラズマ・アドレス
指定装置を示す。図６及び図１を参照すると、アレイ内
の各表示素子５４は、垂直列に配列された薄く細い電極
５８と、水平行６２に配列され、離間された島状部６０
との重畳部分を表す。島状部６０は、非導電性、光透過
性且つ無色の基板６４の主面から突出する。（電極５８
は、以下“列電極５８”、行６２は“島状部行”と呼
ぶ。）各島状部行６２と位置が合わされた表示素子５４
の行は、表示データの１ラインを表す。
指定装置を示す。図６及び図１を参照すると、アレイ内
の各表示素子５４は、垂直列に配列された薄く細い電極
５８と、水平行６２に配列され、離間された島状部６０
との重畳部分を表す。島状部６０は、非導電性、光透過
性且つ無色の基板６４の主面から突出する。（電極５８
は、以下“列電極５８”、行６２は“島状部行”と呼
ぶ。）各島状部行６２と位置が合わされた表示素子５４
の行は、表示データの１ラインを表す。
【００１７】列電極５８及び島状部６０の幅により、通
常は矩形状である表示素子５４の大きさが決まる。後述
する様に、列電極５８は、基板６４に関して対面して保
持された非導電性及び光透過性基板６６の主面に被着さ
れる。
常は矩形状である表示素子５４の大きさが決まる。後述
する様に、列電極５８は、基板６４に関して対面して保
持された非導電性及び光透過性基板６６の主面に被着さ
れる。
【００１８】ネマチック液晶の様な電気光学材料層６８
は、基板６４及び６６間に間挿される。直視型又は投射
型のいずれかの反射型表示器の様なシステムでは、基板
の一方のみが光透過性であればよいことは当業者には理
解されるであろう。
は、基板６４及び６６間に間挿される。直視型又は投射
型のいずれかの反射型表示器の様なシステムでは、基板
の一方のみが光透過性であればよいことは当業者には理
解されるであろう。
【００１９】列電極５８はデータ・ドライバ即ち駆動手
段７２の出力増幅器７０の各々により平行な出力導体７
０’上に生成されたアナログ電圧のデータ駆動信号を受
け取る。島状部行６２は、データ・ストローブ７６の出
力増幅器７４の各々により、平行な出力導体７４’上に
生成された電圧信号を受け取る。表示面５２の略全域に
画像を合成するためには、表示システム４８は、走査制
御回路８０を用いて、表示パネル５０の表示素子５４の
全ての列が行走査方式で行毎にアドレス指定されるよう
データ・ドライバ７２及びストローブ回路７６の機能を
調整する。
段７２の出力増幅器７０の各々により平行な出力導体７
０’上に生成されたアナログ電圧のデータ駆動信号を受
け取る。島状部行６２は、データ・ストローブ７６の出
力増幅器７４の各々により、平行な出力導体７４’上に
生成された電圧信号を受け取る。表示面５２の略全域に
画像を合成するためには、表示システム４８は、走査制
御回路８０を用いて、表示パネル５０の表示素子５４の
全ての列が行走査方式で行毎にアドレス指定されるよう
データ・ドライバ７２及びストローブ回路７６の機能を
調整する。
【００２０】表示パネル５０は、電気光学材料層６８
と、ガラス、雲母又はプラスチックの様な薄い誘電体層
９６とにより離間された、通常は平行な１対の電極構体
９０及び９２を含む。電極構体９０は基板６６を有し、
基板６６のその内面には、酸化インジウム錫で形成され
た波形縞状パターンの列電極５８が被着されている。隣
接する対の列電極５８は間隔１０２だけ離間され、この
間隔により行内の隣接する表示素子５４間の水平間隔が
決まる。
と、ガラス、雲母又はプラスチックの様な薄い誘電体層
９６とにより離間された、通常は平行な１対の電極構体
９０及び９２を含む。電極構体９０は基板６６を有し、
基板６６のその内面には、酸化インジウム錫で形成され
た波形縞状パターンの列電極５８が被着されている。隣
接する対の列電極５８は間隔１０２だけ離間され、この
間隔により行内の隣接する表示素子５４間の水平間隔が
決まる。
【００２１】電極構体９２は、複数の略平行な島状部行
６２及び支持隆起縁部１０６が内面から突出する基板６
４を含む。島状部行６２の島状部６０は、光化学エッチ
ングで基板６４を刻むことにより、島状部６２を表面１
０４に接着することにより、又は同様に表面１０４に向
かって突出するように島状部６０を誘電体材料層９６上
に形成することにより形成される。
６２及び支持隆起縁部１０６が内面から突出する基板６
４を含む。島状部行６２の島状部６０は、光化学エッチ
ングで基板６４を刻むことにより、島状部６２を表面１
０４に接着することにより、又は同様に表面１０４に向
かって突出するように島状部６０を誘電体材料層９６上
に形成することにより形成される。
【００２２】島状部行６２は、イオン化可能ガスを含む
ための網状溝１１０を形成する。網状溝１１０は、隣接
する島状部行６２間に位置する細長い溝１１２と、各島
状部行６２内の個々の島状部６０間に延び、隣接する細
長い溝１１２に結合する枝状溝１１４とを含む。
ための網状溝１１０を形成する。網状溝１１０は、隣接
する島状部行６２間に位置する細長い溝１１２と、各島
状部行６２内の個々の島状部６０間に延び、隣接する細
長い溝１１２に結合する枝状溝１１４とを含む。
【００２３】細長い溝１１２及び枝状溝１１４は互いに
交差し、好適には直角な交差方向に延びる。隣接する島
状部行６２内の島状部６０は互いにずれているので、島
状部行６２と交差する各枝状溝１１４は、隣接する島状
部行６２内の島状部６０と交差し、好適には２等分する
突出部を有する。
交差し、好適には直角な交差方向に延びる。隣接する島
状部行６２内の島状部６０は互いにずれているので、島
状部行６２と交差する各枝状溝１１４は、隣接する島状
部行６２内の島状部６０と交差し、好適には２等分する
突出部を有する。
【００２４】網状溝１１０内に蓄えられたガスは、選択
された表示素子５４をアドレス指定するためにガス・イ
オン化構体１２０により選択的にイオン化される。イオ
ン化構体１２０は、各細長い溝１１２の長手方向に沿っ
て延びる１つの電極１２２を含む。各電極１２２は、細
長い溝１１２に沿って延びる細長い電極セグメント１２
４ａと、細長い電極セグメント１２４ａから交差する枝
状溝１１４内に枝分かれする枝電極１２４ｂとを有す
る。１つの島状部行６２の対向する側から枝状溝１１４
に延びる枝電極１２４ｂは互いに接触しないので、隣接
する電極１２２の電気的分離は維持される。
された表示素子５４をアドレス指定するためにガス・イ
オン化構体１２０により選択的にイオン化される。イオ
ン化構体１２０は、各細長い溝１１２の長手方向に沿っ
て延びる１つの電極１２２を含む。各電極１２２は、細
長い溝１１２に沿って延びる細長い電極セグメント１２
４ａと、細長い電極セグメント１２４ａから交差する枝
状溝１１４内に枝分かれする枝電極１２４ｂとを有す
る。１つの島状部行６２の対向する側から枝状溝１１４
に延びる枝電極１２４ｂは互いに接触しないので、隣接
する電極１２２の電気的分離は維持される。
【００２５】１つの島状部行６２の対向する側の隣接す
る対の細長い溝１１２内の電極１２２は、島状部行６２
の付近のガスをイオン化する即ちプラズマを形成するた
めにアノード及びカソードとして機能する。プラズマ
は、最初に島状部行を横切って延びる枝状溝１１４内に
生じる。好適な実施例では、アノード及びカソードとし
て機能する電極１２２には、後述する様に約＋２００Ｖ
及び約−２００Ｖの電位が供給される。細長い電極セグ
メント１２４ａは、ある島状部行６２に形成されたプラ
ズマが隣の島状部行６２に偶発的に移るのを防止するた
めに、直径が島状部６０の高さに匹敵するワイヤの形を
とった隆起した電極構造であってもよい。
る対の細長い溝１１２内の電極１２２は、島状部行６２
の付近のガスをイオン化する即ちプラズマを形成するた
めにアノード及びカソードとして機能する。プラズマ
は、最初に島状部行を横切って延びる枝状溝１１４内に
生じる。好適な実施例では、アノード及びカソードとし
て機能する電極１２２には、後述する様に約＋２００Ｖ
及び約−２００Ｖの電位が供給される。細長い電極セグ
メント１２４ａは、ある島状部行６２に形成されたプラ
ズマが隣の島状部行６２に偶発的に移るのを防止するた
めに、直径が島状部６０の高さに匹敵するワイヤの形を
とった隆起した電極構造であってもよい。
【００２６】表示素子５４は、列電極５８及び島状部行
６０の重畳部分を表す。列電極５８により形成された波
型縞パターンは、その各々が各島状部行６２内の島状部
６０に重畳する。しかし、島状部６０の配列が異なれ
ば、列電極５８は異なるパターンに形成される。
６０の重畳部分を表す。列電極５８により形成された波
型縞パターンは、その各々が各島状部行６２内の島状部
６０に重畳する。しかし、島状部６０の配列が異なれ
ば、列電極５８は異なるパターンに形成される。
【００２７】各島状部６２は、基板６４の面１０４から
離間され且つこれに平行な平坦状面即ち台地状部１２８
を有する。各台地状部１２８は、酸化インジウム錫の様
な導電性、光透過性及び無色の材料で被覆される。各台
地状部１２８上の層１３０は、島状部６０の辺に沿って
各隣接する枝状溝１１４内に延びる耳部１３２を有す
る。耳部１３２は、枝状溝１１４内に生じたプラズマ及
び台地状部１２８上の層１３０間を電気的に結合する。
離間され且つこれに平行な平坦状面即ち台地状部１２８
を有する。各台地状部１２８は、酸化インジウム錫の様
な導電性、光透過性及び無色の材料で被覆される。各台
地状部１２８上の層１３０は、島状部６０の辺に沿って
各隣接する枝状溝１１４内に延びる耳部１３２を有す
る。耳部１３２は、枝状溝１１４内に生じたプラズマ及
び台地状部１２８上の層１３０間を電気的に結合する。
【００２８】島状部行６２の枝状溝１２４ｂ内に形成さ
れるプラズマは、アノードとして機能するすぐ隣の電極
１２２及び台形状部１２８上の導電層１３０間の導電路
を形成する。導電層１３０は、誘電体材料層９６を介し
て液晶材料層６８と電気的に接続される。枝状溝１１４
内のプラズマは、アノード電極１２２を隣接する島状部
上に位置する液晶層６８の部分に結合する。これによ
り、液晶材料層６８は、列電極５８に同時に供給された
アナログ・データ電圧をサンプルし、表示画像を形成す
る。
れるプラズマは、アノードとして機能するすぐ隣の電極
１２２及び台形状部１２８上の導電層１３０間の導電路
を形成する。導電層１３０は、誘電体材料層９６を介し
て液晶材料層６８と電気的に接続される。枝状溝１１４
内のプラズマは、アノード電極１２２を隣接する島状部
上に位置する液晶層６８の部分に結合する。これによ
り、液晶材料層６８は、列電極５８に同時に供給された
アナログ・データ電圧をサンプルし、表示画像を形成す
る。
【００２９】網状溝１１０内に含まれるイオン化可能ガ
スは、電極１２２に供給されたイオン化電圧により制御
され、２進スイッチング状態間で変化する電気スイッチ
として動作する。スイッチは、アノード電極１２２及び
液晶材料層６８間に接続され、選択された表示素子５４
がアドレス指定されるようにする。イオン化電圧が無け
れば網状溝１１０内のガスは非イオン化状態即ち非導電
状態であるので、イオン化可能ガスは開状態スイッチと
して動作する。１対の隣接する電極１２２に供給される
イオン化電圧は、その対の電極１２２間の枝状溝１１４
内のガスをイオン化状態即ち導電状態にし、よって、イ
オン化可能ガスは閉状態スイッチとして動作する。
スは、電極１２２に供給されたイオン化電圧により制御
され、２進スイッチング状態間で変化する電気スイッチ
として動作する。スイッチは、アノード電極１２２及び
液晶材料層６８間に接続され、選択された表示素子５４
がアドレス指定されるようにする。イオン化電圧が無け
れば網状溝１１０内のガスは非イオン化状態即ち非導電
状態であるので、イオン化可能ガスは開状態スイッチと
して動作する。１対の隣接する電極１２２に供給される
イオン化電圧は、その対の電極１２２間の枝状溝１１４
内のガスをイオン化状態即ち導電状態にし、よって、イ
オン化可能ガスは閉状態スイッチとして動作する。
【００３０】プラズマを消失させると導電路が除去さ
れ、列電極５８上を伝送されるデータ電圧が、充電され
たコンデンサの動作に類似した態様で液晶材料層６８間
に保持される。次の画像フィールド内の新しいラインの
データを表す電圧が液晶材料層６８間に生じるまで、電
圧は液晶材料層６８間に蓄積され続ける。上述のアドレ
ス指定装置及び技術は、表示素子５４の各々に実質的に
１００％のデューティ・サイクルの信号を供給する。
れ、列電極５８上を伝送されるデータ電圧が、充電され
たコンデンサの動作に類似した態様で液晶材料層６８間
に保持される。次の画像フィールド内の新しいラインの
データを表す電圧が液晶材料層６８間に生じるまで、電
圧は液晶材料層６８間に蓄積され続ける。上述のアドレ
ス指定装置及び技術は、表示素子５４の各々に実質的に
１００％のデューティ・サイクルの信号を供給する。
【００３１】誘電体材料層９６は、網状溝１１０内に含
まれるイオン化可能ガス及び液晶材料層６８間の隔離壁
として働く。誘電体材料層９６が無ければ、液晶材料が
網状溝１１０に流入するか、又はイオン可能ガスが液晶
材料を汚染することになる。しかし、エレクトロルミネ
ッセンス材料の様な無機質電気光学材料を使用する表示
器では、誘電体層９６を除去してもよい。
まれるイオン化可能ガス及び液晶材料層６８間の隔離壁
として働く。誘電体材料層９６が無ければ、液晶材料が
網状溝１１０に流入するか、又はイオン可能ガスが液晶
材料を汚染することになる。しかし、エレクトロルミネ
ッセンス材料の様な無機質電気光学材料を使用する表示
器では、誘電体層９６を除去してもよい。
【００３２】島状部６０の台地状部分１２８は、網状溝
１１０により形成される島状部６０間の間隔よりも十分
に大きな結合表面領域を有する。したがって、台地状部
分１２８は、誘電体層９６及び液晶材料層６８を支持す
るための比較的大きな表面領域を有する。更に、この大
きな支持表面領域により、誘電体層９６及び液晶材層６
８が影響を受ける曲がり易さが抑制され、液晶層の間隔
の均一性が改善される。
１１０により形成される島状部６０間の間隔よりも十分
に大きな結合表面領域を有する。したがって、台地状部
分１２８は、誘電体層９６及び液晶材料層６８を支持す
るための比較的大きな表面領域を有する。更に、この大
きな支持表面領域により、誘電体層９６及び液晶材層６
８が影響を受ける曲がり易さが抑制され、液晶層の間隔
の均一性が改善される。
【００３３】表示素子又は記憶素子の確実の正しく動作
するために、溝内に含まれるガスに不要のイオン化状態
が生じないようにすることが重要である。電極構体１０
０で選択されない溝内に含まれるガスの不要なイオン化
を防止するためには、満足すべき３つの条件がある。
するために、溝内に含まれるガスに不要のイオン化状態
が生じないようにすることが重要である。電極構体１０
０で選択されない溝内に含まれるガスの不要なイオン化
を防止するためには、満足すべき３つの条件がある。
【００３４】第１に、いずれの溝内のガスも、走査シー
ケンスの適切な瞬間のみにイオン化することである。こ
の条件は、溝電極に非適切な電圧が存在による選択され
ない溝内のガスの誤ったイオン化を防止するだけでな
く、選択されない溝内に蓄積された電荷による疑似的な
誤ったイオン化も防止する。
ケンスの適切な瞬間のみにイオン化することである。こ
の条件は、溝電極に非適切な電圧が存在による選択され
ない溝内のガスの誤ったイオン化を防止するだけでな
く、選択されない溝内に蓄積された電荷による疑似的な
誤ったイオン化も防止する。
【００３５】第２に、各溝電極に供給される電極駆動信
号のデューティ・サイクルは、小さく且つ駆動される全
ての電極に対して略一定である必要があり、電極駆動信
号は溝内のガスのイオン化を完了した時点で接地電位に
戻る必要がある。デューティ・サイクルを小さく且つ略
一定にする理由は、溝電極に供給される駆動信号電圧
は、液晶材料に容量的に結合され、それに蓄積される電
圧に影響を与えるので、デューティ・サイクルの大きい
信号は、蓄積される電圧にクロストークの形で大いに影
響を与える。接地電位に戻すことが望ましい理由は、そ
うでなければ、クロストークを最小限にするために、非
接地電位にデータ駆動電圧を重畳する即ち「フローティ
ング」することが必要となるからである。
号のデューティ・サイクルは、小さく且つ駆動される全
ての電極に対して略一定である必要があり、電極駆動信
号は溝内のガスのイオン化を完了した時点で接地電位に
戻る必要がある。デューティ・サイクルを小さく且つ略
一定にする理由は、溝電極に供給される駆動信号電圧
は、液晶材料に容量的に結合され、それに蓄積される電
圧に影響を与えるので、デューティ・サイクルの大きい
信号は、蓄積される電圧にクロストークの形で大いに影
響を与える。接地電位に戻すことが望ましい理由は、そ
うでなければ、クロストークを最小限にするために、非
接地電位にデータ駆動電圧を重畳する即ち「フローティ
ング」することが必要となるからである。
【００３６】第３に、溝電極駆動信号電圧は、単一溝構
造の駆動電極構体に使用される電圧と同じ又は低いこと
が望ましい。この条件は、現在使用される駆動回路の電
圧に電圧を抑制する。
造の駆動電極構体に使用される電圧と同じ又は低いこと
が望ましい。この条件は、現在使用される駆動回路の電
圧に電圧を抑制する。
【００３７】図２〜図５は、表示システム５０の表示素
子５４の連続する行をアドレス指定するために選択可能
な信号タイミング・シーケンスを示すタイミング図であ
る。図２〜図５の各々は、画像フレームの開始を表す垂
直同期パルス信号１４０及び画像フレーム内の表示素子
５４の行の選択された１つを表す水平同期パルス信号１
４２を示す。同期パルス信号１４０及び１４２は、走査
制御回路８０（図６）により発生される。
子５４の連続する行をアドレス指定するために選択可能
な信号タイミング・シーケンスを示すタイミング図であ
る。図２〜図５の各々は、画像フレームの開始を表す垂
直同期パルス信号１４０及び画像フレーム内の表示素子
５４の行の選択された１つを表す水平同期パルス信号１
４２を示す。同期パルス信号１４０及び１４２は、走査
制御回路８０（図６）により発生される。
【００３８】表示素子５４の行は、表示システム５０に
より行がアドレス指定される順序に対応する行番号によ
り識別される。表示素子５４の番号Ｎを付けた行である
変数Ｎで識別される島状部行６２の両側の１対の電極１
２２は、番号Ｎ及びＮ＋１の電極１２２に指定される。
Ｎ番目の電極に供給されるアドレス指定信号は、対応す
る半角文字番号を有するアドレス指定信号参照番号によ
り識別される。
より行がアドレス指定される順序に対応する行番号によ
り識別される。表示素子５４の番号Ｎを付けた行である
変数Ｎで識別される島状部行６２の両側の１対の電極１
２２は、番号Ｎ及びＮ＋１の電極１２２に指定される。
Ｎ番目の電極に供給されるアドレス指定信号は、対応す
る半角文字番号を有するアドレス指定信号参照番号によ
り識別される。
【００３９】図２は、シングル・エンデッド駆動システ
ム用のアドレス指定信号１４４Nのタイミングを示す。
アドレス指定信号１４４Nの各々は、垂直同期パルス信
号１４４に関係して電極１２２に供給される、好適には
約−２００Ｖである初期低電位を有する。各アドレス指
定信号１４４Nの低電位は、表示素子５４のＮ番目の行
がアドレス指定されるまで維持される。
ム用のアドレス指定信号１４４Nのタイミングを示す。
アドレス指定信号１４４Nの各々は、垂直同期パルス信
号１４４に関係して電極１２２に供給される、好適には
約−２００Ｖである初期低電位を有する。各アドレス指
定信号１４４Nの低電位は、表示素子５４のＮ番目の行
がアドレス指定されるまで維持される。
【００４０】特に、表示素子５４のＮ番目の行に隣接す
るＮ番目の電極１２２に供給されるアドレス指定信号１
４４Nは、その行のアドレス指定の直前の水平同期パル
スに同期して高電位に階段状に上昇する。その結果、ア
ドレス指定されている表示素子５４のＮ番目の行の両側
のＮ番及びＮ＋１番目の電極１２２（例えば、電極１及
び２）は、枝状溝１１４内のガスをイオン化させる高及
び低電位を夫々有する。図２のシングル・エンデッド駆
動システムを採用する利点は、使用する駆動回路が比較
的簡単でよいことである。しかし、シングル・エンデッ
ド駆動システムの欠点は、行駆動電極に関して、イオン
化を行う際の位置に応じて、デューティ・サイクルが一
定でない、即ち徐々に増加するということである。行デ
ューティ・サイクルが大きいことと共に、一定でないこ
とは、前後のクロストークが下側即ち番号の大きい行ほ
ど悪化することになる。前後のクロストークは、列又は
行内の全てのピクセル間の付随的容量性結合により生じ
る。
るＮ番目の電極１２２に供給されるアドレス指定信号１
４４Nは、その行のアドレス指定の直前の水平同期パル
スに同期して高電位に階段状に上昇する。その結果、ア
ドレス指定されている表示素子５４のＮ番目の行の両側
のＮ番及びＮ＋１番目の電極１２２（例えば、電極１及
び２）は、枝状溝１１４内のガスをイオン化させる高及
び低電位を夫々有する。図２のシングル・エンデッド駆
動システムを採用する利点は、使用する駆動回路が比較
的簡単でよいことである。しかし、シングル・エンデッ
ド駆動システムの欠点は、行駆動電極に関して、イオン
化を行う際の位置に応じて、デューティ・サイクルが一
定でない、即ち徐々に増加するということである。行デ
ューティ・サイクルが大きいことと共に、一定でないこ
とは、前後のクロストークが下側即ち番号の大きい行ほ
ど悪化することになる。前後のクロストークは、列又は
行内の全てのピクセル間の付随的容量性結合により生じ
る。
【００４１】図３は、奇数及び偶数番号の電極１２２
が、夫々高及び低電位である奇数及び偶数番号のアドレ
ス指定信号１４６を夫々受けるユニポーラ差動駆動シス
テム用のアドレス指定信号１４６Nのタイミングを示
す。奇数番号アドレス信号１４６Nの高電位は、電極番
号１を除いて、表示素子５４の隣接する対の行のアドレ
ス指定の間、奇数番号電極１２２上で一定に維持され
る。偶数番号アドレス指定信号１４６Nの低電位は、表
示素子５４の隣接する行をアドレス指定する間、１対の
別個の低電位信号１４８ａN及び１４８ｂNとして偶数番
号電極１２２に供給される。
が、夫々高及び低電位である奇数及び偶数番号のアドレ
ス指定信号１４６を夫々受けるユニポーラ差動駆動シス
テム用のアドレス指定信号１４６Nのタイミングを示
す。奇数番号アドレス信号１４６Nの高電位は、電極番
号１を除いて、表示素子５４の隣接する対の行のアドレ
ス指定の間、奇数番号電極１２２上で一定に維持され
る。偶数番号アドレス指定信号１４６Nの低電位は、表
示素子５４の隣接する行をアドレス指定する間、１対の
別個の低電位信号１４８ａN及び１４８ｂNとして偶数番
号電極１２２に供給される。
【００４２】アドレス指定信号１４６1、１４６2及び１
４６3を参照すると、例えば、低電位信号１４８ｂ2及び
１４８ａ4は、アドレス指定信号１４６3の高電位と協動
して、表示素子５４の行２及び３を夫々アドレス指定す
る。その結果、奇数番号アドレス指定信号１４６Nの高
電位を受け取る各奇数番号電極１２２は、すぐ隣の対の
偶数番号電極１２２の各々に対するアノードとして機能
する。低電位信号１４８ｂ2は、低電位信号１４８ａ4に
応答した行指定の前に終了して、イオン化減衰時間を短
縮する。同様に、アドレス指定信号１４６1の高電位
は、アドレス指定素子５４の行４のアドレス指定の前に
終了する。
４６3を参照すると、例えば、低電位信号１４８ｂ2及び
１４８ａ4は、アドレス指定信号１４６3の高電位と協動
して、表示素子５４の行２及び３を夫々アドレス指定す
る。その結果、奇数番号アドレス指定信号１４６Nの高
電位を受け取る各奇数番号電極１２２は、すぐ隣の対の
偶数番号電極１２２の各々に対するアノードとして機能
する。低電位信号１４８ｂ2は、低電位信号１４８ａ4に
応答した行指定の前に終了して、イオン化減衰時間を短
縮する。同様に、アドレス指定信号１４６1の高電位
は、アドレス指定素子５４の行４のアドレス指定の前に
終了する。
【００４３】図４は、電極１２２の各々（電極１は除
外）が表示素子５４の隣接する行をアドレス指定するた
めの高及び低電位を受け取り、その他に０ボルトの電位
を受け取るバイポーラ差動駆動システム用のアドレス指
定信号１５０Nのタイミングを示す。電極１以外の各電
極１２２は、表示素子５４のすぐ隣の２つの行をアドレ
ス指定する間、交互にカソード及びアノードとして働
く。隣接する対のＮ番目及びＮ＋１番目の電極１２２に
供給された高及び低電位の両方は、表示素子５４のＮ＋
１番目の行をアドレス指定する前に終了するので、図３
のユニポーラ差動駆動システムを参照して説明した様に
イオン化減衰時間が短縮される。
外）が表示素子５４の隣接する行をアドレス指定するた
めの高及び低電位を受け取り、その他に０ボルトの電位
を受け取るバイポーラ差動駆動システム用のアドレス指
定信号１５０Nのタイミングを示す。電極１以外の各電
極１２２は、表示素子５４のすぐ隣の２つの行をアドレ
ス指定する間、交互にカソード及びアノードとして働
く。隣接する対のＮ番目及びＮ＋１番目の電極１２２に
供給された高及び低電位の両方は、表示素子５４のＮ＋
１番目の行をアドレス指定する前に終了するので、図３
のユニポーラ差動駆動システムを参照して説明した様に
イオン化減衰時間が短縮される。
【００４４】図５は、アドレス指定信号１５２N間のタ
イミング及び電圧レベルの関係を示す。図５では、走査
動作の開始後に駆動される最初の２個の電極に供給され
るアドレス指定信号は、残りの電極に順番に供給される
信号と異なっている。その理由は、これらの電極は選択
されるべき最初の溝に共通であり、以前にイオン化され
た隣接する溝に続くものではないからである。
イミング及び電圧レベルの関係を示す。図５では、走査
動作の開始後に駆動される最初の２個の電極に供給され
るアドレス指定信号は、残りの電極に順番に供給される
信号と異なっている。その理由は、これらの電極は選択
されるべき最初の溝に共通であり、以前にイオン化され
た隣接する溝に続くものではないからである。
【００４５】電極１以外の各電極は、表示素子のすぐ隣
の２つの行のアドレス指定の間、カソード及びアノード
として交互に働く。例えば、行３のアドレス指定の間、
隣接する電極３及び４に供給されるアドレス指定信号間
の３００ボルトの電位差は、これらの電極間のガスを十
分にイオン化できる。同時に、電極４及び５と電極５及
び６の隣接する対に供給されるアドレス指定信号間の１
５０ボルトの電位差は、それらの電極と位置が合うガス
のイオン化を持続又は開始するには不十分である。電極
５に供給されるアドレス指定信号は、中間電位差１５０
ボルトを生成し、次の選択される行のための最大３００
ボルトの電位差からのバッファとして働く。１行の選択
の終了近くで、電極４に供給されるアドレス指定信号は
−１５０ボルト・レベルに増加し、イオン化減衰時間を
短縮する。
の２つの行のアドレス指定の間、カソード及びアノード
として交互に働く。例えば、行３のアドレス指定の間、
隣接する電極３及び４に供給されるアドレス指定信号間
の３００ボルトの電位差は、これらの電極間のガスを十
分にイオン化できる。同時に、電極４及び５と電極５及
び６の隣接する対に供給されるアドレス指定信号間の１
５０ボルトの電位差は、それらの電極と位置が合うガス
のイオン化を持続又は開始するには不十分である。電極
５に供給されるアドレス指定信号は、中間電位差１５０
ボルトを生成し、次の選択される行のための最大３００
ボルトの電位差からのバッファとして働く。１行の選択
の終了近くで、電極４に供給されるアドレス指定信号は
−１５０ボルト・レベルに増加し、イオン化減衰時間を
短縮する。
【００４６】次の行の選択の開始の際、電極３に供給さ
れるアドレス指定信号は接地電位に増加し、電極５に供
給されるアドレス指定信号は−３００ボルトに減少し、
よって、電極４及び５間に３００ボルトの電位差を生じ
てガスをイオン化し、行４がアドレス指定する。電極６
に供給されるアドレス指定駆動信号は、この時点で−１
５０ボルトに減少し、次に選択される表示素子の行のバ
ッファとして働く。選択された行に供給される信号は、
次に選択されるべき溝を選択した時に接地電位に戻り、
これにより、直前に選択された溝内に蓄積された電荷に
よるイオン化を防止する。
れるアドレス指定信号は接地電位に増加し、電極５に供
給されるアドレス指定信号は−３００ボルトに減少し、
よって、電極４及び５間に３００ボルトの電位差を生じ
てガスをイオン化し、行４がアドレス指定する。電極６
に供給されるアドレス指定駆動信号は、この時点で−１
５０ボルトに減少し、次に選択される表示素子の行のバ
ッファとして働く。選択された行に供給される信号は、
次に選択されるべき溝を選択した時に接地電位に戻り、
これにより、直前に選択された溝内に蓄積された電荷に
よるイオン化を防止する。
【００４７】
【発明の効果】本発明によれば、島状部は装置の構成要
素を支持するための比較的に大きな上面を有するので、
これにより支持される構成要素が確実に支持し、支持さ
れる構成要素の曲がりの問題が解決される。
素を支持するための比較的に大きな上面を有するので、
これにより支持される構成要素が確実に支持し、支持さ
れる構成要素の曲がりの問題が解決される。
【図１】本発明のプラズマ・アドレス指定装置を示す部
分拡大斜視図である。
分拡大斜視図である。
【図２】本発明の装置の駆動信号を表すタイミング図で
ある。
ある。
【図３】本発明の装置の駆動信号を表すタイミング図で
ある。
ある。
【図４】本発明の装置の駆動信号を表すタイミング図で
ある。
ある。
【図５】本発明の装置の駆動信号を表すタイミング図で
ある。
ある。
【図６】本発明の装置を使用する表示装置の示す簡略図
である。
である。
【図７】従来のプラズマ・アドレス装置を示す部分拡大
斜視図である。
斜視図である。
【図８】図６に示す装置の断面図である。
５８ 列電極 ６０ 島状部 ６４ 第１基板 ６６ 第２基板 ６８ 材料層 １１０ 網状溝 １２２ 電極 １２４ａ 第１溝 １２４ｂ 第２溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウィリアム・ダブリュー・スタイン アメリカ合衆国オレゴン州97007 ビーバ ートン サウス・ウェスト ファーミント ン・ロード 14610 (72)発明者 ポール・シー・マーティン アメリカ合衆国ワシントン州98685 バン クーバー ノース・ウェスト トウェンテ ィー・フォース・アベニュー 11803
Claims (1)
- 【請求項１】 導電膜が形成された上面を有し、互いに
離間され複数の行に配列された複数の島状部が主面から
突出する第１基板と、 該複数の島状部の行間に沿って延びる第１溝及び該第１
溝から上記島状部の各行内の隣接する島状部間に延びる
第２溝を有する網状溝と、 該網状溝の上記第１溝内に形成された電極と、 主面に上記第１基板上の上記島状部の行と交差する複数
の列電極が形成された第２基板と、 上記第１及び第２基板間に間挿され、上記島状部及び上
記列電極の重畳部分にデータ素子を形成する材料層と、 該材料層及び上記第１基板間に収容されたイオン化可能
なガスとを具えることを特徴とするプラズマ・アドレス
指定装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US935608 | 1992-08-26 | ||
| US07/935,608 US5313223A (en) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | Channel arrangement for plasma addressing structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06222344A true JPH06222344A (ja) | 1994-08-12 |
| JP2571522B2 JP2571522B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=25467419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5234140A Expired - Lifetime JP2571522B2 (ja) | 1992-08-26 | 1993-08-26 | プラズマ・アドレス指定装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5313223A (ja) |
| JP (1) | JP2571522B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW228592B (ja) * | 1992-08-26 | 1994-08-21 | Tektronix Inc | |
| JPH06331969A (ja) * | 1993-05-18 | 1994-12-02 | Sony Corp | プラズマアドレス液晶表示装置 |
| US5907311A (en) * | 1994-06-24 | 1999-05-25 | Sony Corporation | Electrode structure for plasma chamber of plasma addressed display device |
| EP0726485A4 (en) * | 1994-06-30 | 1998-07-01 | Sony Corp | LIQUID CRYSTAL DISPLAY TO PLASMA ADDRESSES |
| US5661501A (en) * | 1995-10-16 | 1997-08-26 | Sony Corporation | Driving method of plasma-addressed display device |
| US5900694A (en) * | 1996-01-12 | 1999-05-04 | Hitachi, Ltd. | Gas discharge display panel and manufacturing method thereof |
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