JPS63100557A - 不揮発性ｒａｍを有するメモリバツクアツプ装置 - Google Patents
不揮発性ｒａｍを有するメモリバツクアツプ装置Info
- Publication number
- JPS63100557A JPS63100557A JP61245476A JP24547686A JPS63100557A JP S63100557 A JPS63100557 A JP S63100557A JP 61245476 A JP61245476 A JP 61245476A JP 24547686 A JP24547686 A JP 24547686A JP S63100557 A JPS63100557 A JP S63100557A
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- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 7
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- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 4
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- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
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Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、不揮発性ＲＡＭを有するメモリバックアップ
装置に関し、特に、そのデータ退避およびデータ復帰の
改良を図ったものである。
装置に関し、特に、そのデータ退避およびデータ復帰の
改良を図ったものである。
（従来の技術）
第３図は、従来の不揮発性ＲＡＭを有する機器構成の基
本的な例を示すブロック図、第４図は第３図の機器構成
における処理順序（シーケンス）を示すフローチャート
である。
本的な例を示すブロック図、第４図は第３図の機器構成
における処理順序（シーケンス）を示すフローチャート
である。
第３図において、１はＣＰＵ、２はＲＯＭ、３は不揮発
性ＲＡＭ、４は外部機器である。
性ＲＡＭ、４は外部機器である。
ＣＰＵＩは、電源が入ると、ＲＯＭ２上に書かれたプロ
グラムにより実行を開始し、不揮発性ＲＡＭ３上に書き
込まれた情報を復帰し、外部機器４等に対してその制御
を行なう。
グラムにより実行を開始し、不揮発性ＲＡＭ３上に書き
込まれた情報を復帰し、外部機器４等に対してその制御
を行なう。
もし、電源を切られても、保持しておくべき情報が、所
望の変更を必要とするものならば、その情報のデータを
不揮発性ＲＡＭ上に退避させておく。
望の変更を必要とするものならば、その情報のデータを
不揮発性ＲＡＭ上に退避させておく。
すなわち、第４図において、電源オンされるとステップ
Ｓ−４０１で、不揮発性ＲＡＭ３に退避させたデータを
復帰して参照され、ステップＳ−４０２でデータ処理が
行われる。さらにステップＳ−４０３では、不揮発性Ｒ
ＡＭ内の必要なデータ変更が行われて、再びＳ−４０２
に戻り、データ処理が行われる。
Ｓ−４０１で、不揮発性ＲＡＭ３に退避させたデータを
復帰して参照され、ステップＳ−４０２でデータ処理が
行われる。さらにステップＳ−４０３では、不揮発性Ｒ
ＡＭ内の必要なデータ変更が行われて、再びＳ−４０２
に戻り、データ処理が行われる。
第５図は、従来のデータ退避および復帰のデータ記憶の
状態例を示す配列図である。
状態例を示す配列図である。
いま、不揮発性ＲＡＭ３のアドレスがＦＦ０ＯＨからＦ
ＦＦＦＨまで設定されていたとして、ＦＦ０Ｏ）Ｉに０
０Ｈ％ＦＦ０１Ｈに０１８％ＦＦ０２）１に０２Ｈ％Ｆ
Ｆ０３）１に０３Ｈ、ＦＦ０４Ｈに０４）１というデー
タを退避させる場合を考える。
ＦＦＦＨまで設定されていたとして、ＦＦ０Ｏ）Ｉに０
０Ｈ％ＦＦ０１Ｈに０１８％ＦＦ０２）１に０２Ｈ％Ｆ
Ｆ０３）１に０３Ｈ、ＦＦ０４Ｈに０４）１というデー
タを退避させる場合を考える。
第５図の退避時の欄に、その記憶配列を示している。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、不揮発性ＲＡＭ３は、周囲の環境条件で
例えば静電気等により、その保持したデータの変化が起
り易く、データの信頼性は低い。
例えば静電気等により、その保持したデータの変化が起
り易く、データの信頼性は低い。
以上の様な理由から、第５図の復帰時の欄で示したよう
に、データの復帰時に不揮発性ＲＡＭ３の内容のうち、
例えばＦＦ０２Ｈのデータが、０２ＮからＦＦＨに変化
してしまった場合、従来の様に一つの不揮発性ＲＡＭだ
けにデータを退避し、復帰時に上述した不揮発性ＲＡＭ
の値を参照してしまうと、０２Ｈの値の代わりに、ＦＦ
）Ｉという値を真の値として扱い、誤動作の原因となっ
てしまう。
に、データの復帰時に不揮発性ＲＡＭ３の内容のうち、
例えばＦＦ０２Ｈのデータが、０２ＮからＦＦＨに変化
してしまった場合、従来の様に一つの不揮発性ＲＡＭだ
けにデータを退避し、復帰時に上述した不揮発性ＲＡＭ
の値を参照してしまうと、０２Ｈの値の代わりに、ＦＦ
）Ｉという値を真の値として扱い、誤動作の原因となっ
てしまう。
そこで、本発明の目的は、上述した従来例の欠点である
ところのメモリバックアップに使用される不揮発性ＲＡ
Ｍのデータ変化を予め検知し、機器構成（システム）の
誤動作を未然に防止するメモリバックアップ装置を提供
することにある。
ところのメモリバックアップに使用される不揮発性ＲＡ
Ｍのデータ変化を予め検知し、機器構成（システム）の
誤動作を未然に防止するメモリバックアップ装置を提供
することにある。
（問題点を解決するための手段）
このような目的を達成するために、本発明では、複数の
不揮発性ＲＡＭにデータを書き込み、復帰する場合には
読み出されたすべての値から、もしくは、また予め設定
した範囲からデータの正誤を判別するようにする。
不揮発性ＲＡＭにデータを書き込み、復帰する場合には
読み出されたすべての値から、もしくは、また予め設定
した範囲からデータの正誤を判別するようにする。
あるいは、さらにすべてのデータ値のうち、最も多く一
致するデータの値を復帰データとするようにする。
致するデータの値を復帰データとするようにする。
すなわち、不揮発性ＲＡＭを有するメモリバックアップ
装置において、複数個の不揮発性ＲＡＭと、退避すべき
データを複数個の不揮発性ＲＡＭに共通に書き込む手段
と、復帰時には、複数個の不揮発性ＲＡＭから読み出さ
れたデータの値がすべて等しい場合にのみ、データの値
を復帰データとして読み出す手段とを具えたことを特徴
とする。
装置において、複数個の不揮発性ＲＡＭと、退避すべき
データを複数個の不揮発性ＲＡＭに共通に書き込む手段
と、復帰時には、複数個の不揮発性ＲＡＭから読み出さ
れたデータの値がすべて等しい場合にのみ、データの値
を復帰データとして読み出す手段とを具えたことを特徴
とする。
また、不揮発性ＲＡＭを有するメモリバックアップ装置
において、複数個の不揮発性ＲＡ）４と、退避すべきデ
ータを複数個の不揮発性ＲＡＭに共通に書き込む手段と
、復帰時には、複数個の不揮発性ＲＡＭから読み出され
たデータの値がすべて等しく、かつ特定の範囲内の値で
ある場合に、当該データの値を復帰データとして読み出
す手段とを具えたことを特徴とする。
において、複数個の不揮発性ＲＡ）４と、退避すべきデ
ータを複数個の不揮発性ＲＡＭに共通に書き込む手段と
、復帰時には、複数個の不揮発性ＲＡＭから読み出され
たデータの値がすべて等しく、かつ特定の範囲内の値で
ある場合に、当該データの値を復帰データとして読み出
す手段とを具えたことを特徴とする。
さらに、不揮発性ＲＡＭを有するメモリバックアップ装
置において、複数個の不揮発性ＲＡＭと、退避すべきデ
ータを複数個の不揮発性ＲＡＭに共通に書き込む手段と
、復帰時には、複数個の不揮発性ＲＡＭから読み出され
たデータの値のうち、最も多く一致する当該データの値
を復帰データとして読み出す手段とを具えたことを特徴
とするものである。
置において、複数個の不揮発性ＲＡＭと、退避すべきデ
ータを複数個の不揮発性ＲＡＭに共通に書き込む手段と
、復帰時には、複数個の不揮発性ＲＡＭから読み出され
たデータの値のうち、最も多く一致する当該データの値
を復帰データとして読み出す手段とを具えたことを特徴
とするものである。
（作用）
本発明によれば、不揮発性ＲＡＭのデータを復帰して読
み出す場合、複数のデータの値から、データの値が誤り
でないかどうかを検出するようにして、誤り検出の精度
を上げることができる。
み出す場合、複数のデータの値から、データの値が誤り
でないかどうかを検出するようにして、誤り検出の精度
を上げることができる。
以下に、図面に基づいて本発明の実施例を詳細かつ具体
的に説明する。
的に説明する。
第１図は本発明による一実施例のデータ記憶状態を示す
配列図であり、第２図（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）は、
本発明による一実施例の構成を示すブロック図およびデ
ータ値の変化を検知する手順を示すフローチャートであ
る。
配列図であり、第２図（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）は、
本発明による一実施例の構成を示すブロック図およびデ
ータ値の変化を検知する手順を示すフローチャートであ
る。
第２図（Ｃ）において、１はＣＰＵ、４は外部機器であ
る。２２はＲＯＭであり、第２図（Ａ）および（Ｂ）に
おけるフローチャートで示した手順が記憶されている。
る。２２はＲＯＭであり、第２図（Ａ）および（Ｂ）に
おけるフローチャートで示した手順が記憶されている。
２３はＲＡＭであり、退避したデータを、再び実行する
ために記憶している。２４は不揮発性ＲＡＭであり、電
源がオフとなった場合に、退避されたデータを保持して
記憶される。
ために記憶している。２４は不揮発性ＲＡＭであり、電
源がオフとなった場合に、退避されたデータを保持して
記憶される。
データ退避時には、まず、電源がオフされる場合でも、
保持すべきデータを複数箇所に退避させてストアーする
。すなわち、本実施例においては、不揮発性ＲＡＭ上の
アドレスＦＦ０２ＨとＦＦ１２Ｈとの２ケ所に退避させ
てデータをストアしておく。
保持すべきデータを複数箇所に退避させてストアーする
。すなわち、本実施例においては、不揮発性ＲＡＭ上の
アドレスＦＦ０２ＨとＦＦ１２Ｈとの２ケ所に退避させ
てデータをストアしておく。
データ復帰時には°、前記アドレスＦＦ０２ＨとＦＦ１
２Ｈとのデータを読み出して比較し、データが一致しな
い場合は、データ異常と判断する。
２Ｈとのデータを読み出して比較し、データが一致しな
い場合は、データ異常と判断する。
さらに、不揮発性ＲＡＭの使用方法として、退避させる
データの種類を特定の範囲に設定することにより、その
設定された範囲から外れたデータが読み出された場合は
、異常として判断することが可能となる。
データの種類を特定の範囲に設定することにより、その
設定された範囲から外れたデータが読み出された場合は
、異常として判断することが可能となる。
このような場合のように、不揮発性ＲＡＭ １個当りの
設定範囲を挟めることができれば、読み出されたデータ
の異常を検出する能力が向上する。また一方において、
退避すべきデータの設定範囲が広い場合で、しかも異常
検出の高い能力を必要とするような場合には、複数アド
レスの不揮発性ＲＡＭ上に、データを分割するようにし
、たとえば、８ｂｉｔのデータの場合には、上位４ｂｉ
ｔと下位４ｂｉｔとに分割するようにして別のアドレス
にストアすることにより上述の異常検出能力を高める効
果が得られる。
設定範囲を挟めることができれば、読み出されたデータ
の異常を検出する能力が向上する。また一方において、
退避すべきデータの設定範囲が広い場合で、しかも異常
検出の高い能力を必要とするような場合には、複数アド
レスの不揮発性ＲＡＭ上に、データを分割するようにし
、たとえば、８ｂｉｔのデータの場合には、上位４ｂｉ
ｔと下位４ｂｉｔとに分割するようにして別のアドレス
にストアすることにより上述の異常検出能力を高める効
果が得られる。
すなわち、第１図においては、ＦＦ０２Ｈのデータが復
帰時ＦＦ）Ｉに変化しているが、ＦＦ１２Ｈのデータと
比較した結果として、データ値の異常を明確に検出する
ことができ、また万一、ＦＦ１２ＨのデータもＦＦＨに
変化していたとしても、上述したようにデータ範囲を４
ｂｉｔに設定していれば、この場合もデータ異常である
ことを正しく検出できることになる。
帰時ＦＦ）Ｉに変化しているが、ＦＦ１２Ｈのデータと
比較した結果として、データ値の異常を明確に検出する
ことができ、また万一、ＦＦ１２ＨのデータもＦＦＨに
変化していたとしても、上述したようにデータ範囲を４
ｂｉｔに設定していれば、この場合もデータ異常である
ことを正しく検出できることになる。
つぎに第２図（Ａ）および（Ｂ）のフローチャートによ
り、さらに説明する。
り、さらに説明する。
第２図（Ａ）においては、データ退避時に、まず、ステ
ップＳ−２０１で、ＣＰＵＩはアドレスＦＦ０２Ｈにデ
ータをストアすると共に、ステップＳ−２０２で、アド
レスＦＦ１２）１にも同様にストアして終了する。
ップＳ−２０１で、ＣＰＵＩはアドレスＦＦ０２Ｈにデ
ータをストアすると共に、ステップＳ−２０２で、アド
レスＦＦ１２）１にも同様にストアして終了する。
第２図ＣＢ）においては、データ復帰時に、まず、ステ
ップＳ−２０３で、ＣＰｔ１ｌはアドレスＦＦ０２Ｈの
データを読み出して参照し、ステップＳ−２０４で、ア
ドレスＦＦ１２）１も同様に読み出して参照する。
ップＳ−２０３で、ＣＰｔ１ｌはアドレスＦＦ０２Ｈの
データを読み出して参照し、ステップＳ−２０４で、ア
ドレスＦＦ１２）１も同様に読み出して参照する。
ステップＳ−２０５で、読み出された各データの値が一
致しているかどうかを判断する。
致しているかどうかを判断する。
一致していなければ、そのデータの値は異常であると判
断する。データが一致していれば、ステプＳ−２０６で
、所定の範囲内にあるかどうかを判断する。範囲内でな
ければ、データ異常と判断する。また、範囲内であれば
通常動作が行われ、データ処理が実行される。
断する。データが一致していれば、ステプＳ−２０６で
、所定の範囲内にあるかどうかを判断する。範囲内でな
ければ、データ異常と判断する。また、範囲内であれば
通常動作が行われ、データ処理が実行される。
上述した実施例においては、復帰時に、複数の不揮発性
ＲＡＭのそれぞれ対応するアドレスのデータの値がすべ
て等しい場合にのみ、真の値と判断し、その他の場合は
偽の値と判断したが、３つ以上の不揮発性ＲＡＭにデー
タを退避させた場合に、復帰時に、上述の複数の不揮発
性ＲＡＭからのデータ値をすべて比較し、最も多く一致
するデータ値を真の値としてもよいことは勿論である。
ＲＡＭのそれぞれ対応するアドレスのデータの値がすべ
て等しい場合にのみ、真の値と判断し、その他の場合は
偽の値と判断したが、３つ以上の不揮発性ＲＡＭにデー
タを退避させた場合に、復帰時に、上述の複数の不揮発
性ＲＡＭからのデータ値をすべて比較し、最も多く一致
するデータ値を真の値としてもよいことは勿論である。
（発明の効果）
以上から明らかなように、本発明によれば、複数の不揮
発性ＲＡＭに同一のデータをそれぞれ退避させ、復帰時
に、すべての不揮発性ＲＡＭから読み出されたデータの
値を比較し、判断することによって、データ値の真偽を
検知することが可能となる。したがって、不揮発性ＲＡ
Ｍを使用する場合の信頼性を向上させることができる。
発性ＲＡＭに同一のデータをそれぞれ退避させ、復帰時
に、すべての不揮発性ＲＡＭから読み出されたデータの
値を比較し、判断することによって、データ値の真偽を
検知することが可能となる。したがって、不揮発性ＲＡ
Ｍを使用する場合の信頼性を向上させることができる。
第１図は、本発明による一実施例のデータ記憶状態を示
す配列図、 第２図（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）は本発明による一実
施例の構成を示すブロック図およびデータ変化検知の手
順を示すフローチャート、第３図は従来の不揮発性ＲＡ
Ｍを有する機器構成の基本的例を示すブロック図、 第４図は第３図の構成におけるシーケンスを示すフロー
チャート、 第５図は従来の不揮発性ＲＡＭのデータ記憶状態例を示
す配列図である。 １−Ｃ１’Ｌｌ。 ２．２２−・・ＲＯＭ 。 ３．２４・・・不揮発性ＲＡＭ、 ４ ・・・ 外部機器、 ２３ ・・・ ＲＡＭ。 Ａ（発θ用べふニー−にｈ性インリリテーり３ご、おし
の践之力くず西己ｆ’ｌじ０第１図 データ４喝峙 データ４喝峙 チーク異常℃枦ｌ止印 箒２図 第２図 第３図 区醒時 優〔敷の不才１老＋ｌＲＡＭのデータ記第５″ 棧梯時 ； ）ｒｉ４＆Ｑイｙ’ｌｔ＊ｆ６己うゝＩＬ口図
す配列図、 第２図（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）は本発明による一実
施例の構成を示すブロック図およびデータ変化検知の手
順を示すフローチャート、第３図は従来の不揮発性ＲＡ
Ｍを有する機器構成の基本的例を示すブロック図、 第４図は第３図の構成におけるシーケンスを示すフロー
チャート、 第５図は従来の不揮発性ＲＡＭのデータ記憶状態例を示
す配列図である。 １−Ｃ１’Ｌｌ。 ２．２２−・・ＲＯＭ 。 ３．２４・・・不揮発性ＲＡＭ、 ４ ・・・ 外部機器、 ２３ ・・・ ＲＡＭ。 Ａ（発θ用べふニー−にｈ性インリリテーり３ご、おし
の践之力くず西己ｆ’ｌじ０第１図 データ４喝峙 データ４喝峙 チーク異常℃枦ｌ止印 箒２図 第２図 第３図 区醒時 優〔敷の不才１老＋ｌＲＡＭのデータ記第５″ 棧梯時 ； ）ｒｉ４＆Ｑイｙ’ｌｔ＊ｆ６己うゝＩＬ口図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）不揮発性ＲＡＭを有するメモリバックアップ装置に
おいて、 複数個の不揮発性ＲＡＭと、 退避すべきデータを前記複数個の不揮発性ＲＡＭに共通
に書き込む手段と、 復帰時には、前記複数個の不揮発性ＲＡＭから読み出さ
れたデータの値がすべて等しい場合にのみ、当該データ
の値を復帰データとして読み出す手段と、 を具えたことを特徴とするメモリバックアップ装置。 ２）不揮発性ＲＡＭを有するメモリバックアップ装置に
おいて、 複数個の不揮発性ＲＡＭと、 退避すべきデータを前記複数個の不揮発性ＲＡＭに共通
に書き込む手段と、 復帰時には、前記複数個の不揮発性ＲＡＭから読み出さ
れたデータの値がすべて等しく、かつ特定の範囲内の値
である場合に、当該データの値を復帰データとして読み
出す手段と、 を具えたことを特徴とするメモリバックアップ装置。 ３）不揮発性ＲＡＭを有するメモリバックアップ装置に
おいて、 複数個の不揮発性ＲＡＭと、 退避すべきデータを前記複数個の不揮発性ＲＡＭに共通
に書き込む手段と、 復帰時には、前記複数個の不揮発性ＲＡＭから読み出さ
れたデータの値のうち、最も多く一致する当該データの
値を復帰データとして読み出す手段と、 を具えたことを特徴とするメモリバックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61245476A JPS63100557A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 不揮発性ｒａｍを有するメモリバツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61245476A JPS63100557A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 不揮発性ｒａｍを有するメモリバツクアツプ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63100557A true JPS63100557A (ja) | 1988-05-02 |
Family
ID=17134226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61245476A Pending JPS63100557A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 不揮発性ｒａｍを有するメモリバツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63100557A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06235517A (ja) * | 1993-02-09 | 1994-08-23 | Hanshin Electric Co Ltd | 燃焼機器制御装置 |
| JPH06235515A (ja) * | 1993-02-09 | 1994-08-23 | Hanshin Electric Co Ltd | 燃焼機器制御装置 |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP61245476A patent/JPS63100557A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06235517A (ja) * | 1993-02-09 | 1994-08-23 | Hanshin Electric Co Ltd | 燃焼機器制御装置 |
| JPH06235515A (ja) * | 1993-02-09 | 1994-08-23 | Hanshin Electric Co Ltd | 燃焼機器制御装置 |
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