JPS63100176A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
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- JPS63100176A JPS63100176A JP24438386A JP24438386A JPS63100176A JP S63100176 A JPS63100176 A JP S63100176A JP 24438386 A JP24438386 A JP 24438386A JP 24438386 A JP24438386 A JP 24438386A JP S63100176 A JPS63100176 A JP S63100176A
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- magnet
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- plasma
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- Pending
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
両端解放で内面が円筒形のターゲットを用い、ターゲッ
トの直径に平行な磁場によりプラズマを円筒内に閉じ込
め、被成長基板をターゲットの外側に、かつその軸に垂
直に保持することにより、被成長基板のプラズマによる
損傷と温度上昇を抑制する。またこのような構造により
、ターゲット物質の散乱粒子のみが基板に到達するよう
にして、段差被覆の良好な被膜を形成できるようにする
。
トの直径に平行な磁場によりプラズマを円筒内に閉じ込
め、被成長基板をターゲットの外側に、かつその軸に垂
直に保持することにより、被成長基板のプラズマによる
損傷と温度上昇を抑制する。またこのような構造により
、ターゲット物質の散乱粒子のみが基板に到達するよう
にして、段差被覆の良好な被膜を形成できるようにする
。
本発明はスパッタ装置の構造に関する。
スパッタ装置は半導体装置の製造において、基板上への
被膜の形成、あるいはエツチングに広く使用されている
。
被膜の形成、あるいはエツチングに広く使用されている
。
第２図は従来例によるスパッタ装置の構造を説明する断
面図である。
面図である。
図において、真空容器１は、ガス導入口２よりアルゴン
（Ａｒ）を導入し、排気口３より排気して数ｍＴｏｒｒ
に減圧する。
（Ａｒ）を導入し、排気口３より排気して数ｍＴｏｒｒ
に減圧する。
真空容器１内にはアルミニウム（ＡＩ）、銅（Ｃｕ）、
モリブデン（Ｍｏ）、タングステン国）、チタン（Ｔｉ
）、シリコン（Ｓｉ）等よりなるターゲット４が真空容
器ｌと電気的に絶縁して置かれている。
モリブデン（Ｍｏ）、タングステン国）、チタン（Ｔｉ
）、シリコン（Ｓｉ）等よりなるターゲット４が真空容
器ｌと電気的に絶縁して置かれている。
ターゲット４の裏面には磁石５が配置され、磁力線６を
発生する。
発生する。
磁石５はターゲット４の表面におけるプラズマ密度を上
げてスパッタ効率を向上するもので、通常、このように
磁石を使用した装置はマグネトロンスパッタ装置と呼ば
れている。
げてスパッタ効率を向上するもので、通常、このように
磁石を使用した装置はマグネトロンスパッタ装置と呼ば
れている。
また、磁石５はターゲット４の中心軸の周りを紙面に垂
直な面内で回転してターゲット４のエロージョンを均一
にして、ターゲット４の使用効率を上げている。
直な面内で回転してターゲット４のエロージョンを均一
にして、ターゲット４の使用効率を上げている。
ターゲット４に対向して被成長基板７を保持する電極８
が真空容器ｌとともに電気的に接地されて配置されてい
る。
が真空容器ｌとともに電気的に接地されて配置されてい
る。
ターゲット４には負の電位（−５００Ｖ〜−数ＫＶ）が
直流を源９より印加される。
直流を源９より印加される。
従来例では被成長基板がプラズマに曝されるため、損傷
を受ける。
を受ける。
また、ターゲット物質の垂直入射成分が多いため、被着
膜の段差被覆がわるい。
膜の段差被覆がわるい。
上記問題点の解決は、両端解放で内面が円筒形のターゲ
ットと、該ターゲットの直径に平行な方向に磁力線を発
生する磁石と、該ターゲットの軸にほぼ垂直に被成長基
板を保持する手段とを有するスパッタ装置により達成さ
れる。
ットと、該ターゲットの直径に平行な方向に磁力線を発
生する磁石と、該ターゲットの軸にほぼ垂直に被成長基
板を保持する手段とを有するスパッタ装置により達成さ
れる。
前記磁石は前記ターゲットの軸の周りに回転するように
して、ターゲットの使用効率を上げることができる。
して、ターゲットの使用効率を上げることができる。
本発明は両端解放で内面が円筒形のターゲットを用い、
ターゲットの直径に平行な磁場によりプラズマを円筒内
に閉じ込め、被成長基板をターゲットの外側に、かつそ
の軸にほぼ垂直に保持することにより、被成長基板のプ
ラズマによる損傷と温度上昇を抑制するものである。
ターゲットの直径に平行な磁場によりプラズマを円筒内
に閉じ込め、被成長基板をターゲットの外側に、かつそ
の軸にほぼ垂直に保持することにより、被成長基板のプ
ラズマによる損傷と温度上昇を抑制するものである。
この結果、ターゲット物質の基板への垂直入射成分を減
らして、段差被覆の良好な被膜を形成できる。
らして、段差被覆の良好な被膜を形成できる。
また、磁石をターゲットの軸の周りに回転すればターゲ
ットのエロージョンは均一となり、ターゲットの使用効
率を上げることができる。
ットのエロージョンは均一となり、ターゲットの使用効
率を上げることができる。
第１図（１）、（２）は本発明によるスパッタ装置の構
造を説明する断面図と側断面図である。
造を説明する断面図と側断面図である。
図において、真空容器ｌは、ガス導入口２よりＡｒを導
入し、排気口３より排気して数ｍＴｏｒｒに減圧される
。
入し、排気口３より排気して数ｍＴｏｒｒに減圧される
。
真空容器１内には、ＡＩ −、Ｃｕ５Ｍ０％ Ｗ Ｓ７
１％ Ｓｉ等よりなる両端解放で内面が円筒形のターゲ
ット４が真空容３１と電気的に絶縁して配置されている
。
１％ Ｓｉ等よりなる両端解放で内面が円筒形のターゲ
ット４が真空容３１と電気的に絶縁して配置されている
。
ターゲット４の外側には磁石５が配置され、円筒の直径
に平行な方向に磁力線６を発生する。磁石５は円筒の中
心軸の周りを回転してターゲット４のエロージョンを均
一にして、ターゲット４の使用効率を上げている。
に平行な方向に磁力線６を発生する。磁石５は円筒の中
心軸の周りを回転してターゲット４のエロージョンを均
一にして、ターゲット４の使用効率を上げている。
ターゲット４と磁石５の中間に、ターゲット４の外周に
接触して冷却水套１０が設けられる。
接触して冷却水套１０が設けられる。
ターゲット４の外側に、かつ円筒の中心軸に垂直に被成
長基板７を保持する電極８が真空容器１とともに電気的
に接地されて配置されている。
長基板７を保持する電極８が真空容器１とともに電気的
に接地されて配置されている。
ターゲット４には負の電位（−５００Ｖ〜−数ＫＶ）が
直流電源９より印加される。
直流電源９より印加される。
このような構造では、ターゲット物質の散乱粒子のみが
基板に到達して段差被覆の良好な被膜を形成することが
でき、また、プラズマがターゲット内に効率よく捕捉さ
れてガンマ電子や負イオンの基板への入射を抑えること
ができるため、基板衝撃が少なく、基板の損傷と温度上
昇が抑制できる。
基板に到達して段差被覆の良好な被膜を形成することが
でき、また、プラズマがターゲット内に効率よく捕捉さ
れてガンマ電子や負イオンの基板への入射を抑えること
ができるため、基板衝撃が少なく、基板の損傷と温度上
昇が抑制できる。
また、磁石はターゲットの外周を回転するため、ターゲ
ットのエロージョンは従来例に比し非常に均一化される
。
ットのエロージョンは従来例に比し非常に均一化される
。
以上詳細に説明したように本発明によれば、被成長基板
のプラズマによる損傷と温度上昇を抑制できる。
のプラズマによる損傷と温度上昇を抑制できる。
また、ターゲット物質の基板への垂直入射成分が減り、
段差被覆の良好な被膜を形成できる。
段差被覆の良好な被膜を形成できる。
さらに、本発明の構造上、ターゲットの使用効率は非常
によくなる。
によくなる。
第１図（１）、（２）は本発明によるスパッタ装置の構
造を説明する断面図と側断面図、 第２図は従来例によるスパッタ装置の構造を説明する断
面図である。 図において、 ｌは真空容器、 ２はガス導入口、 ３は排気口、 ４はターゲット、 ５は磁石、 ６は磁力線、 ７は被成長基板、 ８は電極、 ９は直流電源、 １０は冷却水套
造を説明する断面図と側断面図、 第２図は従来例によるスパッタ装置の構造を説明する断
面図である。 図において、 ｌは真空容器、 ２はガス導入口、 ３は排気口、 ４はターゲット、 ５は磁石、 ６は磁力線、 ７は被成長基板、 ８は電極、 ９は直流電源、 １０は冷却水套
Claims (2)
- （１）両端解放で内面が円筒形のターゲットと、該ター
ゲットの直径に平行な方向に磁力線を発生する磁石と、
該ターゲットの外側に、かつ該ターゲットの軸にほぼ垂
直に被成長基板を保持する手段とを有することを特徴と
するスパッタ装置。 - （２）前記磁石は前記ターゲットの軸の周りに回転する
手段を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24438386A JPS63100176A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24438386A JPS63100176A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63100176A true JPS63100176A (ja) | 1988-05-02 |
Family
ID=17117866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24438386A Pending JPS63100176A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63100176A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH024966A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-09 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
| JP2020029577A (ja) * | 2018-08-21 | 2020-02-27 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
-
1986
- 1986-10-15 JP JP24438386A patent/JPS63100176A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH024966A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-09 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
| JP2020029577A (ja) * | 2018-08-21 | 2020-02-27 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
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