JPS5916975A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS5916975A JPS5916975A JP12505782A JP12505782A JPS5916975A JP S5916975 A JPS5916975 A JP S5916975A JP 12505782 A JP12505782 A JP 12505782A JP 12505782 A JP12505782 A JP 12505782A JP S5916975 A JPS5916975 A JP S5916975A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- cathode target
- metal electrode
- sputtering apparatus
- sample substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスパッタリング装置、特に真空槽に陰極ターゲ
ットおよびその対向面に試料を設けることによって陰極
形成材料を試料面に堆積するスパッタリング装置に関す
る。
ットおよびその対向面に試料を設けることによって陰極
形成材料を試料面に堆積するスパッタリング装置に関す
る。
第１図に従来のスパッタリング装置の概略構成を示す。
従来のこの種の装置は、たとえば真空槽１３内にＡｒガ
スを１０ ’ 〜ｌ ０−３Ｔｏｒｒ程度の圧力で封入
し、この真空槽１３内に・、設けた陰極タープ・ント１
１に負電位の直流電流を印加するか、あるいは図示する
ようにカップリングコンデンサ１０を介して高周波電力
ＲＦを供給することによって陰極ターゲットと、０電位
に接続された試料を保持する試料基板１２間にグロー放
電を起し、イオン化したＡｒにより陰極を構成する材料
が叩き出される現象（スパッタ現象）により試料基板１
２上の試料に薄膜堆積を行なうものである。
スを１０ ’ 〜ｌ ０−３Ｔｏｒｒ程度の圧力で封入
し、この真空槽１３内に・、設けた陰極タープ・ント１
１に負電位の直流電流を印加するか、あるいは図示する
ようにカップリングコンデンサ１０を介して高周波電力
ＲＦを供給することによって陰極ターゲットと、０電位
に接続された試料を保持する試料基板１２間にグロー放
電を起し、イオン化したＡｒにより陰極を構成する材料
が叩き出される現象（スパッタ現象）により試料基板１
２上の試料に薄膜堆積を行なうものである。
従来のこの種の装置における陰極ターゲット蒸発源は一
般に平板状に形成したものが多く、スパッタリング材料
の蒸発時における発散放射分布は広範な拡がりを持ち、
薄膜形成プロセスにおける試料に対する入射粒子エネル
ギーの制御が困難であった。その上、スパッタ現象の飛
散方向が広範囲なことにより装置内部の試料以外の部分
に蒸着物の堆積を招き真空槽が堆積物により汚れ易いと
いう欠点があった。このため、従来のスパッタリング用
の真空槽は図示するようにその内部に金属製の防着板１
４などを設は二重の構造とし、真空槽壁などに７９着物
が付着するのを防ぐ構造を採用しなければならなかった
。
般に平板状に形成したものが多く、スパッタリング材料
の蒸発時における発散放射分布は広範な拡がりを持ち、
薄膜形成プロセスにおける試料に対する入射粒子エネル
ギーの制御が困難であった。その上、スパッタ現象の飛
散方向が広範囲なことにより装置内部の試料以外の部分
に蒸着物の堆積を招き真空槽が堆積物により汚れ易いと
いう欠点があった。このため、従来のスパッタリング用
の真空槽は図示するようにその内部に金属製の防着板１
４などを設は二重の構造とし、真空槽壁などに７９着物
が付着するのを防ぐ構造を採用しなければならなかった
。
本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、スパッタリ
ングエネルギーの制御が容易で、また真空槽の汚れが少
なくて済み、加えて放電インピーダンスを下げ、放電の
安定したスパッタ効率の良いスパッタリング装置を提供
することを目的とする。
ングエネルギーの制御が容易で、また真空槽の汚れが少
なくて済み、加えて放電インピーダンスを下げ、放電の
安定したスパッタ効率の良いスパッタリング装置を提供
することを目的とする。
以上の目的を達成するために、本発明では、真空槽内に
陰極ターゲットと試料基板を対向して配置したスパッタ
リング装置において、陰極ターゲットの直径の所定倍数
の直径と高ツに有する円筒形状の金属電極を陰極ターゲ
ットの近傍に設け、前記金属電極および前記試料基板と
、陰極ターゲット間に高周波電圧または直流電圧を印加
することによって前記試料基板に保持された試料に薄膜
堆積を行なう構成を採用した。
陰極ターゲットと試料基板を対向して配置したスパッタ
リング装置において、陰極ターゲットの直径の所定倍数
の直径と高ツに有する円筒形状の金属電極を陰極ターゲ
ットの近傍に設け、前記金属電極および前記試料基板と
、陰極ターゲット間に高周波電圧または直流電圧を印加
することによって前記試料基板に保持された試料に薄膜
堆積を行なう構成を採用した。
以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。ただし、以下の図面において従来例と同一または
相当する部分には同一の符号を付し、その説明は省略す
る。
する。ただし、以下の図面において従来例と同一または
相当する部分には同一の符号を付し、その説明は省略す
る。
第２図は本発明のスパッタリング装置の実施例の概略構
成を示す。同図におけるスパッタリング装置は第１図に
示した従来装置から防着板１４を取り外し、陰極ターゲ
ット１１の近傍に円筒形状の金属電極２０を設けた構造
としている。この金属電極２０の寸法は陰極ターゲット
１１の直径をｄとするとき、直径りを約ｄ〜１．５ｄと
し、高さＬを約１／４ｄ−ｄとする。さらにこの金属電
極２０は試料基板１２と同電位に接続される。この円筒
形状の金属電極２０を以下プラズマセルと呼ぶ。
成を示す。同図におけるスパッタリング装置は第１図に
示した従来装置から防着板１４を取り外し、陰極ターゲ
ット１１の近傍に円筒形状の金属電極２０を設けた構造
としている。この金属電極２０の寸法は陰極ターゲット
１１の直径をｄとするとき、直径りを約ｄ〜１．５ｄと
し、高さＬを約１／４ｄ−ｄとする。さらにこの金属電
極２０は試料基板１２と同電位に接続される。この円筒
形状の金属電極２０を以下プラズマセルと呼ぶ。
以上の構成を採用すれば陰極ターゲット１１とプラズマ
セル２０および試料基板１２間に従来と同様に直流電圧
または高周波電圧を印加することによって陰極ターゲッ
ト１１の構成材料を試料基板１２」二に堆積することが
できる。このプラズマセル２０を設けて高周波または直
流電圧を印加することにより真空槽内のプラズマ電位を
制御することが可能で、また放電インピーダンスを低下
させることが”できる。
セル２０および試料基板１２間に従来と同様に直流電圧
または高周波電圧を印加することによって陰極ターゲッ
ト１１の構成材料を試料基板１２」二に堆積することが
できる。このプラズマセル２０を設けて高周波または直
流電圧を印加することにより真空槽内のプラズマ電位を
制御することが可能で、また放電インピーダンスを低下
させることが”できる。
第３図に本発明および従来のスパッタリング装置の放電
インピーダンスの比較を線図として示す。（ただし、こ
こでは陰極材料として５ｉ０２を用いた場合を示す。）
同図に見るようにプラズマセル２０を採用することによ
ってほぼ全投入電力域で放電インピータンスを低下させ
ることが可能で、放電の安定性を向上することができる
。また、これにより第４図に示すようにスパッタ効率を
２０〜３０％向上させることが可能である。
インピーダンスの比較を線図として示す。（ただし、こ
こでは陰極材料として５ｉ０２を用いた場合を示す。）
同図に見るようにプラズマセル２０を採用することによ
ってほぼ全投入電力域で放電インピータンスを低下させ
ることが可能で、放電の安定性を向上することができる
。また、これにより第４図に示すようにスパッタ効率を
２０〜３０％向上させることが可能である。
またプラズマセル２０はスパッタリング時に飛散するス
パッタ粒子の真空Ｉ！！１３内壁への付着を防ぎ、真空
槽１３内の汚れを防ぐ効果もある。
パッタ粒子の真空Ｉ！！１３内壁への付着を防ぎ、真空
槽１３内の汚れを防ぐ効果もある。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば真空槽
内に陰極ターゲットと試料基板を対向して配置したスパ
ッタリング装置において、陰極ターゲットの直径の所定
倍数の直径と高り有する円筒形状の金属電極を陰極ター
ゲットの近傍に設け、前記金属電極および前記試料基板
と、前記陰極ターゲット間に高周波電圧または直ｉ；：
ｃ ｉ圧を印加することによって前記試料基板に保持さ
れた試料に薄膜堆積を行なう構成を擾琳奉採用している
ため、スパッタリングエネルギーの制御が容易で、また
真空槽の汚れが少なくて済み、加えて放電インピーダン
スを下げ、放電の安定したスパッタ効率の良いスパッタ
リング装置を提供することができる。
内に陰極ターゲットと試料基板を対向して配置したスパ
ッタリング装置において、陰極ターゲットの直径の所定
倍数の直径と高り有する円筒形状の金属電極を陰極ター
ゲットの近傍に設け、前記金属電極および前記試料基板
と、前記陰極ターゲット間に高周波電圧または直ｉ；：
ｃ ｉ圧を印加することによって前記試料基板に保持さ
れた試料に薄膜堆積を行なう構成を擾琳奉採用している
ため、スパッタリングエネルギーの制御が容易で、また
真空槽の汚れが少なくて済み、加えて放電インピーダン
スを下げ、放電の安定したスパッタ効率の良いスパッタ
リング装置を提供することができる。
第１図は従来のスパッタリング装置の構成を示す説明図
、第２図以下は本発明を説明するもので、＠２図は本発
明のスパッタリング装置の概略構成を示す説明図、第３
図、第４図は本発明のスパッタリング装置の動作を説明
する線図である。
、第２図以下は本発明を説明するもので、＠２図は本発
明のスパッタリング装置の概略構成を示す説明図、第３
図、第４図は本発明のスパッタリング装置の動作を説明
する線図である。
Claims (1)
- 真空槽内に陰極ターゲットと試料基板を対向し円筒形状
の金属電極を陰極タープ・ントの近傍に設け、前記金属
電極および前記試料基板と、前記陰極ターゲット間に高
周波電圧または直流電圧を印加することによって前記試
料基板に保持された試料に薄１り堆積を行なうことを特
徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12505782A JPS5916975A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12505782A JPS5916975A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5916975A true JPS5916975A (ja) | 1984-01-28 |
Family
ID=14900747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12505782A Pending JPS5916975A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5916975A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01111872A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | スパッタリング装置 |
| US4997539A (en) * | 1988-07-15 | 1991-03-05 | Mitsubishi Kasei Corporation | Method and apparatus for producing a magnetic recording medium |
| US5316645A (en) * | 1990-08-07 | 1994-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
| US6606473B1 (en) * | 2002-02-08 | 2003-08-12 | General Plastic Industrial Co., Ltd. | Toner container for use with a developing device in an image forming apparatus |
| US6721525B2 (en) | 2001-11-12 | 2004-04-13 | General Plastics Industrial Co., Ltd. | Cartridge with a replaceable toner container for a laser printing imaging apparatus |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP12505782A patent/JPS5916975A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01111872A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | スパッタリング装置 |
| JPH0583633B2 (ja) * | 1987-10-23 | 1993-11-26 | Sumitomo Electric Industries | |
| US4997539A (en) * | 1988-07-15 | 1991-03-05 | Mitsubishi Kasei Corporation | Method and apparatus for producing a magnetic recording medium |
| US5316645A (en) * | 1990-08-07 | 1994-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
| US6721525B2 (en) | 2001-11-12 | 2004-04-13 | General Plastics Industrial Co., Ltd. | Cartridge with a replaceable toner container for a laser printing imaging apparatus |
| US6606473B1 (en) * | 2002-02-08 | 2003-08-12 | General Plastic Industrial Co., Ltd. | Toner container for use with a developing device in an image forming apparatus |
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