JPS63100057A - 高密度フオルステライト焼結体およびその製造方法 - Google Patents
高密度フオルステライト焼結体およびその製造方法Info
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- JPS63100057A JPS63100057A JP24305286A JP24305286A JPS63100057A JP S63100057 A JPS63100057 A JP S63100057A JP 24305286 A JP24305286 A JP 24305286A JP 24305286 A JP24305286 A JP 24305286A JP S63100057 A JPS63100057 A JP S63100057A
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- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 16
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高密度のフォルステライト焼結体とこの高密
度フォルステライト焼結体を製造する方法に関するもの
である。
度フォルステライト焼結体を製造する方法に関するもの
である。
セラミックス材料の一種であるフォルステライト （２
ＭｇＯ−８ｉｏ ｚ）は、これを成形して焼結すること
により、従来上り主として高周波絶縁部材として使用さ
れている。
ＭｇＯ−８ｉｏ ｚ）は、これを成形して焼結すること
により、従来上り主として高周波絶縁部材として使用さ
れている。
また、電算機用およびオーディオ用磁気ヘッドのスライ
ダー材として用いられている。
ダー材として用いられている。
しかしながら、７すルステライトの焼結体を磁気ヘッド
のスライダー材として用いた場合、７ｔルステライトの
焼結体には空孔が多いので磁性媒体に傷を付けやすい、
また、使用中にこの空孔に塵が入り、このため磁気ヘッ
ドの電磁変換出力が低下するという問題を有するもので
ある。
のスライダー材として用いた場合、７ｔルステライトの
焼結体には空孔が多いので磁性媒体に傷を付けやすい、
また、使用中にこの空孔に塵が入り、このため磁気ヘッ
ドの電磁変換出力が低下するという問題を有するもので
ある。
上記のような問題点があり、特に電算機用の７０ツピー
デイスクドライブ（ＦＤＤ）、リジットディスクドライ
ブ（ＲＤ Ｄ ）用磁気ヘッドのスライダーとしては磁
性媒体に短時間で傷を付は使用できなかった。
デイスクドライブ（ＦＤＤ）、リジットディスクドライ
ブ（ＲＤ Ｄ ）用磁気ヘッドのスライダーとしては磁
性媒体に短時間で傷を付は使用できなかった。
本発明は、上記従来の問題点を解消し、高密度で空孔の
少ないフォルステライト焼結体とこの焼結体を製造する
方法を提供せんとするものである。
少ないフォルステライト焼結体とこの焼結体を製造する
方法を提供せんとするものである。
本発明者らは上記目的達成のため種々の検討を行なった
結果、磁性媒体に傷をつけにくく、コンピュータ用磁気
ヘッドのスライダーとしでも用いることができるフォル
ステライトの焼結体として、焼結体中の空孔の大きさが
最大径１０μ輪以下であり、かつ最大径５〜１０μｍの
空孔が３０個／−２以下であるものとした。
結果、磁性媒体に傷をつけにくく、コンピュータ用磁気
ヘッドのスライダーとしでも用いることができるフォル
ステライトの焼結体として、焼結体中の空孔の大きさが
最大径１０μ輪以下であり、かつ最大径５〜１０μｍの
空孔が３０個／−２以下であるものとした。
そして上記のような高密度の７ｔオルステライト焼結を
得る方法としては、フォルステライト造粒粉を圧縮成形
し、１２７５〜１３００℃の温度範囲で３０分以上保持
して平均粒径が３゜０μｍ以下の予備焼結体とした後、
該予備焼結体に１３００〜１４００℃の温度範囲で８０
０〜１５００気圧の静水圧を加えることを特徴とするも
のである。
得る方法としては、フォルステライト造粒粉を圧縮成形
し、１２７５〜１３００℃の温度範囲で３０分以上保持
して平均粒径が３゜０μｍ以下の予備焼結体とした後、
該予備焼結体に１３００〜１４００℃の温度範囲で８０
０〜１５００気圧の静水圧を加えることを特徴とするも
のである。
本発明のフォルステライト焼結体は、空孔の最大径が１
０μｍ以下と小さく、また最大径５〜１０μｍの空孔は
３０個／ ｍＴａ”以下とその数が少ないので、磁性媒
体に傷をつけに（いのである。
０μｍ以下と小さく、また最大径５〜１０μｍの空孔は
３０個／ ｍＴａ”以下とその数が少ないので、磁性媒
体に傷をつけに（いのである。
空孔の最大径を１０μ脇以下としたのは、−数的には５
０μｍ以上は不可とされているが、コンピュータ用磁気
ヘッドのスライダーとしては１０μ輪より大きくなると
摺動特性が悪くなりで好ましくないので１０μｍ以下に
規定した。
０μｍ以上は不可とされているが、コンピュータ用磁気
ヘッドのスライダーとしては１０μ輪より大きくなると
摺動特性が悪くなりで好ましくないので１０μｍ以下に
規定した。
また空孔の数も多（なると摺動特性が悪くなるので最大
径５〜１０μｍのもので３０個／−輪２以下とした。
径５〜１０μｍのもので３０個／−輪２以下とした。
次に本発明の製造方法は、従来と同様にフォルステライ
ト遺粒粉な圧縮成形し、１２７５〜１３００℃の温度範
囲で３０分間以上保持して、平均粒径を３．０μｍ以下
にコントロールした予備焼結体に、さらにＨＩＰ処理（
熱間静水圧プレス法による処理）を施すことにより、７
ｔルステライトの前記平均粒径のものを粒成長させ、空
孔を前記の大きさと数にすることができるのである。
ト遺粒粉な圧縮成形し、１２７５〜１３００℃の温度範
囲で３０分間以上保持して、平均粒径を３．０μｍ以下
にコントロールした予備焼結体に、さらにＨＩＰ処理（
熱間静水圧プレス法による処理）を施すことにより、７
ｔルステライトの前記平均粒径のものを粒成長させ、空
孔を前記の大きさと数にすることができるのである。
予備焼結体の平均粒径を ３．０μ輪以下としたのは、
３．０μｍより大きいとＨＩＰ処理の効果がな（、大き
な空孔が多数残るからである。
３．０μｍより大きいとＨＩＰ処理の効果がな（、大き
な空孔が多数残るからである。
ＨＩＰ処理の温度と圧力は、種々実験の結果それぞれ前
記の範囲とした。
記の範囲とした。
〔実施例１〕
市販のフォルステライト造粒粉を２ｔ／ｃ論２の圧力で
１５Ｘ３４Ｘ５ｔのブロックに圧縮成形し、得られた成
形体を大気雰囲気中で予備焼結を行ない、第１表の条件
でＨＩＰ処理をした。
１５Ｘ３４Ｘ５ｔのブロックに圧縮成形し、得られた成
形体を大気雰囲気中で予備焼結を行ない、第１表の条件
でＨＩＰ処理をした。
ＨＩＰ圧力は１ ＊０００ｋｇ／ａ論”である。
第１表にその結果を示す。
第１表かられかるとおり、本発明により高密度で空孔の
ないフォルステライト焼結体が得られた。
ないフォルステライト焼結体が得られた。
〔実施例２〕
第１図に示すように、磁性７エライトよりなる記録再生
用コア１と消去用コア２とを非磁性体の薄板状コア３を
介して直列一体に接合し、その左右にスライダー４．５
を接合したＦＤＤ用磁気ヘッドについて実装テストを行
なった。
用コア１と消去用コア２とを非磁性体の薄板状コア３を
介して直列一体に接合し、その左右にスライダー４．５
を接合したＦＤＤ用磁気ヘッドについて実装テストを行
なった。
その結果、従来のフォルステライトをスライダー４．５
に使用したものについては、５００万パスに満たないう
ちに磁性媒体の剥離が発生したが、本発明による高密度
フォルステライト焼結体を使用したものについでは、１
０００万パス以上テストを打なったが磁性媒体に剥離は
見られなかった。
に使用したものについては、５００万パスに満たないう
ちに磁性媒体の剥離が発生したが、本発明による高密度
フォルステライト焼結体を使用したものについでは、１
０００万パス以上テストを打なったが磁性媒体に剥離は
見られなかった。
上述のように本発明による７ｔオルステライト焼結は、
高密度で空孔が少ないので磁気ヘッドのスフイブ−材と
して用いた場合、磁性媒体に傷を付けにくく、また空孔
に塵が入って電磁変換出力が低下するという問題も少な
い。
高密度で空孔が少ないので磁気ヘッドのスフイブ−材と
して用いた場合、磁性媒体に傷を付けにくく、また空孔
に塵が入って電磁変換出力が低下するという問題も少な
い。
従って、電算機用磁気へラドのスライダーとしても使用
できる等応用範囲が大である。
できる等応用範囲が大である。
ｔｊＳ１図は本発明のフォルステライト焼結体を用いた
磁気ヘッドの一例を示す斜視図である。
磁気ヘッドの一例を示す斜視図である。
Claims (2)
- （１）焼結体中の空孔の大きさが最大径１０μｍ以下で
あり、かつ最大径５〜１０μｍの空孔が３０個／ｍｍ＾
２以下であることを特徴とする高密度フォルステライト
焼結体。 - （２）フォルステライト造粒粉を圧縮成形し、１２７５
〜１３００℃の温度範囲で３０分以上保持して平均粒径
が３．０μｍ以下の予備焼結体とした後、該予備焼結体
に１３００〜１４００℃の温度範囲で８００〜１５００
気圧の静水圧を加えることを特徴とする高密度フォルス
テライト焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24305286A JPS63100057A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 高密度フオルステライト焼結体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24305286A JPS63100057A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 高密度フオルステライト焼結体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63100057A true JPS63100057A (ja) | 1988-05-02 |
Family
ID=17098093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24305286A Pending JPS63100057A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 高密度フオルステライト焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63100057A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03150270A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-06-26 | General Electric Co <Ge> | セラミック体とその製造方法 |
| JP2006089357A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Nippon Carbide Ind Co Inc | セラミック基板の製造方法 |
-
1986
- 1986-10-15 JP JP24305286A patent/JPS63100057A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03150270A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-06-26 | General Electric Co <Ge> | セラミック体とその製造方法 |
| JP2006089357A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Nippon Carbide Ind Co Inc | セラミック基板の製造方法 |
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