JPS6297787A - レ−ザ加工装置 - Google Patents
レ−ザ加工装置Info
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- JPS6297787A JPS6297787A JP60236039A JP23603985A JPS6297787A JP S6297787 A JPS6297787 A JP S6297787A JP 60236039 A JP60236039 A JP 60236039A JP 23603985 A JP23603985 A JP 23603985A JP S6297787 A JPS6297787 A JP S6297787A
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- JP
- Japan
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- laser
- laser beam
- processing
- wafer
- excitation lamp
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0626—Energy control of the laser beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、レーザのエネルギにより加工を行うレーザ加
工装置に関する。
工装置に関する。
一般に間欠的に発光するパルスレーザ光（以後、レーザ
光と呼ぶ）を用いてレーザ加工を行う場合には、レーザ
光の出力を安定させるために常に励起ランプの発光周期
を一定にしておき、そして被加工物の全加工が終了する
まで励起ランプの周期的な発光を継続させるようにして
、出力の安定化を図っていた。この場合、常に励起ラン
プは周期的に発光されており、被加工物に対するレーザ
光の照射の制御は、被加工物とレーザ装置との間にメカ
ニカルシャッタを配置して行ったり、あるいはレーザ光
を出力するレーザ装置内に設けられたＱスイッチを励起
ランプの発光に同期してオン／オフさせることにより行
い、被加工物の位置決めが終了するまではメカニカルツ
ヤフタの開成、あるいはＱスイッチのオフによりレーザ
光を遮断していた。そして、被加工物の位置決め終了直
後の励起ランプの発光に同期してメカニカルツヤフタを
開放、あるいはＱスイッチをオンし、レーザ光を位置決
めされた被加工物に照射して加工を行っていた。従って
、前回の加工終了時がら今回の加工開始時までの間に被
加工物にレーザ光が照射されることのない時間が存在す
ることとなるが、励起ランプはその間も周期的な発光を
行っているので、加工には不必要な励起ランプの発光が
多く、その為に電力消費量が増大し、励起ランプの寿命
が短縮してしまう欠点があった。
光と呼ぶ）を用いてレーザ加工を行う場合には、レーザ
光の出力を安定させるために常に励起ランプの発光周期
を一定にしておき、そして被加工物の全加工が終了する
まで励起ランプの周期的な発光を継続させるようにして
、出力の安定化を図っていた。この場合、常に励起ラン
プは周期的に発光されており、被加工物に対するレーザ
光の照射の制御は、被加工物とレーザ装置との間にメカ
ニカルシャッタを配置して行ったり、あるいはレーザ光
を出力するレーザ装置内に設けられたＱスイッチを励起
ランプの発光に同期してオン／オフさせることにより行
い、被加工物の位置決めが終了するまではメカニカルツ
ヤフタの開成、あるいはＱスイッチのオフによりレーザ
光を遮断していた。そして、被加工物の位置決め終了直
後の励起ランプの発光に同期してメカニカルツヤフタを
開放、あるいはＱスイッチをオンし、レーザ光を位置決
めされた被加工物に照射して加工を行っていた。従って
、前回の加工終了時がら今回の加工開始時までの間に被
加工物にレーザ光が照射されることのない時間が存在す
ることとなるが、励起ランプはその間も周期的な発光を
行っているので、加工には不必要な励起ランプの発光が
多く、その為に電力消費量が増大し、励起ランプの寿命
が短縮してしまう欠点があった。
また、以上の欠点を解決するために、例えば励起ランプ
を周期的に発光させるのではなく、アライメント装置に
よる被加工物の位置合わせの完了時にのみ発光するよう
に、加工装置を構成することが考えられるが、この加工
装置では、励起ランプの発光間隔が非周期的となり、そ
の為にレーザ装置内の温度が変化して、その影響でレー
ザ光の出力エネルギーに変動が生して被加工物が加工さ
れすぎたり、未加工であったりして安定した加工ができ
ないという欠点があった。
を周期的に発光させるのではなく、アライメント装置に
よる被加工物の位置合わせの完了時にのみ発光するよう
に、加工装置を構成することが考えられるが、この加工
装置では、励起ランプの発光間隔が非周期的となり、そ
の為にレーザ装置内の温度が変化して、その影響でレー
ザ光の出力エネルギーに変動が生して被加工物が加工さ
れすぎたり、未加工であったりして安定した加工ができ
ないという欠点があった。
本発明の目的は、レーザ光の出力エネルギーの安定を損
なうことな（、低消費電力、長寿命を実現したレーザ加
工装置を提供することにある。
なうことな（、低消費電力、長寿命を実現したレーザ加
工装置を提供することにある。
この目的を達成するために、本発明のレーザ加工装置は
、パルス的に励起ランプを発し、その励起ランプの発光
間隔がアライメント装置の位置合わせの時間間隔に同期
して変動してもレーザ光の出力エネルギーを所定値に維
持調節する調節手段を有することを特徴とするものであ
る。
、パルス的に励起ランプを発し、その励起ランプの発光
間隔がアライメント装置の位置合わせの時間間隔に同期
して変動してもレーザ光の出力エネルギーを所定値に維
持調節する調節手段を有することを特徴とするものであ
る。
（第一実施例の説明）
以下本発明の第一実施例の第１図を参照しながら説明す
る。
る。
（ａ）実施例の構成
本実施例は、ウェハ上に多数形成されたＬＳＩチップの
回路パターンをパルス的なレーザ光により修正加工する
装置であり、第１図はその全体構成を示すブロック図で
ある。この装置は加工用レーザとしてパルス的に発光す
るレーザ光を出力するレーザ装置１ （以後、レーザと
呼ぶ）を採用しており、レーザ１から発せられたレーザ
光３（励起ランプの発光時にＱスイッチがオンされて発
光する）は、ビームエキスパンダ４でビーム径を拡大さ
れた後、ガルバノミラ−等で構成されたビーム偏向値Ｗ
５で偏向され、集光レンズ６に入射する。集光レンズ６
がら射出したレーザ光３は、ウェハ７上に集光される。
回路パターンをパルス的なレーザ光により修正加工する
装置であり、第１図はその全体構成を示すブロック図で
ある。この装置は加工用レーザとしてパルス的に発光す
るレーザ光を出力するレーザ装置１ （以後、レーザと
呼ぶ）を採用しており、レーザ１から発せられたレーザ
光３（励起ランプの発光時にＱスイッチがオンされて発
光する）は、ビームエキスパンダ４でビーム径を拡大さ
れた後、ガルバノミラ−等で構成されたビーム偏向値Ｗ
５で偏向され、集光レンズ６に入射する。集光レンズ６
がら射出したレーザ光３は、ウェハ７上に集光される。
ステージ装置８は、ウェハ７を３次元方向に駆動する。
偏向装置５とステージ装置８とは、レーザ光３とウェハ
７との位置関係を変化させるアライメント装置を構成し
ており、前者は微調整に、後者は粗調整に使用される。
７との位置関係を変化させるアライメント装置を構成し
ており、前者は微調整に、後者は粗調整に使用される。
偏向装置５がレーザ光３を偏向できる範囲（以下フィー
ルドと称する）は１乃至数チップ程度ノ面積であって、
偏向装置５はそのフィールド内の加工を要する箇所にレ
ーザ光３をアライメントする。ステージ装置８の水平方
向（ＸＹ方向）の可動範囲はウェハ７の全領域に及び、
レーザ光３の下に加工を要するフィールドをアライメン
トする。ウェハ７の位置は、レーザ干渉計またはエンコ
ーダ等から構成されるステージ位置計測装置（不図示）
によって計測される。このステージ位置計測装置の計測
結果は、制御装置２に入力される。レーザ１は、偏光装
置５及びステージ装置８の動作によるウェハ７のアライ
メントの完了時期と同期してレーザ光３を発するように
制御装置２により制御されている。すなわち、レーザ１
は、周期的に励起ランプを発光しているのではな（、ス
テージ装置８の動作によるウェハ７のアライメントの完
了時期と同期して、その励起ランプを発光させＱスイッ
チをオンしてレーザ光３を出力している。
ルドと称する）は１乃至数チップ程度ノ面積であって、
偏向装置５はそのフィールド内の加工を要する箇所にレ
ーザ光３をアライメントする。ステージ装置８の水平方
向（ＸＹ方向）の可動範囲はウェハ７の全領域に及び、
レーザ光３の下に加工を要するフィールドをアライメン
トする。ウェハ７の位置は、レーザ干渉計またはエンコ
ーダ等から構成されるステージ位置計測装置（不図示）
によって計測される。このステージ位置計測装置の計測
結果は、制御装置２に入力される。レーザ１は、偏光装
置５及びステージ装置８の動作によるウェハ７のアライ
メントの完了時期と同期してレーザ光３を発するように
制御装置２により制御されている。すなわち、レーザ１
は、周期的に励起ランプを発光しているのではな（、ス
テージ装置８の動作によるウェハ７のアライメントの完
了時期と同期して、その励起ランプを発光させＱスイッ
チをオンしてレーザ光３を出力している。
制御装置２は、そのメモリ内に、レーザ１による励起ラ
ンプの発光周期及びレーザ光３を発生されるための励起
ランプへの入力電力と、レーザ光３の出力エネルギーと
の関係を予め実験して測定した測定値が記憶されている
。この制御値Ｍ２は、ウェハ７のアライメントの時間間
隔に応じてレーザ１の励起ランプの発光間隔が変動した
としても（即ち、レーザ１による励起ランプの発光間隔
が非周期的となり、そのためにレーザ１の温度が変化し
てレーザ光３の出力エネルギーが変化したとしても）、
ウェハ７上でのレーザ光３の出力エネルギーが所定値（
ウェハ７の加工に最適なレーザ光３の出力エネルギー）
となるように制御している。その為に、制御装置２は、
そのメモリ内に記憶された前記測定値に基づきレーザ１
の励起ランプへの入力電力を制御してウェハ７上でのレ
ーザ光３の出力エネルギーが所定値となるよに制御し、
また偏向袋Ｍ５の偏向角、ステージ装置８の変位量を制
御する。
ンプの発光周期及びレーザ光３を発生されるための励起
ランプへの入力電力と、レーザ光３の出力エネルギーと
の関係を予め実験して測定した測定値が記憶されている
。この制御値Ｍ２は、ウェハ７のアライメントの時間間
隔に応じてレーザ１の励起ランプの発光間隔が変動した
としても（即ち、レーザ１による励起ランプの発光間隔
が非周期的となり、そのためにレーザ１の温度が変化し
てレーザ光３の出力エネルギーが変化したとしても）、
ウェハ７上でのレーザ光３の出力エネルギーが所定値（
ウェハ７の加工に最適なレーザ光３の出力エネルギー）
となるように制御している。その為に、制御装置２は、
そのメモリ内に記憶された前記測定値に基づきレーザ１
の励起ランプへの入力電力を制御してウェハ７上でのレ
ーザ光３の出力エネルギーが所定値となるよに制御し、
また偏向袋Ｍ５の偏向角、ステージ装置８の変位量を制
御する。
（ｂ）実施例の動作
次に実施例の動作を、第１図のブロック図及び第２図の
フローチャート図を参照しながら説明する。
フローチャート図を参照しながら説明する。
ステップＳ１において本加工装置を起動させると、制御
装置２は、ステップＳ２に進み、不図示のローディング
装置を駆動して、不図示のカセットから１枚のウェハ７
を取り出し、ステージ８上の所定位置にロードする。尚
、このカセットには加工すべきウェハ７が複数枚装填さ
れている。この時点で制御装置２にはロードされたウェ
ハ７の加工すべき箇所の位置情報と、その加工順序に関
する情報とが記憶されている。ステップＳ３において制
御装置２は、ウェハ７のアライメントを開始する。ステ
ップＳ４において制御装置２は、最初に加工すべきフィ
ールド（目標フィールド）の位置情報と、計測装置（不
図示）から受けた現在のウェハ７の位置情報とからステ
ージ装置８及び偏向装置５の位置決めに要するアライメ
ント時間Ｔ１の演算を行い、ステージ装置８を駆動する
ことにより目標フィールドをレーザ光３で加工可能な位
置ヘアライメントする。
装置２は、ステップＳ２に進み、不図示のローディング
装置を駆動して、不図示のカセットから１枚のウェハ７
を取り出し、ステージ８上の所定位置にロードする。尚
、このカセットには加工すべきウェハ７が複数枚装填さ
れている。この時点で制御装置２にはロードされたウェ
ハ７の加工すべき箇所の位置情報と、その加工順序に関
する情報とが記憶されている。ステップＳ３において制
御装置２は、ウェハ７のアライメントを開始する。ステ
ップＳ４において制御装置２は、最初に加工すべきフィ
ールド（目標フィールド）の位置情報と、計測装置（不
図示）から受けた現在のウェハ７の位置情報とからステ
ージ装置８及び偏向装置５の位置決めに要するアライメ
ント時間Ｔ１の演算を行い、ステージ装置８を駆動する
ことにより目標フィールドをレーザ光３で加工可能な位
置ヘアライメントする。
制御装置２には予めレーザ１の励起ランプの発光周期及
び励起ランプの入力電力と、レーザ光の出力エネルギー
との関係を示す測定値が記憶されているので、ステップ
Ｓ５即ち加工時において制御装置２は算出されたアライ
メント時間Ｔ１に応じて前記記憶された測定値に基づき
励起ランプの入力電力を変化させて、レーザ１のレーザ
光３の出力エネルギーが前述した所定値になるＡ維持調
整する、即ち制御装置２は、レーザ１の発光時期がアラ
イメント時間ＴＩに対応して変動してもそれに対応して
ウェハ７上でのレーザ光３の出力エネルギーがウェハ７
の加工に最適な値となるように制御して加工を行う。同
様に、目標フィールド内の各個所を加工するとき即ちス
テージ装置８を停止させたまま偏向装置５のみ作動させ
て加工するときにも、ステップＳ６にて制御装置２は加
工個所の位置情報（即ち、偏向装置５の偏向角の微調整
位置）に基づいてアライメント時間Ｔｌを算出してレー
ザ光３の出力エネルギーを最適値となるように制御して
、目標フィールド内にレーザ光３を照射して加工する。
び励起ランプの入力電力と、レーザ光の出力エネルギー
との関係を示す測定値が記憶されているので、ステップ
Ｓ５即ち加工時において制御装置２は算出されたアライ
メント時間Ｔ１に応じて前記記憶された測定値に基づき
励起ランプの入力電力を変化させて、レーザ１のレーザ
光３の出力エネルギーが前述した所定値になるＡ維持調
整する、即ち制御装置２は、レーザ１の発光時期がアラ
イメント時間ＴＩに対応して変動してもそれに対応して
ウェハ７上でのレーザ光３の出力エネルギーがウェハ７
の加工に最適な値となるように制御して加工を行う。同
様に、目標フィールド内の各個所を加工するとき即ちス
テージ装置８を停止させたまま偏向装置５のみ作動させ
て加工するときにも、ステップＳ６にて制御装置２は加
工個所の位置情報（即ち、偏向装置５の偏向角の微調整
位置）に基づいてアライメント時間Ｔｌを算出してレー
ザ光３の出力エネルギーを最適値となるように制御して
、目標フィールド内にレーザ光３を照射して加工する。
ステップＳ７にて、フィールド内が全て加工されている
か否かを判断する。ウェハ７の目標フィールド内の加工
が終了していれば肯定結果が得られ、制御装置２はステ
ップＳ８に進んでウェハ７内での要加工箇所の加工が全
部完了したか否かを判断する。ここで否、定結果が得ら
れると、ステップＳ３乃至Ｓ７を実行し、ステージ装Ｍ
８を起動し、ウェハ７の次の目標フィールドをアライメ
ントし加工することになる。
か否かを判断する。ウェハ７の目標フィールド内の加工
が終了していれば肯定結果が得られ、制御装置２はステ
ップＳ８に進んでウェハ７内での要加工箇所の加工が全
部完了したか否かを判断する。ここで否、定結果が得ら
れると、ステップＳ３乃至Ｓ７を実行し、ステージ装Ｍ
８を起動し、ウェハ７の次の目標フィールドをアライメ
ントし加工することになる。
ステップＳ８において肯定結果が得られると、すなわち
ウェハ７内での要加工箇所の加工が全部完了した場合は
、ステップＳ９に進んで、不図示のローディング装置に
より加工済のウェハ７をステージ装Ｗ８からアンロード
して、ステップＳ１０に進む、ステップＳｌＯでは、加
工を要するウェハ７が全て処理されたか否かを判断する
。否定結果が得られた場合は、ステップＳ２に戻って、
次の未加工ウェハ７をカセットからステージ装置Ｂ上に
ロードして、このウェハ７の加工を行う。
ウェハ７内での要加工箇所の加工が全部完了した場合は
、ステップＳ９に進んで、不図示のローディング装置に
より加工済のウェハ７をステージ装Ｗ８からアンロード
して、ステップＳ１０に進む、ステップＳｌＯでは、加
工を要するウェハ７が全て処理されたか否かを判断する
。否定結果が得られた場合は、ステップＳ２に戻って、
次の未加工ウェハ７をカセットからステージ装置Ｂ上に
ロードして、このウェハ７の加工を行う。
肯定結果が得られると、ステップＳｌｌに進んでレーザ
加工装置の動作を休止させる。
加工装置の動作を休止させる。
（第二実施例の説明）
次に本発明の第二実施例の第３図を参照しながら説明す
る。
る。
（ａ）実施例の構成
この第二実施例の説明では、前述した第一実施例と同様
な構成は同一符号を付し、説明を省略する。
な構成は同一符号を付し、説明を省略する。
この装置は加工用レーザとしてパルス的に発光するレー
ザ光を出力するレーザ１を採用しており、レーザ１から
発せられたレーザ光３は、その光路上に配置された可変
減衰器９を通りビームエキスパンダ４でビ７ム径を拡大
された後、ガルバノミラ−等で構成されたビーム偏向装
置５で偏向され、集光レンズ６に入射する。集光レンズ
６から射出したレーザビーム３は、ウェハ７上に集光さ
れ、ウェハ７を加工する。この可変減衰器９は、超音波
変調器、または偏光板等で構成されている。
ザ光を出力するレーザ１を採用しており、レーザ１から
発せられたレーザ光３は、その光路上に配置された可変
減衰器９を通りビームエキスパンダ４でビ７ム径を拡大
された後、ガルバノミラ−等で構成されたビーム偏向装
置５で偏向され、集光レンズ６に入射する。集光レンズ
６から射出したレーザビーム３は、ウェハ７上に集光さ
れ、ウェハ７を加工する。この可変減衰器９は、超音波
変調器、または偏光板等で構成されている。
制御装置２は、第一実施例と同様にそのメモリ内に、レ
ーザ１のの励起ランプの発光周期及びレーザ光３を発生
されるための励起ランプへの入力電力と、レーザ光の出
力エネルギーとの関係を予め実験して測定した測定値が
記憶されている。
ーザ１のの励起ランプの発光周期及びレーザ光３を発生
されるための励起ランプへの入力電力と、レーザ光の出
力エネルギーとの関係を予め実験して測定した測定値が
記憶されている。
この制御装置２は、そのメモリ内に記憶された前記測定
値に基づき第一実施例と同様にレーザ１の発光間隔が変
動したとしてもレーザ光３の出力エネルギーが所定値と
なるように可変減衰器９を制御し、また偏向装置５の偏
向角、ステージ装置８の変位量を制御する。この制御装
置２は、可変減衰器９の減衰率を制御してそこを通るレ
ーザ光の出力エネルギーをウェハ７上で所定の値（加工
に最適な出力エネルギー）となるように制御している。
値に基づき第一実施例と同様にレーザ１の発光間隔が変
動したとしてもレーザ光３の出力エネルギーが所定値と
なるように可変減衰器９を制御し、また偏向装置５の偏
向角、ステージ装置８の変位量を制御する。この制御装
置２は、可変減衰器９の減衰率を制御してそこを通るレ
ーザ光の出力エネルギーをウェハ７上で所定の値（加工
に最適な出力エネルギー）となるように制御している。
（ｂ）実施例の動作
次に実施例の動作を、第３図のブロック図及び第２図の
フローチャート図を参照しながら説明する。
フローチャート図を参照しながら説明する。
第２図において、第二実施例では前述した第一実施例と
同様なステップについては説明を省略する０本実施例の
制御装置２では、ステップＳ５にて可変減衰器９の減衰
率を制御することによりζレーザｌの発光間隔が変動し
ても（非周期的になったとしても）それに対応してウェ
ハ７上でのレーザ光３の出力エネルギーが所定値（ウェ
ハ７の加工に最適な値）となるように制御している。
同様なステップについては説明を省略する０本実施例の
制御装置２では、ステップＳ５にて可変減衰器９の減衰
率を制御することによりζレーザｌの発光間隔が変動し
ても（非周期的になったとしても）それに対応してウェ
ハ７上でのレーザ光３の出力エネルギーが所定値（ウェ
ハ７の加工に最適な値）となるように制御している。
以上説明したように、本発明のレーザ加工装置によれば
、レーザ光の発光間隔が変動してもレーザ光の出力エネ
ルギーの安定を損なうことなく、更に、アライメント装
置の被加工物の位置合わせ時間とレーザ装置の励起ラン
プの発光とを同期させるようにしたので、無駄な励起ラ
ンプの発光が無くなり、レーザ装置の低消費電力、長寿
命を実現できる。
、レーザ光の発光間隔が変動してもレーザ光の出力エネ
ルギーの安定を損なうことなく、更に、アライメント装
置の被加工物の位置合わせ時間とレーザ装置の励起ラン
プの発光とを同期させるようにしたので、無駄な励起ラ
ンプの発光が無くなり、レーザ装置の低消費電力、長寿
命を実現できる。
第１図は本発明の第一実施例の構成を示すブロック図、
第２図は同実施例の動作を説明するためのフローチャー
ト、第３図は本発明の第二実施例の構成を示すブロック
図である。 〔主要部分の符号の説明〕 １・・・・・・加工用レーザ ２・・・・・・制御装置 ４・・・・・・ビームエキスパンダ ５・・・・・・偏向装置 ６・・・・・・集光レンズ ７・・・・・・被加工物としてのウェハ８・・・・・・
ステージ装置 ９・・・・・・可変減衰器
第２図は同実施例の動作を説明するためのフローチャー
ト、第３図は本発明の第二実施例の構成を示すブロック
図である。 〔主要部分の符号の説明〕 １・・・・・・加工用レーザ ２・・・・・・制御装置 ４・・・・・・ビームエキスパンダ ５・・・・・・偏向装置 ６・・・・・・集光レンズ ７・・・・・・被加工物としてのウェハ８・・・・・・
ステージ装置 ９・・・・・・可変減衰器
Claims (3)
- （１）励起ランプのパルス的な励起によりレーザ光を発
するパルスレーザ装置と、 被加工物を前記レーザ光で加工する為に、前記レーザ光
の照射位置と該被加工物の要加工個所との位置合わせを
行うアライメント装置と、前記アライメント装置の位置
合わせ完了を検知して、この時だけ前記励起ランプを励
起させ、前記レーザ光を前記要加工個所に照射させる制
御手段と、 前記アライメント装置の位置合わせの時間間隔の変動に
より前記励起ランプの発光間隔が変化しても、前記レー
ザ光の出力エネルギーを前記加工が適正になされる範囲
内に維持調節する調節手段とを有することを特徴とする
レーザ加工装置。 - （２）前記調節手段は、前記励起ランプへの入力電力を
前記発光間隔に応じて変化させることを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項記載のレーザ加工装置。 - （３）、前記調節手段は、前記レーザ光の光路上に配置
され、該レーザ光の減衰率を前記発光間隔に応じて変化
させる出力可変減衰器を含むことを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項記載のレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60236039A JPS6297787A (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | レ−ザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60236039A JPS6297787A (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | レ−ザ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6297787A true JPS6297787A (ja) | 1987-05-07 |
Family
ID=16994854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60236039A Pending JPS6297787A (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | レ−ザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6297787A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245993A (ja) * | 1988-03-27 | 1989-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜加工装置 |
| JP2004202532A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Nec Corp | レーザマーキング方法並びにレーザマーキング装置 |
| JP2014523347A (ja) * | 2011-07-07 | 2014-09-11 | ザウアー ゲーエムベーハー レーザーテック | 工作物を機械加工する、特に切削工具を製造するための方法および装置 |
-
1985
- 1985-10-22 JP JP60236039A patent/JPS6297787A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245993A (ja) * | 1988-03-27 | 1989-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜加工装置 |
| JP2004202532A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Nec Corp | レーザマーキング方法並びにレーザマーキング装置 |
| JP2014523347A (ja) * | 2011-07-07 | 2014-09-11 | ザウアー ゲーエムベーハー レーザーテック | 工作物を機械加工する、特に切削工具を製造するための方法および装置 |
| US10201928B2 (en) | 2011-07-07 | 2019-02-12 | Sauer Gmbh Lasertec | Method and device for machining a workpiece, more particularly for producing cutting tools |
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