JPS6297425A - 電流切替型論理回路 - Google Patents
電流切替型論理回路Info
- Publication number
- JPS6297425A JPS6297425A JP23796885A JP23796885A JPS6297425A JP S6297425 A JPS6297425 A JP S6297425A JP 23796885 A JP23796885 A JP 23796885A JP 23796885 A JP23796885 A JP 23796885A JP S6297425 A JPS6297425 A JP S6297425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistors
- emitter
- terminal
- logic circuit
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、情報処理に用いられるコ値論理回路に関し、
特に、電流切換量論理回路に関する。
特に、電流切換量論理回路に関する。
従来の技術
従来、この種のエミッタ結合電流切換量論理回路では、
所謂エミッタフォロア回路部では、トランジスタのベー
ス部に入力を印加してエミッタを出力とし、このエミッ
タと電源端子との間に抵抗器を入れるだけのものであっ
た。
所謂エミッタフォロア回路部では、トランジスタのベー
ス部に入力を印加してエミッタを出力とし、このエミッ
タと電源端子との間に抵抗器を入れるだけのものであっ
た。
第2図は典型的な従来回路を示している。本例は、負論
理で云うところの一入力のアンド・ナンド回路であυ、
T/、Tコはそのベースに入力信号が印加される入力信
号側トランジスタであり、T3はそのベースに規準電圧
が印加されるトランジスタである。トランジスタTI及
び抵抗R/ 、 Ryによつて定電流回路が構成されて
おり、端子7は電流値を決める基準電圧のための端子で
ある。トランジスタTyはナンド出力側のエミッタ7オ
ロアであり、トランジスタT6はアンド出力側のエミッ
タフォロアであり、故に、端子tにはナンド出力、端子
tにはアンド出力がそれぞれ得られる。第2図に於いて
、コンデンサCI及び0.2は、次段ゲートまでの配線
容量と次段ゲートの入力容量を合わせて表わしている。
理で云うところの一入力のアンド・ナンド回路であυ、
T/、Tコはそのベースに入力信号が印加される入力信
号側トランジスタであり、T3はそのベースに規準電圧
が印加されるトランジスタである。トランジスタTI及
び抵抗R/ 、 Ryによつて定電流回路が構成されて
おり、端子7は電流値を決める基準電圧のための端子で
ある。トランジスタTyはナンド出力側のエミッタ7オ
ロアであり、トランジスタT6はアンド出力側のエミッ
タフォロアであり、故に、端子tにはナンド出力、端子
tにはアンド出力がそれぞれ得られる。第2図に於いて
、コンデンサCI及び0.2は、次段ゲートまでの配線
容量と次段ゲートの入力容量を合わせて表わしている。
この様な従来回路に於いて、入力端子7に信号を印加し
た場合の各点の動作状態について説明する。入力信号が
低電位から高電位への立上がり時の場合には、トランジ
スタTIが非導通から導通状態となるために、端子io
の電位は低電位、端子l/の電位は高電位へ変化する。
た場合の各点の動作状態について説明する。入力信号が
低電位から高電位への立上がり時の場合には、トランジ
スタTIが非導通から導通状態となるために、端子io
の電位は低電位、端子l/の電位は高電位へ変化する。
これに伴ない、端子ざでは立ち下が多波形5.端子デで
は立ち上がり波形出力となる。この場合、低電位信号側
の端子tの方が抵抗jに加わる電位差が、抵抗器に加わ
るそれよりも小さくなる為に、立ち下がり側エミッタフ
ォロア電流の方が、端子!の立ち上・シ側エミッタフォ
ロア電流より少なくなり、特に負荷が重い場合、即ちコ
ンデンサCノの値が大きくなる程立ち下がりに要する時
間がより遅くなる。このことは、ゲートとしての伝播遅
延時間も遅くなることにもなる。
は立ち上がり波形出力となる。この場合、低電位信号側
の端子tの方が抵抗jに加わる電位差が、抵抗器に加わ
るそれよりも小さくなる為に、立ち下がり側エミッタフ
ォロア電流の方が、端子!の立ち上・シ側エミッタフォ
ロア電流より少なくなり、特に負荷が重い場合、即ちコ
ンデンサCノの値が大きくなる程立ち下がりに要する時
間がより遅くなる。このことは、ゲートとしての伝播遅
延時間も遅くなることにもなる。
発明が解決しようとする問題点
上述した従来のエミッタ結合電流切換量論理回路では、
高電位出力状態にあるエミッタフォロア電流に比べて、
低電位出力状態にあるエミッタフォロア電流の方が少な
いことによって、特に重い負荷を駆動する場合に、立ち
下がり時の波形が急峻ではなくなり、論理回路としての
伝播遅延時間を遅らす大きな要因となっているという欠
点がある。
高電位出力状態にあるエミッタフォロア電流に比べて、
低電位出力状態にあるエミッタフォロア電流の方が少な
いことによって、特に重い負荷を駆動する場合に、立ち
下がり時の波形が急峻ではなくなり、論理回路としての
伝播遅延時間を遅らす大きな要因となっているという欠
点がある。
本発明は従来の技術に内在する上記欠点を解消する為に
なされたものであり、従って本発明の目的は、非常に高
い性能を得ることのできる新規な集積回路を提供するこ
とにある。
なされたものであり、従って本発明の目的は、非常に高
い性能を得ることのできる新規な集積回路を提供するこ
とにある。
本発明の他の目的は、エミッタ結合電流切換盤論理回路
において、エミッタフォロア出力部の立ち下が多波形を
急峻にすることにある。
において、エミッタフォロア出力部の立ち下が多波形を
急峻にすることにある。
本発明の更に他の目的は、同回路に於いて、論理回路と
しての伝播遅延時間を少しでも短縮することを可能とし
た新規な高速論理素子を提供しようとするものである。
しての伝播遅延時間を少しでも短縮することを可能とし
た新規な高速論理素子を提供しようとするものである。
問題点を解決するための手段
上記鎖目的を達成する為に、本発明に係る電流切換盤論
理回路は、それぞれのエミッタが互いに接続された第1
及び第2のトランジスタを有し、該第1及び第2のトラ
ンジスタのベースに与えられる電圧の高位に応じて当該
第1或いは第2のトランジスタに選択的に電流を流すよ
うな所謂エミッタ結合電流切換量論理回路に於いて、該
第1及び第2のトランジスタのコレクタと第1の電源端
子との間にそれぞれ第7の抵抗器、第2の抵抗器をそれ
ぞれ接続し、各接続点に各々エミッタフォロア用トラン
ジスタである第3、第グのトランジスタのベースをそれ
ぞれ接続し、当該第3及び第4のトランジスタのエミッ
タを各々第1の出力端子、第2の出力端子とするととも
に、各々の出力端子に第51第6のトランジスタのコレ
クタをそれぞれ接続し、当該第3.第6のトランジスタ
の各ベース端子を前記第4、第3のトランジスタの各エ
ミッタにそれぞれ接続し、かつ当該第51第6のトラン
ジスタの各エミッタと第2の電源端子との間に各々第3
の抵抗器%@#の抵抗器を接続して構成される。
理回路は、それぞれのエミッタが互いに接続された第1
及び第2のトランジスタを有し、該第1及び第2のトラ
ンジスタのベースに与えられる電圧の高位に応じて当該
第1或いは第2のトランジスタに選択的に電流を流すよ
うな所謂エミッタ結合電流切換量論理回路に於いて、該
第1及び第2のトランジスタのコレクタと第1の電源端
子との間にそれぞれ第7の抵抗器、第2の抵抗器をそれ
ぞれ接続し、各接続点に各々エミッタフォロア用トラン
ジスタである第3、第グのトランジスタのベースをそれ
ぞれ接続し、当該第3及び第4のトランジスタのエミッ
タを各々第1の出力端子、第2の出力端子とするととも
に、各々の出力端子に第51第6のトランジスタのコレ
クタをそれぞれ接続し、当該第3.第6のトランジスタ
の各ベース端子を前記第4、第3のトランジスタの各エ
ミッタにそれぞれ接続し、かつ当該第51第6のトラン
ジスタの各エミッタと第2の電源端子との間に各々第3
の抵抗器%@#の抵抗器を接続して構成される。
実施例
本発明の目的と特徴は、添付図面と共に詳細に述べられ
ている好ましい実施例の以下の説明から明らかとなろう
。
ている好ましい実施例の以下の説明から明らかとなろう
。
第1図は、本発明の一実施例を示す回路構成図であシ、
負論理で云うところのコ入カアンド・ナンド論理回路で
ある。’Lt/、T左コは、それらのベースに入力信号
が印加される入力信号側トランジスタであり、トランジ
スタT!3には第1の基準電圧が印加され、Tt*は定
電流用トランジスタである。TSjはナンド出力側エミ
ッタフォロア用トランジスタであり、Tぶるはアンド出
力側のそれである。従来回路との大きな相違点は、 T
、t7. Ttrなるトランジスタをアンド・ナンド両
出力信号間に。
負論理で云うところのコ入カアンド・ナンド論理回路で
ある。’Lt/、T左コは、それらのベースに入力信号
が印加される入力信号側トランジスタであり、トランジ
スタT!3には第1の基準電圧が印加され、Tt*は定
電流用トランジスタである。TSjはナンド出力側エミ
ッタフォロア用トランジスタであり、Tぶるはアンド出
力側のそれである。従来回路との大きな相違点は、 T
、t7. Ttrなるトランジスタをアンド・ナンド両
出力信号間に。
所謂”たすき掛け”の如く接続し、かつ各トランジスタ
T、r7. ’rtざのエミッタ端子と第2の電源53
との間にそれぞれ抵抗器Firs 、 Rtaを接続し
ていることである。コンデンサO,tt 、 OJfユ
は、次段負荷までの配線容量と次段負荷入力容量をまと
めて表示している。
T、r7. ’rtざのエミッタ端子と第2の電源53
との間にそれぞれ抵抗器Firs 、 Rtaを接続し
ていることである。コンデンサO,tt 、 OJfユ
は、次段負荷までの配線容量と次段負荷入力容量をまと
めて表示している。
この様に構成された回路に於いて、まず入力端子タダ、
ヨ!に共に、低電位入力信号が印加されている状態を考
えると、スイッチング回路では、トランジスタT53が
選択的に導通状態となり、端子61が低電位、端子6θ
が高電位であり、従って、アンド側出力端子Sテは低電
位信号、ナンド側出力端子5gには高電位信号状態とな
っている。この時、端子!デに比べて端子srは高電位
であるから、エミッタフォロア電流は次の関係にある。
ヨ!に共に、低電位入力信号が印加されている状態を考
えると、スイッチング回路では、トランジスタT53が
選択的に導通状態となり、端子61が低電位、端子6θ
が高電位であり、従って、アンド側出力端子Sテは低電
位信号、ナンド側出力端子5gには高電位信号状態とな
っている。この時、端子!デに比べて端子srは高電位
であるから、エミッタフォロア電流は次の関係にある。
11 (I2゜即ち、出力信号が低電位′状゛態にある
側のエミッタフォロア電流の方が、高電位状態にあるそ
れよシも多いという特徴がある。
側のエミッタフォロア電流の方が、高電位状態にあるそ
れよシも多いという特徴がある。
次に、入力端子SIIの入力信号が、前述の低電位状態
から高電位状態に変化した場合を考えると、導通トラン
ジスタはトランジスタTS3からトランジスタTrlへ
と移り、端子60は高電位から低電位へ、端子61は低
電位から高電位へと変化する。故に、端子Stでは、ト
ランジスタTt、tの応答を介して、コンデンサOr/
からの放電とともに高電位から低電位へと立ち下がる。
から高電位状態に変化した場合を考えると、導通トラン
ジスタはトランジスタTS3からトランジスタTrlへ
と移り、端子60は高電位から低電位へ、端子61は低
電位から高電位へと変化する。故に、端子Stでは、ト
ランジスタTt、tの応答を介して、コンデンサOr/
からの放電とともに高電位から低電位へと立ち下がる。
一方の端子rqでは、トランジスタTt+の応答を介し
て、コンデンサC5コへの充電とともに低電位から高電
位へと立ち上がる。
て、コンデンサC5コへの充電とともに低電位から高電
位へと立ち上がる。
この時、特に負荷が重い場合、即ちコンデンサC!fl
で表わされた容量値が大きい時には、コンデンfCrt
からの放電時間は、エミッタフォロア電流工1に大きく
左右され、従来回路では低電位状態のエミッタフォロア
電流の方が、高電位状態のエミッタフォロア電流より少
なくなる様に作用したのに比較して、トランジスタT、
t7. Tstのまたすき掛は接続”により、それらの
関係は逆転し、結果的に急峻的に放電動作が行なわれ、
立ち下がり時間の速い応答波形となる。
で表わされた容量値が大きい時には、コンデンfCrt
からの放電時間は、エミッタフォロア電流工1に大きく
左右され、従来回路では低電位状態のエミッタフォロア
電流の方が、高電位状態のエミッタフォロア電流より少
なくなる様に作用したのに比較して、トランジスタT、
t7. Tstのまたすき掛は接続”により、それらの
関係は逆転し、結果的に急峻的に放電動作が行なわれ、
立ち下がり時間の速い応答波形となる。
第3図は、第1図に示す一実施例の各部動作波形を示し
ている。
ている。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、従来のエミッタ結
合電流切換回路に於けるアンド出力とナンド出力とをた
すき掛けに接続して、工2ツタフォロア回路を形成する
ことにより、高電位状態の工きツタフォロア電流より低
電位状態のエンツタフォロア電流の方を多く設定でき、
故に、特に重い負荷を接続した場合でも、立ち下がり時
間をよシ急峻にすることができ、しいては論理回路とし
ての遅延時間を短縮することができる。
合電流切換回路に於けるアンド出力とナンド出力とをた
すき掛けに接続して、工2ツタフォロア回路を形成する
ことにより、高電位状態の工きツタフォロア電流より低
電位状態のエンツタフォロア電流の方を多く設定でき、
故に、特に重い負荷を接続した場合でも、立ち下がり時
間をよシ急峻にすることができ、しいては論理回路とし
ての遅延時間を短縮することができる。
第1図は第2図の従来回路に本発明を適用した場合の一
実施例を示す回路構成図、第2図は従来技術による負論
理で云うところの二人カアンド・ナンド論理回路(エミ
ッタ結合電流切換量論理回路の一例)、第3図は第1図
の一実施例での各部動作波形を示す図である。 /、コ、3.A;/、!コ、!3・・・電源端子、T/
〜TA。
実施例を示す回路構成図、第2図は従来技術による負論
理で云うところの二人カアンド・ナンド論理回路(エミ
ッタ結合電流切換量論理回路の一例)、第3図は第1図
の一実施例での各部動作波形を示す図である。 /、コ、3.A;/、!コ、!3・・・電源端子、T/
〜TA。
Claims (1)
- それぞれのエミツタが互いに接続された第1及び第2の
トランジスタを有し、該第1及び第2のトランジスタの
ベースに与えられる電圧の高位に応じて当該第1或いは
第2のトランジスタに選択的に電流を流すような所謂エ
ミツタ結合電流切換量論理回路に於いて、該第1及び第
2のトランジスタのコレクタと第1の電源端子との間に
それぞれ第1の抵抗器、第2の抵抗器をそれぞれ接続し
、各接続点に各々エミツタフオロア用トランジスタであ
る第3、第4のトランジスタのベースをそれぞれ接続し
、当該第3及び第4のトランジスタのエミツタを各々第
1の出力端子、第2の出力端子とするとともに、各々の
出力端子にそれぞれ第5、第6のトランジスタのコレク
タをそれぞれ接続し、当該第5、第6のトランジスタの
各ベース端子を前記第4、第3のトランジスタの各エミ
ツタにそれぞれ接続し、かつ当該第5、第6のトランジ
スタの各エミツタと第2の電源端子との間に各々第3の
抵抗器、第4の抵抗器を接続したことを特徴とするエミ
ツタ接合電流切換型論理回路。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23796885A JPS6297425A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 電流切替型論理回路 |
EP86114694A EP0219867B1 (en) | 1985-10-23 | 1986-10-23 | Logic circuit |
DE3689462T DE3689462T2 (de) | 1985-10-23 | 1986-10-23 | Logische Schaltung. |
US06/922,502 US4754171A (en) | 1985-10-23 | 1986-10-23 | High speed low power emitter coupled logic circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23796885A JPS6297425A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 電流切替型論理回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6297425A true JPS6297425A (ja) | 1987-05-06 |
Family
ID=17023133
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23796885A Pending JPS6297425A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 電流切替型論理回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6297425A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5165547A (ja) * | 1974-12-04 | 1976-06-07 | Hitachi Ltd | Kosokusuitsuchingukairo |
JPS5479553A (en) * | 1977-11-21 | 1979-06-25 | Siemens Ag | Monolithic digital semiconductor circuit |
JPS60203018A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-14 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路 |
-
1985
- 1985-10-23 JP JP23796885A patent/JPS6297425A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5165547A (ja) * | 1974-12-04 | 1976-06-07 | Hitachi Ltd | Kosokusuitsuchingukairo |
JPS5479553A (en) * | 1977-11-21 | 1979-06-25 | Siemens Ag | Monolithic digital semiconductor circuit |
JPS60203018A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-14 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3541353A (en) | Mosfet digital gate | |
JPS59108426A (ja) | 結合用中間回路 | |
JPS63193720A (ja) | 論理回路 | |
JPH0211019A (ja) | 差動式電流スイッチ回路 | |
EP0219867B1 (en) | Logic circuit | |
US4406957A (en) | Input buffer circuit | |
JPH04287519A (ja) | 交流結合相補形プル・アップ及びプル・ダウン回路 | |
JP2534346B2 (ja) | 高速論理回路 | |
US3573489A (en) | High speed current-mode logic gate | |
JPS6297425A (ja) | 電流切替型論理回路 | |
JPH0738414A (ja) | シングルエンド入力論理ゲートを有する集積論理回路 | |
US3839646A (en) | Field effect transistor logic gate with improved noise margins | |
US3597626A (en) | Threshold logic gate | |
JPS5928296B2 (ja) | 電流スイツチ論理回路 | |
JPH11154856A (ja) | レベル切換回路 | |
JPH02306717A (ja) | エミッタ結合論理回路装置 | |
JPS58103230A (ja) | スイツチング回路 | |
US3016467A (en) | Emitter follower pulse amplifier | |
US3612913A (en) | Digital circuit | |
JPS594231A (ja) | 高速論理回路 | |
JPS59214327A (ja) | 論理回路装置 | |
JPH01180116A (ja) | 論理回路 | |
JPH03293813A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPH0583117A (ja) | Ecl型半導体集積回路装置 | |
JPH01303923A (ja) | 半導体装置 |