JPS6297387A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS6297387A JPS6297387A JP60236935A JP23693585A JPS6297387A JP S6297387 A JPS6297387 A JP S6297387A JP 60236935 A JP60236935 A JP 60236935A JP 23693585 A JP23693585 A JP 23693585A JP S6297387 A JPS6297387 A JP S6297387A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- refractive index
- light
- radiation angle
- medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0622—Heterocyclic compounds
- G03G5/0624—Heterocyclic compounds containing one hetero ring
- G03G5/0627—Heterocyclic compounds containing one hetero ring being five-membered
- G03G5/0629—Heterocyclic compounds containing one hetero ring being five-membered containing one hetero atom
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0666—Dyes containing a methine or polymethine group
- G03G5/0668—Dyes containing a methine or polymethine group containing only one methine or polymethine group
- G03G5/067—Dyes containing a methine or polymethine group containing only one methine or polymethine group containing hetero rings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体レーザとこの半導体レーザの出射光を
収束する集光レンズとを備える半導体レーザ装置に関す
る。
収束する集光レンズとを備える半導体レーザ装置に関す
る。
（従来の技術）
近年、半導体レーザは、光フアイバ通信、情報処理用光
源として実用化が急速に進展している。
源として実用化が急速に進展している。
このよ５なせ況−１では、半導体レーザに要求される特
性は、高出力、低しきい値、高効率などであり、ますま
す高性能の素子が望まれている。また、半導体レーザか
らの放射光の有効利用という観点から、ビーム放射角の
低減が半導体レーザ装置の高性能化を図る上で重要な課
題である。
性は、高出力、低しきい値、高効率などであり、ますま
す高性能の素子が望まれている。また、半導体レーザか
らの放射光の有効利用という観点から、ビーム放射角の
低減が半導体レーザ装置の高性能化を図る上で重要な課
題である。
一般（、半導体レーザの放射ビームの放射角は、レーザ
ダイオードの素子構造に強く依存している。
ダイオードの素子構造に強く依存している。
例えば、水平方向放射角半値幅θ、はストライプ幅Ｓ及
びその両側との屈折率差Δｎ、で変わり、垂直方向放射
角半値幅θ二は活性層厚ｄ及び活性層とクラッド層との
屈折率差Δｎ上によって変化する。さらにこれらの構造
パラメータは、素子特性と密接な関係をもっており、θ
Ｌを低減しようとして活性層厚を薄くシ、屈折率差Δｎ
Ｊ−を小さくするとしきい値電流Ｉｔｈの急激な増加を
まねいたり、垂直方向のキャリアとじ込め効果が小さく
なって温度特性が悪くなる。また水平方向放射ビーム放
射角は、単−横モードの発振の制御を行う導波構造（利
得導波構造または埋め込みへテロ（ＢＨ）構造）Ｋよっ
て大まかに決定されるといっても過言ｆはない。以北述
べたように半導体し−ザの放射ビーム放射角は、従来半
導体レーザの素子構造の設定と共に決定されていた。
びその両側との屈折率差Δｎ、で変わり、垂直方向放射
角半値幅θ二は活性層厚ｄ及び活性層とクラッド層との
屈折率差Δｎ上によって変化する。さらにこれらの構造
パラメータは、素子特性と密接な関係をもっており、θ
Ｌを低減しようとして活性層厚を薄くシ、屈折率差Δｎ
Ｊ−を小さくするとしきい値電流Ｉｔｈの急激な増加を
まねいたり、垂直方向のキャリアとじ込め効果が小さく
なって温度特性が悪くなる。また水平方向放射ビーム放
射角は、単−横モードの発振の制御を行う導波構造（利
得導波構造または埋め込みへテロ（ＢＨ）構造）Ｋよっ
て大まかに決定されるといっても過言ｆはない。以北述
べたように半導体し−ザの放射ビーム放射角は、従来半
導体レーザの素子構造の設定と共に決定されていた。
（発明が解決しようとする問題点）
従来の半導体レーザ装置では半導体レーザのビーム放射
角が広かったから半導体レーザの出射光の利用効率が低
くかった。そこで本発明の目的は、半導体レーザのビー
ム放射角を低減させ、半導体レーザからの光を有効に利
用する半導体レーザ装置の提供にある。
角が広かったから半導体レーザの出射光の利用効率が低
くかった。そこで本発明の目的は、半導体レーザのビー
ム放射角を低減させ、半導体レーザからの光を有効に利
用する半導体レーザ装置の提供にある。
（問題点を解決するための手段）
前述の問題点を解決するために本発明が提供する半導体
レーザ装置は、第１図に原理的な構造を示すように、半
導体レーザ１の光放射端面から半導体レーザ光集光用レ
ンズ３に到る光路をなす媒質の屈折率が１より大なるこ
とを特徴とする。
レーザ装置は、第１図に原理的な構造を示すように、半
導体レーザ１の光放射端面から半導体レーザ光集光用レ
ンズ３に到る光路をなす媒質の屈折率が１より大なるこ
とを特徴とする。
（作用・原理）
本発明の実施例を述べる前に本発明の作用・原理を簡単
に説明する。一般に半導体レーザの出射端面から十分遠
く離れた所での出射光面分布け、フレネル・キルヒホッ
フ回折積分から理解されているように、半導体レーザの
導波路端面での屈折現像と主ビームの回折による広がり
によって理解できる。そこで半導体レーザビーム放射角
の低減法を検討するには、両現象について理解する必要
があるので、以下簡単に第２図を参照してこれらの点に
ついて考察する。
に説明する。一般に半導体レーザの出射端面から十分遠
く離れた所での出射光面分布け、フレネル・キルヒホッ
フ回折積分から理解されているように、半導体レーザの
導波路端面での屈折現像と主ビームの回折による広がり
によって理解できる。そこで半導体レーザビーム放射角
の低減法を検討するには、両現象について理解する必要
があるので、以下簡単に第２図を参照してこれらの点に
ついて考察する。
屈折現象は、スネルの法則から理解されるよ５に導波路
端面からの主ビームの屈折角θｍはおおよそ θｍ＝内 （γ／ｋ） ・・・・・・・・・■で与え
られる。ここでｋは自由空間における波数ベクトル、γ
は半導体レーザの活性層内での第２図に示すｙ方向の波
数ベクトルである。■式かられかるようにθｍを小さく
するには、γを小さくするか又はｋを大きくすればよい
。γを小さくするには、活性層厚ｄを薄くしたり、導波
路の垂直方向の屈折率差Δｎ↓を小さくする必要がある
が、これらの構造パラメータは上で述べたように素子特
性に大きな影響を与える。そこで０口を小さくするにけ
ｋを大きくすることが重要になってくる。
端面からの主ビームの屈折角θｍはおおよそ θｍ＝内 （γ／ｋ） ・・・・・・・・・■で与え
られる。ここでｋは自由空間における波数ベクトル、γ
は半導体レーザの活性層内での第２図に示すｙ方向の波
数ベクトルである。■式かられかるようにθｍを小さく
するには、γを小さくするか又はｋを大きくすればよい
。γを小さくするには、活性層厚ｄを薄くしたり、導波
路の垂直方向の屈折率差Δｎ↓を小さくする必要がある
が、これらの構造パラメータは上で述べたように素子特
性に大きな影響を与える。そこで０口を小さくするにけ
ｋを大きくすることが重要になってくる。
本発明は、とのｋを大きくする方法として屈折率が１よ
り大きな媒質を使用することを特徴とする。
り大きな媒質を使用することを特徴とする。
次にビームの回折現象であるが、この現象はあるスリッ
ト幅Ｗを有するスリットに波長λの電磁波が入射した時
に生じ、スリット幅Ｗが小さくなり電磁波の波長λに近
づくにつれてこの現象が大きくなる。通常の半導体レー
ザの出射波長は１μｍ前後で出力端面での電磁界分布も
それと同程度であるので、この現象がビーム放射角に与
える影響は大きいといえる。今考えている半導体レーザ
の場合スリットに相当するのが半導体レーザ出射端面で
の電磁界分布であり、半導体レーザ構造により決定され
ているものである。そこで回折現象をおさえるためには
、出射光の自由空間内での波長を短かくする必要があり
、本発明の自由空間に屈折率が１よ秒大きな媒質を使用
することは、実効的に波長を短くすることに相当し、ビ
ーム放射角低減にきわめて有効な方法となる。
ト幅Ｗを有するスリットに波長λの電磁波が入射した時
に生じ、スリット幅Ｗが小さくなり電磁波の波長λに近
づくにつれてこの現象が大きくなる。通常の半導体レー
ザの出射波長は１μｍ前後で出力端面での電磁界分布も
それと同程度であるので、この現象がビーム放射角に与
える影響は大きいといえる。今考えている半導体レーザ
の場合スリットに相当するのが半導体レーザ出射端面で
の電磁界分布であり、半導体レーザ構造により決定され
ているものである。そこで回折現象をおさえるためには
、出射光の自由空間内での波長を短かくする必要があり
、本発明の自由空間に屈折率が１よ秒大きな媒質を使用
することは、実効的に波長を短くすることに相当し、ビ
ーム放射角低減にきわめて有効な方法となる。
次に本発明の効果を確認するだめ、ＧａＡＳ活性層、ｋ
ｌ Ｏ０３Ｃ）ａ ６． Ａｓ層のλ＝０．９μｍダブ
ルヘテロ半導体レーザな考える。第３図には活性層の屈
折率及び層厚をそれぞれ３．５９及び０．１５μｍ１ク
ラツト１０廖滓を３，３８５とし、自由空間の屈折率ｎ
をそれぞれＬ Ｌ、５ｅ ２と変化した場合の半導
体レーザのビーム放射角パターンを示す。この結果から
れかるようにビーム放射角半値幅は、自由空間の屈折率
をｌｅ １．５ｐ ２と大きくするにつれてそれぞ
れ４０．６’＊ ２８．４’ ＊ ２１．６°と低減
している。これかられかるように自由空間の屈折率を１
から１，５に大きくするだけでビーム放射角半値幅を約
１０６以上低減することができ、本発明の効果を十分確
認することができる。以上の説明では、ＧａＡｓ系の半
導体レーザな例として挙げて本発明の効果を確認したが
、前述の原理から明らかなようにＩｎＰ 系を含むすべ
ての半導体レーザでも本発明は同様の効果をあげること
ができる。
ｌ Ｏ０３Ｃ）ａ ６． Ａｓ層のλ＝０．９μｍダブ
ルヘテロ半導体レーザな考える。第３図には活性層の屈
折率及び層厚をそれぞれ３．５９及び０．１５μｍ１ク
ラツト１０廖滓を３，３８５とし、自由空間の屈折率ｎ
をそれぞれＬ Ｌ、５ｅ ２と変化した場合の半導
体レーザのビーム放射角パターンを示す。この結果から
れかるようにビーム放射角半値幅は、自由空間の屈折率
をｌｅ １．５ｐ ２と大きくするにつれてそれぞ
れ４０．６’＊ ２８．４’ ＊ ２１．６°と低減
している。これかられかるように自由空間の屈折率を１
から１，５に大きくするだけでビーム放射角半値幅を約
１０６以上低減することができ、本発明の効果を十分確
認することができる。以上の説明では、ＧａＡｓ系の半
導体レーザな例として挙げて本発明の効果を確認したが
、前述の原理から明らかなようにＩｎＰ 系を含むすべ
ての半導体レーザでも本発明は同様の効果をあげること
ができる。
（実施例）
以上に述べるところにより、自由空間の屈折率を大きく
することにより、半導体レーザの放射角が大幅に低減す
ることがわかった。次に本発明の実施例をあげることに
する。
することにより、半導体レーザの放射角が大幅に低減す
ることがわかった。次に本発明の実施例をあげることに
する。
半導体レーザの出射光をファイバ内へ効率よく結合させ
るためには通常セルフォックレンズや球面レンズなどが
用いられる。第４図（ａ）はセルフォックレンズ５を使
用してファイバ６内ヘレーザ光を結合させる一般的な構
成を示す図ハラる。
るためには通常セルフォックレンズや球面レンズなどが
用いられる。第４図（ａ）はセルフォックレンズ５を使
用してファイバ６内ヘレーザ光を結合させる一般的な構
成を示す図ハラる。
半導体レーザ４の出射光を効率よくファイバ６に結合す
るには、本発明の一実施例を示す第４図（→のように、
半導体レーザ１とセルフォックレンズ５の間を１より大
きな屈折率を有する媒質１０（例えば屈折率オイルなど
）で満たすことにより実現できる。このような結合系を
構成することにより以下に述べるように半導体レーザ１
と光フアイバ６間の光の結合損失が数ｄＢ改善できる。
るには、本発明の一実施例を示す第４図（→のように、
半導体レーザ１とセルフォックレンズ５の間を１より大
きな屈折率を有する媒質１０（例えば屈折率オイルなど
）で満たすことにより実現できる。このような結合系を
構成することにより以下に述べるように半導体レーザ１
と光フアイバ６間の光の結合損失が数ｄＢ改善できる。
第５図は、セルフォックレンズ５を用いた第４図（ａ）
の結合系において１．３μｍ帯の半導体レーザ１の放射
角をパラメータとして像倍率に対する半導体レーザＬと
光フアイバ６間での光の結合損失を見積ったものである
。今、放射角４０’″×３０６の半導体レーザを屈折率
的１．５の屈折率オイル１０を用い上記の結合系を構成
したとすればセルフォックレンズ前面での放射角は約３
０’Ｘ２０°前後となゆ結合損失が２〜３ｄＢ改善され
る。このように本発明によれば半導体レーザからの光を
有効に利用することができる。
の結合系において１．３μｍ帯の半導体レーザ１の放射
角をパラメータとして像倍率に対する半導体レーザＬと
光フアイバ６間での光の結合損失を見積ったものである
。今、放射角４０’″×３０６の半導体レーザを屈折率
的１．５の屈折率オイル１０を用い上記の結合系を構成
したとすればセルフォックレンズ前面での放射角は約３
０’Ｘ２０°前後となゆ結合損失が２〜３ｄＢ改善され
る。このように本発明によれば半導体レーザからの光を
有効に利用することができる。
（発明の効果）
以上に詳しく説明したように、本発明によれば半導体レ
ーザの出射光を屈折率が１より大きな媒質で集光レンズ
に導くことにより、半導体レーザの放射ビームの放射角
をせまくすることができ、効率よ〈レーザ光を利用する
ことができる。
ーザの出射光を屈折率が１より大きな媒質で集光レンズ
に導くことにより、半導体レーザの放射ビームの放射角
をせまくすることができ、効率よ〈レーザ光を利用する
ことができる。
８１図は本発明の原理的な構成を示す図、第２図は平板
光導波路端面での導波モードの屈折を示す図、第３図は
自由空間の屈折率の変化による半導体レーザの遠視野像
の変化を示す図、第４図（ａ）はセル７オツクレンズを
用いた半導体レーザとファイバとの一般的な結合系を示
す構成図、第４図（ｂ）は本発明の一実施例を示す構成
図、第５図は１．３μｍの半導体レーザの放射角をパラ
メータとして像倍率に対する半導体レーザと光フアイバ
間での光の結合損失の見積を示す図である。 図において、１は半導体レーザ、２は屈折率が１より大
きい媒質、３は半導体レーザ光の集光用レンズ、５はセ
ルフォックレンズ、６はファイバ、１０は屈折率が１よ
り大きい媒質（屈折率オイル）である。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介 第１図 第２図 替蜘−−− 第４図 第５図
光導波路端面での導波モードの屈折を示す図、第３図は
自由空間の屈折率の変化による半導体レーザの遠視野像
の変化を示す図、第４図（ａ）はセル７オツクレンズを
用いた半導体レーザとファイバとの一般的な結合系を示
す構成図、第４図（ｂ）は本発明の一実施例を示す構成
図、第５図は１．３μｍの半導体レーザの放射角をパラ
メータとして像倍率に対する半導体レーザと光フアイバ
間での光の結合損失の見積を示す図である。 図において、１は半導体レーザ、２は屈折率が１より大
きい媒質、３は半導体レーザ光の集光用レンズ、５はセ
ルフォックレンズ、６はファイバ、１０は屈折率が１よ
り大きい媒質（屈折率オイル）である。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介 第１図 第２図 替蜘−−− 第４図 第５図
Claims (1)
- 半導体レーザの光放射端面から半導体レーザ光集光用レ
ンズに到る光路をなす媒質の屈折率が１より大なること
を特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60236935A JPS6297387A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 半導体レ−ザ装置 |
| US07/420,684 US4987045A (en) | 1985-10-23 | 1989-10-11 | Photosensitive member for electrophotography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60236935A JPS6297387A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6297387A true JPS6297387A (ja) | 1987-05-06 |
Family
ID=17007927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60236935A Pending JPS6297387A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4987045A (ja) |
| JP (1) | JPS6297387A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07250862A (ja) * | 1994-11-28 | 1995-10-03 | Sony Corp | レーザープローブ |
| US6291110B1 (en) | 1997-06-27 | 2001-09-18 | Pixelligent Technologies Llc | Methods for transferring a two-dimensional programmable exposure pattern for photolithography |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2067524A1 (en) * | 1991-04-30 | 1992-10-31 | Tetsuo Murayama | Electrophotographic photoreceptor |
| US5389480A (en) * | 1991-10-02 | 1995-02-14 | Mitsubishi Kasei Corporation | Electrophotographic photoreceptor |
| US5453343A (en) * | 1993-02-09 | 1995-09-26 | Industrial Technology Research Institute | Hydrazone compounds as charge transport material in photoreceptors |
| US5547791A (en) * | 1993-11-26 | 1996-08-20 | Mitsubishi Chemical Corporation | Electrophotographic photoreceptor |
| US5753393A (en) * | 1995-05-25 | 1998-05-19 | Mitsubishi Chemical Corporation | Electrophotographic photoreceptor |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6034101B2 (ja) * | 1980-10-23 | 1985-08-07 | コニカ株式会社 | 電子写真感光体 |
| DE3329054A1 (de) * | 1982-08-12 | 1984-02-16 | Canon K.K., Tokyo | Lichtempfindliches aufzeichnungselement fuer elektrofotografische zwecke |
-
1985
- 1985-10-23 JP JP60236935A patent/JPS6297387A/ja active Pending
-
1989
- 1989-10-11 US US07/420,684 patent/US4987045A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07250862A (ja) * | 1994-11-28 | 1995-10-03 | Sony Corp | レーザープローブ |
| US6291110B1 (en) | 1997-06-27 | 2001-09-18 | Pixelligent Technologies Llc | Methods for transferring a two-dimensional programmable exposure pattern for photolithography |
| US6480261B2 (en) | 1997-06-27 | 2002-11-12 | Pixelligent Technologies Llc | Photolithographic system for exposing a wafer using a programmable mask |
| US6600551B2 (en) | 1997-06-27 | 2003-07-29 | Pixelligent Technologies Llc | Programmable photolithographic mask system and method |
| US6888616B2 (en) | 1997-06-27 | 2005-05-03 | Pixelligent Technologies Llc | Programmable photolithographic mask system and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4987045A (en) | 1991-01-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5710847A (en) | Semiconductor optical functional device | |
| JP5082414B2 (ja) | 光半導体装置および光導波路装置 | |
| US4821277A (en) | Super-luminescent diode | |
| US5272711A (en) | High-power semiconductor laser diode | |
| JPH0497206A (ja) | 半導体光素子 | |
| JPS6297387A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH08330671A (ja) | 半導体光素子 | |
| JPH0567837A (ja) | 窓型半導体レーザ素子 | |
| JPS62285488A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH05129720A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH05167197A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH05142435A (ja) | 導波路形ビーム変換素子およびその製造方法 | |
| CN114784616A (zh) | 一种集成超透镜的锥形半导体激光器 | |
| JP2846668B2 (ja) | ブロードエリアレーザ | |
| US4764937A (en) | Semiconductor laser array device | |
| JPH03196689A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH1041582A (ja) | 光導波路型半導体レーザ装置 | |
| JP2003037337A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH01107589A (ja) | 光増幅器 | |
| JPH1070312A (ja) | スーパールミネッセントダイオード | |
| JPS62172780A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| Shimada et al. | Focusing characteristics of a wide-striped laser diode integrated with a microlens | |
| JPH03145174A (ja) | 外部共振器型レーザ | |
| JP2000284133A (ja) | 光ファイバーおよび半導体レーザモジュール | |
| JPH10221553A (ja) | 導波路型半導体光素子および光通信システム |