JPS62285488A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS62285488A JPS62285488A JP62120337A JP12033787A JPS62285488A JP S62285488 A JPS62285488 A JP S62285488A JP 62120337 A JP62120337 A JP 62120337A JP 12033787 A JP12033787 A JP 12033787A JP S62285488 A JPS62285488 A JP S62285488A
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- semiconductor laser
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- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 25
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 10
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- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 10
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/146—External cavity lasers using a fiber as external cavity
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
-
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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- G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
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- G02B6/4285—Optical modules characterised by a connectorised pigtail
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- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
援血豆1
本発明は半導体レーザに関し、さらに詳しくは高出力の
基本横モード動作を得るための構造に関する。
基本横モード動作を得るための構造に関する。
支匪念石造
ドの光源が重要である。基本、すなわち零次の横モード
光信号を与えることによって、光伝送媒体や他の光シス
テムの部品に対して光源をより効率よく結合できる。レ
ーザ加ニジステムやレーザマイクログラフィックシステ
ムの応用において、基本横モード光源はレーザ共振器の
光軸に沿って集中したエネルギ分布を呈する。
光信号を与えることによって、光伝送媒体や他の光シス
テムの部品に対して光源をより効率よく結合できる。レ
ーザ加ニジステムやレーザマイクログラフィックシステ
ムの応用において、基本横モード光源はレーザ共振器の
光軸に沿って集中したエネルギ分布を呈する。
基本横モードおよび縦モードの光信号を得るにはへトロ
構造半導体レーザが用いられている。このヘドロ構造半
導体レーザにおいては、成長技術、エツチングと再成長
技術あるいは他の特別なレーザ構造を用いてレーザのア
クテイヴ領域を狭めることによって通常横モードの制御
を行っている。レーザの横モード動作を得るためにアク
ティヴ領域を狭めることはできるか、これにともなって
ボンブト光キャビティの容積が減少してレーザから得ら
れる光出力も減少する。
構造半導体レーザが用いられている。このヘドロ構造半
導体レーザにおいては、成長技術、エツチングと再成長
技術あるいは他の特別なレーザ構造を用いてレーザのア
クテイヴ領域を狭めることによって通常横モードの制御
を行っている。レーザの横モード動作を得るためにアク
ティヴ領域を狭めることはできるか、これにともなって
ボンブト光キャビティの容積が減少してレーザから得ら
れる光出力も減少する。
米国特許第3,790,902号に開示されたヘドロ構
造半導体利得媒体は、千ノリシックなレーザ構造をつく
るのにバッシヴ誘電体導波器に結合されている。バッシ
ヴ誘電体導波器の導入部の断面が利得媒体のアクティヴ
領域の断面とレーザの光軸に対して直角な方向で一致し
た場合、このレーザ構造は単−横モード光出力信号を得
る。他の制限条件は、誘電体導波器の長さと屈折率、お
よびアクティヴ領域と誘電体導波器の屈折率の差である
。このような設計上の制限以外に、このレーザは例えば
光ファイバ等の伝送媒体に簡単に結合できない。さらに
、この種レーザの製造では寸法精度のよいモノリシック
な素子をつくる処理工程が複雑になる。
造半導体利得媒体は、千ノリシックなレーザ構造をつく
るのにバッシヴ誘電体導波器に結合されている。バッシ
ヴ誘電体導波器の導入部の断面が利得媒体のアクティヴ
領域の断面とレーザの光軸に対して直角な方向で一致し
た場合、このレーザ構造は単−横モード光出力信号を得
る。他の制限条件は、誘電体導波器の長さと屈折率、お
よびアクティヴ領域と誘電体導波器の屈折率の差である
。このような設計上の制限以外に、このレーザは例えば
光ファイバ等の伝送媒体に簡単に結合できない。さらに
、この種レーザの製造では寸法精度のよいモノリシック
な素子をつくる処理工程が複雑になる。
1匪夏且1
本発明の原理によれば高出力単−横モードレーサ動作は
拡大キャヒイティ構造によって達成される。この拡大キ
ャビィティ構造は、大きな光キャビィティを有する半導
体利得媒体とある長さを有する単一モード光ファイバと
を第1および第2反射3面の間で結合することによって
得られる。第1反射面は半導体利得媒体のひとつの端面
に形成され、第2反射面は光ファイバの端部に形成され
る。第1および第2反射面はこれらの間に1個の共振光
キャビティを形成する。レーザの光フアイバ端部から出
力が標準の光フアイバ伝送媒体に効率よく結合される。
拡大キャヒイティ構造によって達成される。この拡大キ
ャビィティ構造は、大きな光キャビィティを有する半導
体利得媒体とある長さを有する単一モード光ファイバと
を第1および第2反射3面の間で結合することによって
得られる。第1反射面は半導体利得媒体のひとつの端面
に形成され、第2反射面は光ファイバの端部に形成され
る。第1および第2反射面はこれらの間に1個の共振光
キャビティを形成する。レーザの光フアイバ端部から出
力が標準の光フアイバ伝送媒体に効率よく結合される。
本発明の一実施例によれば、第1反射面は90%以上の
大きな反射率を示し、第2反射面は中程度の反射率(5
0〜70%)を示す。両反射面を形成するのに多層誘電
体を用いている。
大きな反射率を示し、第2反射面は中程度の反射率(5
0〜70%)を示す。両反射面を形成するのに多層誘電
体を用いている。
本発明の詳細な説明を添付の図面を参照して読むことに
よって本発明をさらに完全に理解できる。
よって本発明をさらに完全に理解できる。
良五±二1」
第1A図及び第1B図は本発明の原理による高出力、単
−横モード、拡大キャビィティレーザの一実施例を示す
概略図(実寸ではない)である。レーザは半導体利得媒
体10と光フアイバキャビィティ20を有している。第
1A図及び第1B図及び以下に説明する実施例において
、半導体利得媒体10は利得ガイプツト構造(gain
guided 5tructure)である。
−横モード、拡大キャビィティレーザの一実施例を示す
概略図(実寸ではない)である。レーザは半導体利得媒
体10と光フアイバキャビィティ20を有している。第
1A図及び第1B図及び以下に説明する実施例において
、半導体利得媒体10は利得ガイプツト構造(gain
guided 5tructure)である。
ヘドロ構造半導体利得媒体10は、好ましくは、たとえ
ば高出力プレーナ型埋込みへトロ構造レーザ等の高出力
(大容積)半導体レーザであり、分布フィードバックグ
レーティングを有していても有さなくともよい。このよ
うなレーザは通常マルチ横モードを呈する。半導体レー
ザから利得媒体10をつくるには、レーザの少なくとも
1個のミラー面の反射率を極度に減少させてもはや発振
できなくする必要かある。このため、而14を充分に透
過的にして半導体利得媒体が発振できなくし、一方向1
3はクリープ技術、コーティング技術、堆積技術あるい
は他の適切な技術を用いて大きな反射率(〉90%)を
持つようにしている。面14の反射率は0.1%以下に
減少させることが好ましい。実験の場では反射防止被膜
を而14に施して0.02%に反射率を減らしている。
ば高出力プレーナ型埋込みへトロ構造レーザ等の高出力
(大容積)半導体レーザであり、分布フィードバックグ
レーティングを有していても有さなくともよい。このよ
うなレーザは通常マルチ横モードを呈する。半導体レー
ザから利得媒体10をつくるには、レーザの少なくとも
1個のミラー面の反射率を極度に減少させてもはや発振
できなくする必要かある。このため、而14を充分に透
過的にして半導体利得媒体が発振できなくし、一方向1
3はクリープ技術、コーティング技術、堆積技術あるい
は他の適切な技術を用いて大きな反射率(〉90%)を
持つようにしている。面14の反射率は0.1%以下に
減少させることが好ましい。実験の場では反射防止被膜
を而14に施して0.02%に反射率を減らしている。
例えば、応用光学(八pplied 0pLics)第
23巻、第1号、第161〜+64頁(1984)のシ
ー・アイゼンシュタイン(G、 Eisenstein
)等による記事を参照されたい。
23巻、第1号、第161〜+64頁(1984)のシ
ー・アイゼンシュタイン(G、 Eisenstein
)等による記事を参照されたい。
利得媒体10の上面と下面は電流源■への電気的接続の
ためのものである。利得ガイデッド構造では、主として
ストライブ電極12が利得媒体10の光キャビィティの
縦寸法を規定する。この光キャビィティはストライブ電
極12のほぼ下のアクテイブ層11の半導体材料の容積
を有している。光キャビィティの容積が増加すると、利
用できる光出力も増加することが経験されている。
ためのものである。利得ガイデッド構造では、主として
ストライブ電極12が利得媒体10の光キャビィティの
縦寸法を規定する。この光キャビィティはストライブ電
極12のほぼ下のアクテイブ層11の半導体材料の容積
を有している。光キャビィティの容積が増加すると、利
用できる光出力も増加することが経験されている。
キャビィティ間モードは、一般的に、光ファイバキャヒ
イティ20の各素子によって制御されている。光フアイ
バキャビィティ20は、長さLの単一モード光ファイバ
、結合素子25および反射器24とを含む。光ファイバ
21は公知の単一モード光ファイバであって、コア23
とこれを囲むクラッド22により成る。結合素子25は
利得媒体10から放出された光信号を光ファイバのコア
に集束させる。第1A図及び第1B図に示す結合素子は
たとえば球面レンズのような一体化されたレンズである
。結合素子25は光ファイバ21と一体化されて示され
ているが、ある場合には光ファイバ21と分離した結合
素子25を有することが有利である。結合素子の後者の
例は、標準の凸レンズ構造、たとえばGRINROD等
のグレーデッド屈折率構造等である。
イティ20の各素子によって制御されている。光フアイ
バキャビィティ20は、長さLの単一モード光ファイバ
、結合素子25および反射器24とを含む。光ファイバ
21は公知の単一モード光ファイバであって、コア23
とこれを囲むクラッド22により成る。結合素子25は
利得媒体10から放出された光信号を光ファイバのコア
に集束させる。第1A図及び第1B図に示す結合素子は
たとえば球面レンズのような一体化されたレンズである
。結合素子25は光ファイバ21と一体化されて示され
ているが、ある場合には光ファイバ21と分離した結合
素子25を有することが有利である。結合素子の後者の
例は、標準の凸レンズ構造、たとえばGRINROD等
のグレーデッド屈折率構造等である。
本発明の実施に対して必須のものではないが、利得媒体
10の而14に対向する結合素子の部分に少なくとも反
射防止被膜を形成するのが望ましい。
10の而14に対向する結合素子の部分に少なくとも反
射防止被膜を形成するのが望ましい。
反射器24は拡大キャビィティレーザの出力ミラーとし
て動作する。反射器24の反射率は100%以下に選択
して、光信号がレーザから出力できるようにしている。
て動作する。反射器24の反射率は100%以下に選択
して、光信号がレーザから出力できるようにしている。
反射器24の実施例は、コア23に直角な光ファイバ2
1のほぼ平坦な端面に形成した多層誘電体である。接続
用光ファイバは光ファイバ26として示すように反射器
24に当接結合させてレーザに取付けることができる。
1のほぼ平坦な端面に形成した多層誘電体である。接続
用光ファイバは光ファイバ26として示すように反射器
24に当接結合させてレーザに取付けることができる。
光フアイバキャビィティ20の長さしは好ましくはL≧
W−の関係を満足させるものとしλ て選択する。ここでdは利得媒体から放出される光ビー
ムの最小半値巾であり、λはレーザの自由空間での動作
波長であり、neはバッシヴ光ファイバキャビィティ2
0のコア23の屈折率である。本実施例ではLは5.0
cmを選択した。
W−の関係を満足させるものとしλ て選択する。ここでdは利得媒体から放出される光ビー
ムの最小半値巾であり、λはレーザの自由空間での動作
波長であり、neはバッシヴ光ファイバキャビィティ2
0のコア23の屈折率である。本実施例ではLは5.0
cmを選択した。
反射器24と面13の反射率を適切に選択することによ
って、拡大キャビィティレーザは低しきい値電流と高差
分量子効率との最適バランスを得る。最適バランスを得
る一例は、反射器24と面13との反射率の組合わせが
60%と100%である。
って、拡大キャビィティレーザは低しきい値電流と高差
分量子効率との最適バランスを得る。最適バランスを得
る一例は、反射器24と面13との反射率の組合わせが
60%と100%である。
動作にあたっては、拡大キャビィティレーザは動作電流
の広い範囲にわたって安定な横モードを与える。利得媒
体10からは基本横モードのみが効率よく光フアイバキ
ャビィティ20に結合する。従って、拡大キャビィティ
レーザが発振すると、 他のモードに優先して基本
横モードが選択される。以上説明した埋込−み型へトロ
構造利得媒体(InGaAsP/InP)を用いた拡大
キャビィティレーザを波長1.3μm、しきい値電流約
65mAで動作させ、差分量子化効率23%を得るとと
もに、I=rpc = 260 mAのときに3.Or
n Wの最大出力を光ファイバ26に伝送した。
の広い範囲にわたって安定な横モードを与える。利得媒
体10からは基本横モードのみが効率よく光フアイバキ
ャビィティ20に結合する。従って、拡大キャビィティ
レーザが発振すると、 他のモードに優先して基本
横モードが選択される。以上説明した埋込−み型へトロ
構造利得媒体(InGaAsP/InP)を用いた拡大
キャビィティレーザを波長1.3μm、しきい値電流約
65mAで動作させ、差分量子化効率23%を得るとと
もに、I=rpc = 260 mAのときに3.Or
n Wの最大出力を光ファイバ26に伝送した。
本発明の原理を応用することによって種々の実施例が可
能であり、上述の実施例は単に本発明を説明するための
ものであることを理解されたい。当業者は本発明の精神
と範囲から逸脱することなく多くの種々な構成を考える
ことかできる。たとえば、大きな光キャビィティを有し
たインデックスガイデッド(index−gu 1de
d)半導体構造を半導体利得媒体として用いることかで
きる。
能であり、上述の実施例は単に本発明を説明するための
ものであることを理解されたい。当業者は本発明の精神
と範囲から逸脱することなく多くの種々な構成を考える
ことかできる。たとえば、大きな光キャビィティを有し
たインデックスガイデッド(index−gu 1de
d)半導体構造を半導体利得媒体として用いることかで
きる。
第1A図及び第1B図は本発明の原理による拡大キャビ
ィティ、高出力、基本横モードレーザを示す図である。 [主要部分の符号の説明] 10・・・半導体利得媒体、13.24−・・反射器(
反射面)、12・・・ストライブ電極、20・・・光フ
アイバキャビィティ、21・・・光ファイバ、25・・
・結合素子、26−・・接続用光ファイバ。
ィティ、高出力、基本横モードレーザを示す図である。 [主要部分の符号の説明] 10・・・半導体利得媒体、13.24−・・反射器(
反射面)、12・・・ストライブ電極、20・・・光フ
アイバキャビィティ、21・・・光ファイバ、25・・
・結合素子、26−・・接続用光ファイバ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、高出力の光信号を発生する大きな光キャビティ(2
0)を有した半導体利得媒体(10)と、この半導体利
得媒体に結合された単一モードの光ファイバ(21)と
、第1および第2の反射器(13、24)とを有し、前
記半導体利得媒体と単一モード光ファイバとは前記第1
および第2の反射器の間に置かれこれら反射器の間で一
個の光共振キャビティを形成することを特徴とする基本
横モードでのコヒーレントな誘導放出を行う半導体レー
ザ。 2、前記第1の反射器(13)は半導体利得媒体の第1
の面に置かれ、90%以上の反射率を有する特許請求の
範囲第1項記載の半導体レーザ。 3、前記第2の反射器(24)は単一モード光ファイバ
の端部に置かれ、50%から70%の反射率を有する特
許請求の範囲第2項の記載の半導体レーザ。 4、前記第2の反射器は複数の誘電体層よりなる特許請
求の範囲第3項記載の半導体レー ザ。 5、前記第1の面と対向する半導体利得媒体の第2の面
に反射防止被膜を形成し、この第2の面の反射率を0.
1%にした特許請求の範囲第2項記載の半導体レーザ。 6、前記半導体利得媒体と単一モード光ファイバとの間
で光信号を結合する手段をさらに有する特許請求の範囲
第1項記載の半導体レーザ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US86477086A | 1986-05-19 | 1986-05-19 | |
US864770 | 1986-05-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62285488A true JPS62285488A (ja) | 1987-12-11 |
Family
ID=25344040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62120337A Pending JPS62285488A (ja) | 1986-05-19 | 1987-05-19 | 半導体レ−ザ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0246793A3 (ja) |
JP (1) | JPS62285488A (ja) |
CA (1) | CA1284205C (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03287140A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-17 | Pioneer Electron Corp | レーザー光波長変換装置 |
JPH065961A (ja) * | 1992-01-29 | 1994-01-14 | American Teleph & Telegr Co <Att> | レーザ装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8823010D0 (en) * | 1988-09-30 | 1988-11-09 | Marconi Gec Ltd | Matching arrangement |
WO1991001056A1 (en) * | 1989-07-06 | 1991-01-24 | Australian Electro Optics Pty. Ltd. | Segmented, fibre coupled diode laser arrays |
JPH0777279B2 (ja) * | 1990-07-27 | 1995-08-16 | パイオニア株式会社 | 光パルス発生装置 |
DE4318752B4 (de) * | 1993-06-05 | 2004-02-05 | Robert Bosch Gmbh | Resonatorvorrichtung mit Lichtwellenleiter aus einem Polymer |
WO1995013552A2 (en) * | 1993-11-12 | 1995-05-18 | British Telecommunications Public Limited Company | Optical filter |
DE19508825A1 (de) * | 1994-03-17 | 1995-09-21 | Eastman Kodak Co | Verfahren und Vorrichtung zur Reduktion der spontanen Emission eines Lasers zur Konstanthaltung der fokussierten Breite |
US5614470A (en) * | 1994-04-01 | 1997-03-25 | Sankyo Company, Limited | 13-substituted milbemycin derivatives, their preparation and their use |
WO1996027929A1 (en) * | 1995-03-07 | 1996-09-12 | British Telecommunications Public Limited Company | A laser |
GB2374201A (en) * | 2001-04-03 | 2002-10-09 | Khaled Karrai | Laser |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4358851A (en) * | 1980-02-28 | 1982-11-09 | Xerox Corporation | Fiber optic laser device and light emitter utilizing the device |
JPS58180080A (ja) * | 1982-04-15 | 1983-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
-
1987
- 1987-05-11 EP EP87304156A patent/EP0246793A3/en not_active Ceased
- 1987-05-15 CA CA000537282A patent/CA1284205C/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-05-19 JP JP62120337A patent/JPS62285488A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03287140A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-17 | Pioneer Electron Corp | レーザー光波長変換装置 |
JPH065961A (ja) * | 1992-01-29 | 1994-01-14 | American Teleph & Telegr Co <Att> | レーザ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1284205C (en) | 1991-05-14 |
EP0246793A3 (en) | 1988-06-01 |
EP0246793A2 (en) | 1987-11-25 |
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