JPS6297310A - 低損失アモルフアス磁心 - Google Patents
低損失アモルフアス磁心Info
- Publication number
- JPS6297310A JPS6297310A JP60237868A JP23786885A JPS6297310A JP S6297310 A JPS6297310 A JP S6297310A JP 60237868 A JP60237868 A JP 60237868A JP 23786885 A JP23786885 A JP 23786885A JP S6297310 A JPS6297310 A JP S6297310A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic core
- metal layer
- loss
- amorphous
- low
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高周波トランス、チョーク等に用いられる低
損失のアモルファス磁心に関するものであり、特に20
kHz以上の高い周波数での使用に好適なアモルファス
磁心に係るものである。
損失のアモルファス磁心に関するものであり、特に20
kHz以上の高い周波数での使用に好適なアモルファス
磁心に係るものである。
従来の技術
従来、高周波用のトランス、チョーク等の磁心材料とし
ては、高抵抗であって渦電流損が少ない等の利点を有す
るため、フェライトが主に用いられていた。しかし、フ
ェライトは飽和磁束密度が低く、温度特性も悪いため、
磁心を小形化することが困難であるという欠点があった
。
ては、高抵抗であって渦電流損が少ない等の利点を有す
るため、フェライトが主に用いられていた。しかし、フ
ェライトは飽和磁束密度が低く、温度特性も悪いため、
磁心を小形化することが困難であるという欠点があった
。
近年、従来の磁心材料に変るものとして非晶質磁性合金
が注目されている。しかし、高周波の鉄損は通常の処理
を行なっただけでは十分小さくならず、Fe系材料では
たとえば熱処理により結晶相を分散させて磁区を細分化
させることにより高周波の鉄損を下げたり、スクラッチ
等によりリボン表面に傷をつけて磁区を細分化させるこ
とにより損失を下げる等の方法が検討されている。
が注目されている。しかし、高周波の鉄損は通常の処理
を行なっただけでは十分小さくならず、Fe系材料では
たとえば熱処理により結晶相を分散させて磁区を細分化
させることにより高周波の鉄損を下げたり、スクラッチ
等によりリボン表面に傷をつけて磁区を細分化させるこ
とにより損失を下げる等の方法が検討されている。
発明が解決しようとする問題点
上記従来のアモルファス磁心は、高周波磁気特性を改善
するために適当な結晶相を析出させる必要があるが、そ
のための熱処理条件範囲が狭く特性がばらつきやすい、
また磁区を細分化させるためのスクラッチに時間がかか
り、効率が悪くかつ特性がばらつきやすい等の欠点があ
る。
するために適当な結晶相を析出させる必要があるが、そ
のための熱処理条件範囲が狭く特性がばらつきやすい、
また磁区を細分化させるためのスクラッチに時間がかか
り、効率が悪くかつ特性がばらつきやすい等の欠点があ
る。
そこで本発明はアモルファス磁心を効率よく製造できる
ようにするとともに、高周波における鉄損を減少させか
つ特性にばらつきが生じないようにした低損失アモルフ
ァス磁心を提供することを目的とする。
ようにするとともに、高周波における鉄損を減少させか
つ特性にばらつきが生じないようにした低損失アモルフ
ァス磁心を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は 、単ロール法等の液体急冷法により作成した
アモルファス合金薄板の表面にロウ付け、蒸着法、スパ
ッタ法、電着メッキ法等により数ILm以下の金属層を
形成して、積層、あるいは巻回し、さらに熱処理するこ
とにより低損失のアモルファス磁心とした。
アモルファス合金薄板の表面にロウ付け、蒸着法、スパ
ッタ法、電着メッキ法等により数ILm以下の金属層を
形成して、積層、あるいは巻回し、さらに熱処理するこ
とにより低損失のアモルファス磁心とした。
S + x B y (a t%)で表わされ、ここ
でMはTi、 Zr、 Hf、 V、 Wb、 Ta、
Or、 Me、 W、 Mn、 Xi、 Co、Cu
、Ag、 Au、 Ru、 Rh、 Pd、 Pt、
Y希土類元素から選ばれる少なくとも1種であり、O≦
a≦0.1 、 x≦19.5≦y≦25.15≦x+
y≦30の関係を有するものを用いた場合に、高周波に
おける鉄損低減の効果が著しいが、これに近い材料でも
よい。
でMはTi、 Zr、 Hf、 V、 Wb、 Ta、
Or、 Me、 W、 Mn、 Xi、 Co、Cu
、Ag、 Au、 Ru、 Rh、 Pd、 Pt、
Y希土類元素から選ばれる少なくとも1種であり、O≦
a≦0.1 、 x≦19.5≦y≦25.15≦x+
y≦30の関係を有するものを用いた場合に、高周波に
おける鉄損低減の効果が著しいが、これに近い材料でも
よい。
Mは経時変化改善および鉄損の低減に効果があり1組成
比aが0.1を越えるとリボンが脆化しゃすくなるため
、aは0.1以下が望ましい。
比aが0.1を越えるとリボンが脆化しゃすくなるため
、aは0.1以下が望ましい。
またSi量XはX≦19.B量yは5≦y≦25、そし
て155 x + y≦30の範囲が、アモルファス形
成が容易であるため好ましく、リボンの板厚は25JL
m以下が特に望ましい。
て155 x + y≦30の範囲が、アモルファス形
成が容易であるため好ましく、リボンの板厚は25JL
m以下が特に望ましい。
磁心の熱処理は1通常結晶化温度以下の温度で不活性ガ
ス雰囲気あるいは真空中で行なわれるが、場合によって
は酸化雰囲気中で行なってもよい、また熱処理は場合に
応じて無磁場中、あるいは磁場中で行なわれる。
ス雰囲気あるいは真空中で行なわれるが、場合によって
は酸化雰囲気中で行なってもよい、また熱処理は場合に
応じて無磁場中、あるいは磁場中で行なわれる。
金属層は1例えばCu、 Cr、 Kn、 Ti、 W
b、 A1. Pb、Sn等の純金属、あるいはこれら
の合金が用いられる。また必要に応じてSi、 B、
P等の半金属を含んでも良い。
b、 A1. Pb、Sn等の純金属、あるいはこれら
の合金が用いられる。また必要に応じてSi、 B、
P等の半金属を含んでも良い。
さらに形成した金属層表面に絶縁層を形成し、層間絶縁
することにより高周波の損失は更に改善される。
することにより高周波の損失は更に改善される。
実施例
本発明の実施例としてのアモルファス磁心は、液体急冷
法により作成したアモルファス合金の薄板表面に、スパ
ッタ法、蒸着法等により金属層を形成し、それを巻回し
て巻磁心を形成し、さらに熱処理したものである。この
ように形成した磁心は第1図に示され、lはアモルファ
ス合金、2は金属層であり、使用される際は通常磁心は
コーティングされるか、コアケースに入れられる。なお
、巻磁心の代りに第2図に示すように積層に形成しても
よい。
法により作成したアモルファス合金の薄板表面に、スパ
ッタ法、蒸着法等により金属層を形成し、それを巻回し
て巻磁心を形成し、さらに熱処理したものである。この
ように形成した磁心は第1図に示され、lはアモルファ
ス合金、2は金属層であり、使用される際は通常磁心は
コーティングされるか、コアケースに入れられる。なお
、巻磁心の代りに第2図に示すように積層に形成しても
よい。
アモルファス合金としては1組成式(F et−L:1
M R) Si B (at%)で表わされるも
の25種に/−6−x−y X y ついて実施し、リボン薄帯の板厚は25.m以下とした
。
M R) Si B (at%)で表わされるも
の25種に/−6−x−y X y ついて実施し、リボン薄帯の板厚は25.m以下とした
。
金属層としては、Cu、 Cr、 A1. Ti、 N
b、 Mn、 Ag、 Au、 Vの純金属1合金Pb
−5n、 Cu−Agおよび半金属Pを含むものを使用
し、メッキ法、スパルタ法、ロウ付け、蒸着法、メッキ
法等によりアモルファス合金の薄帯の片面のみに形成し
た。なお金属層をアモルファス合金の薄板両面に形成し
てもよく、その場合片面の場合とほぼ同様な効果が得ら
れる。
b、 Mn、 Ag、 Au、 Vの純金属1合金Pb
−5n、 Cu−Agおよび半金属Pを含むものを使用
し、メッキ法、スパルタ法、ロウ付け、蒸着法、メッキ
法等によりアモルファス合金の薄帯の片面のみに形成し
た。なお金属層をアモルファス合金の薄板両面に形成し
てもよく、その場合片面の場合とほぼ同様な効果が得ら
れる。
アモルファス合金の薄板に金属層を付着した後の熱処理
は、N2雰囲気中でキュリ一温度以上結晶化温度以下に
20〜60分保持後空冷して行なった、また上記実施例
の巻磁心における金属層の表面にMgO粉末を塗布して
、絶縁層を形成したものも実施した。
は、N2雰囲気中でキュリ一温度以上結晶化温度以下に
20〜60分保持後空冷して行なった、また上記実施例
の巻磁心における金属層の表面にMgO粉末を塗布して
、絶縁層を形成したものも実施した。
上記実施例により作成した磁心について、周波数100
k Hz、磁束密度の波高値2KGの場合の鉄損を測
定した例を、次の表に示した。
k Hz、磁束密度の波高値2KGの場合の鉄損を測
定した例を、次の表に示した。
また比較のため、従来の通常の熱処理をしたアモルファ
ス磁心であって金属層を有しないものについても同一条
件で鉄損を測定し前記衣に示した。第1表から本発明の
実施例の方が鉄損が低く。
ス磁心であって金属層を有しないものについても同一条
件で鉄損を測定し前記衣に示した。第1表から本発明の
実施例の方が鉄損が低く。
高周波トランス等に用いる磁心として優れていることが
わかる。
わかる。
発明の効果
本発明のアモルファス磁心は、アモルファス合金薄板の
表面に金属層を設けることにより高周波における鉄損を
低下できるので、その製造効率が従来に比較して良く、
かつ特性のばらつきも比較的小さいためその効果は著し
いものがある。
表面に金属層を設けることにより高周波における鉄損を
低下できるので、その製造効率が従来に比較して良く、
かつ特性のばらつきも比較的小さいためその効果は著し
いものがある。
第1図は本発明のアモルファス磁心を巻磁心型にした斜
視図、第2図は同じく積層型磁心の斜視図である。
視図、第2図は同じく積層型磁心の斜視図である。
Claims (3)
- (1)アモルファス合金薄板を積層あるいは巻回わして
形成する磁心において、液体急冷法により作成したアモ
ルファス合金薄板の表面に、ロウ付け、蒸着法、スパッ
タ法、電着メッキ法等の方法により金属層を形成したこ
とを特徴とする低損失アモルファス磁心。 - (2)金属層の表面に絶縁層を形成し、層間絶縁したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の低損失ア
モルファス磁心。 - (3)組成式(Fe_1_−_aM_a)_1_0_0
_−_x_−_ySi_xB_y(at%)で表わされ
、ここでMはTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr
、Mo、W、Mn、Ni、Co、Cu、Ag、Au、R
u、Rh、Pd、Pt、Y希土類元素から選ばれる少な
くとも1種であり、0≦a≦0.1、x≦19、5≦y
≦25、15≦x+y≦30の関係を有するアモルファ
ス合金を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項
に記載の低損失アモルファス磁心。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60237868A JPS6297310A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 低損失アモルフアス磁心 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60237868A JPS6297310A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 低損失アモルフアス磁心 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6297310A true JPS6297310A (ja) | 1987-05-06 |
Family
ID=17021605
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60237868A Pending JPS6297310A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 低損失アモルフアス磁心 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6297310A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010258477A (ja) * | 2002-11-01 | 2010-11-11 | Metglas Inc | バルク非晶質金属製の誘導デバイス |
-
1985
- 1985-10-24 JP JP60237868A patent/JPS6297310A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010258477A (ja) * | 2002-11-01 | 2010-11-11 | Metglas Inc | バルク非晶質金属製の誘導デバイス |
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