JPS629715Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS629715Y2
JPS629715Y2 JP1979067086U JP6708679U JPS629715Y2 JP S629715 Y2 JPS629715 Y2 JP S629715Y2 JP 1979067086 U JP1979067086 U JP 1979067086U JP 6708679 U JP6708679 U JP 6708679U JP S629715 Y2 JPS629715 Y2 JP S629715Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stage
wafer
alignment mechanism
alignment
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP1979067086U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS55167653U (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP1979067086U priority Critical patent/JPS629715Y2/ja
Publication of JPS55167653U publication Critical patent/JPS55167653U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS629715Y2 publication Critical patent/JPS629715Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は半導体素子の製造装置に関し、特に
例えばフオトレジスト法によつて半導体素子を製
造する場合に作業能率の優れた半導体素子の製造
装置に関する。
半導体素子の製造方法として、フオトレジスト
法が実用されている。第1図は従来のフオトレジ
スト法による製造装置で半導体を製造する順序を
時間的に示した図である。従来のフオトレジスト
法による半導体素子製造装置としては、フオトレ
ジスト膜が形成されたウエハーを載せて位置決め
するためのステージと、ステージの上部に配置さ
れるマスクと、作業者がウエハーの位置決めをす
るためにマスク上部に設けられるアライメント機
構(アライメントスコープ)と、アライメント機
構でウエハーの位置決めを完了したのちウエハー
を露光するための露光機構とから構成される。そ
して、ウエハーを露光する場合は、ステージ上に
ウエハーを装着したのち、大まかな位置合せを
し、ステージを回転させ、そののち作業者がアラ
イメント機構のスコープを覗いて厳密な位置合せ
を行ない、位置合せの完了後に、アライメント機
構を回動させて該アライメント機構の側面に装着
されているミラーを或る傾斜でウエハー側に面す
るように保持し、そのときシヤツタを開いて光線
機構からの光線を反射ミラーで反射させ、ウエハ
ー上に照射することによつてウエハーを露光して
いる。このようにしてウエハーを露光したのち、
再びステージを回転させてウエハーを取出したの
ち、次のウエハーの露光を行なう。
ところが、従来の製造装置は、第1図で図解す
るように、作業者の動作としては位置合せのみで
あり、露光時間には待機していた。すなわち、作
業者は位置合せをしている時間(たとえば15秒)
のみ実質的に作業し、露光時間(ウエハーの表面
に形成されているレジスト膜の厚さによつて異な
るが、例えば12秒)の間は何ら作業を行なうこと
なく待機しているのみである。ところで、作業者
が実質的に作業を行なう位置合せ時間は、1つの
ウエハーを露光するのに要する1周期時間のほぼ
半分程度であるため、残り半分の時間は無駄時間
となり、作業効率が悪く、生産性が低く、1個の
半導体素子の製造コストが高くなるという欠点が
あつた。
それゆえに、この考案の主たる目的は、作業効
率が優れ、生産性の向上できるような、半導体素
子の製造装置を提供することである。
この考案の他の目的は、半導体素子の製造工程
に工夫を施すことによつて、半導体素子の製造コ
ストを安くできるような、半導体素子の製造装置
を提供することである。
この考案の上述の目的およびその他の目的と特
徴は図面を参照して行なう以下の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
この考案を要約すれば、1つの露光機構に対し
て、アライメント機構とステージとを2組設け、
一方のアライメント機構で一方のステージ上のウ
エハーを位置合せしているとき、すでに位置合せ
済の他方のステージ上のウエハーを露光し、これ
とは逆に他方のステージ上のウエハーを位置合せ
しているとき、位置合せ済の一方のウエハーを露
光できるように構成した半導体素子の製造装置で
ある。なお、好ましい実施例では、一方のアライ
メント機構と他方のアライメント機構を兼用し、
露光していないステージ側のウエハーを1つのア
ライメント機構で切替えて位置合せできるように
する。
第2図はこの考案の一実施例の半導体素子製造
装置の概略を表わす斜視図である。
第3図は露光機構とステージとの詳細を表わす
平面図解図である。
第4図はアライメント機構の縦断面状態を図解
的に示した図である。
次に、第2図ないし第4図を参照して、この実
施例の半導体素子製造装置20の構成について説
明する。製造装置20の台21上には、第1のタ
ーンテーブル22と、第2のターンテーブル23
とが設けられる。第1のターンテーブル22は、
第1のステージおよびプリステージ221,22
2を連結部材223で連結し、支点224で回転
自在に支承される。同様に、第2のターンテーブ
ル23は、第2のステージおよびプリステージ2
31,232を連結部材233で連結し、支点2
34で回転自在に支承される。そして、ステージ
221上に載せられたウエハーを位置合せしまた
は露光している間に、プリステージ222上へ次
に露光すべきウエハーを載せて大まかな位置合せ
(すなわち粗合せ)し、ステージ221に載せら
れているウエハーの露光が完了すると、ターンテ
ーブル22が回転して、プリステージとステージ
とが入れ替わる。第2のターンテーブル23にお
いても同様である。このプリステージ222また
は232へ露光すべきウエハーを供給するため
に、ベルト(またはベルトコンベア)241,2
42が配設される。このベルト241の上部に
は、ウエハーをキヤリア251から取出してベル
ト241上へ供給するためのベルト243が段違
いに設けられる。また、ベルト241の他端側に
は、露光済みのウエハーを収納するキヤリア25
2へ導くためのベルト244が設けられる。
前記台21に関連して露光機構30が配設さ
れ、該台21の上面に設けられる第1のステージ
221および第2のステージ231の上部に関連
してアライメント機構40が配設される。
前記露光機構30は、水銀ランプなどの光源3
1の下側に、前面側に傾斜した反射ミラー32を
設け、反射ミラー32の前方位置に垂直に前記光
源31からの光線を前記第1のステージ221側
または第2のステージ231側へ切換える光線切
換手段の一例としての両面ミラーの露光用可動ミ
ラー33を設け、可動ミラー33を挾む両側に反
射ミラー341と342を設け、反射ミラー34
1,342で反射された光を下方へ反射させる反
射ミラー351,352を設けて構成される。こ
の反射ミラー351,352はアライメント機構
40に含まれる左側スコープ41と右側スコープ
42の後方垂直面に固着され、スコープ41,4
2の回動とともに傾斜して光源からの光線をステ
ージ221,231側へ反射させるように働く。
この反射ミラー341と351の間には第1のシ
ヤツタ361が設けられ、反射ミラー342と3
52の間には第2のシヤツタ362が設けられ
る。また、スコープ41とステージ221との間
には、ステージ221上に載せられたウエハーに
所望の回路パターンを焼付けるためのマスク37
1が設けられ、同様に第2のステージ231とス
コープ42との間にはマスク372が設けられ
る。
前記アライメント機構40は、ステージ221
上のウエハーを見るためのスコープ41と、ステ
ージ231上のウエハーを見るためのスコープ4
2と、両スコープ41,42からの画像を選択的
に見るための接眼部43とから構成される。この
スコープ41は、レンズ411,411′および
ミラー412,412′を透視した像をプリズム
413,413′で反射し、両プリズム413,
413′で反射させた像をプリズム414および
415を介して接眼部43側へ導くように構成さ
れる。また、スコープ42はスコープ41と同様
にして構成されるため、参照符号の十番台(例え
ば411)を二十番台(例えば421)に替えて
示し、詳細な説明を省略する。
前記接眼部43は、スコープ41のプリズム4
15で反射されたステージ221上の画像または
スコープ42に含まれるプリズム425で反射さ
れたステージ231上の画像を選択的に接眼レン
ズ434,434′へ導くためのアライメント用
可動ミラー431と、可動ミラー431で反射さ
れた像を左右に分離するプリズム432と、反射
ミラー433,433′と、接眼レンズ434,
434′とから構成される。
第5図はこの考案の動作を説明するための第1
のステージと第2のステージに関連する動作を時
間軸上に図解した図である。次に、第2図ないし
第5図を参照して、この実施例の具体的な動作に
ついて説明する。
まず、キヤリア251から1番目のウエハーを
ベルト243および241を介してプリステージ
222上へ載せて該ウエハーを粗合せする。続い
て、ターンテーブル22を回転させて、1番目の
ウエハーを第1のステージ221の位置へ配置す
る。そののち、作業者はアライメント機構40の
接眼レンズ434,434′を覗いてスコープ4
1で結像された第1のステージ221上のウエハ
ーの位置合せを行なう。このとき、ターンテーブ
ル23のプリステージ232上に2番目のウエハ
ーが載せられ粗合せし、該ターンテーブルを回転
させることにより、第2のステージ231の位置
へ2番目のウエハーを配置する。そして、1番目
のウエハーの位置合せが完了すると、作業者は操
作部(図示せず)に設けられている第1のステー
ジ側の露光スイツチを押圧する。この露光スイツ
チの押圧に応じて、スコープ42が前方斜め方向
へ回動され、それに伴なつてスコープ41の後方
側面に固着されているミラー351が下向きに傾
斜される。これと同時に、シヤツタ361が開か
れ、それによつて光源31からの光が反射ミラー
32、可動ミラー33、反射ミラー341、反射
ミラー351を通つてステージ221上のウエハ
ー11に照射され露光する。
前述のごとく、ステージ221上の第1のウエ
ハー11を露光している状態において、作業者は
第2のステージ231上に載せられている2番目
のウエハー12の位置合せを行なう。この状態が
第2図〜第4図で光線方向として図示される。
そして、第1のウエハー11の露光が完了する
と、ターンテーブル22が回転されて、露光済み
のウエハーがベルト241,242,244を介
してキヤリア252側へ収納される。これと同時
に、第1のステージ221上のウエハーの位置合
せをする間に、第2のステージ231上の2番目
のウエハーの露光を行なう。
以下同様にして、一方のステージでウエハーの
位置合せをしている間に、他方のステージに載せ
られかつ位置合せ済みのウエハーを露光し、交互
にその動作を繰り返す。
これによつて、作業者が従来のように露光時間
中待機することなく、ほぼ連続的に位置合せ作業
を行なうことができ、作業効率の向上が図れ、し
かも同一時間で露光できるウエハーの数がほぼ2
倍となり、生産効率が優れ、かつしたがつて1個
の半導体素子の製造コストの低減を図れる利点が
ある。
なお、上述の説明では、左右のスコープ41,
42で拡大された第1および第2のステージ上の
ウエハーの像を1カ所の接眼部で覗けるようにし
た場合について説明したが、このようにすれば作
業者が同じ位置で左右のステージ上の像を見るこ
とができ、作業能率の向上が図れる。なお、この
考案の技術思想は、これに限ることなく左右のス
コープ別に、接眼部を設けてもよいことは言うま
でもない。
また、光源31からの光線を切換える可動ミラ
ー33と接眼部43の可動ミラー431とはそれ
ぞれ逆方向を向くように連動して切換えられる
が、その切換えは手動または自動のいずれでもよ
い。また、前述の説明では、作業者がステージ上
のウエハーの位置合せを行なう場合について述べ
たが、ウエハーの位置合せを自動的に行なう機構
を関連的に設ければ、ウエハーの位置合せと露光
を連続的かつ自動的に行なうように制御すること
も可能である。
以上のように、この考案によれば、作業能率を
向上でき、生産性に優れ、しかも半導体素子の製
造コストを安くできるような、半導体素子の製造
装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体素子製造装置の製造工程
を時間的に図解した図である。第2図はこの考案
の一実施例の半導体素子製造装置20の斜視図で
ある。第3図は半導体素子製造装置20に含まれ
る光源機構30の詳細な図解図である。第4図は
半導体製造装置20に含まれるアライメント機構
40の詳細な図解図である。第5図はこの考案の
製造工程を時間的に図解した図解図である。 図において、20は半導体素子製造装置、22
および23はターンテーブル、221は第1のス
テージ、231は第2のステージ、30は露光機
構、31は光源、32,341,342,35
1,352は反射ミラー、33は露光用可動ミラ
ー、361,362はシヤツタ、371,372
はマスク、40はアライメント機構、41,42
はスコープ、43は接眼部、431はアライメン
ト用可動ミラーを示す。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ウエハーを載せるための第1のステージ、 ウエハーを載せるための第2のステージ、 前記ウエハーを露光するための露光用光線、 前記露光用光線からの光線を、反射鏡・プリ
    ズムなどを回動させることにより、前記第1の
    ステージ側または第2のステージ側へ切換える
    光線切換手段、 前記第2のステージ上のウエハーを露光して
    いる状態において、前記第1のステージ上のウ
    エハーを位置合わせするための第1のアライメ
    ント機構、および 前記第1のステージ上のウエハーを露光して
    いる状態において、前記第2のステージ上のウ
    エハーを位置合わせするための第2のアライメ
    ント機構を備えた、半導体素子の製造装置。 (2) 前記第1のアライメント機構と前記第2のア
    ライメント機構は、1つのアライメント機構で
    兼用され、かつ一方のステージ上のウエハーを
    露光している状態において他方のステージ上の
    ウエハーを位置合わせするように切換え可能に
    構成された、実用新案登録請求の範囲第(1)項記
    載の半導体素子の製造装置。 (3) 前記光線切換手段と前記1つのアライメント
    機構の切換えとが連動して切換えられるように
    構成された、実用新案登録請求の範囲第(2)項記
    載の半導体素子の製造装置。
JP1979067086U 1979-05-18 1979-05-18 Expired JPS629715Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1979067086U JPS629715Y2 (ja) 1979-05-18 1979-05-18

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1979067086U JPS629715Y2 (ja) 1979-05-18 1979-05-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS55167653U JPS55167653U (ja) 1980-12-02
JPS629715Y2 true JPS629715Y2 (ja) 1987-03-06

Family

ID=29301016

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1979067086U Expired JPS629715Y2 (ja) 1979-05-18 1979-05-18

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS629715Y2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0951054B1 (en) 1996-11-28 2008-08-13 Nikon Corporation Aligner and method for exposure
TW527526B (en) 2000-08-24 2003-04-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7289212B2 (en) 2000-08-24 2007-10-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby
US7561270B2 (en) 2000-08-24 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5147026A (ja) * 1974-08-21 1976-04-22 Ciba Geigy Biizukeijonoganryososeibutsunoseizoho
JPS5421278B2 (ja) * 1974-08-21 1979-07-28

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5421278U (ja) * 1977-07-14 1979-02-10
JPS5455274U (ja) * 1977-09-26 1979-04-17

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5147026A (ja) * 1974-08-21 1976-04-22 Ciba Geigy Biizukeijonoganryososeibutsunoseizoho
JPS5421278B2 (ja) * 1974-08-21 1979-07-28

Also Published As

Publication number Publication date
JPS55167653U (ja) 1980-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3865483A (en) Alignment illumination system
US3476476A (en) Alignment means for photo repeat machine
JPS629715Y2 (ja)
JPH08137091A (ja) マスク外観検査装置
TWI257531B (en) Catadioptric lithography system and method with reticle stage orthogonal to wafer stage
JPS6398645A (ja) 感光材料の位置決め保持装置
JP2759890B2 (ja) 露光装置
JPS60107835A (ja) 投影露光装置
US3740138A (en) Process camera alignment and exposure system
JPH1012696A (ja) 基板搬送装置
JPH01261821A (ja) 縮小投影露光装置
JP2910867B2 (ja) レジスト露光装置
JP2000315638A (ja) アライメント方法とその装置
JPH11338162A (ja) 露光装置
JPS59117121A (ja) 投影型マスクアライナ
JP3165219B2 (ja) 投影機
JP2000173895A (ja) 露光装置
JPH09283416A (ja) 投影露光装置
US4361398A (en) Reprographic camera
KR0163091B1 (ko) 노광장치
JP3219925B2 (ja) 周辺露光装置及び周辺露光方法
JPH065660B2 (ja) 露光装置
JP2023133341A (ja) 基板撮像装置及び基板撮像方法
JPH11176743A (ja) 露光装置及び露光方法
JPH0520890B2 (ja)