JPS6296390A - 気相エピタキシヤル成長法 - Google Patents
気相エピタキシヤル成長法Info
- Publication number
- JPS6296390A JPS6296390A JP23575385A JP23575385A JPS6296390A JP S6296390 A JPS6296390 A JP S6296390A JP 23575385 A JP23575385 A JP 23575385A JP 23575385 A JP23575385 A JP 23575385A JP S6296390 A JPS6296390 A JP S6296390A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- epitaxial growth
- silicon oxide
- opening
- membrane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はシリコンの選択的な気相エピタキシャル成長
法に関するものである。
法に関するものである。
従来、選択エピタキシャル成長法は、特開昭５６−１０
５８８３号公報に見られるように、シリコン基板上に形
成された酸化シリコン膜に開口部を設け、５ＩＨ２Ｃ６
２などの原料ガスに選択性を増す目的で１■Ｃ１を加え
て行っている。まだ隣り合う開口部の距離が小さいとき
には、／４’ターンを保護する目的で側壁部を窒化シリ
コン膜でコートすることが行われている。
５８８３号公報に見られるように、シリコン基板上に形
成された酸化シリコン膜に開口部を設け、５ＩＨ２Ｃ６
２などの原料ガスに選択性を増す目的で１■Ｃ１を加え
て行っている。まだ隣り合う開口部の距離が小さいとき
には、／４’ターンを保護する目的で側壁部を窒化シリ
コン膜でコートすることが行われている。
しかしながら、選択エピタキシャル成長膜の側壁部には
積層欠陥を初めとする格子欠陥が発生する。成長条件を
適当に選ぶことによって、あるいはパターンの方向を選
ぶことによって格子欠陥をかなり減らすことができるが
、完全になくすことはできず、また欠陥密度の再現性に
も乏しい（望ましい条件を選んでも常に格子欠陥が少な
いわけではない）。
積層欠陥を初めとする格子欠陥が発生する。成長条件を
適当に選ぶことによって、あるいはパターンの方向を選
ぶことによって格子欠陥をかなり減らすことができるが
、完全になくすことはできず、また欠陥密度の再現性に
も乏しい（望ましい条件を選んでも常に格子欠陥が少な
いわけではない）。
本発明の目的は、格子欠陥の無い気相エピタキシャル成
長法を提供することにある。
長法を提供することにある。
この発明は、窒化シリコン膜のコートに加えて側壁部を
コートする酸化シリコン膜に不純物をドーグしておくこ
とを特徴とする。この不純物はエピタキシャル成長時に
酸化シリコン膜からエピタキシャル膜にドープされるが
、その量は側壁部の近く程多くなるため、側壁部付近の
結晶成長に強い影響を与える。
コートする酸化シリコン膜に不純物をドーグしておくこ
とを特徴とする。この不純物はエピタキシャル成長時に
酸化シリコン膜からエピタキシャル膜にドープされるが
、その量は側壁部の近く程多くなるため、側壁部付近の
結晶成長に強い影響を与える。
不純物の選択にあたっては、最終的に形成されるデバイ
スの種類やキャリアの型などを考慮する必要があシ、た
とえばＮチャンネルＭＯ８を作る場合にはぎロンを、Ｐ
チャンネルＭＯ８を作る場合にはリンやヒ素などを選ぶ
ことが望ましい。
スの種類やキャリアの型などを考慮する必要があシ、た
とえばＮチャンネルＭＯ８を作る場合にはぎロンを、Ｐ
チャンネルＭＯ８を作る場合にはリンやヒ素などを選ぶ
ことが望ましい。
選択エピタキシャル成長では、シリコン上にシリコンを
成長させるホモエピタキシャル成長と、そのエピタキシ
ャル成長膜が非晶質の絶縁物に接するＳＯＩの成長とが
同時に起こっている。ホモエピタキシャル成長は基板表
面の汚染などがなければ特に問題はないが、成長膜の側
壁部におけるＳＯＩの成長は側壁表面の形状がシリコン
の原子配列を阻害する（原子レベルで見て、配列するた
めに望ましいような形状になっていない）という点で欠
陥発生の原因となる可能性がある。結晶成長時に側壁部
にシリコン原子と大きさの異なる原子が存在していれば
、局所的な原子位置のゆらぎが大きな影響をおよぼすこ
となく大きさの異なる原子によって緩和されることが期
待される。側壁部にまずコートされる窒化シリコン膜は
、ドープした不純物がフィールド酸化膜中に拡散したり
するのを防ぐためであり、また成長用の基板表面に存在
している不純物のトータル量をできるだけ少なくしてお
くという効果がある。
成長させるホモエピタキシャル成長と、そのエピタキシ
ャル成長膜が非晶質の絶縁物に接するＳＯＩの成長とが
同時に起こっている。ホモエピタキシャル成長は基板表
面の汚染などがなければ特に問題はないが、成長膜の側
壁部におけるＳＯＩの成長は側壁表面の形状がシリコン
の原子配列を阻害する（原子レベルで見て、配列するた
めに望ましいような形状になっていない）という点で欠
陥発生の原因となる可能性がある。結晶成長時に側壁部
にシリコン原子と大きさの異なる原子が存在していれば
、局所的な原子位置のゆらぎが大きな影響をおよぼすこ
となく大きさの異なる原子によって緩和されることが期
待される。側壁部にまずコートされる窒化シリコン膜は
、ドープした不純物がフィールド酸化膜中に拡散したり
するのを防ぐためであり、また成長用の基板表面に存在
している不純物のトータル量をできるだけ少なくしてお
くという効果がある。
以下Ｋ、図示した実施例により、本発明を具体的に説明
する。
する。
第１図は本発明方法によって得られた構造を示している
。まず、シリコン基板１の上に形成されたフィールド酸
化シリコン膜２に開口部３を設け、該膜２の側壁部にの
み窒化シリコン膜４とボロンをドープした酸化シリコン
膜（ＢＳＧ膜）５でコートする。側壁部のコーティング
は、たとえば全面に堆積したあと異方性エツチングで基
板面に並行な膜だけ除去するような方法で簡単に行うこ
とができる。その後選択エピタキシャル成長を行うこと
によって、開口部３にＰ型のエピタキシャル成長層６が
得られた。選択エピタキシャル成長は、５ｉＨ２Ｃ２２
にＨＣｔ’ｉ加えて行った。酸化シリコン膜中のボロン
の濃度が５ Ｘ １０”／ｃｍ’以上の場合に欠陥の発
生が抑制された。窒化シリコン膜４がない場合にはこの
ような効果は観察されなかったが、それはフィールド酸
化膜中にボロンが拡散してしまうことが原因と考えられ
る。従って、一旦窒化シリコン膜４でコートすることは
非常に有効であることが分かった。ゾロンの濃度がある
程度以上高い場合には、欠陥が発生しないことの再現性
の点でも従来法を遥かに凌いでいた。
。まず、シリコン基板１の上に形成されたフィールド酸
化シリコン膜２に開口部３を設け、該膜２の側壁部にの
み窒化シリコン膜４とボロンをドープした酸化シリコン
膜（ＢＳＧ膜）５でコートする。側壁部のコーティング
は、たとえば全面に堆積したあと異方性エツチングで基
板面に並行な膜だけ除去するような方法で簡単に行うこ
とができる。その後選択エピタキシャル成長を行うこと
によって、開口部３にＰ型のエピタキシャル成長層６が
得られた。選択エピタキシャル成長は、５ｉＨ２Ｃ２２
にＨＣｔ’ｉ加えて行った。酸化シリコン膜中のボロン
の濃度が５ Ｘ １０”／ｃｍ’以上の場合に欠陥の発
生が抑制された。窒化シリコン膜４がない場合にはこの
ような効果は観察されなかったが、それはフィールド酸
化膜中にボロンが拡散してしまうことが原因と考えられ
る。従って、一旦窒化シリコン膜４でコートすることは
非常に有効であることが分かった。ゾロンの濃度がある
程度以上高い場合には、欠陥が発生しないことの再現性
の点でも従来法を遥かに凌いでいた。
以上述べたように、本発明によれば、選択エピタキシャ
ル成長における側壁部の格子欠陥を抑制するために有効
であることが分かる。また、再現性も良いため、生産性
の点で大きく改善できる効果を有する０
ル成長における側壁部の格子欠陥を抑制するために有効
であることが分かる。また、再現性も良いため、生産性
の点で大きく改善できる効果を有する０
第１図は本発明の実施例による構造を示す断面囚である
。 図において、１はシリコン基板、２はフィールド酸化シ
リコン膜、３は酸化シリコンの開口部、４は窒化シリコ
ン膜、５はゾロンをドープした酸化シリコン膜、６は選
択エピタキシャル膜ヲソれぞれ示す。
。 図において、１はシリコン基板、２はフィールド酸化シ
リコン膜、３は酸化シリコンの開口部、４は窒化シリコ
ン膜、５はゾロンをドープした酸化シリコン膜、６は選
択エピタキシャル膜ヲソれぞれ示す。
Claims (1)
- （１）シリコンの選択エピタキシャル成長において、側
壁部を一旦窒化シリコン膜でコートし、更に不純物をド
ープした酸化シリコン膜にてコートした後選択エピタキ
シャル成長を行うことを特徴とする気相エピタキシャル
成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23575385A JPS6296390A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 気相エピタキシヤル成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23575385A JPS6296390A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 気相エピタキシヤル成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6296390A true JPS6296390A (ja) | 1987-05-02 |
Family
ID=16990719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23575385A Pending JPS6296390A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 気相エピタキシヤル成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6296390A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04502309A (ja) * | 1988-12-12 | 1992-04-23 | ビーエーエスエフ アクチエンゲゼルシャフト | 新規ｔｎｆ―ペプチド |
-
1985
- 1985-10-21 JP JP23575385A patent/JPS6296390A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04502309A (ja) * | 1988-12-12 | 1992-04-23 | ビーエーエスエフ アクチエンゲゼルシャフト | 新規ｔｎｆ―ペプチド |
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