JPS629232A - 測光回路 - Google Patents

測光回路

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JPS629232A
JPS629232A JP14970585A JP14970585A JPS629232A JP S629232 A JPS629232 A JP S629232A JP 14970585 A JP14970585 A JP 14970585A JP 14970585 A JP14970585 A JP 14970585A JP S629232 A JPS629232 A JP S629232A
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JP
Japan
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constant current
reference voltage
circuit
photoelectric conversion
temperature dependency
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Pending
Application number
JP14970585A
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English (en)
Inventor
Hitoshi Nomura
仁 野村
Juichi Yoneyama
米山 寿一
Hiroaki Tanaka
宏明 田中
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Nikon Corp
Original Assignee
Nippon Kogaku KK
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  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) 本発明は、2つの対数圧縮した光電変換出力の差を増幅
して両者の比を求める回路、例えばビデオカメラのホワ
イトバランス回路として使用される測光回路に関する。
(発明の背景) 従来、ビデオカメラ等のホワイトバランス回路に使用さ
れる測光回路としては、例えば第4図のものが知ら糺て
いる。
第4図において、11.12は入力光、1.3a、13
bは入力光11.12の各々を光電流11. I2に変
換する光電変換素子、D、、D2は光電流I、、I2を
対数圧縮して電圧に変換するダイオード接続されたNP
N)ランジスタ、14a、14bは演算増幅器であり、
これらの回路により光電流I、、I2を対数圧縮して電
圧に変換した光電変換出力V。In”02を得る。
14 cは差動増幅器とし作動する演算増幅器であり、
光電変換出力V。l#  ”02の差を増幅して両者の
比を表わす出力V。utを得る。ここで、演算増幅器1
4 aの(+)入力には基準電圧源からの正の温度依存
性をもつ基準電圧vsを印加され、(−)入力端子への
帰還回路にはサーミスタ15を設け、温度補償を行なっ
ている。Rt hはサーミスタ15の抵抗弁で、負の温
共依存性を有する。
その回路機能を詳細に説明すると、まずグイオ−ド接続
したNPN トランジスタD、 、 D2により対数圧
縮して電圧信号として得られる光電変換出力V。I#”
02は次式で与えられる。
但し、K;ボルツマン定数 T;絶対温度(K) Isl 、  Is2 ;逆方向飽和電流また出力V。
utは。
α= (Re十几5)/R5(4) 但し、R,; R3,R4,Rthの合成抵抗Rc=R
s+R,・Rth/ (R4+ Rth) (5)と表
わされる。従って、Isl#Is2とすると前記(1)
 〜(3)式よりVoutは、 となり、Voutは2つの光電流11とI2の比を表わ
す量となる。
またサーミスタ15の抵抗分Rthは温度の逆数に比例
する温度依存性を示し、基準電圧Vsは温度に比例する
ような基準電圧源から得られているため、R1−R3の
抵抗値を適当に定めることにより、出力Voutの温度
依存性をなくすことができる。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、このような従来の測光回路にあっては、
一般にサーミスタの特性に大きなバラツキがあることか
ら補償できる温度範囲もあまり広くなく、また抵抗値の
相対的なバラツキも大きいために温度依存性のない安定
した出力を第4図の回路で得ることはむずかしい。
この欠点を解決するために、回路を集積化して各累子間
の相対的なバラツキを低減する方法も考えられるが、第
4図に示した回路の場合、比較的大きな抵抗値(数十〜
数百にΩ)が必要なため、このような抵抗値を集積回路
内で相対的なバラツキを押えながら実現するのは困難で
あった。更に、温度補償素子としてのサーミスタは外部
接続せざるを得ないため、結局集積化には遣さないもの
となっていた。
(発明の目的) 本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたも
ので、比較的広い温度範囲に渡って温度依存性のない良
好で安定な出力が得られ、且つ容易に集積化することの
できる測光回路を提供することを目的とする。
(発明概要) この目的を達成するため本発明にあっては、対数圧縮し
た2つの光電変換出力の差から両者の比を求める測光回
路に於いて、各光電変換出力を差動接続した一対の増幅
素子に入力して各増幅素子の増幅出力の差として両者の
比を求めると共に、一対の増幅素子の合成電流を一定電
流に保つ定電流回路を設け、この定電流回路に一定電流
を流すために設定する基準電圧を、温度依存性をもたな
い基準電圧源から得るようにしたものである。
(実施例) 第1図は本発明の一実施例を示した回路図である。
まず構成を説明すると、3a、3bは光電変換素子であ
り、入力光1.2のそれぞれを光電流Ls工、に変換す
る。D、 、 D2は光電流I、、I2のそれぞれを対
数圧縮して、電圧に変換するダイオード接続されたNP
Nトランジスタであり、演算増幅器4a、4bの帰還回
路に設けられ、演算増幅器4a。
4bの出力として光電流11. I2を対数圧縮して、
電圧に変換した光電変換出力VS1 、  vs2を得
る。
なお、演算増幅器4a、4bの(+)入力端子には直流
電圧Vd1.Vazを与える電圧源がそれぞれ接続され
、この一方を可変とすることによりオフセットを調整す
ることができる。
演算増幅器4a、4bで得られた光電変換出力v51゜
Vs2は、差動接続されたNPN )ランジスタQla
Q2のベースに与えられる。NPN )ランジスタQ、
 、 Q、は、コレクタ負荷として同じ抵抗値を持つ抵
抗R1をそれぞれ接続し1.エミッタ側を共通接続して
いる。このエミッタ側の共通接続点とアースの間には、
NPN )ランジスタQ1とQ2の合成電流を一定に保
つための定電流回路が設けられる。
即ち、NPN トランジスタQ1とQ2のエミッタ共通
接続に続いて、定電流駆動用のNPN)ランジスタQ3
及び抵抗R2が直列接続され、NPNトランジスタQ3
は基準電圧vrの入力を受けた演算増幅器4Cにより定
電流駆動される。即ち、演算増幅器4Cにより抵抗R2
の両端の電圧が一定に保たれるため、トランジスタQ、
の動作電流は一定(定電流)となる。
この定電流回路に於ける演算増幅器4Cの(+)入力端
子には、基準電圧源5より規定の規定電流を設定するた
めの基準電圧Vrが与えられており、特に本発明にあっ
ては基準電圧源5は温度依存性のない基準電圧Vrを演
算増幅器4Cに与える。
この様に温度依存性を持たない基準電圧Vrを発生する
基準電圧源5としては、例えば第2図に示すようなシリ
コンのバンドギャップを利用した公知の定電圧回路が用
いられる。該公知の定電圧回路は、差動増幅器4dの入
力段に差動接続したNPN)ランジスタQ4とQ、に於
けるシリコンのバンドギャップを利用して温度依存性を
持たない基準電圧vrを発生しており、NPN)ランジ
スタQ41Q、を形成する時の面積比mを調整すること
で出力域圧(基準電圧)■「の温度依存性をなくすこと
ができる。
また温度依存性を持たない基準電圧源5としては、勿論
第2図の回路に限定されず、例えばツェナーダイオード
を用いて温度係数が零となる基準電圧を発生する公知の
回路を使用しても良い。
再び第1図を参照するに、差動接続されたNPNトラン
ジスタQ、 、 Q2のコレクタと抵抗R2の間より、
差動増幅された出力V。1m”02が取出されてオリ、
コノ出力v。、とVO2ノ差(Vat  Vo2)を求
めることで、光電流I、と12の比に応じた信号を得る
ことができる。このNPN)ランジスタQ、とQ2の出
力V。1とV。2の差を求める回路としては、図示の差
動増幅段に続いて通常の演算増幅器に設けられる公知の
回路がそのまま使用される。・次に第1図の実施例の作
用を説明する。
今ダイオードD1. D、で対数圧縮して電圧に変換し
た光電流11.I20光電変換出力をVat、Vszと
すると、 但し、k;ボルツマン定数 T:絶対温度じK) q;電子電荷 Isl、Is2;逆方向飽和電流 と表わすことができ、ここでNPN )ランジスタQ1
とQ2を差動接続している差動増幅段の電圧利得をAv
dとすれば、最終的な測光回路の出力Voutは Vout == VOI  VO2=Avd(VslV
S2)   (9)となる。ここで I sl #Is
2 、 Vdt 共V−d2  とすると、前記(7)
、 (8)式より光電変換出力の差(v51−V=2)
は、 となる。また差動増幅段の電圧利得Avdは次式%式% 但し、hre ; )ランジスタのエミッタ接地電流増
巾率 rb;)ランジスタのペース抵抗 re;トランジスタのエミッタ抵抗 この第(11)式におけるトランジスタのエミッタ抵抗
reは定電流駆動用のNPN)ランジスタQ、の動作電
流を2Ioとすると、次式で表わされる。
□。”  Vr/R2・(13) 更にrb<< (1+ hrc) reとすれば前記第
(11)〜(13)式より電圧駒得Avdは、 となる。従って、前記第(9)、(10)及び(14)
式より出力V。ujは となり、2つの光電流■1とI2の比を表わす量となる
ここで、第(15)式において基準電圧vrは温度依存
性のない基準電圧源5から得られた電圧であり、他の項
もすべて同種の回路素子におけるパラメータの比となっ
ているため、それぞれの温度依存性は打ち消されること
となり、全体として温度依存性のない出力Voutを得
ることができる。
更に、特性の良し悪しはすべて各素子間の整合性で決定
されるため、集積化することにより、より良好な特性を
得ることができる。特にこの実施例にあっては使用され
る抵抗の値が数キロオーム程度であり、集積回路内で容
易に実現が可能である。
第3図は本発明の他の実施例を示した回路図であり、こ
の実施例は差動段を構成するNPNトランジスタQ、 
、 Q2のそれぞれにダイオード接続されたトランジス
タD3.D4を直列接続して電圧利得を第1図に対し、
半分に設定する様にしたことを特徴とする。
即ち、NPN)ランジスタQ、 、 Q、及びダイオー
ド接続されたNPNトランジスタD3. D4を差動接
続して成る差動増幅段の電圧利得をAvdlとし、各ト
ランジスタの特性は同一であるとすると、Avdlは次
式で表わされる。
=   Avd              (16)
従って出力(vout)′は = −Vout           Q7)となり、
前記第(15)式で与えられる第1図の実施例と比較し
て他の特性は同じで電圧利得のみが半分となり、温度特
性を損なうことなく、Voutのダイナミックレンジを
改善することができる。
(発明の効果) 以上、説明して来た様に本発明によれば、対数圧縮した
2つの光電変換出力の差から両者の比を求める測光回路
、すなわち、各光電変換出力を差動接続した一対の増幅
素子に入力して各増幅素子の出力の差を出力として得る
ような回路において、前記一対の増幅素子の合成電流を
一定電流に保つ定電流回路を設け、この定電流回路によ
り発生する一定電流値を設定するための基準電圧を、温
度依存性を持たない基準電圧源から得る様にしたため、
比較的広い温度範囲にわたって温度依存性のない良好で
且つ安定した出力を得ることができ、また従来のサーミ
スタの様な集積化ができない回路素子を持たないため、
容易に集積化することができ、回路素子相互間でより高
い整合性が得られるため、この集積化をもって、更に良
好で且つ安定な出力を得ることができる。
更に、集積化により小型ビデオカメラや各種映像装置に
おけるホワイトバランス回路として本発明の測光回路を
使用することで、温度依存性のない良好で安定した特性
を持つコンパクトで且つ安価な回路とすることができる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示した回路図、鮮2図は第
1図の実施例で用いる温度依存性のない基準′電圧を発
生する基準電圧源の−?llを示した回路図、第3図は
本発明の他の実施例を示した回路図、第4図は従来例を
示した回路図である。 1.2二人力光    3a、 3b :光電変換菓子
4a、 4b、 4c、 4d :演算増幅器5:基準
電圧源 Q、、Q2 : NPN)ランジスタ(差動段の増幅素
子)Q、:NPN)ランジスタ(定電流駆動用)R1−
R6:抵抗

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 対数圧縮した2つの光電変換出力の差から両者の比を求
    める測光回路に於いて、 前記光電変換出力のそれぞれを入力する差動接続された
    一対の増幅素子と、該一対の増幅素子の合成電流を一定
    電流に保つ定電流回路と、該定電流回路に定電流設定用
    の、温度依存性をもたない基準電圧を印加する基準電圧
    源とを備え、前記差動増幅素子の出力の差から2つの光
    電変換出力の比を求めるようにしたことを特徴とする測
    光回路。
JP14970585A 1985-07-08 1985-07-08 測光回路 Pending JPS629232A (ja)

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JP14970585A JPS629232A (ja) 1985-07-08 1985-07-08 測光回路

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5684325A (en) * 1994-04-30 1997-11-04 Canon Kabushiki Kaisha Light-transmissive resin sealed semiconductor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5684325A (en) * 1994-04-30 1997-11-04 Canon Kabushiki Kaisha Light-transmissive resin sealed semiconductor

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