JPS6287555A - シス−２−アルキル−３−アルコキシカルボニルメチルシクロペンタノンの製法 - Google Patents
シス−２−アルキル−３−アルコキシカルボニルメチルシクロペンタノンの製法Info
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- JPS6287555A JPS6287555A JP60224916A JP22491685A JPS6287555A JP S6287555 A JPS6287555 A JP S6287555A JP 60224916 A JP60224916 A JP 60224916A JP 22491685 A JP22491685 A JP 22491685A JP S6287555 A JPS6287555 A JP S6287555A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）産業上の利用分野
本発明は、下記式（１）
但し式中、ＲはＣｌ−Ｃ８の直鎮もしくは分枝状のアル
キル基を示し、Ｒ１はメチル基もしくはエチル基を示す
、 で表わされるジャスミン様香気を有し香料物質として有
用なシス−２−アルキル−３−アルコキシカルボニルメ
チル−１−シクロペンタノンのＭｆｆｌな製法に間する
。
キル基を示し、Ｒ１はメチル基もしくはエチル基を示す
、 で表わされるジャスミン様香気を有し香料物質として有
用なシス−２−アルキル−３−アルコキシカルボニルメ
チル−１−シクロペンタノンのＭｆｆｌな製法に間する
。
（ロ）従来の技術
本発明の上記式（１）に包含される例えば、シス−２−
ペンチル−３−メトキシカルボニルメチル−１−シクロ
ペンタノン（以下、シスーメチルジヒドロジャスモネー
トと呼ぶ）の合成法に間して、例えば、特公昭５５−１
２８８３号に提案されている。この提案を反応工程図で
示すと以下の様に表わすことができる。
ペンチル−３−メトキシカルボニルメチル−１−シクロ
ペンタノン（以下、シスーメチルジヒドロジャスモネー
トと呼ぶ）の合成法に間して、例えば、特公昭５５−１
２８８３号に提案されている。この提案を反応工程図で
示すと以下の様に表わすことができる。
この提案によれば、あらかじめ調製した式（Ａ）の２−
ペンチルー３−メトキシカルボニルメチル−２−シクロ
ベンテノンをオートクレーブ中で、アルミニウム誘導体
例えば、アルミニウムメチラート及びＰｄ−Ｃの存在下
に、例えば、３〜１０ｋｇ／ｃｍ２の圧力下で、温度３
０〜８０°Ｃで水素化して、上記式（Ｂ）のシスーメチ
ルジヒドロジャスモネートを９０％程度の純度てイＨら
れること、及びこのシス一体に比へて香１↓的価（１α
の劣る上記式（Ｃ）で表わされろトランスーメチルジヒ
ドロジャスモネートが同時に副生ずることが開示されて
いる。
ペンチルー３−メトキシカルボニルメチル−２−シクロ
ベンテノンをオートクレーブ中で、アルミニウム誘導体
例えば、アルミニウムメチラート及びＰｄ−Ｃの存在下
に、例えば、３〜１０ｋｇ／ｃｍ２の圧力下で、温度３
０〜８０°Ｃで水素化して、上記式（Ｂ）のシスーメチ
ルジヒドロジャスモネートを９０％程度の純度てイＨら
れること、及びこのシス一体に比へて香１↓的価（１α
の劣る上記式（Ｃ）で表わされろトランスーメチルジヒ
ドロジャスモネートが同時に副生ずることが開示されて
いる。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
上記式（１）化合物のシス一体は、極めて不安定で、例
えば熱、アルカリなどによって、容易にトランス一体に
異性化してしまうために、反応過程においてできるだけ
熱履歴のかからない反応方法及び中性条件に近い反応条
件を採用するのがより好ましい。上記従来提案のごとき
加温加圧条件下ならびに上記式（２）化合物に対して、
等モル以上のアルカリの存在下の水素還元反応は、上記
式（１）化合物の安定性から見て好ましい方法とはいえ
ない、又、上記水素還元を行う場合、工業的見地からす
れば、常温１．常圧で反応を行うことができれば操作及
び装置上より有利であり、また経済的にも有利である。
えば熱、アルカリなどによって、容易にトランス一体に
異性化してしまうために、反応過程においてできるだけ
熱履歴のかからない反応方法及び中性条件に近い反応条
件を採用するのがより好ましい。上記従来提案のごとき
加温加圧条件下ならびに上記式（２）化合物に対して、
等モル以上のアルカリの存在下の水素還元反応は、上記
式（１）化合物の安定性から見て好ましい方法とはいえ
ない、又、上記水素還元を行う場合、工業的見地からす
れば、常温１．常圧で反応を行うことができれば操作及
び装置上より有利であり、また経済的にも有利である。
（ニ）問題点を解決するための手段
本発明者らは、上述の従来提案のごとき上記式（２）化
合物の接触還元反応において、加温加圧条件下及びアル
カリの存在下の反応を回避でき、工業的に式（１）シス
一体を有利に製造できる方法について鋭意研究を行って
きた。その結果、下記式（２） 但し式中、ＲはＣｌ−Ｃ８の直鎖もしくは分校状のアル
キル基を示し、Ｒ１はメチル基もしくはエチル基を示す
、 で表わされる２−アルキル−３−アルコキシカルボニル
メチル−２−シクロベンテノンをリン酸及び／又は酢酸
のナトリウム塩、カリウム塩及びアンモニウム塩からな
る群より選ばれた少なくとも１種の共存下、ロジウム−
カーボン触媒の存在下に接触還元して、下記式（１） 但し式中、ＲはＣｌ−Ｃ８の１貞鎖もしくは分枝状のア
ルキル基を示し、Ｒ１はメチル基もしくはエチル基を示
す、 て表わされるシス−２−アルキル−３−アルコキシカル
ボニルメチルシクロペンタノンを、常温常圧下で高純度
で安価且つ容易に工業的に有利に合成できることを発見
した。
合物の接触還元反応において、加温加圧条件下及びアル
カリの存在下の反応を回避でき、工業的に式（１）シス
一体を有利に製造できる方法について鋭意研究を行って
きた。その結果、下記式（２） 但し式中、ＲはＣｌ−Ｃ８の直鎖もしくは分校状のアル
キル基を示し、Ｒ１はメチル基もしくはエチル基を示す
、 で表わされる２−アルキル−３−アルコキシカルボニル
メチル−２−シクロベンテノンをリン酸及び／又は酢酸
のナトリウム塩、カリウム塩及びアンモニウム塩からな
る群より選ばれた少なくとも１種の共存下、ロジウム−
カーボン触媒の存在下に接触還元して、下記式（１） 但し式中、ＲはＣｌ−Ｃ８の１貞鎖もしくは分枝状のア
ルキル基を示し、Ｒ１はメチル基もしくはエチル基を示
す、 て表わされるシス−２−アルキル−３−アルコキシカル
ボニルメチルシクロペンタノンを、常温常圧下で高純度
で安価且つ容易に工業的に有利に合成できることを発見
した。
又、本発明に使用するロジウム−カーボン触媒以外の触
媒、例えばパラジウム−カーボン、ルテニウム−カーボ
ーン、ラネーニッケルなどの触媒を使用した場合、常温
、常圧（例えば、約１０〜２０″Ｃ１１気圧）では、反
応はほとんど進行しないか、或いは反応が進行しても異
性化を多く伴い生成物の大半がトランス一体であるが、
本発明に従って上記還元触媒と触媒量［式（２）に対し
て例えば、約５〜３０％］のリン酸及び／叉は酢酸のナ
トリウム塩、カリウム塩及びアンモニウム塩からなる群
より選ばれた少なくとも１種を併用することにより、始
めて本発明の目的を達成できることを発見した。又、ロ
ジウム−カーボン以外の上記触媒と上記りん酸もしくは
酢酸塩と併用しても上記目的を達成することができない
ことも分った。
媒、例えばパラジウム−カーボン、ルテニウム−カーボ
ーン、ラネーニッケルなどの触媒を使用した場合、常温
、常圧（例えば、約１０〜２０″Ｃ１１気圧）では、反
応はほとんど進行しないか、或いは反応が進行しても異
性化を多く伴い生成物の大半がトランス一体であるが、
本発明に従って上記還元触媒と触媒量［式（２）に対し
て例えば、約５〜３０％］のリン酸及び／叉は酢酸のナ
トリウム塩、カリウム塩及びアンモニウム塩からなる群
より選ばれた少なくとも１種を併用することにより、始
めて本発明の目的を達成できることを発見した。又、ロ
ジウム−カーボン以外の上記触媒と上記りん酸もしくは
酢酸塩と併用しても上記目的を達成することができない
ことも分った。
従って、本発明の目的は、上記従来法にくらべて安価且
つ工業的に有利に上記式（１）化合物を高純度で製造で
きる方法を提供するにある。
つ工業的に有利に上記式（１）化合物を高純度で製造で
きる方法を提供するにある。
本発明の上記態様を反応工程図で示すと以下のように表
わすことができる。
わすことができる。
本発明に使用する原料の上記式（２）に包含される例え
ば、２−ペンチルー３−メトキシカルボニルメチル−２
−シクロペンテン−１−オンは、市場で容易に人手でき
る化合物であり、又、例えば、バヒューム・アンド・エ
ツセンシャルオイル・レコード、Ｐ２Ｓ５，１９６９
（Ｐｅｒｆｕｒｎａｎｄ ｏｉｌ Ｒｅｃｏｒｄ）
の方法によっても合成することができる。又、他の上記
式（２）に包含される化合物類は、上記文献記載の方法
に準じて行うことにより合成することかできる。
ば、２−ペンチルー３−メトキシカルボニルメチル−２
−シクロペンテン−１−オンは、市場で容易に人手でき
る化合物であり、又、例えば、バヒューム・アンド・エ
ツセンシャルオイル・レコード、Ｐ２Ｓ５，１９６９
（Ｐｅｒｆｕｒｎａｎｄ ｏｉｌ Ｒｅｃｏｒｄ）
の方法によっても合成することができる。又、他の上記
式（２）に包含される化合物類は、上記文献記載の方法
に準じて行うことにより合成することかできる。
上記式（２）化合物に包含される化合物の具体例として
は、例えば、２−メチル−３−メトキシカルボニルメチ
ル−２−シクロペンテン−１−オン、２−メチル−３−
エトキシカルボニルメチル−２−シクロペンテン−１−
オン、２−エチル−３−メトキシカルボニルメチル−２
−シクロペンテン−１−オン、２−エチル−３−エトキ
シカルボニルメチル−２−シクロペンテン−１−オン、
２−フ′ロビルー３−メトキシカルボニルメチル−２−
シクロペンテン−１−オン、２−プロピル−３−エトキ
シカルボニルメチル−シクロベンテン−１−オン、２−
ブチル−３−メトキシカルボニルメチル−２−シクロペ
ンテン−１−オン、２−ブチル−３−エトキシカルボニ
ルメチル−２−シクロペンテン−１−オン、２−ペンチ
ルー３−メトキシカルボニルメチル−２−シクロペンテ
ン−１−オン、２−ペンチル−３−エトキシカルボニル
メチル−２−シクロペンテン−１−オン、２−へキシル
−３−メトキシカルボニルメチル−２−シクロペンテン
−１−オン、２−へキシル−３−エトキシカルボニルメ
チル−２−シクロペンテン−１−オン、２−へブチル−
３−メトキシカルボニルメチル−２−シクロペンテン−
１−オン、２−へブチル−３−エトキシカルボニルメチ
ル−２−シクロペンテン−１−オン、２−オクチル−３
−メトキシカルボニルメチル−２−シクロペンテン−１
−オン、２−オクチル−３−エトキシカルボニルメチル
−２−シクロペンテン−１−オンなどを例示することが
できる。
は、例えば、２−メチル−３−メトキシカルボニルメチ
ル−２−シクロペンテン−１−オン、２−メチル−３−
エトキシカルボニルメチル−２−シクロペンテン−１−
オン、２−エチル−３−メトキシカルボニルメチル−２
−シクロペンテン−１−オン、２−エチル−３−エトキ
シカルボニルメチル−２−シクロペンテン−１−オン、
２−フ′ロビルー３−メトキシカルボニルメチル−２−
シクロペンテン−１−オン、２−プロピル−３−エトキ
シカルボニルメチル−シクロベンテン−１−オン、２−
ブチル−３−メトキシカルボニルメチル−２−シクロペ
ンテン−１−オン、２−ブチル−３−エトキシカルボニ
ルメチル−２−シクロペンテン−１−オン、２−ペンチ
ルー３−メトキシカルボニルメチル−２−シクロペンテ
ン−１−オン、２−ペンチル−３−エトキシカルボニル
メチル−２−シクロペンテン−１−オン、２−へキシル
−３−メトキシカルボニルメチル−２−シクロペンテン
−１−オン、２−へキシル−３−エトキシカルボニルメ
チル−２−シクロペンテン−１−オン、２−へブチル−
３−メトキシカルボニルメチル−２−シクロペンテン−
１−オン、２−へブチル−３−エトキシカルボニルメチ
ル−２−シクロペンテン−１−オン、２−オクチル−３
−メトキシカルボニルメチル−２−シクロペンテン−１
−オン、２−オクチル−３−エトキシカルボニルメチル
−２−シクロペンテン−１−オンなどを例示することが
できる。
本発明の接触還元反応は、例えば、約１０°〜約２０°
Ｃ程度の範囲の常温で、例えば、約１気圧程度の常圧で
容易に行うことができる。反応時間；よ適当に選択でき
、例えば、約０．５〜約４時間程度の範囲を例示するこ
とができる。上記反応は、好ましくは、有機溶媒の存在
下に行うのが良い。
Ｃ程度の範囲の常温で、例えば、約１気圧程度の常圧で
容易に行うことができる。反応時間；よ適当に選択でき
、例えば、約０．５〜約４時間程度の範囲を例示するこ
とができる。上記反応は、好ましくは、有機溶媒の存在
下に行うのが良い。
上記反応に使用するロジウム−カーボン触媒は市場で容
易に人手可能であり、該触媒の使用量には特別の制限は
なく適宜選択して行うことができるが、例えば、上記式
（２）化合物に対して、約２〜約２０丑膚％程度の範囲
、より好ましくは約５〜約１０［ｉ％程度の範囲を例示
することができる。
易に人手可能であり、該触媒の使用量には特別の制限は
なく適宜選択して行うことができるが、例えば、上記式
（２）化合物に対して、約２〜約２０丑膚％程度の範囲
、より好ましくは約５〜約１０［ｉ％程度の範囲を例示
することができる。
又、上記反応で添加剤として使用するリン酸又は酢酸の
ナトリウム、カリウム及びアンモニウム塩の具体例とし
ては、例えば、リン酸第１ナトリウム、リン酸第２ナト
リウム、リン酸第１カリウム、リン酸第２カリウム、酢
酸ナトリウム、酢酸カリウム、リン酸第１アンモニウム
、リン酸第２アンモニウム及び酢酸アンモニウムなどを
好ましくあげろことができる。これら添加剤は市場で容
易に人手できる化合物である。上記添加剤は１種もしく
は２種以上併用して用いることかできる。
ナトリウム、カリウム及びアンモニウム塩の具体例とし
ては、例えば、リン酸第１ナトリウム、リン酸第２ナト
リウム、リン酸第１カリウム、リン酸第２カリウム、酢
酸ナトリウム、酢酸カリウム、リン酸第１アンモニウム
、リン酸第２アンモニウム及び酢酸アンモニウムなどを
好ましくあげろことができる。これら添加剤は市場で容
易に人手できる化合物である。上記添加剤は１種もしく
は２種以上併用して用いることかできる。
添加剤の使用量は、適宜選択することができるが例えば
、上記式（２）化合物に対して、約５〜約３０％モル程
度の範囲、好ましくは約１０〜約２０％モル程度の範囲
を例示することができる。
、上記式（２）化合物に対して、約５〜約３０％モル程
度の範囲、好ましくは約１０〜約２０％モル程度の範囲
を例示することができる。
又、上記反応に用いる有機溶媒としては、例えばエタノ
ール、メタノール、ジエチルエーテル、テトラヒドロフ
ラン、ベンゼン、トルエン、ヘキサンなどを好ましく例
示することができろ。有機溶媒の使用量には、特別の制
限はなく適宜選択して行うことができるが、好ましい例
をあげれば例えば、式（２）化合物に対して、約２〜約
５０ｉ量倍程度の範囲を例示することができる。
ール、メタノール、ジエチルエーテル、テトラヒドロフ
ラン、ベンゼン、トルエン、ヘキサンなどを好ましく例
示することができろ。有機溶媒の使用量には、特別の制
限はなく適宜選択して行うことができるが、好ましい例
をあげれば例えば、式（２）化合物に対して、約２〜約
５０ｉ量倍程度の範囲を例示することができる。
例えば、上述のようにして合成することのできる反応生
成物は、常法に従って触媒を除去し、必要により例えば
エーテルのごとき有８１溶媒を；、へ加し、水洗浄を行
い、有機溶媒を留去して、粗製の上記（１）化合物を得
ることができる。この粗製のシス一体の含有量は、例え
ば、ガスクロマドによる定量分析によれば、９０％以上
の高純度であった。更に例えば、カラムクロマト、蒸留
のごとき手段により精製して、シス一体の純度が１００
％の上記式（１）化合物を得ることができる。
成物は、常法に従って触媒を除去し、必要により例えば
エーテルのごとき有８１溶媒を；、へ加し、水洗浄を行
い、有機溶媒を留去して、粗製の上記（１）化合物を得
ることができる。この粗製のシス一体の含有量は、例え
ば、ガスクロマドによる定量分析によれば、９０％以上
の高純度であった。更に例えば、カラムクロマト、蒸留
のごとき手段により精製して、シス一体の純度が１００
％の上記式（１）化合物を得ることができる。
例えば、上述のようにして合成することのできる上記式
（１）化合物に包含される化合物の具体例としては、例
えば、シス−２−メチル−３−メトキシカルボニルメチ
ル−１−シクロペンタノン、シス−２−メチル−３−エ
トキシカ５ルホニルメチルー１−シクロペンタノン、シ
ス−２−エチル−３−メトキシカルボニルメチル−１−
シクロペンタノン、シス−２−エチル−３−エトキシカ
ルボニルメチル−１−シクロペンタノン、シス−２−プ
ロピル−３−メトキシカルボニルメチル−１−シクロペ
ンタノン、シス−２−プロピルー：３−エトキシカルボ
ニルメチル−１−シクロペンタノン、シス−２−ブチル
−３−メトキシカルボニルメチル−１−シクロペンタノ
ン、シス−２−ブチル−３−エトキシカルボニルメチル
−１−シクロペンタノン、シス−２−ベンチルー３−ヌ
トギシ力ルポニルメチルー１−シクロペンタノン、シス
−２−ベンチルー３−エトキシカルボニルメチル−１−
シクロペンタノン、シス−２−へキシル−３−メトキシ
カルボニルメチル−１−シクロペンタノン、シス−２−
へキシル−３−エトキシカルボニルメチル−１−シクロ
ペンタノン、シス−２−へブチル−３−メトキシカルボ
ニルメチル−１−シクロペンタノン、シス−２−へブチ
ル−３−エトキシカルボニルメチル−１−シクロペンタ
ノン、シス−２−オクチル−３−メトキシカルボニルメ
チル−１−シクロペンタノン、シス−２−オクチル−３
−エトキシカルボニルメチル−１−シクロペンタノンな
どを例示することができる。
（１）化合物に包含される化合物の具体例としては、例
えば、シス−２−メチル−３−メトキシカルボニルメチ
ル−１−シクロペンタノン、シス−２−メチル−３−エ
トキシカ５ルホニルメチルー１−シクロペンタノン、シ
ス−２−エチル−３−メトキシカルボニルメチル−１−
シクロペンタノン、シス−２−エチル−３−エトキシカ
ルボニルメチル−１−シクロペンタノン、シス−２−プ
ロピル−３−メトキシカルボニルメチル−１−シクロペ
ンタノン、シス−２−プロピルー：３−エトキシカルボ
ニルメチル−１−シクロペンタノン、シス−２−ブチル
−３−メトキシカルボニルメチル−１−シクロペンタノ
ン、シス−２−ブチル−３−エトキシカルボニルメチル
−１−シクロペンタノン、シス−２−ベンチルー３−ヌ
トギシ力ルポニルメチルー１−シクロペンタノン、シス
−２−ベンチルー３−エトキシカルボニルメチル−１−
シクロペンタノン、シス−２−へキシル−３−メトキシ
カルボニルメチル−１−シクロペンタノン、シス−２−
へキシル−３−エトキシカルボニルメチル−１−シクロ
ペンタノン、シス−２−へブチル−３−メトキシカルボ
ニルメチル−１−シクロペンタノン、シス−２−へブチ
ル−３−エトキシカルボニルメチル−１−シクロペンタ
ノン、シス−２−オクチル−３−メトキシカルボニルメ
チル−１−シクロペンタノン、シス−２−オクチル−３
−エトキシカルボニルメチル−１−シクロペンタノンな
どを例示することができる。
以下、本発明の実施態様を実施例をあげて更に詳しく述
べる。
べる。
（ｅ）実施例
（１）シス−２−ベンチルー３−メトキシカルボニルメ
チル−１−シクロペンタノンの合成。
チル−１−シクロペンタノンの合成。
反応容器に２−ベンチルー３−メトキシカルボニルメチ
ル−２−シクロペンテン−１−オン２０ｇ１メタノール
２００ｍ１．ロジウム−カーボン１ｇ、リン酸第１ナト
リウム０．７ｇ及びリン酸第２カリウム０．７ｇを仕込
み、大気圧下の水素圧で室温（１５’〜１８°Ｃ）で１
時間撹拌反応する。反応終了後、触媒を除去し、エーテ
ルを加え水洗浄を行う。溶媒を留去し反応粗製物１９ｇ
を得る。このもののカスクロマトグラフィーによる分析
（ＯＶ−１０１，０，２５ｍｍ＋ｘ５０ｍ、カラム温度
；１６０°Ｃ）の結果、シス一体；９４％、トランス一
体；６％であった。これを１威圧下に蒸留することによ
りＭＦ！Ａｔ、、、シス一体；９７％の純度で目的化合
物を得た。（沸点；１２７”Ｃ／２ｍｍＨｇ）。又、上
記Ｔ［製物を高速イイタ体クロマトグラフィーを用いτ
分取することによりトランス一体を含有しないシス一体
のみを純粋：こ得ることができた。
ル−２−シクロペンテン−１−オン２０ｇ１メタノール
２００ｍ１．ロジウム−カーボン１ｇ、リン酸第１ナト
リウム０．７ｇ及びリン酸第２カリウム０．７ｇを仕込
み、大気圧下の水素圧で室温（１５’〜１８°Ｃ）で１
時間撹拌反応する。反応終了後、触媒を除去し、エーテ
ルを加え水洗浄を行う。溶媒を留去し反応粗製物１９ｇ
を得る。このもののカスクロマトグラフィーによる分析
（ＯＶ−１０１，０，２５ｍｍ＋ｘ５０ｍ、カラム温度
；１６０°Ｃ）の結果、シス一体；９４％、トランス一
体；６％であった。これを１威圧下に蒸留することによ
りＭＦ！Ａｔ、、、シス一体；９７％の純度で目的化合
物を得た。（沸点；１２７”Ｃ／２ｍｍＨｇ）。又、上
記Ｔ［製物を高速イイタ体クロマトグラフィーを用いτ
分取することによりトランス一体を含有しないシス一体
のみを純粋：こ得ることができた。
く２）シス−２−メチル−３−メトキシカルボニル−１
−シクロペンタノンの合成。
−シクロペンタノンの合成。
反応容器に２−メチル−３−メトキシカルボニルメチル
−２−シクロペンテン−１−オン２ｇ、メタノール２０
ｍ ｌ 、ロジウム−カーボン０．２ｇ、酢酸カリウ
ム０．１ｇを仕込み、大気圧の水素下で０．７５時間撹
拌する。反応終了後は、実施例１と同様の処理を行って
、粗製物２．１ｇを得た。このものは上記の分析条件で
分析した結果シス一体の比率は９２％であった。これを
減圧下に蒸留して、目的物をシス一体の純度９６％で得
た。沸点；】０２°〜１０３°Ｃ／２ｍｍＨｇ、収率；
９２％。
−２−シクロペンテン−１−オン２ｇ、メタノール２０
ｍ ｌ 、ロジウム−カーボン０．２ｇ、酢酸カリウ
ム０．１ｇを仕込み、大気圧の水素下で０．７５時間撹
拌する。反応終了後は、実施例１と同様の処理を行って
、粗製物２．１ｇを得た。このものは上記の分析条件で
分析した結果シス一体の比率は９２％であった。これを
減圧下に蒸留して、目的物をシス一体の純度９６％で得
た。沸点；】０２°〜１０３°Ｃ／２ｍｍＨｇ、収率；
９２％。
（３）シス−２−フ゛ロビルー３−メトキシカルボニル
メチル−１−シクロペンタノンの合成。
メチル−１−シクロペンタノンの合成。
反応容器に２−プロピル−３−メトキシカルボニルメチ
ル−２−シクロペンテン−１−オン２０ｇ、メタノール
１００ ｍ ｌ 、ロジウム−カーボン２ｇ、第２リン
酸カリウム１．４ｇを仕込み、実施例（２）と同様に反
応処理を行い、シス−プロピル−３−メトキシカルボニ
ルメチル−１−シクロベンテノン１６．９ｇ（シス一体
比率；９６％、沸点１０９°〜１１０°Ｃ／２ｍｍＨｇ
、収率；８４．５％）を得た。
ル−２−シクロペンテン−１−オン２０ｇ、メタノール
１００ ｍ ｌ 、ロジウム−カーボン２ｇ、第２リン
酸カリウム１．４ｇを仕込み、実施例（２）と同様に反
応処理を行い、シス−プロピル−３−メトキシカルボニ
ルメチル−１−シクロベンテノン１６．９ｇ（シス一体
比率；９６％、沸点１０９°〜１１０°Ｃ／２ｍｍＨｇ
、収率；８４．５％）を得た。
（４）シス−２−オクチル−３−メトキシカルボニルメ
チル−１−シクロペンタノンの合成。
チル−１−シクロペンタノンの合成。
反応容器に２−オクチル−３−メトキシカルボニルメチ
ル−２−シクロペンテン−１−オン２０ｇ、メタノール
１００ｍ１、ロジウム−カーボン２ｇ、リン酸第２ナト
リウム１．４ｇを加え、実施例（２）と同様の条件下で
反応処理を行った。
ル−２−シクロペンテン−１−オン２０ｇ、メタノール
１００ｍ１、ロジウム−カーボン２ｇ、リン酸第２ナト
リウム１．４ｇを加え、実施例（２）と同様の条件下で
反応処理を行った。
このものを蒸留により精製することにより、目的化合物
を１７．４ｇ（沸点；１２１°〜１２２６Ｃ１０，８ｍ
ｍＨｇ、シス一体比率；９７％、収率：８７％）を得た
。
を１７．４ｇ（沸点；１２１°〜１２２６Ｃ１０，８ｍ
ｍＨｇ、シス一体比率；９７％、収率：８７％）を得た
。
（５）シス−２−イソアミル−３−メトキシカルボニル
メチル−１−シクロペンタノンの合成。
メチル−１−シクロペンタノンの合成。
反応溶液に２−イソアミル−３−メトキシカルボニルメ
チル−２−シクロペンテン−１−オン１０ｇ、メタノー
ル１００［Ｔｌｌ、ロジウム−カーボン１ｇ、酢酸ナト
リウム０，５ｇを加え、実施例（２）と同様の反応条件
下で反応処理を行った。
チル−２−シクロペンテン−１−オン１０ｇ、メタノー
ル１００［Ｔｌｌ、ロジウム−カーボン１ｇ、酢酸ナト
リウム０，５ｇを加え、実施例（２）と同様の反応条件
下で反応処理を行った。
蒸留により精製することにより、目的化合物８゜０１ｇ
（沸点；１２６°Ｃ／２ｍｍＨｇ、シス体比率；９６
．５％、収率；８０％）を得た。
（沸点；１２６°Ｃ／２ｍｍＨｇ、シス体比率；９６
．５％、収率；８０％）を得た。
（６）シス−２−メチル−３−メトキシカルボニルメチ
ル−１−シクロペンタノンの合成。
ル−１−シクロペンタノンの合成。
実施例（２）において、酢酸カリウムの代りに酢酸アン
モニウムを用いた他は、実施例（２）と同様に行って、
目的化合物８．２ｇ（シス体比率；９７．３％、収率；
８１％）を得た。
モニウムを用いた他は、実施例（２）と同様に行って、
目的化合物８．２ｇ（シス体比率；９７．３％、収率；
８１％）を得た。
（７）シス−２−プロピル−３−メトキシカルボニルメ
チル−１−シクロペンタノンの合成。
チル−１−シクロペンタノンの合成。
実施例（３）において、リン酸第２カリウムの代りにリ
ン酸第１アンモニウムを用いた他は、実施１’７１１
（３）と同様に行って、目的化合物を１７ｇ（シス体比
率；９７％、収率：８５％）を得た。
ン酸第１アンモニウムを用いた他は、実施１’７１１
（３）と同様に行って、目的化合物を１７ｇ（シス体比
率；９７％、収率：８５％）を得た。
（ｆ）発明の効果
上記式（２）の２−アルキル−３−アアルコキシ力ルポ
ニルメチル−２−シクロベンテノンをロジウム−カーボ
ン触媒の存在下に接触還元するに際し、従来使用された
ことのないリン酸及び／又は酢酸のナトリウム塩、カリ
ウム塩及びアンモニウム塩よりなる群から選ばれた少な
くとも１種を共存させることにより、シス一体からトラ
ンス一体えの異性化か回避でき、又常温、常圧下で反応
が容易に進行するため、工業的に操作及び装置上より有
利であり、また経済的にも有利である。
ニルメチル−２−シクロベンテノンをロジウム−カーボ
ン触媒の存在下に接触還元するに際し、従来使用された
ことのないリン酸及び／又は酢酸のナトリウム塩、カリ
ウム塩及びアンモニウム塩よりなる群から選ばれた少な
くとも１種を共存させることにより、シス一体からトラ
ンス一体えの異性化か回避でき、又常温、常圧下で反応
が容易に進行するため、工業的に操作及び装置上より有
利であり、また経済的にも有利である。
特許出願人 長谷川香料株式会社
外１名■：づ・−ｊ・１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下記式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） 但し式中、ＲはＣ１〜Ｃ８の直鎖もしくは 分枝状のアルキル基を示し、Ｒ１はメチル 基もしくはエチル基を示す、 で表わされる２−アルキル−３−アルコキシカルボニル
メチル−２−シクロペンテノンをリン酸及び／又は酢酸
のナトリウム塩、カリウム塩及びアンモニウム塩からな
る群より選ばれた少なくとも１種の共存下、ロジウム−
カーボン触媒の存在下に接触還元することを特徴とする
下記式（１）▲数式、化学式、表等があります▼（１） 但し式中、ＲはＣ１〜Ｃ８の直鎖もしくは 分枝状のアルキル基を示し、Ｒ１はメチル 基もしくはエチル基を示す、 で表わされるシス−２−アルキル−３−アルコキシカル
ボニルメチル−１−シクロペンタノンの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60224916A JPS6287555A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | シス−２−アルキル−３−アルコキシカルボニルメチルシクロペンタノンの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60224916A JPS6287555A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | シス−２−アルキル−３−アルコキシカルボニルメチルシクロペンタノンの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6287555A true JPS6287555A (ja) | 1987-04-22 |
| JPH0563460B2 JPH0563460B2 (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=16821171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60224916A Granted JPS6287555A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | シス−２−アルキル−３−アルコキシカルボニルメチルシクロペンタノンの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6287555A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0953562A1 (en) * | 1998-04-28 | 1999-11-03 | Givaudan Roure (International) S.A. | Beta, gamma-unsaturated delta-keto esters |
| JP2006160690A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Asahi Kasei Chemicals Corp | シス−２、３−ジ置換シクロペンタノンの製造方法 |
| EP1900720A1 (en) * | 2005-06-30 | 2008-03-19 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | Process for production of substituted cyclopentanone |
-
1985
- 1985-10-11 JP JP60224916A patent/JPS6287555A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0953562A1 (en) * | 1998-04-28 | 1999-11-03 | Givaudan Roure (International) S.A. | Beta, gamma-unsaturated delta-keto esters |
| JP2006160690A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Asahi Kasei Chemicals Corp | シス−２、３−ジ置換シクロペンタノンの製造方法 |
| JP4667027B2 (ja) * | 2004-12-09 | 2011-04-06 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | シス−２、３−ジ置換シクロペンタノンの製造方法 |
| EP1900720A1 (en) * | 2005-06-30 | 2008-03-19 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | Process for production of substituted cyclopentanone |
| EP2000455A2 (en) | 2005-06-30 | 2008-12-10 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | Process for production of substituted cyclopentanone |
| EP1900720A4 (en) * | 2005-06-30 | 2010-08-18 | Asahi Kasei Chemicals Corp | PROCESS FOR PRODUCING SUBSTITUTED CYCLOPENTANONE |
| US7897802B2 (en) | 2005-06-30 | 2011-03-01 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | Process for production of substituted cyclopentanone |
| JP4722130B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2011-07-13 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 置換シクロペンタノンの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0563460B2 (ja) | 1993-09-10 |
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