JPS6287299A - 半導体洗浄用超純水製造装置 - Google Patents
半導体洗浄用超純水製造装置Info
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- JPS6287299A JPS6287299A JP60229602A JP22960285A JPS6287299A JP S6287299 A JPS6287299 A JP S6287299A JP 60229602 A JP60229602 A JP 60229602A JP 22960285 A JP22960285 A JP 22960285A JP S6287299 A JPS6287299 A JP S6287299A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は超純水製造装置に関し、より詳しくは従来の装
置では除去し得なかった低分子有機化合物をも除去し、
より理論純水に近い超純水を製造する装置に係る。
置では除去し得なかった低分子有機化合物をも除去し、
より理論純水に近い超純水を製造する装置に係る。
一般に、超純水はＬＳＩや超ＬＳＩの製造などに多量に
使用されており、今後ますますｗＩ要が増加しつつある
。これらの超純水としては１７〜１８ＭΩ・αの比抵抗
を有するものが製造されているが、より理論純水（Ｈ！
０のみからなる水）の比抵抗１８．２４ＭΩ・ａ に近
づける努力がなされている現状にある。
使用されており、今後ますますｗＩ要が増加しつつある
。これらの超純水としては１７〜１８ＭΩ・αの比抵抗
を有するものが製造されているが、より理論純水（Ｈ！
０のみからなる水）の比抵抗１８．２４ＭΩ・ａ に近
づける努力がなされている現状にある。
従来、超純水製造プロセスは、活性炭、イオン交換樹脂
、ＵＶ酸化、逆浸透膜（ＲＯ）、限外濾過膜（ＵＦ）等
で構成されている。
、ＵＶ酸化、逆浸透膜（ＲＯ）、限外濾過膜（ＵＦ）等
で構成されている。
例えば、超純水を用いた半導体ウェーハ洗浄システムか
らの洗浄廃液回収工程を有する超純水製造プロセスは第
２図に示す通りである。第２図に示す装置においては、
半纏体洗浄工程１かもの廃水を、まず回収システムＡの
活性炭吸着塔２において活性炭吸着処理し、イオン交換
塔３で処理して脱塩した後、更に必要なときには逆浸透
換装ｆ（図示せず）を介して紫外線酸化装置４で処理し
ている。紫外線酸化装ｆｌｆ４においては、有機物をほ
ぼ完全に酸化分解させるために、一般に、酸化剤として
退散化水素を添加し、過酸化水素存在下で紫外線を照射
して処理が行なわれる。
らの洗浄廃液回収工程を有する超純水製造プロセスは第
２図に示す通りである。第２図に示す装置においては、
半纏体洗浄工程１かもの廃水を、まず回収システムＡの
活性炭吸着塔２において活性炭吸着処理し、イオン交換
塔３で処理して脱塩した後、更に必要なときには逆浸透
換装ｆ（図示せず）を介して紫外線酸化装置４で処理し
ている。紫外線酸化装ｆｌｆ４においては、有機物をほ
ぼ完全に酸化分解させるために、一般に、酸化剤として
退散化水素を添加し、過酸化水素存在下で紫外線を照射
して処理が行なわれる。
このような活性炭吸着塔２、イオン交換塔３及び紫外ｍ
ｙ化装置４からなる回収システムＡからの処理水は、純
水製造システムＢに戻される。この純水製造システムＢ
Ｖｉ、前処理システムＣ（凝集反応槽５及び二種濾過器
６かうなる。）、１次純水システムＤ（逆浸透膜装置７
、脱気器８及びイオン交換塔９かもなる。）及びサブシ
ステムＥ（紫外線殺菌装置ｘｏ、混床式イオン交換器１
１及び限外濾過装置１２かうなる。）から構成されてい
る。このような装置により。
ｙ化装置４からなる回収システムＡからの処理水は、純
水製造システムＢに戻される。この純水製造システムＢ
Ｖｉ、前処理システムＣ（凝集反応槽５及び二種濾過器
６かうなる。）、１次純水システムＤ（逆浸透膜装置７
、脱気器８及びイオン交換塔９かもなる。）及びサブシ
ステムＥ（紫外線殺菌装置ｘｏ、混床式イオン交換器１
１及び限外濾過装置１２かうなる。）から構成されてい
る。このような装置により。
処理原水中のイオンはほぼ完全に除去され、最終処理水
の比抵抗は１７ＭΩ・１以上の高純度となる。
の比抵抗は１７ＭΩ・１以上の高純度となる。
しかしながら、上述のような従来装置によった場合、処
理原水中に含まれる低分子有機化合物、とりわけ有機ハ
ロゲン化合物は除去できず、サブシステムの最終処理水
中にリークし、これが全有機炭素（ＴＯＣ）としてオン
され、要求水質を満さないという間踊点があった。また
、トリハロメタンのような有機ハロゲン化合物は活性炭
でも除去できるが、処理容量が小さく、さらに長期通液
の際に活性炭層に菌が増殖するという間踊点があった。
理原水中に含まれる低分子有機化合物、とりわけ有機ハ
ロゲン化合物は除去できず、サブシステムの最終処理水
中にリークし、これが全有機炭素（ＴＯＣ）としてオン
され、要求水質を満さないという間踊点があった。また
、トリハロメタンのような有機ハロゲン化合物は活性炭
でも除去できるが、処理容量が小さく、さらに長期通液
の際に活性炭層に菌が増殖するという間踊点があった。
本発明は上記の如き従来装置の有する問題点を解消し、
従来装置では除去し得なかった低分子有機化合物を除去
し、 ＴＯＣをさらに低減化させ、理論純水により近い
超純水の製造装置を提供することを目的とするものであ
る。
従来装置では除去し得なかった低分子有機化合物を除去
し、 ＴＯＣをさらに低減化させ、理論純水により近い
超純水の製造装置を提供することを目的とするものであ
る。
本発明者は従来装置では除去できない低分子有機化合物
、特にクロロホルム、トリクロロエタン、トリクロロエ
チレン、ブロムジクロルメタン、テトラクロロエチレン
、クロルジブロムメタン及びブロムホルムなどの有機ハ
ロゲン化合物を除去するために種々検討の結果、これら
低分子有機化合物が合成吸着剤によって除去され、ＴＯ
Ｃが低減されることを知見し本発明を完成するに至った
。すなわち１本発明の超純水製造装置は濾過器など（！
−備えた原水の前処理システムと、逆浸透膜などの膜を
内蔵した膜処理装置などを備えた前処理システムの処理
水から純水を得る１次純水システムと、混床式イオン交
換器及び限外認過換などの膜を内蔵した膜処理装置など
を備えた１次純水システムの純水から超純水を得るサブ
システムとからなる超純水製造装置において、前記１次
純水システム又はサブシステムに合成吸着剤を内蔵した
合成吸着剤種を介在させたことを特徴とするものである
。
、特にクロロホルム、トリクロロエタン、トリクロロエ
チレン、ブロムジクロルメタン、テトラクロロエチレン
、クロルジブロムメタン及びブロムホルムなどの有機ハ
ロゲン化合物を除去するために種々検討の結果、これら
低分子有機化合物が合成吸着剤によって除去され、ＴＯ
Ｃが低減されることを知見し本発明を完成するに至った
。すなわち１本発明の超純水製造装置は濾過器など（！
−備えた原水の前処理システムと、逆浸透膜などの膜を
内蔵した膜処理装置などを備えた前処理システムの処理
水から純水を得る１次純水システムと、混床式イオン交
換器及び限外認過換などの膜を内蔵した膜処理装置など
を備えた１次純水システムの純水から超純水を得るサブ
システムとからなる超純水製造装置において、前記１次
純水システム又はサブシステムに合成吸着剤を内蔵した
合成吸着剤種を介在させたことを特徴とするものである
。
本発明で使用される合成吸着剤としては、イオン交換基
をもたないゲル壓又はポーラス型などの樹脂で、基本と
してはスチレン−ジビニルベンゼン系、メタアクリル酸
エステル系、ビニルピリジン系、スルホキシド系あるい
はアミド系のものなどであり、予め有機溶剤と加温した
苛性ソーダを併用して洗浄し、ＴＯＣ成分を除去して調
製したものである。これら合成吸着剤を内蔵した合成吸
着剤種の構造は一般に用いられているイオン交換塔と同
じものを用いることができる。つまりイオン交換塔のカ
チオンあるいはアニオン交換樹脂のかわりに前述のよう
な合成吸着剤を内蔵させればよい。すなわち１合成吸着
剤は通さないが水は通過することができる集水機構を塔
下部に設け、この上に合成吸着剤を積層させる構成とす
る。
をもたないゲル壓又はポーラス型などの樹脂で、基本と
してはスチレン−ジビニルベンゼン系、メタアクリル酸
エステル系、ビニルピリジン系、スルホキシド系あるい
はアミド系のものなどであり、予め有機溶剤と加温した
苛性ソーダを併用して洗浄し、ＴＯＣ成分を除去して調
製したものである。これら合成吸着剤を内蔵した合成吸
着剤種の構造は一般に用いられているイオン交換塔と同
じものを用いることができる。つまりイオン交換塔のカ
チオンあるいはアニオン交換樹脂のかわりに前述のよう
な合成吸着剤を内蔵させればよい。すなわち１合成吸着
剤は通さないが水は通過することができる集水機構を塔
下部に設け、この上に合成吸着剤を積層させる構成とす
る。
以下に本発明の一実施例を示す第１図を診照して本発明
をさらに詳しく説明する。
をさらに詳しく説明する。
第１図において、原水は左側から矢印の如く凝集反応槽
５および二／ｌｆｆ１過器６からなる前処理システムＣ
に通水され、前処理される。この前処理後の処理水は次
いで、逆浸透装置７１合合成層剤塔１３、脱気器８およ
びイオン交換塔９からなる１火縄水システムＤに順次通
水され、純水が得られる。この１火縄水システムＤによ
り得られた純水はその後、紫外線殺菌装置１０、混床式
イオン交換器１１および限外濾過装置１２からなるサブ
システムＥにより超純水が得られる。
５および二／ｌｆｆ１過器６からなる前処理システムＣ
に通水され、前処理される。この前処理後の処理水は次
いで、逆浸透装置７１合合成層剤塔１３、脱気器８およ
びイオン交換塔９からなる１火縄水システムＤに順次通
水され、純水が得られる。この１火縄水システムＤによ
り得られた純水はその後、紫外線殺菌装置１０、混床式
イオン交換器１１および限外濾過装置１２からなるサブ
システムＥにより超純水が得られる。
上記のような第１図のシステムＣ，Ｄ、Ｅからなる超純
水製造システムＢでは合成吸着剤種１３を設置した点が
、第２図に示されるような従来装置と異なるところであ
り、この合成吸着剤種１３により前述したような低分子
の有機化合物がほぼ完全に除去される。なお、通水を継
続していくことにより合成吸着剤の有機化合物吸着能力
が低下して（るため、定期的に苛性ソーダなどの薬剤に
より再生するようにする。
水製造システムＢでは合成吸着剤種１３を設置した点が
、第２図に示されるような従来装置と異なるところであ
り、この合成吸着剤種１３により前述したような低分子
の有機化合物がほぼ完全に除去される。なお、通水を継
続していくことにより合成吸着剤の有機化合物吸着能力
が低下して（るため、定期的に苛性ソーダなどの薬剤に
より再生するようにする。
なお、第１図に示した装置では合成吸着剤種１３を１火
縄水システムＤのフロー中に設置した例を示したが、合
成吸着剤種１３はサシシステムＥのフロー中１例えば混
床式イオン又換器１１の出口部あるいは限外濾過装ｇｔ
１２の出口部などに設は得る。また第１図に示したよう
に合成吸着剤種１３’ｉ１次純水システムＤのフロー中
に設をする場合は逆浸透装置７以降に設けることが好ま
しい。すなわち逆浸透装置７以降に設けることにより、
浮遊懸濁物（ＳＳ）が逆浸透装置７によって除去され、
合成吸着剤種１３の差圧上昇が防止できる。
縄水システムＤのフロー中に設置した例を示したが、合
成吸着剤種１３はサシシステムＥのフロー中１例えば混
床式イオン又換器１１の出口部あるいは限外濾過装ｇｔ
１２の出口部などに設は得る。また第１図に示したよう
に合成吸着剤種１３’ｉ１次純水システムＤのフロー中
に設をする場合は逆浸透装置７以降に設けることが好ま
しい。すなわち逆浸透装置７以降に設けることにより、
浮遊懸濁物（ＳＳ）が逆浸透装置７によって除去され、
合成吸着剤種１３の差圧上昇が防止できる。
このような超純水製造装置における処理流速としてはＳ
Ｖ＝ ５〜５０ ｈｒ 、好ましくは５Ｖ＝１０〜３０
ｈｒ とする。
Ｖ＝ ５〜５０ ｈｒ 、好ましくは５Ｖ＝１０〜３０
ｈｒ とする。
得られた超純水は各棟の用途に供せられるが、第１図に
は半導体洗浄に使用した例を示している。すなわち本発
明装置によって得られた超純水はＬＳＩもしくは超ＬＳ
Ｉなどの半導体洗浄（ユースポイント）ｌに用いられ、
これにより不純物などの混入した水は活性炭吸着塔２、
イオン交換塔３および紫外線酸化装置４からなる回収シ
ステムＡにより回収され、１火縄水システムＤの入口に
戻され、循環使用される。なお、回収システムＡからの
回収水は前処理システムＣの入口に戻されてもよい。
は半導体洗浄に使用した例を示している。すなわち本発
明装置によって得られた超純水はＬＳＩもしくは超ＬＳ
Ｉなどの半導体洗浄（ユースポイント）ｌに用いられ、
これにより不純物などの混入した水は活性炭吸着塔２、
イオン交換塔３および紫外線酸化装置４からなる回収シ
ステムＡにより回収され、１火縄水システムＤの入口に
戻され、循環使用される。なお、回収システムＡからの
回収水は前処理システムＣの入口に戻されてもよい。
次に実験例を示す。
実験例１
有機ハロゲン化合物を含んだ合成水を、スチレンとジビ
ニルベンゼンの共重合体である合成吸着剤（バイエル社
製、Ｌａｗａｔｌｔ （商標）Ｅ４００／８３）１００
ｍｌにＳＶ＝ ｌ Ｏｈｒで通水したところ表１に示す
ような結果を得た。すなわち処理水の有機ハロゲンは著
しく低減した。
ニルベンゼンの共重合体である合成吸着剤（バイエル社
製、Ｌａｗａｔｌｔ （商標）Ｅ４００／８３）１００
ｍｌにＳＶ＝ ｌ Ｏｈｒで通水したところ表１に示す
ような結果を得た。すなわち処理水の有機ハロゲンは著
しく低減した。
（以下余白）
表 １
実験例２
市水を第１図に示されるように逆浸透装置７の出口に合
成６Ｍ剤Ｌｅｗａｔ１ｔ （商標） Ｅ ４００／８３
を１００１充填した合成吸着剤塔１３ｉ設置した超純水
製造装置と、第２図に示されるように合成吸着剤１３を
設置しない装置とに３０日間通水し、サブシステムの処
理水（ユースポイントで使用するん純水のＴＯＣ譲度を
比較した。
成６Ｍ剤Ｌｅｗａｔ１ｔ （商標） Ｅ ４００／８３
を１００１充填した合成吸着剤塔１３ｉ設置した超純水
製造装置と、第２図に示されるように合成吸着剤１３を
設置しない装置とに３０日間通水し、サブシステムの処
理水（ユースポイントで使用するん純水のＴＯＣ譲度を
比較した。
その結果を表２に示す。
（以下余白）
以上のような本発明の超純水製造装置では超純水製造シ
ステム中の１次純水システム又はサブシステムのフロー
中に特殊な合成吸着剤を内蔵した合成吸着剤基を設置し
たため、従来装置では除去が困難であった低分子有機化
合物を除去でき、ＴＯＣをさらに低減して理論水に極め
て近い超純水を得ることができるという効果を有する。
ステム中の１次純水システム又はサブシステムのフロー
中に特殊な合成吸着剤を内蔵した合成吸着剤基を設置し
たため、従来装置では除去が困難であった低分子有機化
合物を除去でき、ＴＯＣをさらに低減して理論水に極め
て近い超純水を得ることができるという効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を示す超純水製造装置のシス
テムフローの概略説明図である。 第２図は従来装置のシステムフローの概略説明図である
。 １・・・半導体洗浄（ユースポイント）２・・・活性炭
吸着塔 ３・・・イオン交換塔４・・・紫外線酸
化装置 ５・・・凝集反応槽６・・・二Ｎ濾過器
７・・・逆浸透装置８・・・脱 気 器 ９
・・・イオン交換塔１０・・・紫外＃！殺凶装置 １
１・・・混床式イオン交換器１２・・・限外濾過装置ｌ
１３・・・合成吸着剤基Ａ・・・回収システム
Ｂ・・・超純水製造システムＣ・・・前処理シ
ステム Ｄ・・・１火縄水システムＥ・・・サブシ
ステム
テムフローの概略説明図である。 第２図は従来装置のシステムフローの概略説明図である
。 １・・・半導体洗浄（ユースポイント）２・・・活性炭
吸着塔 ３・・・イオン交換塔４・・・紫外線酸
化装置 ５・・・凝集反応槽６・・・二Ｎ濾過器
７・・・逆浸透装置８・・・脱 気 器 ９
・・・イオン交換塔１０・・・紫外＃！殺凶装置 １
１・・・混床式イオン交換器１２・・・限外濾過装置ｌ
１３・・・合成吸着剤基Ａ・・・回収システム
Ｂ・・・超純水製造システムＣ・・・前処理シ
ステム Ｄ・・・１火縄水システムＥ・・・サブシ
ステム
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、濾過器などを備えた原水の前処理システムと、逆浸
透膜などの膜を内蔵した膜処理装置などを備えた前処理
システムの処理水から純水を得る１次純水システムと、
混床式イオン交換器及び限外濾過膜などの膜を内蔵した
膜処理装置などを備えた１次純水システムの純水から超
純水を得るサブシステムとからなる超純水製造装置にお
いて、前記１次純水システム又はサブシステムに合成吸
着剤を内蔵した合成吸着剤塔を介在させたことを特徴と
する超純水製造装置。 ２、合成吸着剤塔が１次純水システム内に設置される特
許請求の範囲第１項記載の超純水製造装置。 ３、合成吸着剤塔が膜処理装置以降のいずれかの出口に
設置される特許請求の範囲第２項記載の超純水製造装置
。 ４、合成吸着剤塔がサブシステム内に設置される特許請
求の範囲第１項記載の超純水製造装置。 ５、合成吸着剤の樹脂基体がスチレン−ジビニルベンゼ
ン系、メタアクリル酸エステル系、ビニルピリジン系、
スルホキシド系及びアミド系から選ばれたものである特
許請求の範囲第１項記載の超純水製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60229602A JPH0630794B2 (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 半導体洗浄用超純水製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60229602A JPH0630794B2 (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 半導体洗浄用超純水製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6287299A true JPS6287299A (ja) | 1987-04-21 |
| JPH0630794B2 JPH0630794B2 (ja) | 1994-04-27 |
Family
ID=16894750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60229602A Expired - Fee Related JPH0630794B2 (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 半導体洗浄用超純水製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630794B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02198687A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-07 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 純水の製造方法 |
| US5164093A (en) * | 1991-11-29 | 1992-11-17 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for removing metallic contamination from fluids using silicon beads |
| JPH07328693A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-12-19 | Japan Organo Co Ltd | 超純水製造装置 |
| CN100447957C (zh) * | 2001-10-31 | 2008-12-31 | 株式会社日立制作所 | 半导体集成电路器件的制造方法 |
| JP2011255326A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Iwasaki Electric Co Ltd | 超純水製造システム |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4842550A (ja) * | 1971-10-04 | 1973-06-20 | ||
| JPS5524949A (en) * | 1978-08-11 | 1980-02-22 | Hitachi Ltd | Manufacture of graphite-containing aluminium alloy |
| JPS5618427A (en) * | 1979-07-23 | 1981-02-21 | Fujitsu Ltd | Washing method for semiconductor substrate with pure water |
-
1985
- 1985-10-14 JP JP60229602A patent/JPH0630794B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JPS4842550A (ja) * | 1971-10-04 | 1973-06-20 | ||
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| JPH07328693A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-12-19 | Japan Organo Co Ltd | 超純水製造装置 |
| CN100447957C (zh) * | 2001-10-31 | 2008-12-31 | 株式会社日立制作所 | 半导体集成电路器件的制造方法 |
| JP2011255326A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Iwasaki Electric Co Ltd | 超純水製造システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0630794B2 (ja) | 1994-04-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |