JPS628637U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS628637U JPS628637U JP9855285U JP9855285U JPS628637U JP S628637 U JPS628637 U JP S628637U JP 9855285 U JP9855285 U JP 9855285U JP 9855285 U JP9855285 U JP 9855285U JP S628637 U JPS628637 U JP S628637U
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- JP
- Japan
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- wiring
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- integrated circuit
- semiconductor integrated
- circuit device
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- Pending
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図は本考案の第１の実施例の平面図、第２
図は本考案の第２の実施例の平面図である。 １…基本セル列、２…配線領域、３…配線層、
４，４′…第１層目の金属配線、５，５′…第２
層目の金属配線、６…コンタクト、７…スルーホ
ール。
図は本考案の第２の実施例の平面図である。 １…基本セル列、２…配線領域、３…配線層、
４，４′…第１層目の金属配線、５，５′…第２
層目の金属配線、６…コンタクト、７…スルーホ
ール。
Claims (1)
- 半導体基板上に基本素子列と配線領域とを交互
に配列した下地の該配線領域に、２層以上の金属
配線を形成して論理回路を構成するマスタースラ
イス方式の半導体集積回路装置において、前記下
地の配線領域には拡散層又は多結晶シリコン層か
らなる配線層が形成されていることを特徴とする
半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9855285U JPS628637U (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9855285U JPS628637U (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628637U true JPS628637U (ja) | 1987-01-19 |
Family
ID=30966591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9855285U Pending JPS628637U (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS628637U (ja) |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP9855285U patent/JPS628637U/ja active Pending