JPS628570Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はバイアス電流調整装置に係り、バイア
ス電流を供給する高周波増幅器の電源電圧を直流
制御することにより、所望の変化特性でもつてバ
イアス電流を任意に調整しうる装置を提供するこ
とを目的とする。

第１図は一般的なマイクロコンピユータ制御の
バイアス電流設定装置の一例のブロツク系統図を
示す。同図中、マイクロコンピユータ１の出力信
号の制御により、テープレコーダ２が録音可能状
態とされる一方、テスト信号発生器３より可聴周
波数領域の例えば中域周波数と高域周波数との順
次信号であるテスト信号が発生出力せしめられテ
ープレコーダ２に供給される。他方、マイクロコ
ンピユータ１はテープレコーダ２内のバイアス電
流調整装置４を制御して所定周期毎に段階的に変
化するバイアス電流を出力させる。このバイアス
電流調整装置４より取り出された上記のバイアス
電流は、上記テスト信号と共に録再用磁気ヘツド
５により磁気テープ６に録音される。なお、この
録音時には消去用磁気ヘツド７により消去動作が
上記録再用磁気ヘツド５による録音に先行して行
なわれる。

しかる後に、マイクロコンピユータ１の出力信
号の制御により、テープレコーダ２が上記の録音
完了後巻戻し状態とされ、これが完了すると再生
状態とされる。これにより、録再用磁気ヘツド５
により再生されたテスト信号はAD変換器８に供
給され、ここで再生出力レベルに応じたデイジタ
ル信号に変換された後マイクロコンピユータ１に
供給される。なお、この再生時には消去用磁気ヘ
ツド７による消去は行なわれないことは周知の通
りである。

そして上記の再生動作により得られた再生テス
ト信号の中域周波数再生レベルと高域周波数再生
レベルとが夫々マイクロコンピユータ１により比
較され、両者が共に略同一レベルとなるときのバ
イアス電流に設定される。このようにして、磁気
テープ６に比較的良好な周波数特性、歪率特性を
もつて信号記録再生しうるバイアス電流の設定が
行なわれる。

かかる一般的なマイクロコンピユータ制御のバ
イアス電流設定装置において、従来のバイアス電
流調整用装置４は第２図に示す如き構成とされて
いた。同図中、第１図と同一構成部分には同一符
号が付してある。９は高周波発振器で、その高周
波出力信号は消去用磁気ヘツド７に供給される一
方、高周波増幅器１０、cdsセル１１を夫々順経
て録再用磁気ヘツド５にバイアス電流として供給
される。他方、マイクロコンピユータ１よりも出
力信号により電流制御回路１２の出力電流が段階
的に変化され、これにより発光ダイオード１３の
光量が段階的に変化される。cdsセル１１は発光
ダイオード１３の光量の段階的変化に応じてその
抵抗値を変化せしめられ、その結果、高周波増幅
器１０よりの高周波信号レベル（バイアス電流レ
ベル）が段階的に変化される。

しかるに、上記の従来装置におけるcdsセル１
１と発光ダイオード１３との組合せは、発光ダイ
オード１３の電流値変化に対して指数関数的に
cdsセル１１の抵抗値が変化するので、バイアス
電流を所望の変化特性に従つて変化させるとがで
きず、またcdsセル１１自体も経時変化をもつ等
の欠点があつた。

本考案は上記の欠点を除去したものであり、以
下第３図及び第４図と共にその一実施例について
説明する。

第３図は本考案になるバイアス電流調整装置の
一実施例のブロツク系統図を示す。同図中、第１
図と同一構成部分には同一符号を付し、その説明
を省略する。第３図において、１４は高周波増幅
器で、高周波発振器９よりの高周波信号を増幅し
て録再用磁気ヘツド５に供給する。高周波増幅器
１４は例えばＣ級増幅器のように、電源電圧に応
じて出力レベルが変化する増幅器である。

１５は電圧制御回路で、マイクロコンピユータ
１よりの２値符号制御信号を復号し、復号して信
号に応じた所定レベルの直流電圧を電源電圧とし
て高周波増幅器１４に印加する。

第４図は電圧制御回路１５の一実施例の回路図
を示す。同図中、X₁〜Ｘ_oは夫々個のスイツチン
グ用NPNトランジスタで、マイクロコンピユー
タ１よりの２値符号信号を復号する復号器１６よ
りの出力信号により、いずれか一つのトランジス
タのみがオンとされる。トランジスタX₁〜Ｘ_oの
コレクタは抵抗R₁〜Ｒ_oを介してNPNトランジス
タX₀のベースに接続されている。トランジスタ
X₀のベース・コレクタ間には抵抗R₀が接続され
ており、更にトランジスタX₀のコレクタは直流
電源電圧＋Ｖ_cc入力端子に接続されている。更に
トランジスタX₀のエミツタは、高周波増幅器１
４の電源電圧入力端子に接続されている。上記抵
抗R₁〜Ｒ_oは夫々互いに異なる抵抗値とされてお
り、予め所望の変化特性に従つて夫々の抵抗値が
選択されている。

上記の抵抗R₀，R₁、トランジスタX₀及びX₁は
第１の分圧回路を構成しており、同様に抵抗Ｒ
_i、トランジスタＸ_iは抵抗R₁及びトランジスタX₀
と共にｉ番目の分圧回路を構成している。すなわ
ち、第４図に示す電圧制御回路１５は復号器１６
と、抵抗R₀及びトランジスタX₀を共通とする、
ｎ個の互いに異なる所望の分圧比の分圧回路とか
らなる。

上記の構成の回路において、ｎ個のトランジス
タＸ_oのうちのｉ番目のトランジスタＸ_iが復号器
１６の出力信号によりオンとされたものとする
と、トランジスタX₀のベースには電源電圧Ｖ_ccが
抵抗R₀とトランジスタＸ_iのコレクタ負荷抵抗Ｒ_i
とで抵抗分圧された直流電圧が印加され、X₀の
エミツタよりX₀のベース電圧よりも約0.6V（X₀
がシリコントランジスタの場合）低下した直流電
圧が出力される。

従つて、マイクロコンピユータ１よりの２値符
号制御信号によりトランジスタX₁〜Ｘ_oが夫々順
次にオンとされると、トランジスタX₀のベース
電圧も抵抗R₀とR₁〜Ｒ_oのいずれか一つの抵抗と
による分圧比が順次に変化するため段階的に変化
し、よつてトランジスタX₀のエミツタより取り
出される直流電圧もベース電圧の変化に比例して
段階的に変化する。この結果、高周波増幅器１４
より取り出されるバイアス電流レベルは、上記ト
ランジスタX₀のエミツタ出力直流電圧の段階的
変化に対応して段階的に変化せしめられる。

本実施例によれば、高周波増幅器１４の出力が
電源電圧に対して非線形な特性をもつていても、
抵抗R₁〜Ｒ_oの各抵抗値を任意に選定するとによ
り、所望の変化特性（例えばdB単位のレベル変
化特性）が得られる。また可変利得増幅器を用い
るとレベル制御する信号が高周波発振信号である
ことから歪の発生を伴い、この歪を低減しようと
する場合は低い電圧の高周波発振信号をレベル制
御した後、リニアな特性で、かつ、大パワーの増
幅器により所望のレベル範囲内のバイアス電流を
得るような構成としなければならず、これにより
回路が高価とならざるを得ない。しかし、本考案
は電源電圧の変化によつて出力レベルが変化する
高周波増幅器１４の電源電圧を制御しているの
で、上記の歪は殆ど発生しない。

なお、上記の実施例では、抵抗分圧比を変化さ
せることにより高周波増幅器１４の電源電圧を変
化させているが、高周波増幅器１４に直流電源電
圧を印加する帰還型安定化電源回路内の誤差電圧
検出用比較器の基準電圧をマイクロコンピユータ
１よりの２値符号制御信号に応じて変化させる構
成としてもよい。

上述の如く、本考案になるバイアス電流調整装
置は、バイアス電流として使用される高周波信号
を出力する高周波発振器と、出力レベルが直流電
源電圧に依存して変化するよう構成されており該
高周波発振器の出力高周波信号を増幅して記録用
磁気ヘツドにバイアス電流として出力する高周波
増幅器と、外部よりの２値符号制御信号を復号し
て得た信号に応じて一定の電源電圧を互いに異な
る所望の分圧比で分圧する複数の分圧回路のうち
の所定の分圧回路を選択し、該選択した分圧回路
の出力直流電圧を該高周波増幅器に電源電圧とし
て印加して該高周波増幅器の電源電圧を制御する
電圧制御回路とよりなるため、上記２値符号制御
信号により上記高周波増幅器より取り出されるバ
イアス電流のレベルを調整することができ、上記
高周波増幅器の出力が電源電圧に対して非線形特
性をもつていても上記電圧制御回路よりの制御電
圧を任意に選定することができるので所望のバイ
アス電流レベル変化特性を容易に得ることがで
き、直流電圧制御なので電圧制御回路と高周波増
幅器とが離れていてもよく自由に配線することが
でき、また上記高周波増幅器は可変利得増幅器で
なく電源電圧に依存して出力レベルが変化する増
幅器（例えばＣ級増幅器）とし、その電源電圧を
変化させるようにしたので比較的安価な回路構成
で歪の発生の殆どないバイアス電流調整を行なう
ことができ、更に前記高周波発振器は、消去用磁
気ヘツドに消去用電流を供給する高周波発振器を
共用したため、新たな専用の高周波発振器が不要
なので低コストで構成できる等の特長を有するも
のである。

【図面の簡単な説明】

第１図は一般的なマイクロコンピユータ制御の
バイアス電流設定装置の一例を示すブロツク系統
図、第２図は従来のバイアス電流調整装置の一例
を示すブロツク系統図、第３図は本考案になるバ
イアス電流調整装置の一実施例を示すブロツク系
統図、第４図は本考案装置の要部の一実施例を示
す回路図である。 １……マイクロコンピユータ、２……テープレ
コーダ、４……バイアス電流調整装置、５……録
再用磁気ヘツド、６……磁気テープ、７……消去
用磁気ヘツド、９……高周波発振器、１０……高
周波増幅器、１１……cdsセル、１３……発光ダ
イオード、１４……電源電圧によつて出力レベル
が変化する高周波増幅器、１５……電圧制御回
路、＋Ｖ_cc……直流電源電圧、X₁〜Ｘ_o……スイツ
チング用NPNトランジスタ。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ バイアス電流として使用される高周波信号を
   出力する高周波発振器と、出力レベルが直流電
   源電圧に依存して変化するよう構成されており
   該高周波発振器の出力高周波信号を増幅して記
   録用磁気ヘツドにバイアス電流として出力する
   高周波増幅器と、外部よりの２値符号制御信号
   を復号して得た信号に応じて一定の電源電圧を
   互いに異なる所望の分圧比で分圧する複数の分
   圧回路のうちの所定の分圧回路を選択し、該選
   択した分圧回路の出力直流電圧を該高周波増幅
   器の電源電圧として印加して該高周波増幅器の
   電源電圧を制御する電圧制御回路とよりなり、
   該２値符号制御信号により該高周波増幅器より
   取り出されるバイアス電流のレベルを調整する
   よう構成したバイアス電流調整装置。 ２ 前記高周波増幅器は、消去用磁気ヘツドに消
   去用電流を供給する高周波発振器を共用してな
   る実用新案登録請求の範囲第１項記載のバイア
   ス電流調整装置。