JPS628569Y2 - - Google Patents

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JPS628569Y2
JPS628569Y2 JP5784686U JP5784686U JPS628569Y2 JP S628569 Y2 JPS628569 Y2 JP S628569Y2 JP 5784686 U JP5784686 U JP 5784686U JP 5784686 U JP5784686 U JP 5784686U JP S628569 Y2 JPS628569 Y2 JP S628569Y2
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terminal
capacitor
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voltage
potential
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JP5784686U
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【考案の詳細な説明】 本考案は高利得交流増幅回路の様に、外部に大
容量のコンデンサが接続される装置に好適なコン
デンサ充電回賂に関する。
多くの交流増幅回路の場合、交流インピーダン
スを零にするため、大容量のコンデンサを使用す
る。ところが電源投入時にはこれらのコンデンサ
は放電されており、動作状態の電圧に充電される
迄、出力は通常、電源側又はアース側に一杯に振
れる。この際出力負荷としてスピーカがつながれ
ていると、出力が電源側に一杯に振れる結果、非
常に大きな音が出る。
これを図面を用いてより詳細に説明すると、第
1図は従来の交流増幅回路の例を示す図である。
増幅回路1の特性改 のため出力端子6より負帰
還素子2及び3を通じて、負帰還端子7に負帰還
がかけられている。この時、直流分を切るため大
容量のコンデンサ4が負帰還素子2と接地電位と
の間に接続されている。
今電源投入時には、コンデンサ4は電荷が放電
された状態にあるため、負帰還端子7はアース電
位に近い。この負帰還端子7の電位はコンデンサ
4が充電されるに従つてゆるやかに上昇する。一
方入力端子5の電位は比較的早く定常バイアス電
圧にある。従つて、電源投入時に入力が不平衡に
なり、出力としては電源側に急激に振れる。この
ため出力端6に負荷としてスピーカ等をつないだ
場合、非常に大きな音が出る。従来これを避ける
ため別に新たにコンデンサー抵抗による遅延回路
を設けることを行なわれているが、コンデンサ等
の外付素子が増加するため、価格上昇、実装密度
の低下を招き、好ましいことではない。
本考案は上記欠点を取り除き、コンデンサを用
いない簡単な構成でコンデンサを強制充電する回
路を提供するものである。
以下図面を用いて本考案をより詳細に説明す
る。
第2図は本考案の原理を示す図である。第1図
の回路と異なる点はコンデンサ4の一端にスイツ
チング素子10が接続されている点である。この
スイツチング素子10はゲート電極12及び電流
入力端子11が夫々、定電圧源に接続されてい
る。このスイツチング素子10はゲート電圧とし
て端子12、端子13の電位差により導通、非導
通となり、且つ一度導通すると自己保持機能のた
めゲート電圧が、スレツシユホールド電圧以下に
なつても導通状態を継続し、電流が保持電流値以
下になると非導通とある性質のものである。
今電源投入時にはコンデンサ4はアース電位に
近いためゲート端子12と端子13間の電圧がス
レツシユホールド電圧以上になるため、スイツチ
ング素子10が導通し、端子14より端子13に
充電電流が流れコンデンサ4は急速に充電され
る。その後充電されるに従い、充電電流が減少
し、スイツチング素子10は保持電流以下になり
非導通状態となる。この時コンデンサ4の電圧は
充分上昇しているため、端子13の電位が高く、
ゲート端子12は定電圧であることから、端子1
2,13間はスレツシユホールド電圧より低くな
り、スイツチング素子10はひき続き非導通状態
である。再び導通するのはコンデンサ4の電位が
下がつた時であるが、然しながらこれ以前にこの
増幅回路1が定常状態になるため、コンデンサ4
の電位は定常状態で落ち着く。このためスイツチ
ング素子10が再び導通することはない。出力が
急激に電源側に振れるのを防ぐにはこのスイツチ
ング素子の導通する信号の一部を端子14より取
り出し増幅回路1を制御して出力端子6を強制的
にアース電位とする。この制御は端子14の電位
により増幅回路1中の駆動トランジスタを強制的
に導通させたり、その他適宜行うことができる。
コンデンサ4の充電完了後スイツチング素子10
が非導通状態になるが、この時コンデンサ4の電
位が入力端子5より高くなる様端子11に加える
定電圧電源の電圧を設定しておくと、スイツチン
グ素子10の非導通により端子14よりの制御信
号がなくなつても入力の不平衡により出力端子6
の電位はアース電位になつている。その後は帰還
素子3により放電が行なわれ定常のバイアス状態
で落ち着くが、この時の放電は帰還素子3のイン
ピーダンスが高いため緩やかであり、従つて出力
端子6の出力変動も緩やかになりスピーカより発
生する音が減少する。この点コンデンサへの充電
をトランジスタで制御すると、トランジスタはそ
の導通、非導通の自己保持作用をもたないため、
入力端子5のバイアス電圧以上にコンデンサを充
電することはできない。あえてすると、増幅回路
1が正常動作しなくなる。このためトランジスタ
を用いた場合には、コンデンサへの充電電流は所
定バイアス電圧に近づくと、徐々に充電電流が小
さくなり、この時増幅回路1は動作を開始する
が、定常バイアスでないため出力電位が一端電源
側に触れその後正常出力となる。このように正常
出力になるのに長時間を用してしまう欠点があ
る。
第3図はスイツチング素子10としてサイリス
タ10aを用いた第1の実施例を示す図である。
サイリスタ10aにはゲート端子があり、端子1
2に接続されている。サイリスタ10aはゲート
端子に流れる電流により自己保持機能と保持電流
値以下で非導通となる性質があるため、本考案の
コンデンサ充電回路に用いるスイツチング素子と
して最適である。電源投入時コントロールゲート
12とカソード13の電位差のためサイリスタ1
0aが導通し、コンデンサ4を迅速に充電する。
この際この電流をトランジスタ15で検出し、そ
のコレクタ出力を増幅回路1の適当な部分に加え
増幅回路1の出力端6の電位を強制的にアース電
位とする。本例においてはサイリスタ10a導通
時のトランジスタ15のコレクタ電位は入力端子
11の電位、すなわち定電圧源電位になるので、
出力端6とは逆位相の回路内のカ所にトランジス
タ15のコレクタ電圧を加えればよい。コンデン
サ4の充電が進み端子13の電位が端子11の電
位に近づくに伴ない、充電電流が減少し保持電流
以下になるとサイリスタ10a、トランジスタ1
5がともに非導通となり、後は定常バイアス電圧
に落ち着く。
ところでサイリスタ10は端子13の電位が上
昇して非導通状態となると、その後端子13の電
位が非導通になつた電位より所定の電位範囲内で
下つても導通しない。従つて増幅回路1が定常動
作を行つている時たまたま端子13の電位が下つ
てもサイリスタ10は動作せず、増幅回路1の動
作に影響を与えることがない。
第4図はスイツチング素子としてトランジスタ
を組合せた第2の実施例を示す図である。スイツ
チング素子としてはトランジスタ16,17、抵
抗18で構成される。トランジスタ19は充電電
流検出トランジスタである。この構成の場合、各
トランジスタ16,17及び抵抗18を最適に選
べるため動作の最適化が図れる利点がある。トラ
ンジスタ16,17はサイリスタ10aと同等の
働きをするように接続されているので、第1の実
施例と同様の機能を有していることは明らかであ
る。
以上の様に、本考案によれば僅か数点の素子の
追加により従来の欠点が解決され、コンデンサの
ように半導体集積回路化した場合外付けとなる素
子を全く追加せずに特性の向上が図れるため、本
考案の実施的効果が大きい。
また本考案は図面で表した回路接続に限定され
ず、PNPトランジスタをNPNトランジスタに、
NPNトランジスタをPNPトランジスタに入れ、
換えて電源等の極性を逆にして構成した場合も適
用しうことは説明するまでもない。
更にコンデンサとして図面に示した様に負帰還
回路に使われた列をあげたが、ハムリツプルフイ
ルタ等他の目的に使われる大容量コンデンサの場
合も使用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は交流増幅器の従来例を示す回路図、第
2図は本考案の充電回路の基本的構成を示す回路
図、第3図、第4図はそれぞれ本考案に係る第
1、第2の実施例を示す回路図である。 1……交流増幅回路、2,3……帰還素子、4
……コンデンサー、5……入力端子、6……出力
端子、7……帰還端子、10……スイツチング素
子、11……スイツチング素子電流入力端子、1
2……スイツチング素子ゲート端子、13……ス
イツチング素子電流出力端子、14……スイツチ
ング素子外部制御端子、10a………サイリス
タ、15,16,17,19……トランジスタ、
18……抵抗。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 入力端子と帰還端子と出力端子と該出力端子か
    ら該帰還端子に信号を負帰還する少くとも抵抗と
    コンデンサとを含む負帰還回路とを備え、前記コ
    ンデンサの充電電圧に応じて前記帰還端子のバイ
    アス電圧が決まる増幅回路と、前記コンデンサに
    充電電流を供給するサイリスタ構成のスイツチン
    グ素子と、前記スイツチング素子のゲート端子に
    前記コンデンサの充電電位を決める電圧を与え
    て、前記コンデンサへの充電を前記帰還端子のバ
    イアス電圧が前記入力端子のバイアス電圧より所
    定電圧だけ高くなるまで行うように前記スイツチ
    ング素子の導通を制御する手段と、前記コンデン
    サへの充電電流を検出して、充電期間には前記出
    力端子を接地電位に保つ手段とを含むことを特徴
    とする増幅器。
JP5784686U 1986-04-17 1986-04-17 Expired JPS628569Y2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP5784686U JPS628569Y2 (ja) 1986-04-17 1986-04-17

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JP5784686U JPS628569Y2 (ja) 1986-04-17 1986-04-17

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JPS61184313U JPS61184313U (ja) 1986-11-17
JPS628569Y2 true JPS628569Y2 (ja) 1987-02-27

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ID=30582769

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JP5784686U Expired JPS628569Y2 (ja) 1986-04-17 1986-04-17

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JPH0744392B2 (ja) * 1987-03-31 1995-05-15 松下電器産業株式会社 低周波増幅回路

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JPS61184313U (ja) 1986-11-17

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