JPS628493A - 高周波加熱装置 - Google Patents
高周波加熱装置Info
- Publication number
- JPS628493A JPS628493A JP14561985A JP14561985A JPS628493A JP S628493 A JPS628493 A JP S628493A JP 14561985 A JP14561985 A JP 14561985A JP 14561985 A JP14561985 A JP 14561985A JP S628493 A JPS628493 A JP S628493A
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- Japan
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- radio wave
- conductor plate
- heated
- microwave energy
- space
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- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、食品などをマイクロ波エネルギを用いて加熱
調理する高周波加熱装置に関する。
調理する高周波加熱装置に関する。
従来の技術
従来高周波加熱装置において、加熱調理を行なうものの
代表的なものに電子レンジがある。この電子レンジを用
いて解凍調理を行なう場合、被加熱物が冷凍物であるこ
とから、マイクロ波エネルギが被加熱物の内部まで浸透
しにくいこと、被加熱物の表面に局所加熱を生じやすい
ことなどから被加熱物表面での熱伝導を効果的に利用し
た独特のマイクロ波加熱がなされている。
代表的なものに電子レンジがある。この電子レンジを用
いて解凍調理を行なう場合、被加熱物が冷凍物であるこ
とから、マイクロ波エネルギが被加熱物の内部まで浸透
しにくいこと、被加熱物の表面に局所加熱を生じやすい
ことなどから被加熱物表面での熱伝導を効果的に利用し
た独特のマイクロ波加熱がなされている。
また、電子レンジは加熱空間にマイクロ波エネルギを放
射する方式であるため冷凍物に対してマイクロ波エネル
ギを集中させることは不可能であり、さらには放射され
たマイクロ波エネルギの大部分が冷凍物に吸収されるこ
となく加熱空間外の電波発生源側へ反射する。つまシ、
解凍調理に寄与するマイクロ波エネルギ量は、ごくわず
かである。
射する方式であるため冷凍物に対してマイクロ波エネル
ギを集中させることは不可能であり、さらには放射され
たマイクロ波エネルギの大部分が冷凍物に吸収されるこ
となく加熱空間外の電波発生源側へ反射する。つまシ、
解凍調理に寄与するマイクロ波エネルギ量は、ごくわず
かである。
一方、マイクロ波エネルギをマイクロ波伝送空間に集中
させ、このマイクロ波エネルギが集中した空間に被加熱
物を介・在させる技術がある。
させ、このマイクロ波エネルギが集中した空間に被加熱
物を介・在させる技術がある。
このような技術は、マイクロ波伝送路が表面波線路ある
いは遅波９回路と称されるものである。
いは遅波９回路と称されるものである。
この種の技術を高周波加熱装置に応用したものとして特
開昭４９−１６９４４号公報がある。この公報の内容は
、リッジ付ラダー回路を配設し、。
開昭４９−１６９４４号公報がある。この公報の内容は
、リッジ付ラダー回路を配設し、。
このラダー回路の近傍に置かれる被加熱物を加熱する構
成を開示している。しかしながらこれはマイクロ波伝送
路としてリッジ導波管を用いるが故に構造が大きく複雑
になる欠点がある。またマイクロ波エネルギを集中させ
る空間かりッジ導波管上であることからエネルギ集中空
間が制約される欠点がある。
成を開示している。しかしながらこれはマイクロ波伝送
路としてリッジ導波管を用いるが故に構造が大きく複雑
になる欠点がある。またマイクロ波エネルギを集中させ
る空間かりッジ導波管上であることからエネルギ集中空
間が制約される欠点がある。
上記公報の欠点を改良したものとして、特公昭５５−５
１３１２号公報がある。この公報の内容は、交叉指型テ
ープ線路を複数本含む平面状遅波回路を配設し、このテ
ープ線路の近傍におかれる被加熱物を加熱する構成を開
示している。
１３１２号公報がある。この公報の内容は、交叉指型テ
ープ線路を複数本含む平面状遅波回路を配設し、このテ
ープ線路の近傍におかれる被加熱物を加熱する構成を開
示している。
しかしながら、上記公報の明細書からも明らかな様に遅
波回路だけでは、厚みの厚い被加熱物をうまく加熱する
ことができない。このため上記公報は電波発生源が発生
するマイクロ波エネルギの一部を遅波回路と分岐した電
波路系から加熱空間に放射する構成を並用しており、装
置構成の大形化、複雑化に通ずる欠点がある。
波回路だけでは、厚みの厚い被加熱物をうまく加熱する
ことができない。このため上記公報は電波発生源が発生
するマイクロ波エネルギの一部を遅波回路と分岐した電
波路系から加熱空間に放射する構成を並用しており、装
置構成の大形化、複雑化に通ずる欠点がある。
また、上記２つの公報の内容は被加熱物の表面に焦げ目
をつけることを主願とするものであるため、配設したマ
イクロ波伝送線路の近傍空間にマイクロ波エネルギを集
中させ、かつその空間の電界強度を非常に強いものにし
ている。このことも厚みの厚い被加熱物をうまく加熱す
ることが出来ない要因の１つである。
をつけることを主願とするものであるため、配設したマ
イクロ波伝送線路の近傍空間にマイクロ波エネルギを集
中させ、かつその空間の電界強度を非常に強いものにし
ている。このことも厚みの厚い被加熱物をうまく加熱す
ることが出来ない要因の１つである。
発明が解決しようとする問題点
以上のように、従来のマイクロ波エネルギを集中させる
マイクロ波伝送路は、食品表面への焦げ目付けを主目的
とするがために、エネルギ集中空間はマイクロ波伝送路
のとぐ近傍であった。このため厚みの厚い食品全体を加
熱する為には、ＦＪＯ熱空間にマイクロ波エネルギを放
射する別の手段を並用しておシ、装置の構造が複雑にな
ったり大形化する問題点かあフた。
マイクロ波伝送路は、食品表面への焦げ目付けを主目的
とするがために、エネルギ集中空間はマイクロ波伝送路
のとぐ近傍であった。このため厚みの厚い食品全体を加
熱する為には、ＦＪＯ熱空間にマイクロ波エネルギを放
射する別の手段を並用しておシ、装置の構造が複雑にな
ったり大形化する問題点かあフた。
本発明はこのような問題点を解消するものであり、マイ
クロ波エネルギを放射しながら伝送させる簡単な構成の
伝送路を用い食品全体へのマイクロ波エネル帽拡散を行
なうコンパクトな構成め高周波加熱装置を提供するもの
である。
クロ波エネルギを放射しながら伝送させる簡単な構成の
伝送路を用い食品全体へのマイクロ波エネル帽拡散を行
なうコンパクトな構成め高周波加熱装置を提供するもの
である。
問題点を解決するための手段
本発明の高周波加熱装置は、平面状の導体板と、この導
体板の下方に所定の間隔でもって略平行に配設された電
波反射面を有する電波反射材と、導体板および電波反射
材とで囲まれた電波作用空間に対して当該する導体板面
の所定領域に配設されたスロット溝櫂造からなる電波伝
送路と、この電波伝送路に給電する高周波エネルギを発
生させる高周波加熱熱源とを備えだ構成としたものであ
る。
体板の下方に所定の間隔でもって略平行に配設された電
波反射面を有する電波反射材と、導体板および電波反射
材とで囲まれた電波作用空間に対して当該する導体板面
の所定領域に配設されたスロット溝櫂造からなる電波伝
送路と、この電波伝送路に給電する高周波エネルギを発
生させる高周波加熱熱源とを備えだ構成としたものであ
る。
作 用 一
本発明は上記した構成により、電波伝送路のある点に給
電されたマイクロ波エネルギは、電波反射材の影響を受
けて導体板の上方にエネルギの一部を放射しなか“ら導
体板面のスロット溝を伝送する。そしてスロット溝の端
部の構造によりスロット溝には所畑の定在波が生じ、と
の定在波分布によりマイクロ波エネルギの放射分布が決
定される。
電されたマイクロ波エネルギは、電波反射材の影響を受
けて導体板の上方にエネルギの一部を放射しなか“ら導
体板面のスロット溝を伝送する。そしてスロット溝の端
部の構造によりスロット溝には所畑の定在波が生じ、と
の定在波分布によりマイクロ波エネルギの放射分布が決
定される。
この定在波ば、電波伝送路の上方に収容載置される被加
熱物である食品の種類や大きさにより一義的に定まる。
熱物である食品の種類や大きさにより一義的に定まる。
生じた定在波分布のなかで、電圧が最大となるスロット
溝の箇所から特に強いエネルギ放射を生じる。この放射
分布に基づいて食品は誘電加熱される。また導体板およ
び電波反射材で囲まれた電波作用空間は、マイクロ波エ
ネルギの放射および伝送をスロット溝部に限定するよう
に作用するものであり、この電波作用空間を適当に構成
することによりスロット溝部に生じる定在波分布の一義
性を保証するとともに定在波分布の定在比を小さく抑え
ることができ、スロット溝部全体が見かけ上電波放射部
として作用し食品の均一加熱の促進がなされる。
溝の箇所から特に強いエネルギ放射を生じる。この放射
分布に基づいて食品は誘電加熱される。また導体板およ
び電波反射材で囲まれた電波作用空間は、マイクロ波エ
ネルギの放射および伝送をスロット溝部に限定するよう
に作用するものであり、この電波作用空間を適当に構成
することによりスロット溝部に生じる定在波分布の一義
性を保証するとともに定在波分布の定在比を小さく抑え
ることができ、スロット溝部全体が見かけ上電波放射部
として作用し食品の均一加熱の促進がなされる。
実施例
以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて説明す゛る
。
。
第１図は本発明の一実施例を示す高周波加熱装置の一部
切欠断面構成図、第２図は第１図の主要部構成例を示す
図である。
切欠断面構成図、第２図は第１図の主要部構成例を示す
図である。
第１図、第２図において、１は高周波加熱熱源であり、
たとえば固体素子を用いて高周波エネルギの発生を行な
う構成の固体高周波発生器からなる。２はスロット溝構
造からなる電波伝送路３が配された平面状の導体板、４
は電波反射材であり、導体板と所定の間隔でもって略平
行に配設された電波反射面５を有する。６は電波作用空
間であシ、この空間設定の詳細については後述する。電
波反射材は、導体板を電波作用空間の両端部で支持して
いる。７は伝送ケーブルであり、高周波加熱熱源が発生
するマイクロ波エネルギを導体板面の電波伝送路に伝送
給電する。８は食品載置板であり、セラミックあるいは
樹脂材より構成されたものであり、導体板と１〜５Ｈ程
度の間隔で配設されている。９は被加熱物である食品を
収容する加熱室である。１０は食品を加熱室に人出しす
るドア、１１は操作パネル１２は装置本体支持用の足ゴ
ムである。
たとえば固体素子を用いて高周波エネルギの発生を行な
う構成の固体高周波発生器からなる。２はスロット溝構
造からなる電波伝送路３が配された平面状の導体板、４
は電波反射材であり、導体板と所定の間隔でもって略平
行に配設された電波反射面５を有する。６は電波作用空
間であシ、この空間設定の詳細については後述する。電
波反射材は、導体板を電波作用空間の両端部で支持して
いる。７は伝送ケーブルであり、高周波加熱熱源が発生
するマイクロ波エネルギを導体板面の電波伝送路に伝送
給電する。８は食品載置板であり、セラミックあるいは
樹脂材より構成されたものであり、導体板と１〜５Ｈ程
度の間隔で配設されている。９は被加熱物である食品を
収容する加熱室である。１０は食品を加熱室に人出しす
るドア、１１は操作パネル１２は装置本体支持用の足ゴ
ムである。
導体板２は、第２図に示すようなｍＷのスロット溝構造
からなる電波伝送路ａが配されており、伝送ケーブル７
により伝送されるマイクロ波エネルギが電波伝送路の導
体板略中央部に位置する部分に給電されマイクロ波エネ
ルギははソ２分配されて夫々電波伝送路を伝送する。
からなる電波伝送路ａが配されており、伝送ケーブル７
により伝送されるマイクロ波エネルギが電波伝送路の導
体板略中央部に位置する部分に給電されマイクロ波エネ
ルギははソ２分配されて夫々電波伝送路を伝送する。
第２図に示す電波伝送路は伝送路をインターディジタル
型構成としている。伝送路のピッチｐと溝＠ ｗ ｉｄ
ｐ ＝ ２ ｗにて構成している。また同図では電波
伝送路の端部を開放状態としている。このため平面状の
導体板は２つの導体板部１３．１４から構成されており
、導体板Ａ１３は伝送ケーブル７の中心導体に接続され
、導体板Ｂ１４は伝送ケーブルの外部導体に接続されて
いるので以下夫々プラス電極、マイナス電極と呼ぶこと
にする。
型構成としている。伝送路のピッチｐと溝＠ ｗ ｉｄ
ｐ ＝ ２ ｗにて構成している。また同図では電波
伝送路の端部を開放状態としている。このため平面状の
導体板は２つの導体板部１３．１４から構成されており
、導体板Ａ１３は伝送ケーブル７の中心導体に接続され
、導体板Ｂ１４は伝送ケーブルの外部導体に接続されて
いるので以下夫々プラス電極、マイナス電極と呼ぶこと
にする。
前述のように各電極は電波反射材にて支持されている為
直流的には同電位である。このような構成において、マ
イクロ波エネルギを効果的に放射伝送させる機構として
電波作用空間１５を設けている。この電波作用空間を得
るためにプラス電極１３は電波伝送路の端部Ｅからプラ
ス電極支持部端面Ｆ側を見た電波的インピーダンスが無
限大となる様に構成される。実施例の場合のように、プ
ラス電極と電波反射面を略平行に構成すれば、長さｌは
使用電波波長の４分の１に選ぶことになる。
直流的には同電位である。このような構成において、マ
イクロ波エネルギを効果的に放射伝送させる機構として
電波作用空間１５を設けている。この電波作用空間を得
るためにプラス電極１３は電波伝送路の端部Ｅからプラ
ス電極支持部端面Ｆ側を見た電波的インピーダンスが無
限大となる様に構成される。実施例の場合のように、プ
ラス電極と電波反射面を略平行に構成すれば、長さｌは
使用電波波長の４分の１に選ぶことになる。
一方マイナス電極は電波伝送路の端部Ｇをマイナス電極
支持部端面と一致させている。
支持部端面と一致させている。
以上の様な構成により各電極と電波反射面とかつくる空
間では、マイクロ波エネルギの存在が電波作用空間１５
に限定されることになる。
間では、マイクロ波エネルギの存在が電波作用空間１５
に限定されることになる。
この為、電波伝送路を導体板面方向以外に伝送する高周
波エネルギの中で電極の下方に伝送するエネルギは電波
反射面あるいは電波作用空間め影響を受け、導体板面内
に設けられた電波伝送路を見かけ上の放射アンテナと見
なして被加熱物の方向に高周波エネルギが伝送されるこ
とになる。このエネルギと電波伝送路を導体板面方向に
伝送するエネルギとの相互関係により被加熱物である食
品が効果的に均一加熱されるものである。
波エネルギの中で電極の下方に伝送するエネルギは電波
反射面あるいは電波作用空間め影響を受け、導体板面内
に設けられた電波伝送路を見かけ上の放射アンテナと見
なして被加熱物の方向に高周波エネルギが伝送されるこ
とになる。このエネルギと電波伝送路を導体板面方向に
伝送するエネルギとの相互関係により被加熱物である食
品が効果的に均一加熱されるものである。
以上の構成において、電波周波数を９１５ＭＨ２゜ｐ＝
２ｗ＝２０ｆｆｆｆ ＋ １１ ＝ ８２１１Ｎ 、電
波作用空間をＥＧ間寸法１５Ｑｆｆ、長手方向２７Ｏｆ
ｆＪｆｌ電波反射面と電極の間隔１０ ”ｗ ＋食品載
置板としてネオ上ラ被加熱物、肢加熱物として肉（１５
０Ｘ２２０ＸｔｌＱｆｆ）を用い、マイクロ波エネルギ
６０ ｗ 。
２ｗ＝２０ｆｆｆｆ ＋ １１ ＝ ８２１１Ｎ 、電
波作用空間をＥＧ間寸法１５Ｑｆｆ、長手方向２７Ｏｆ
ｆＪｆｌ電波反射面と電極の間隔１０ ”ｗ ＋食品載
置板としてネオ上ラ被加熱物、肢加熱物として肉（１５
０Ｘ２２０ＸｔｌＱｆｆ）を用い、マイクロ波エネルギ
６０ ｗ 。
６分加熱をした時、被加熱物下面での温度分布差４．５
度、被加熱物上下面の温度差２．５度を得た。
度、被加熱物上下面の温度差２．５度を得た。
なお加熱室空間に対し電波作用空間を拡げる手段として
プラス電極と電波反射面との関係に、上記実施例で示し
た略平行構成をテーパ構成、ステップ状構成などに変更
すれば長さｌを短縮化できることは周知のとおりである
。
プラス電極と電波反射面との関係に、上記実施例で示し
た略平行構成をテーパ構成、ステップ状構成などに変更
すれば長さｌを短縮化できることは周知のとおりである
。
発明の効果
以上のように本発明の高周波加熱装置は、以下の効果を
奏−する。
奏−する。
（１）エネルギ伝送路と放射系を平面構成でき構造が簡
単である。
単である。
俊）励振系、給電系の機構が簡単である。
（３） −エネルギ集中空間を広範囲にすることがで
きる。
きる。
に）装置本体をコンパクトに構成することができる。
（５） 均一加熱が促進できる。
第１図は本発明の一実施例を示す高周波加熱装置の一部
切欠断面構成図、第２図は第１図主要部の平面図である
。 １・・・・・・高周波加熱熱源、２．１３，１４・・・
・・・導体板、３・・・・・・電波伝送路、４・・・・
・・電波反射材、５・・・・・・電波反射面、６，１５
・・・・・・電波作用空間、９・・・・・・加熱室。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名７−
−−高戸」６劾ロ墾りに ２−−一導体板 ５−一一電浪及肘ｉ ６一−−電フ友ｆ′￥用空１間 、 ７−一一カロ熊１ε
切欠断面構成図、第２図は第１図主要部の平面図である
。 １・・・・・・高周波加熱熱源、２．１３，１４・・・
・・・導体板、３・・・・・・電波伝送路、４・・・・
・・電波反射材、５・・・・・・電波反射面、６，１５
・・・・・・電波作用空間、９・・・・・・加熱室。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名７−
−−高戸」６劾ロ墾りに ２−−一導体板 ５−一一電浪及肘ｉ ６一−−電フ友ｆ′￥用空１間 、 ７−一一カロ熊１ε
Claims (1)
- 被加熱物を収容する加熱室と、平面状の導体板と、前記
導体板の下方に所定の間隔でもって略平行に配設された
電波反射面を有する電波反射材と、前記導体板および前
記電波反射材とで囲まれた電波作用空間に対して当該す
る前記導体板面の所定領域に配設されたスロット溝構造
からなる電波伝送路と、前記電波伝送路に給電する高周
波エネルギを発生させる高周波加熱熱源とを備えた高周
波加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14561985A JPS628493A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 高周波加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14561985A JPS628493A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 高周波加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628493A true JPS628493A (ja) | 1987-01-16 |
Family
ID=15389207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14561985A Pending JPS628493A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 高周波加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS628493A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014087666A1 (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | パナソニック株式会社 | マイクロ波処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS555839A (en) * | 1978-06-30 | 1980-01-17 | Toshiba Corp | Impregnation die for liquid thermosetting resin compound |
-
1985
- 1985-07-02 JP JP14561985A patent/JPS628493A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS555839A (en) * | 1978-06-30 | 1980-01-17 | Toshiba Corp | Impregnation die for liquid thermosetting resin compound |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014087666A1 (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | パナソニック株式会社 | マイクロ波処理装置 |
| CN104604331A (zh) * | 2012-12-07 | 2015-05-06 | 松下知识产权经营株式会社 | 微波处理装置 |
| EP2931007A4 (en) * | 2012-12-07 | 2015-12-23 | Panasonic Ip Man Co Ltd | MICROWAVE PROCESSING DEVICE |
| JPWO2014087666A1 (ja) * | 2012-12-07 | 2017-01-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | マイクロ波処理装置 |
| CN104604331B (zh) * | 2012-12-07 | 2017-04-05 | 松下知识产权经营株式会社 | 微波处理装置 |
| US9876481B2 (en) | 2012-12-07 | 2018-01-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Microwave processing device |
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