JPS6284096A - ホスホルアミダイト化合物及びその製造法 - Google Patents
ホスホルアミダイト化合物及びその製造法Info
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- JPS6284096A JPS6284096A JP60223138A JP22313885A JPS6284096A JP S6284096 A JPS6284096 A JP S6284096A JP 60223138 A JP60223138 A JP 60223138A JP 22313885 A JP22313885 A JP 22313885A JP S6284096 A JPS6284096 A JP S6284096A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Saccharide Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は新規なヌクレオシドホスホルアミダイト化合物
及びその製造法に関し、さらに詳しくは、リン酸部分の
水酸基及び塩基部分のアミノ基の保護基としてそれぞれ
β−開裂によって脱離する保護基及びアリルオキシカル
ボニル型残基を有する％ｍなヌクレオシドホスホルアミ
ダイト化合物及びその製造法に関する。
及びその製造法に関し、さらに詳しくは、リン酸部分の
水酸基及び塩基部分のアミノ基の保護基としてそれぞれ
β−開裂によって脱離する保護基及びアリルオキシカル
ボニル型残基を有する％ｍなヌクレオシドホスホルアミ
ダイト化合物及びその製造法に関する。
（従来の技術）
最近の遺伝子工学の発展に伴い、その重要な素材である
ＤＮＡ （デオキシリポ核酸）やＲＮＡ （すＩ核酸）
などのポリヌクレオチドを化学的に合成する方法の研究
が盛んに行われている。
ＤＮＡ （デオキシリポ核酸）やＲＮＡ （すＩ核酸）
などのポリヌクレオチドを化学的に合成する方法の研究
が盛んに行われている。
従来、Ｉリヌクレオチドの化学合成法としてリン酸ジエ
ステル法、リン酸トリエステル法、ホスファイト法など
の手法が知られているが、いずれの方法の場合も副反応
をさけるためにリン酸部分の水酸基及びヌクレオシド塩
基のアミン基を保護したのち縮合反応に供されている。
ステル法、リン酸トリエステル法、ホスファイト法など
の手法が知られているが、いずれの方法の場合も副反応
をさけるためにリン酸部分の水酸基及びヌクレオシド塩
基のアミン基を保護したのち縮合反応に供されている。
このうち水酸基の保護基に関して、最近、従来から賞月
されてきたメチル基に代えてβ−シアンエチル基、β−
ハロダノエチル基、β−ニトロエチル基などのどときβ
−開裂によって脱離する保護基を用いる方法が開発され
ている（例えば匍８５１００８１６、テトラヘドロン・
レタース第２４巻、第５２号、第５８４３〜５８４６頁
など）。
されてきたメチル基に代えてβ−シアンエチル基、β−
ハロダノエチル基、β−ニトロエチル基などのどときβ
−開裂によって脱離する保護基を用いる方法が開発され
ている（例えば匍８５１００８１６、テトラヘドロン・
レタース第２４巻、第５２号、第５８４３〜５８４６頁
など）。
この方法によれば、メチル基に比較して脱保護が容易な
ため従来法の難点であったチオフェノール処理を回避す
ることができ、また固相合成法に適用する場合には担体
をアンモニア処理によって除去する際に同時にリン酸部
分の水酸基の脱保護も行えるという利点を有する。
ため従来法の難点であったチオフェノール処理を回避す
ることができ、また固相合成法に適用する場合には担体
をアンモニア処理によって除去する際に同時にリン酸部
分の水酸基の脱保護も行えるという利点を有する。
しかし、この方法の場合にはアミノ基の保護基としてベ
ンゾイル基、インブチリル基などが用いられておシ、そ
れらの保護基を除去するためには熱アンモニア水で長時
間にわたって処理しなければならないという問題があっ
た。
ンゾイル基、インブチリル基などが用いられておシ、そ
れらの保護基を除去するためには熱アンモニア水で長時
間にわたって処理しなければならないという問題があっ
た。
（発明が解決しようとする問題点）
そこで本発明者らはかかる従来技術の欠点を解決すべく
鋭意検討の結果、水酸基の保護基としてβ−開裂によっ
て脱離する保護基を使用することに加えてアミン基の保
護基としてアリルオキシカルテニル凰残基を使用すると
、緩和な条件下で速やかに脱保護可能であり、しかもポ
リヌクレオチド合成反応の過程ではきわめて安定なこと
を見い出し、本発明を完成するに到った。
鋭意検討の結果、水酸基の保護基としてβ−開裂によっ
て脱離する保護基を使用することに加えてアミン基の保
護基としてアリルオキシカルテニル凰残基を使用すると
、緩和な条件下で速やかに脱保護可能であり、しかもポ
リヌクレオチド合成反応の過程ではきわめて安定なこと
を見い出し、本発明を完成するに到った。
（問題点を解決するための手段）
かくして本発明によれば、第一の発明として下記一般式
（１）で表わされるホスホルアミダイト化合物が提供さ
れ、第二の発明として下記一般式〔■〕で表わされるヌ
クレオシド類と下記一般式［ｎ［）で表わされるリンア
ミド化合物とを反応させることを特徴とする前記一般式
〔Ｉ〕で表わされるホスホルアミダイト化合物の製造法
が提供される。
（１）で表わされるホスホルアミダイト化合物が提供さ
れ、第二の発明として下記一般式〔■〕で表わされるヌ
クレオシド類と下記一般式［ｎ［）で表わされるリンア
ミド化合物とを反応させることを特徴とする前記一般式
〔Ｉ〕で表わされるホスホルアミダイト化合物の製造法
が提供される。
（式中、Ｒ１及びＲ２は保護基を有する水酸基または一
０Ｒ４を表わし、Ｒ３は水素原子、保護基を有す表わし
、Ｘは２級アミ７基、Ｒ５はβ−開裂によって脱離する
保護基を表わし１．Ｒ１，Ｒ２及びＲ３のいずれか一つ
のみが一０Ｒ４であり、Ｂ はアミノ基もしくはイミ
ノ基がアリルオキシカＡ／ボニルＷＭ基で保護されたヌ
クレオシド塩基の残基を表わす。）（式中、Ｈ１／及び
Ｒ２′は保護基を有していてもよい水酸基を表わし、Ｈ
５／は水素原子または保護基を有していてもよい水酸基
を表わし、Ｒ，／ 、 Ｈ２／及びＢ１１のいずれか一
つのみが水酸基であり、ｎＡｏｃ 、 ｘ及びＲ５は前
記と同じであり、Ｙは２級アミノ基またはハロダン原子
を表わす。） 本発明のヌクレオシドホスホルアミダイト化合物は、リ
ン酸部分の水酸基がβ−開裂によって脱離する保護基で
保護され、かつヌクレオシド塩基中にアミノ基もしくは
イミノ基がアリルオキシカルｙ３？ニル凰残基で保護さ
れたものである。
０Ｒ４を表わし、Ｒ３は水素原子、保護基を有す表わし
、Ｘは２級アミ７基、Ｒ５はβ−開裂によって脱離する
保護基を表わし１．Ｒ１，Ｒ２及びＲ３のいずれか一つ
のみが一０Ｒ４であり、Ｂ はアミノ基もしくはイミ
ノ基がアリルオキシカＡ／ボニルＷＭ基で保護されたヌ
クレオシド塩基の残基を表わす。）（式中、Ｈ１／及び
Ｒ２′は保護基を有していてもよい水酸基を表わし、Ｈ
５／は水素原子または保護基を有していてもよい水酸基
を表わし、Ｒ，／ 、 Ｈ２／及びＢ１１のいずれか一
つのみが水酸基であり、ｎＡｏｃ 、 ｘ及びＲ５は前
記と同じであり、Ｙは２級アミノ基またはハロダン原子
を表わす。） 本発明のヌクレオシドホスホルアミダイト化合物は、リ
ン酸部分の水酸基がβ−開裂によって脱離する保護基で
保護され、かつヌクレオシド塩基中にアミノ基もしくは
イミノ基がアリルオキシカルｙ３？ニル凰残基で保護さ
れたものである。
前記式中、Ｒ１及びＲ２は保護基を有する水酸基または
一〇′Ｒ４であシ、保護基はヌクレオシド化学において
一般的に用いられているものであればいずれでもよい。
一〇′Ｒ４であシ、保護基はヌクレオシド化学において
一般的に用いられているものであればいずれでもよい。
その具体例として、例えはトリチル基、モノメトキシト
リチル基、ジメトキシトリチル基、トリメチルシリル基
、トリエチルシリル基、トリフェニルシリル基、ｔ−ブ
チルジメチルシリル基、テトラヒドロピラニル基、４−
メトキシテトラヒドロフラニル基、ベンゾイル基、ベン
ジル基、テトラヒドロフラニル基、メトキシメチル基、
メトキシエトキシメチル基、フェノキシメチル基、メチ
ルチオメチル基、フェニルチオメチル基などが例示され
る。
リチル基、ジメトキシトリチル基、トリメチルシリル基
、トリエチルシリル基、トリフェニルシリル基、ｔ−ブ
チルジメチルシリル基、テトラヒドロピラニル基、４−
メトキシテトラヒドロフラニル基、ベンゾイル基、ベン
ジル基、テトラヒドロフラニル基、メトキシメチル基、
メトキシエトキシメチル基、フェノキシメチル基、メチ
ルチオメチル基、フェニルチオメチル基などが例示され
る。
基である。ここでＲ５はβ−開裂によって脱離する保護
基、すなわち下記一般式〔■〕で示される保護基を表わ
す。
基、すなわち下記一般式〔■〕で示される保護基を表わ
す。
Ｙ
Ｙ
式中、Ｙは水素原子のほかメチル基、エチル基などの低
級アルキル基を表わし、また２は電子吸引性残基を表わ
し、その具体例としてシアン基、干 ニトロ基、ジオシアノ基、弗素、塩基、臭素などのハロ
ゲン原子、フェニルスルホニル基、メチルスルホニル基
、フェニル基などが例示される。この際、フェニル基部
分のオルト−位及び／又はバラ−位にはハログ／、シア
ン基、ニトロ基などの置換基を有していてもよい。
級アルキル基を表わし、また２は電子吸引性残基を表わ
し、その具体例としてシアン基、干 ニトロ基、ジオシアノ基、弗素、塩基、臭素などのハロ
ゲン原子、フェニルスルホニル基、メチルスルホニル基
、フェニル基などが例示される。この際、フェニル基部
分のオルト−位及び／又はバラ−位にはハログ／、シア
ン基、ニトロ基などの置換基を有していてもよい。
これらの保護基のなかでもＺがシアン基のものが好まし
く、とくにβ−シアノエチル基が賞月される。
く、とくにβ−シアノエチル基が賞月される。
またＸで表わされる２級アミン基の具体例としては、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルア
ミノ基、ジ−ｔ−ブチルアミノ基、メチルプロピルアミ
ノ基、メチルへキシルアミノ基、メチルシクロヘキシル
アミノ基、エチルベンジルアミノ基、モルホリノ基、チ
オモルホリフ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、２，６
−シメチルピペリジノ基、ピペリジノ基、イミダゾリノ
基、ピロリノ基などが例示され、炭素数１０以下のもの
が賞月される。
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルア
ミノ基、ジ−ｔ−ブチルアミノ基、メチルプロピルアミ
ノ基、メチルへキシルアミノ基、メチルシクロヘキシル
アミノ基、エチルベンジルアミノ基、モルホリノ基、チ
オモルホリフ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、２，６
−シメチルピペリジノ基、ピペリジノ基、イミダゾリノ
基、ピロリノ基などが例示され、炭素数１０以下のもの
が賞月される。
さらにＹはＸと同様の２級アミン基の他、塩素、臭素、
沃素などのハロゲン原子であり、なかでも２級アミノ基
が好ましい。
沃素などのハロゲン原子であり、なかでも２級アミノ基
が好ましい。
またＲ５は水素原子、保護基を有する水酸基または一０
Ｒ４であり、保護基及びＲ４の内容は前記と同様である
。
Ｒ４であり、保護基及びＲ４の内容は前記と同様である
。
本発明のヌクレオシドホスホルアミダイトは、ポリヌク
レオチドの合成用モノマーとして用いられるものであシ
、そのためＲ５，Ｒ２またはＲ３のいずれか一つにのみ
一０Ｒ４が導入されている。
レオチドの合成用モノマーとして用いられるものであシ
、そのためＲ５，Ｒ２またはＲ３のいずれか一つにのみ
一０Ｒ４が導入されている。
さらＫＢ ｉｄアミノ基もしくはイミノ基がアリルオ
キシカル対？ニル型残基で保護されたヌクレオシド塩基
の残基である。ヌクレオシド塩基を有するヌクレオシド
の具体例としては、例えばデオキシアデノシン、デオキ
シグアノシン、デオキシシチジン、チミジン、アデノシ
ン、グアノシン、シチジン、ウリジン、イノシンなどが
例示される。
キシカル対？ニル型残基で保護されたヌクレオシド塩基
の残基である。ヌクレオシド塩基を有するヌクレオシド
の具体例としては、例えばデオキシアデノシン、デオキ
シグアノシン、デオキシシチジン、チミジン、アデノシ
ン、グアノシン、シチジン、ウリジン、イノシンなどが
例示される。
塩基部分のアミノ基の保護基として用いられるアリルオ
キシカルがニル型残基は、脱保護反応を本質的に損わな
いものであればいずれでもよく、その具体例として、ア
リルオキシカルボニル基、メタリルオキシカルメニル基
、クロチルオキシカル？ニル基、ｆレニルオキシカルデ
ニル基、シンナミルオキシカルブニル基、ｐ−クロロシ
ンナミルオキシカルボニル基、クロロアリルオキシカル
ｙｐニル基などが例示される。
キシカルがニル型残基は、脱保護反応を本質的に損わな
いものであればいずれでもよく、その具体例として、ア
リルオキシカルボニル基、メタリルオキシカルメニル基
、クロチルオキシカル？ニル基、ｆレニルオキシカルデ
ニル基、シンナミルオキシカルブニル基、ｐ−クロロシ
ンナミルオキシカルボニル基、クロロアリルオキシカル
ｙｐニル基などが例示される。
アリルオキシカルボニル基残基の炭素数は反応後に生ず
る副生物の分離や原料入手の容易性などを考慮して適宜
選択すればよいが、通常は炭素数１２以下のものが用い
られる。
る副生物の分離や原料入手の容易性などを考慮して適宜
選択すればよいが、通常は炭素数１２以下のものが用い
られる。
本発明のホスホルアミダイト化合物は前記−数式［１１
）で表わされるヌクレオシド類と前記一般式［ＩＤで表
わされるリンアミド化合物を反応させることによって得
ることができる。
）で表わされるヌクレオシド類と前記一般式［ＩＤで表
わされるリンアミド化合物を反応させることによって得
ることができる。
一般式〔■〕のＲ，’ 、 Ｒ２’及びＲ３′のいずれ
か１つは水酸基であり、それらが保護基を有する水酸基
である場合には、その保護基として前記のものと同様の
ものが用いられる。
か１つは水酸基であり、それらが保護基を有する水酸基
である場合には、その保護基として前記のものと同様の
ものが用いられる。
また一般式〔■〕のＸは前記と同様であシ、さらにＹは
Ｘと同様の２級アミノ基の他、塩素、臭素、沃素などの
ハロダン原子であ）、なかでも２級アミノ基が好ましい
。
Ｘと同様の２級アミノ基の他、塩素、臭素、沃素などの
ハロダン原子であ）、なかでも２級アミノ基が好ましい
。
本発明で用いられるヌクレオシド類は未保護のヌクレオ
シドにクロロ炭酸アリル、ブロム炭酸アリル、アリル（
１−ペンシトリアゾイル）カーがネートなどのアリル化
剤をトリエチルアミン、ｎ−ブチルリチウムなどのごと
き塩基の存在下にテトラヒドロフラン、ヘキサメチルホ
スホリットトリアミドなどのごとき溶剤中で反応させる
ことによりて容易に得ることができる。
シドにクロロ炭酸アリル、ブロム炭酸アリル、アリル（
１−ペンシトリアゾイル）カーがネートなどのアリル化
剤をトリエチルアミン、ｎ−ブチルリチウムなどのごと
き塩基の存在下にテトラヒドロフラン、ヘキサメチルホ
スホリットトリアミドなどのごとき溶剤中で反応させる
ことによりて容易に得ることができる。
またリンアミド化合物は、３塩化リンに代表されるハロ
ゲン化リンに下記一般式［Ｖ］で示されるアルコールを
反応させたのち、エーテルなどのごとき適当な溶媒中で
２級アミンと反応させることによって容易に得ることが
できる。
ゲン化リンに下記一般式［Ｖ］で示されるアルコールを
反応させたのち、エーテルなどのごとき適当な溶媒中で
２級アミンと反応させることによって容易に得ることが
できる。
本発明におけるホスホルアミダイト化合物の製法は、原
料として前記一般式（Ｉｔ）及び〔■〕で表わされるヌ
クレオシド類とリンアミド化合物を使用すること以外、
常法に従って行われる。
料として前記一般式（Ｉｔ）及び〔■〕で表わされるヌ
クレオシド類とリンアミド化合物を使用すること以外、
常法に従って行われる。
例えば前者１モル当り後者１〜３モルを仕込み、テトラ
ヒドロフラン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド
、ジクロロメタン、ジメチルスルホキシドなどのごとき
溶剤の存在下に０〜４０℃で１〜５時間反応することに
よって目的とするホスホルアミダイト化合物を効率よく
得ることができる。
ヒドロフラン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド
、ジクロロメタン、ジメチルスルホキシドなどのごとき
溶剤の存在下に０〜４０℃で１〜５時間反応することに
よって目的とするホスホルアミダイト化合物を効率よく
得ることができる。
反応液中からの生成物の単離・精製は、通常の有機合成
反応の手段である吸着クロマトグラフ（−やイオン交換
クロマトグラフィーあるいは有機溶媒による分配や結晶
化など公知の手段を適宜に選択し、あるいは組み合わせ
て実施することが可能である。
反応の手段である吸着クロマトグラフ（−やイオン交換
クロマトグラフィーあるいは有機溶媒による分配や結晶
化など公知の手段を適宜に選択し、あるいは組み合わせ
て実施することが可能である。
（発明の効果）
かくして得られる本発明のホスホルアミダイト化合物は
、リン酸部分の水酸基とヌクレオシド塩基のアミノ基も
しくはイミノ基の双方の保護基を緩和な条件下で速やか
に除去することができる。
、リン酸部分の水酸基とヌクレオシド塩基のアミノ基も
しくはイミノ基の双方の保護基を緩和な条件下で速やか
に除去することができる。
例えば、かかるホスホルアミダイト化合物を所定の反応
に供したのち、ホスファイト部分をホスフェートに酸化
し、しかるのち０価のＩＪ？ラジウム化合物とアミンや
蟻酸塩に代表される求核試剤を用いて中性条件下に処理
すると、室温で短時間のうちにヌクレオシド塩基部分の
保護基を除去することができる。
に供したのち、ホスファイト部分をホスフェートに酸化
し、しかるのち０価のＩＪ？ラジウム化合物とアミンや
蟻酸塩に代表される求核試剤を用いて中性条件下に処理
すると、室温で短時間のうちにヌクレオシド塩基部分の
保護基を除去することができる。
また水酸基部分の脱保護はアンモニア水を用いて室温で
０．１〜５時間処理することによシ容易に行うことがで
きる。とくに担体を用いる固相合成法の場合には、上記
処理中に担体からの切断も同時に行うことができる。
０．１〜５時間処理することによシ容易に行うことがで
きる。とくに担体を用いる固相合成法の場合には、上記
処理中に担体からの切断も同時に行うことができる。
またβ−開裂によって脱離する保護基及びアリルオキシ
カルボニル型残基は糖部水酸基の脱保護反応で用いられ
る一般的な条件（例えばトリクロロ酢酸による５′−水
酸基の脱保護やテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフロリ
ドによる３′−水酸基の脱保護など）下できわめて安定
に存在する。
カルボニル型残基は糖部水酸基の脱保護反応で用いられ
る一般的な条件（例えばトリクロロ酢酸による５′−水
酸基の脱保護やテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフロリ
ドによる３′−水酸基の脱保護など）下できわめて安定
に存在する。
（実施例）
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する
。
。
参考例１
ジイソプロピルアミン１５６ミリモルをエーテル８０ミ
リリツトルに溶解したのち、３塩化リン１当量にβ−シ
アンエタノール１当量を有機溶剤中−５℃で３時間反応
させ１１０〜１１２℃／９ｗＨｇの留分をあつめて得た
β−シアノエトキシジクロロホスフィン３４，７ミリモ
ルを加えて室温で１２時間攪拌した。反応後、生成した
ジイソプロピルアンモニウムクロライドを戸別し、エー
テル溶液を蒸留し油状のβ−シアノエトキシモノクロロ
（Ｎ、Ｎ−ジイソプロピルアミノ）ホスフィンを得た。
リリツトルに溶解したのち、３塩化リン１当量にβ−シ
アンエタノール１当量を有機溶剤中−５℃で３時間反応
させ１１０〜１１２℃／９ｗＨｇの留分をあつめて得た
β−シアノエトキシジクロロホスフィン３４，７ミリモ
ルを加えて室温で１２時間攪拌した。反応後、生成した
ジイソプロピルアンモニウムクロライドを戸別し、エー
テル溶液を蒸留し油状のβ−シアノエトキシモノクロロ
（Ｎ、Ｎ−ジイソプロピルアミノ）ホスフィンを得た。
収率は７３モルチであった。沸点は１０２〜１０４℃（
０，０８ｍＨｇ ）でｈ−ｚた。
０，０８ｍＨｇ ）でｈ−ｚた。
実施例１
５′−ｏ−ジメトキシトリチルデオキシシチジンにアリ
ル（１−ペンシトリアゾイル）カーゲネートを反応させ
て得た５′−〇−ジメトキシトリチルーＮ−アリルオキ
シデオキシシテジ／１．５ミリモル及び１−Ｈ−テトラ
ゾール１．５６ミリモルをテトラヒドロフラン：アセト
ニトリル＝１：１の混合溶剤１２ミリリツトルに溶解し
たのち、β−シアノエトキシモノクロロ（Ｎ、Ｎ−ジイ
ソプロピルアミノ）ホスフィン２．２５ミリモルを０℃
で加え、次いで２５℃で１．５時間攪拌した。
ル（１−ペンシトリアゾイル）カーゲネートを反応させ
て得た５′−〇−ジメトキシトリチルーＮ−アリルオキ
シデオキシシテジ／１．５ミリモル及び１−Ｈ−テトラ
ゾール１．５６ミリモルをテトラヒドロフラン：アセト
ニトリル＝１：１の混合溶剤１２ミリリツトルに溶解し
たのち、β−シアノエトキシモノクロロ（Ｎ、Ｎ−ジイ
ソプロピルアミノ）ホスフィン２．２５ミリモルを０℃
で加え、次いで２５℃で１．５時間攪拌した。
飽和重炭酸す） ＩＪウム水で洗浄した酢酸エチルで希
釈したのち、飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネ
シウムで乾燥したのち濃縮した。次いで残渣をトルエン
：ヘキサン（３：１）混合溶剤に溶解し、−７８℃で激
しく攪拌しながらヘキサン中に加え析出させ、析出物を
濾過によりて分離した。収率は６５％であった。この析
出物を分析したところ、物性値は以下のとうシであり、
下記のホスホルアミダイト（化合物１）であることが判
明した。
釈したのち、飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネ
シウムで乾燥したのち濃縮した。次いで残渣をトルエン
：ヘキサン（３：１）混合溶剤に溶解し、−７８℃で激
しく攪拌しながらヘキサン中に加え析出させ、析出物を
濾過によりて分離した。収率は６５％であった。この析
出物を分析したところ、物性値は以下のとうシであり、
下記のホスホルアミダイト（化合物１）であることが判
明した。
（化合物１）
０元素分析値（Ｃ４３Ｈ５□０．Ｎ５Ｐ）Ｃａｌｃｄ、
Ｃ６３，５Ｈ６，４０Ｎ８．６１Ｆｏｕｎｄ、
Ｃ６３，３Ｈ６，４６Ｎ８．５７ｏ１Ｈ−ＮＭＲ（
ＣＤＣｌ２） ４．０４ 、４．２２ （Ｐ−ＯＣＲ２）、３．８１
（Ｎ （ＣＨ） ）、 ２．７９（−ＣＨ３ＣＮ） 、
１．３０ （−ＮＣ（ＣＨ３）２）、２．０６〜２．３
５（ＩＨ（２’）） 、 ２．５５（ＩＨ（２’）
）、 ３．３０（１）（（５つ）、３．５５（Ｉ
Ｈ（５’）） 、３．８４（６１（（２０ＣＨ３） ）
、 ３．９０〜実施例２ ５′−〇−ジメトキシトリチルーＮ−アリルオキシカル
ゲニル−２′−デオキシアデノシン０．２ミリモル及び
１−Ｈ−テトラゾール０．２１ミリモルをアセトニトリ
ル２ミリリットルに溶解したのち、アリルオキシモノク
ロロ（ジイソプロピルアミノ）ホスフィン０．３ミリモ
ルを加え、２５℃で１．５時間攪拌した。その後の処理
は実施例１に準じて行い、下記のホスホルアミダイト（
化合物２）を６２チの収率で得た。物性値は以下のとう
りである。
Ｃ６３，５Ｈ６，４０Ｎ８．６１Ｆｏｕｎｄ、
Ｃ６３，３Ｈ６，４６Ｎ８．５７ｏ１Ｈ−ＮＭＲ（
ＣＤＣｌ２） ４．０４ 、４．２２ （Ｐ−ＯＣＲ２）、３．８１
（Ｎ （ＣＨ） ）、 ２．７９（−ＣＨ３ＣＮ） 、
１．３０ （−ＮＣ（ＣＨ３）２）、２．０６〜２．３
５（ＩＨ（２’）） 、 ２．５５（ＩＨ（２’）
）、 ３．３０（１）（（５つ）、３．５５（Ｉ
Ｈ（５’）） 、３．８４（６１（（２０ＣＨ３） ）
、 ３．９０〜実施例２ ５′−〇−ジメトキシトリチルーＮ−アリルオキシカル
ゲニル−２′−デオキシアデノシン０．２ミリモル及び
１−Ｈ−テトラゾール０．２１ミリモルをアセトニトリ
ル２ミリリットルに溶解したのち、アリルオキシモノク
ロロ（ジイソプロピルアミノ）ホスフィン０．３ミリモ
ルを加え、２５℃で１．５時間攪拌した。その後の処理
は実施例１に準じて行い、下記のホスホルアミダイト（
化合物２）を６２チの収率で得た。物性値は以下のとう
りである。
０元素分析値（Ｃ４４Ｈ５５０８Ｎ７Ｐ）Ｃａｌｃｄ、
Ｃ６３，Ｉ Ｈ６，２１Ｎ１１．７Ｆｏｕｎｄ、
Ｃ６３，ＯＨ６，２９Ｎ１１．００ ’Ｈ−ＮＭＲ
（ＣＤＣ／、３） ３．４１（２Ｈ（５’））、３．７０（３Ｈ（ＯＣＲ，
））、４．１５（ＩＨ（４′）、４．７６ （２Ｈ（ａ
ｌｌｙｌ ）） 、 ５．２０〜５．５０ （２）１６
．５５〜７．４１（１４Ｈ（Ａｒ））、８．３７（ＩＨ
）、８．４７（ＩＨ（ａｍｉｄｅ） ）、８．６８（Ｉ
Ｈ）参考例２ （二量体の合成） 実施例１で得た化合物１３．１２ミ’Ｊモルをテトラヒ
ドロフラン：アセトニトリル＝１：２の混合溶剤１５ミ
リリツトルに溶解したのち、３′−〇−ｔ−プチブチメ
チルシリルチミノン２．８６ミリモルと１−Ｈ−テトラ
ゾール３．４２ミリモルを加え、２０℃で２時間攪拌し
た。
Ｃ６３，Ｉ Ｈ６，２１Ｎ１１．７Ｆｏｕｎｄ、
Ｃ６３，ＯＨ６，２９Ｎ１１．００ ’Ｈ−ＮＭＲ
（ＣＤＣ／、３） ３．４１（２Ｈ（５’））、３．７０（３Ｈ（ＯＣＲ，
））、４．１５（ＩＨ（４′）、４．７６ （２Ｈ（ａ
ｌｌｙｌ ）） 、 ５．２０〜５．５０ （２）１６
．５５〜７．４１（１４Ｈ（Ａｒ））、８．３７（ＩＨ
）、８．４７（ＩＨ（ａｍｉｄｅ） ）、８．６８（Ｉ
Ｈ）参考例２ （二量体の合成） 実施例１で得た化合物１３．１２ミ’Ｊモルをテトラヒ
ドロフラン：アセトニトリル＝１：２の混合溶剤１５ミ
リリツトルに溶解したのち、３′−〇−ｔ−プチブチメ
チルシリルチミノン２．８６ミリモルと１−Ｈ−テトラ
ゾール３．４２ミリモルを加え、２０℃で２時間攪拌し
た。
次いで一７８℃に冷却し、二酸化窒素４．８６ミリモル
のジクロロメタン溶液を加え、３０分間酸化したのち、
０．５モル亜硫酸ナトリウム水溶液３０ミリリツトルを
加えた。室温に戻したのち、クロロホルムと飽和食塩水
を加え、分離した水層をクロロホルムで抽出した。乾燥
後、クロマトグラフィー（シリカゲル１２０Ｉ、メタノ
ール：クロロホルム＝ｔ：３ｏ−１：２０）によシ分離
し、β−シアノエチル−５′−〇−ジメトキシトリチル
シチジリル−（３′→５’）−３’−ｏ−ｔ−ブチルジ
メチルシリルチミジン（化合物見）を８０％の収率で得
た。
のジクロロメタン溶液を加え、３０分間酸化したのち、
０．５モル亜硫酸ナトリウム水溶液３０ミリリツトルを
加えた。室温に戻したのち、クロロホルムと飽和食塩水
を加え、分離した水層をクロロホルムで抽出した。乾燥
後、クロマトグラフィー（シリカゲル１２０Ｉ、メタノ
ール：クロロホルム＝ｔ：３ｏ−１：２０）によシ分離
し、β−シアノエチル−５′−〇−ジメトキシトリチル
シチジリル−（３′→５’）−３’−ｏ−ｔ−ブチルジ
メチルシリルチミジン（化合物見）を８０％の収率で得
た。
この物質の物性値は以下のとうシである。
（化合物３）
・元素分析値（Ｃｓ５Ｈ６ｓＯ７ｓＮ６Ｓ ｔＰ ）Ｃ
ａｔｅｄ、 Ｃ５８，６７Ｈ６，００Ｎ ７．７５Ｆ
ｏｕｎｄ、 Ｃ５８，４９Ｈ６，０２Ｎ ７．８８参
考例３ （二量体の脱保護） 化合物３０．０８４ ミＩＪモル及びトリフェニルホス
フィン０．０２５２ミリモルをアルゴン雰囲気下でテト
ラヒドロフラン１ミリリツトルに溶解したのちテトラキ
ス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０） ０．
００４２ ミＩＪモルを加え室温で５分間攪拌した。次
いで、ｎ−ブチルアミン３６マイクロリ７）ルを加え、
２０分攪拌後、溶剤を留去したのち、アンモニア水を室
温で２０分反応させ、次いでアンモニアを留去し、残渣
をクロマトグラフィー （ＯＤＳ 、水：メタノール＝
１：４）で分離し、７１Ｊルオキシカルデニル基ならび
にシアンエチル基が除去された対応のジヌクレオシドホ
スフェート（化合物４）を７７モルチの収率で得た。
ａｔｅｄ、 Ｃ５８，６７Ｈ６，００Ｎ ７．７５Ｆ
ｏｕｎｄ、 Ｃ５８，４９Ｈ６，０２Ｎ ７．８８参
考例３ （二量体の脱保護） 化合物３０．０８４ ミＩＪモル及びトリフェニルホス
フィン０．０２５２ミリモルをアルゴン雰囲気下でテト
ラヒドロフラン１ミリリツトルに溶解したのちテトラキ
ス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０） ０．
００４２ ミＩＪモルを加え室温で５分間攪拌した。次
いで、ｎ−ブチルアミン３６マイクロリ７）ルを加え、
２０分攪拌後、溶剤を留去したのち、アンモニア水を室
温で２０分反応させ、次いでアンモニアを留去し、残渣
をクロマトグラフィー （ＯＤＳ 、水：メタノール＝
１：４）で分離し、７１Ｊルオキシカルデニル基ならび
にシアンエチル基が除去された対応のジヌクレオシドホ
スフェート（化合物４）を７７モルチの収率で得た。
（化合物、！、）
・元素分析値（Ｃ４６Ｈ５８０１３Ｎ５ＳＩＰ）Ｃａｔ
ｃｄ、 Ｃ５８，２９Ｈ６，１２Ｎ ７．３９Ｆ
ｏｕｎｄ、 Ｃ５８，３３Ｈ６，０６Ｎ ７．５
１参考例４ ＣＰＧ （Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｐｏｒｅ Ｇｒａｓ
ｓ ）レジンにエステル結合を介して結合した５′−〇
−ジメトキシトリチルチミジン（化合物Σ）３０ミリグ
ラムをガラス製反応器に入れ、これにトリクロロ酢酸の
ジクロロメタン溶液を加えて５′−水酸基を脱保護した
のち、アセトニトリルで洗浄した。次いでシチジン塩基
のアミン基がアリルオキシカル？ニル基で保護されたホ
スホルアミダイト（化合物よ）０．０３ミリモル及び１
−Ｈ−テトラゾール０．０４ミリモルをアセトニトリル
−テトラヒドロフラン混合溶剤に溶解して加え、室温で
２分間反応させた。
ｃｄ、 Ｃ５８，２９Ｈ６，１２Ｎ ７．３９Ｆ
ｏｕｎｄ、 Ｃ５８，３３Ｈ６，０６Ｎ ７．５
１参考例４ ＣＰＧ （Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｐｏｒｅ Ｇｒａｓ
ｓ ）レジンにエステル結合を介して結合した５′−〇
−ジメトキシトリチルチミジン（化合物Σ）３０ミリグ
ラムをガラス製反応器に入れ、これにトリクロロ酢酸の
ジクロロメタン溶液を加えて５′−水酸基を脱保護した
のち、アセトニトリルで洗浄した。次いでシチジン塩基
のアミン基がアリルオキシカル？ニル基で保護されたホ
スホルアミダイト（化合物よ）０．０３ミリモル及び１
−Ｈ−テトラゾール０．０４ミリモルをアセトニトリル
−テトラヒドロフラン混合溶剤に溶解して加え、室温で
２分間反応させた。
次いで、アセトニトリルで洗浄したのち、沃素溶液１．
２ミリリツトル（沃素１１．６グラム、水１８ミリリ
ントル、ルチジン１８０ミリリツトル、テトラヒドロフ
ラン７２０ミリリツトル）を加え２５秒間反応させて、
担体に担持したＣ−Ｔ二量体（化合物見）を得た。収率
は８０％であった（後述の５７−ジメトキシトリチル基
の脱離に伴う発色で測定）。
２ミリリツトル（沃素１１．６グラム、水１８ミリリ
ントル、ルチジン１８０ミリリツトル、テトラヒドロフ
ラン７２０ミリリツトル）を加え２５秒間反応させて、
担体に担持したＣ−Ｔ二量体（化合物見）を得た。収率
は８０％であった（後述の５７−ジメトキシトリチル基
の脱離に伴う発色で測定）。
この化合物の確認は以下の手順に従って行った。
まず前記化合物６を含む担体をアセトニ） ＩＪルで洗
浄したのち、無水酢酸を加えて未反応の５′−水酸基を
キャッピングし、アセトニトリルを加えて洗浄した。次
いでトリフェニルホスフィン０．０９５ミリモル、ｎ−
ブチルアミン０．６ミリモル、蟻酸０．６ミリモル及び
テトラキス（トリフェニルホスフィン）・千ラジウム（
０） ０．０１５ミリモルをテトラヒドロフランに溶解
して加え、室温で１０分間反応して、塩基部分のアリル
オキシカルボニル基ヲ脱保護した。
浄したのち、無水酢酸を加えて未反応の５′−水酸基を
キャッピングし、アセトニトリルを加えて洗浄した。次
いでトリフェニルホスフィン０．０９５ミリモル、ｎ−
ブチルアミン０．６ミリモル、蟻酸０．６ミリモル及び
テトラキス（トリフェニルホスフィン）・千ラジウム（
０） ０．０１５ミリモルをテトラヒドロフランに溶解
して加え、室温で１０分間反応して、塩基部分のアリル
オキシカルボニル基ヲ脱保護した。
テトラヒドロフランとジクロロメタンで洗浄後、トリク
ロロ酢酸によシ５′−水酸基のジメトキシトリチル基を
脱離し、化合物７を得た。次いで３０チアンモニア水溶
液を加え室温で３０分放置してリン酸部分のβ−シアノ
エチル基と担体を除去し、Ｃ−Ｔのダイマー（化合物見
）を得た。
ロロ酢酸によシ５′−水酸基のジメトキシトリチル基を
脱離し、化合物７を得た。次いで３０チアンモニア水溶
液を加え室温で３０分放置してリン酸部分のβ−シアノ
エチル基と担体を除去し、Ｃ−Ｔのダイマー（化合物見
）を得た。
アンモニアを留去後、２００マイクロリツトルの水に溶
解し、このうち５マイクロリツトルの水溶液を採取し、
これに〔γ−Ｐ：１ＡＴＰ（ＰＢ−１７０。
解し、このうち５マイクロリツトルの水溶液を採取し、
これに〔γ−Ｐ：１ＡＴＰ（ＰＢ−１７０。
アマジャム）１マイクロリツトルを加えて乾固した。こ
れにカイネーションパッファー（Ｘ２．５）ｉ２μｔ、
Ｔ４ヌクレオチドキナーゼ（宝酒蔵、 ２，５ｕ、’、
ｘ）１μｔ、水２μｔを加えて３７℃でカイネーション
を行ったｅ ＴＬＣ（Ｐｏｌｙｇｒａｍ、 ＣＥＬＬ
３００ ＤＥＡＥ／ＨＲ−２／１５ ＊ Ｍａｃｋｅｒ
ｅｙ −Ｎａｇｅ１社良）上、ＲＮＡホモミックスチュ
アにて展開し、−次元のオートラジオグラフを得、１ス
ポツトであることを確認した。
れにカイネーションパッファー（Ｘ２．５）ｉ２μｔ、
Ｔ４ヌクレオチドキナーゼ（宝酒蔵、 ２，５ｕ、’、
ｘ）１μｔ、水２μｔを加えて３７℃でカイネーション
を行ったｅ ＴＬＣ（Ｐｏｌｙｇｒａｍ、 ＣＥＬＬ
３００ ＤＥＡＥ／ＨＲ−２／１５ ＊ Ｍａｃｋｅｒ
ｅｙ −Ｎａｇｅ１社良）上、ＲＮＡホモミックスチュ
アにて展開し、−次元のオートラジオグラフを得、１ス
ポツトであることを確認した。
ＴＬＣから、１スポツトの位置を抽出し、ペノムホスホ
ジエステラーゼと、ヌクレアーゼＰ１で消化させ、消化
物ｔ−それぞれＤＥＡＥ−セルロースベーａ！ −を用
いる電気泳動で展開し、これをＴＬＣに転写して、ホモ
ミックスチュアにて二次元に展開した。
ジエステラーゼと、ヌクレアーゼＰ１で消化させ、消化
物ｔ−それぞれＤＥＡＥ−セルロースベーａ！ −を用
いる電気泳動で展開し、これをＴＬＣに転写して、ホモ
ミックスチュアにて二次元に展開した。
二次元の展開後、ＴＬＣのオートラジオグラフをとり、
スポットの位置から保護基が脱保護されたＣＴダイマー
が生成していることを確認した。
スポットの位置から保護基が脱保護されたＣＴダイマー
が生成していることを確認した。
化合物５
ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＮ
化合物６
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下記一般式〔 I 〕で表わされるホスホルアミダイ
ト化合物。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 （式中、Ｒ＿１及びＲ＿２は保護基を有する水酸基また
は−ＯＲ＿４を表わし、Ｒ＿３は水素原子、保護基を有
する水酸基または−ＯＲ＿４を表わし、Ｒ＿４は▲数式
、化学式、表等があります▼を表わし、Ｘは２級アミノ
基、Ｒ＿５はβ−開裂によって脱離する保護基を表わし
、Ｒ＿１、Ｒ＿２及びＲ＿３のいずれか一つのみが−Ｏ
Ｒ＿４であり、Ｂ＾Ａ＾Ｏ＾Ｃはアミノ基もしくはイミ
ノ基がアリルオキシカルボニル型残基で保護されたヌク
レオシド塩基の残基を表わす。）２、下記一般式〔II〕
で表わされるヌクレオシド類と下記一般式〔III〕で表
わされるリンアミド化合物とを反応させることを特徴と
する前記一般式〔 I 〕で表わされるホスホルアミダイ
ト化合物の製造法。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔II〕▲数式
、化学式、表等があります▼・・・〔III〕 （式中、Ｒ＿１′及びＲ＿２′は保護基を有していても
よい水酸基を表わし、Ｒ＿３′は水素原子または保護基
を有していてもよい水酸基を表わし、Ｒ＿１′、Ｒ＿２
′及びＲ＿３′のいずれか一つのみが水酸基であり、Ｂ
＾Ａ＾Ｏ＾Ｃ、Ｘ及びＲ＿５は前記と同じであり、Ｙは
２級アミノ基またはハロゲン原子を表わす。）
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60223138A JPH0680071B2 (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | ホスホルアミダイト化合物及びその製造法 |
| EP86113090A EP0216357A3 (en) | 1985-09-25 | 1986-09-23 | Phosphoramidite compounds and process for production thereof |
| US07/229,773 US5026838A (en) | 1985-09-25 | 1988-08-04 | Phosphoramidite compounds and process for production thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60223138A JPH0680071B2 (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | ホスホルアミダイト化合物及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6284096A true JPS6284096A (ja) | 1987-04-17 |
| JPH0680071B2 JPH0680071B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=16793383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60223138A Expired - Lifetime JPH0680071B2 (ja) | 1985-09-25 | 1985-10-07 | ホスホルアミダイト化合物及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680071B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006512336A (ja) * | 2002-12-18 | 2006-04-13 | アベシア・リミテッド | オリゴヌクレオチド・シントン類を精製する方法 |
-
1985
- 1985-10-07 JP JP60223138A patent/JPH0680071B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006512336A (ja) * | 2002-12-18 | 2006-04-13 | アベシア・リミテッド | オリゴヌクレオチド・シントン類を精製する方法 |
| JP4824931B2 (ja) * | 2002-12-18 | 2011-11-30 | アベシア・バイオテクノロジー・インコーポレーテッド | オリゴヌクレオチド・シントン類を精製する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0680071B2 (ja) | 1994-10-12 |
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