JPS6282806A - Ｓａｗデバイスの周波数エ−ジング改善方法 - Google Patents
Ｓａｗデバイスの周波数エ−ジング改善方法Info
- Publication number
- JPS6282806A JPS6282806A JP22402685A JP22402685A JPS6282806A JP S6282806 A JPS6282806 A JP S6282806A JP 22402685 A JP22402685 A JP 22402685A JP 22402685 A JP22402685 A JP 22402685A JP S6282806 A JPS6282806 A JP S6282806A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- saw
- etched
- passage
- resonators
- frequency
- Prior art date
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- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＳＡＷ共振器、フィルタ等の如きＳＡＷデバイ
スの共振周波数の経年変化（エージング）を改善する為
の方法に関する。
スの共振周波数の経年変化（エージング）を改善する為
の方法に関する。
（従来技術）
ＳＡＷデバイスは周知の如く圧電基板表面にインタディ
ジタル・トランスジユーサ（以下ＩＤＴと称する）電極
を付着しこれに交番電界を印加することによって前記圧
電基板表面に弾性表面波（ＳＡＷ）ｉ励起せしめるもの
であってその共振周波数ｆｔは理論上は前記圧電基板固
有の特性たるＳＡＷ伝搬伝搬速度前記ＩＤＴ電極ピッチ
Ｐによってｆｒ＝Ｖ／Ｐと定義されるものである。
ジタル・トランスジユーサ（以下ＩＤＴと称する）電極
を付着しこれに交番電界を印加することによって前記圧
電基板表面に弾性表面波（ＳＡＷ）ｉ励起せしめるもの
であってその共振周波数ｆｔは理論上は前記圧電基板固
有の特性たるＳＡＷ伝搬伝搬速度前記ＩＤＴ電極ピッチ
Ｐによってｆｒ＝Ｖ／Ｐと定義されるものである。
しかしながら現実の製品たるＳＡＷデバイスは軍２図に
示す如く一役にバッチ処理によって量産したＳＡＷデバ
イス・チップ１の非電極面を金属ベース２に接着剤３に
て接着し然るべき配線を施した後封、止管４をかぶせこ
れとベース２とを溶接し気密封止するものである為２本
図からも明らかな如く前記接着剤３の凝固時の収縮、或
は前記ベース２と封止管４との溶接に伴い前記ベース２
に残留する歪等の影響をうけてチップ１の基板が歪みこ
れが時間の経過と共に減少することによる共振周波数の
変動がありこのような問題を解決する方策については既
に多。
示す如く一役にバッチ処理によって量産したＳＡＷデバ
イス・チップ１の非電極面を金属ベース２に接着剤３に
て接着し然るべき配線を施した後封、止管４をかぶせこ
れとベース２とを溶接し気密封止するものである為２本
図からも明らかな如く前記接着剤３の凝固時の収縮、或
は前記ベース２と封止管４との溶接に伴い前記ベース２
に残留する歪等の影響をうけてチップ１の基板が歪みこ
れが時間の経過と共に減少することによる共振周波数の
変動がありこのような問題を解決する方策については既
に多。
くの提案がなされている。
然るに近年ＳＡＷデバイスの共振周波数のエージングに
対する要求は一層厳しさを増し上述した如き現象に起因
する周波数変動を除去するのみではスペックを満足し得
ないことが明らかとなってきた。
対する要求は一層厳しさを増し上述した如き現象に起因
する周波数変動を除去するのみではスペックを満足し得
ないことが明らかとなってきた。
（発明の目的）
本発明は上述した如きＳＡＷデバイスに対する要求を満
足する為になされたものであって。
足する為になされたものであって。
ＳＡＷデバイス・チップに加わる外界からの機械的歪の
変動に基づく周波数エージング以外の要因を分析し、こ
れら要因の−を極力除去することによりて更にエージン
グ特性の優れたＳＡＷデバイスを提供することを目的と
する。
変動に基づく周波数エージング以外の要因を分析し、こ
れら要因の−を極力除去することによりて更にエージン
グ特性の優れたＳＡＷデバイスを提供することを目的と
する。
（発明の概要）
上述の目的を達成する為２本発明はＳＡＷデバイスの反
射器を含むＩＤＴ電極パターンに所要のエツチング金施
すようにしたものである。
射器を含むＩＤＴ電極パターンに所要のエツチング金施
すようにしたものである。
（発明の実施例）
第１図は本発明に係るＳＡＷデバイスの周波数エージン
グ改善方法を適用した共振周波数６７ ＭＨｚのＳＡＷ
共振器のエージング特性を示す加速試験結果の図である
。
グ改善方法を適用した共振周波数６７ ＭＨｚのＳＡＷ
共振器のエージング特性を示す加速試験結果の図である
。
本実験に用いたＳＡＷ共振器は板厚０．５ ｍｔｔｒの
ＳＴカット水晶基板表面に１乃至２／７ｍのＡｌ電極を
付着したものでありその設計共振周波数は６７ＭＨｚで
ある。
ＳＴカット水晶基板表面に１乃至２／７ｍのＡｌ電極を
付着したものでありその設計共振周波数は６７ＭＨｚで
ある。
而して本実験に於いては本発明に係るニーソング改善手
法の生産ロフト間較差を消去し平均的な効果を判定する
為生産ロフト２０ツト中から各１個の共振器を無作為に
抽出しこれらを夫々１０秒−〜６秒及び２〜３秒間９８
チの燐酸溶液中に侵潰してＡＩ電極表面にエツチング音
節した後水洗した上で５０℃の加速条件下ｓ、ｏｏｏ時
間放置しその共振周波数の変化全時間の経過毎に調べた
ものである。
法の生産ロフト間較差を消去し平均的な効果を判定する
為生産ロフト２０ツト中から各１個の共振器を無作為に
抽出しこれらを夫々１０秒−〜６秒及び２〜３秒間９８
チの燐酸溶液中に侵潰してＡＩ電極表面にエツチング音
節した後水洗した上で５０℃の加速条件下ｓ、ｏｏｏ時
間放置しその共振周波数の変化全時間の経過毎に調べた
ものである。
その結果は本図からも明らかな如く１０秒間程度のエツ
チングを施したものは全くエツチングを施さないか或は
２〜３秒間エツチングを施したグループに比し共振周波
数の経時変化は顕著に減少していることが判明した。
チングを施したものは全くエツチングを施さないか或は
２〜３秒間エツチングを施したグループに比し共振周波
数の経時変化は顕著に減少していることが判明した。
この理由は未だ理論的に明白ではないが。
ｋｌ電極被膜の蒸着条件は常時微妙に変動するので当該
蒸着条件によってはＡＩ被被膜結晶にはその生成時にか
なり欠陥が多く、それが時間の経過と共に結晶粒子の再
配列で消滅し体積収縮全発生すると考えられ当該収縮に
より応力が生じているものと想像される。従ってＡＪ被
膜表面を共振器製造の当初からエツチングすることによ
り膜表面の歪が減少し応力緩和が促進する為共振周波数
のエージング特性が改善されるものと推察される。
蒸着条件によってはＡＩ被被膜結晶にはその生成時にか
なり欠陥が多く、それが時間の経過と共に結晶粒子の再
配列で消滅し体積収縮全発生すると考えられ当該収縮に
より応力が生じているものと想像される。従ってＡＪ被
膜表面を共振器製造の当初からエツチングすることによ
り膜表面の歪が減少し応力緩和が促進する為共振周波数
のエージング特性が改善されるものと推察される。
又、共振器のチップ完成后更にエツチングと水洗の工程
が加わることによりＡｌ電極膜表面に残留する不純物も
減少することは明らかなのでこの面からもＡｌｔ極膜の
化学反応に起因する材質変化全減少する効果もあるであ
ろう。
が加わることによりＡｌ電極膜表面に残留する不純物も
減少することは明らかなのでこの面からもＡｌｔ極膜の
化学反応に起因する材質変化全減少する効果もあるであ
ろう。
以上本発明に係る共振周波数エージング改善手法につい
てその一実施例及びその実験結果について説明したが本
発明は上述の実施例にのみ限定される必然性はなく、エ
ツチングを行う為の溶液は燐酸以外の適当な酸２例えば
希硫酸。
てその一実施例及びその実験結果について説明したが本
発明は上述の実施例にのみ限定される必然性はなく、エ
ツチングを行う為の溶液は燐酸以外の適当な酸２例えば
希硫酸。
希塩酸或は希硝酸等フッ酸以外の酸は使用可能である。
同、カセイソーダ等のアルカリもＡｌに対する溶解性の
観点からは使用可能であるが後の洗滌が困難である。
観点からは使用可能であるが後の洗滌が困難である。
更に圧電基板としてリチウムナイオベート。
リチウムタンタレート或は圧電セラミクス等を用いる場
合にも本発明の手法は適用可能であり、これら場合にも
電極材料との関係を考慮して適当な酸を用い電極表面の
エツチングを行えばよい。
合にも本発明の手法は適用可能であり、これら場合にも
電極材料との関係を考慮して適当な酸を用い電極表面の
エツチングを行えばよい。
（発明の効果）
本発明は以上説明した如き手法を用いるものであるから
一般的には格別の設備を必要とせず極めて簡単に実施可
能でありしかもその共振周波数エージング改善を行うこ
とができるのでスペックの厳しさが増しているＳＡＷデ
ノくイスの特性を維持する上で著しい効果を発揮する。
一般的には格別の設備を必要とせず極めて簡単に実施可
能でありしかもその共振周波数エージング改善を行うこ
とができるのでスペックの厳しさが増しているＳＡＷデ
ノくイスの特性を維持する上で著しい効果を発揮する。
第１図は本発明の効果を示す実験結果の図。
第２図は本発明を適用すべきＳＡＷデノ（イスの構造全
示す一部破断々面図である。
示す一部破断々面図である。
Claims (2)
- （１）ＳＡＷデバイスの反射器を含む金属電極をその基
板を犯すことなく前記金属電極のみを腐食溶解する酸に
てエッチングすることを特徴とするＳＡＷデバイスの周
波数エージング改善方法。 - （２）ＳＡＷデバイスが水晶基板にアルミニウム電極を
付したものである場合に於いて前記酸として燐酸を主成
分とする溶液を用いてエッチングを行うことを特徴とす
る特許請求の範囲１記載のＳＡＷデバイスの周波数エー
ジング改善方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22402685A JPS6282806A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | Ｓａｗデバイスの周波数エ−ジング改善方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22402685A JPS6282806A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | Ｓａｗデバイスの周波数エ−ジング改善方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6282806A true JPS6282806A (ja) | 1987-04-16 |
Family
ID=16807421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22402685A Pending JPS6282806A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | Ｓａｗデバイスの周波数エ−ジング改善方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6282806A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997011526A1 (fr) * | 1995-09-21 | 1997-03-27 | Tdk Corporation | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface et son procede de fabrication |
-
1985
- 1985-10-08 JP JP22402685A patent/JPS6282806A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997011526A1 (fr) * | 1995-09-21 | 1997-03-27 | Tdk Corporation | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface et son procede de fabrication |
| US5929723A (en) * | 1995-09-21 | 1999-07-27 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave apparatus having an electrode that is a doped alloy film |
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