JPS6281711A - 堆積膜の選択形成方法 - Google Patents
堆積膜の選択形成方法Info
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- JPS6281711A JPS6281711A JP22339585A JP22339585A JPS6281711A JP S6281711 A JPS6281711 A JP S6281711A JP 22339585 A JP22339585 A JP 22339585A JP 22339585 A JP22339585 A JP 22339585A JP S6281711 A JPS6281711 A JP S6281711A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は堆ｖｉ膜の選択形成方法に係り、特に所望パタ
ーンの堆積膜を自己整合的に形成する選択形成方法に関
する。
ーンの堆積膜を自己整合的に形成する選択形成方法に関
する。
ば半導体集積回路、光集積回路、磁気回路等に使用され
る薄膜の作製に適用される。
る薄膜の作製に適用される。
［従来技術およびその問題点］
第５図は、従来のホトリソグラフィによるｆｊ膜形成方
法を示す工程図である。
法を示す工程図である。
まず、第５図（Ａ）に示すような均一な組成の材料種か
ら成る基板１を洗浄し、続いて、種々の薄膜堆積法（真
空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ放電法、ＭＢＥ
法、ＧＶＤ法等）によって基板１の全面に薄膜２を堆積
させる ［同図（Ｂ）１゜続いて、薄膜２上にホトレジ
スト３を）＠布し［同図（Ｃ） ］ 、所望パターンの
ホトマスクを用いてホトレジスト３を感光させ、現像に
よってホトレジスト３を部分的に除去する （同図（ロ
）１゜残留しているホトレジスト３をマスクとして、６
Ｖ １１！２２をエツチングし、所望パターンの薄１１
！２２を形成する 【同図（Ｅ）１゜ このようなホトリソグラフィ工程を繰返すことで、所望
パターンの？８１ｉ膜を積層し、集積回路を構特性にと
って極めて重要な要因となる。特に、超ＬＳＩのように
サブミクロンの精度が要求される場合では、位置合せと
ともに各層の薄膜の形状の精度も極めて屯安どなる。
ら成る基板１を洗浄し、続いて、種々の薄膜堆積法（真
空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ放電法、ＭＢＥ
法、ＧＶＤ法等）によって基板１の全面に薄膜２を堆積
させる ［同図（Ｂ）１゜続いて、薄膜２上にホトレジ
スト３を）＠布し［同図（Ｃ） ］ 、所望パターンの
ホトマスクを用いてホトレジスト３を感光させ、現像に
よってホトレジスト３を部分的に除去する （同図（ロ
）１゜残留しているホトレジスト３をマスクとして、６
Ｖ １１！２２をエツチングし、所望パターンの薄１１
！２２を形成する 【同図（Ｅ）１゜ このようなホトリソグラフィ工程を繰返すことで、所望
パターンの？８１ｉ膜を積層し、集積回路を構特性にと
って極めて重要な要因となる。特に、超ＬＳＩのように
サブミクロンの精度が要求される場合では、位置合せと
ともに各層の薄膜の形状の精度も極めて屯安どなる。
しかしながら、１−：記従来の薄膜形成方法では、必要
なホトマスクの位置合せを精度良く行うことが国難であ
り、またエツチングにより所望パターンのｉ’、！ｉ
ｌｌＩ２を形成しているために、形状の精度も不十分で
ある。
なホトマスクの位置合せを精度良く行うことが国難であ
り、またエツチングにより所望パターンのｉ’、！ｉ
ｌｌＩ２を形成しているために、形状の精度も不十分で
ある。
第６図は、従来のリフトオフを用いた薄膜形成方法を示
す工程図である。
す工程図である。
まず、基板Ｉにホトレジスト４を一￥布し を第６図（
Ａ） １ 、ホトリソグラフィにより所望パターンのホ
トレジスト４を除去する ［同図（Ｂ）１゜続いて、薄
膜堆積法により薄ＩＩ！２５を堆積させ１同図（Ｃ）
］ 、残留ホトレジスト４を溶解除去する。これによっ
て残留ホトレジスト４上の薄膜が同時に除去され、所望
パターンの薄膜５が形成される。以上の工程を繰返して
集積回路が構成される。
Ａ） １ 、ホトリソグラフィにより所望パターンのホ
トレジスト４を除去する ［同図（Ｂ）１゜続いて、薄
膜堆積法により薄ＩＩ！２５を堆積させ１同図（Ｃ）
］ 、残留ホトレジスト４を溶解除去する。これによっ
て残留ホトレジスト４上の薄膜が同時に除去され、所望
パターンの薄膜５が形成される。以上の工程を繰返して
集積回路が構成される。
しかしながら、このような薄１１！７形成方法は、ホト
レジスト１−に薄膜の形成を行うために、ホトレジスト
の耐用温度以ドで薄膜の堆積を行う必要があり、ｌ（ｃ
積法が人きく制約される。また、ホトレジストを除去す
る際に５残留する薄膜の形状が影響を受けるために、形
状の精度が不十分となる。
レジスト１−に薄膜の形成を行うために、ホトレジスト
の耐用温度以ドで薄膜の堆積を行う必要があり、ｌ（ｃ
積法が人きく制約される。また、ホトレジストを除去す
る際に５残留する薄膜の形状が影響を受けるために、形
状の精度が不十分となる。
また、７１λ１１！２の側壁部や内部がホトレジストの
成分であるカーボン等によって汚染される可能性が高い
笠の問題点も有している。
成分であるカーボン等によって汚染される可能性が高い
笠の問題点も有している。
また、選択堆積法としては、単結晶基板を部分的に非晶
質薄膜で覆い、単結晶基板の露出部分にのみ基板材料と
同一の材料を選択的にエピタキシャル成長させる方法が
知られている。たとえば、シリコン中結晶基板を部分的
にシリコン酸化物で覆って選択的にシリコンを成長させ
る選択エピタキシー？ ）Ｌｉ成長（ＳＥＧ）法（Ｂ、
Ｄ−Ｊｏｙｃｅ ＆Ｊ、Ａ。
質薄膜で覆い、単結晶基板の露出部分にのみ基板材料と
同一の材料を選択的にエピタキシャル成長させる方法が
知られている。たとえば、シリコン中結晶基板を部分的
にシリコン酸化物で覆って選択的にシリコンを成長させ
る選択エピタキシー？ ）Ｌｉ成長（ＳＥＧ）法（Ｂ、
Ｄ−Ｊｏｙｃｅ ＆Ｊ、Ａ。
Ｂａ１ｄｒｅｙ、Ｎａｔｕｒｅ ｖｏｌ、１９５，４８
５．１９６２）、ＧａＡｓ基板をＳｉ０２ 、Ｓｉ ３
Ｎ ４等の非晶質薄膜で覆って選択的にＧａＡｓをエ
ピタキシャル成長させる方法（Ｐ、Ｒａ１−Ｃｈｏｕｄ
ｈｕｒｙ ＆Ｄ、に、５ｃｈｒｏｄｅｒ Ｊ、Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、Ｓｏｃ。
５．１９６２）、ＧａＡｓ基板をＳｉ０２ 、Ｓｉ ３
Ｎ ４等の非晶質薄膜で覆って選択的にＧａＡｓをエ
ピタキシャル成長させる方法（Ｐ、Ｒａ１−Ｃｈｏｕｄ
ｈｕｒｙ ＆Ｄ、に、５ｃｈｒｏｄｅｒ Ｊ、Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、Ｓｏｃ。
１１８ 、１０７ 、１９７１）等ある。
しかしながら、これらの選択堆積法は、小結晶シ（板の
露出表面から同種の単結晶半導体を選択的に成長させる
ものであるために、下地となる堆積面は単結晶半導体に
限定され、絶縁基板には適用されない。
露出表面から同種の単結晶半導体を選択的に成長させる
ものであるために、下地となる堆積面は単結晶半導体に
限定され、絶縁基板には適用されない。
［問題点を解決するための手段］
ＪＺ記従来の問題点を解決するために、本発明による堆
積膜の形成方法は、堆積面材料の種類による堆積材料の
核形成密度の差を利用して、複数のＵ種材料が所望のパ
ターンを形成して成る堆積面に該パターンの堆積膜を選
択的に形成することを特徴とする。
積膜の形成方法は、堆積面材料の種類による堆積材料の
核形成密度の差を利用して、複数のＵ種材料が所望のパ
ターンを形成して成る堆積面に該パターンの堆積膜を選
択的に形成することを特徴とする。
［作用］
このようにして、所望パターンの堆積膜が高精度に形成
でき、しかもド地となる材料をｔｔｉ結晶だけに限定す
る心安はなく、核形成密度差を有する堆積材料と堆積面
材料とを選択することで、非晶質絶縁物や金属−１−で
も半導体、金属等の堆積膜を［実施例］ まず、−・般に堆積膜形成過程は次のように考えられて
いる。
でき、しかもド地となる材料をｔｔｉ結晶だけに限定す
る心安はなく、核形成密度差を有する堆積材料と堆積面
材料とを選択することで、非晶質絶縁物や金属−１−で
も半導体、金属等の堆積膜を［実施例］ まず、−・般に堆積膜形成過程は次のように考えられて
いる。
堆積面の基板が飛来する原子と異なる種類の材料、特に
非晶質材料である場合、飛来する原子は基板表面を自由
に拡散し、又は（４蒸発する。そして原子間７ムの衝突
の末、核が形成され、その自由エネルギＧの変化ΔＧが
最大となるような核（安定核）の大きさｒｃ以上になる
と、ΔＧは減少し、核は安定に三次元的に成長を続け、
島状となる。
非晶質材料である場合、飛来する原子は基板表面を自由
に拡散し、又は（４蒸発する。そして原子間７ムの衝突
の末、核が形成され、その自由エネルギＧの変化ΔＧが
最大となるような核（安定核）の大きさｒｃ以上になる
と、ΔＧは減少し、核は安定に三次元的に成長を続け、
島状となる。
核を形成することによって生ずる自由エネルギＧの変化
ΔＧは、 Ｇ ＝ ４πｆ（θ）（ｃｒｏ ｒ２ ＋％−ｇｖ
＠ ｒ３ ）ｆ（０） ＝Ｖｉ （２−３ｃｏｓＯ＋
ｃｏｓ２０）ただし、ｒ：核の曲率半径 ０：核の接触角 ｇｖ：ｅｌｊ−位堆積当りの自由エネルギσ０ ：核と
真空間の表面エネルギ ）Ｊｈ（ｉス−ΔＧの・倉イにのに半か爪７図に示す。
ΔＧは、 Ｇ ＝ ４πｆ（θ）（ｃｒｏ ｒ２ ＋％−ｇｖ
＠ ｒ３ ）ｆ（０） ＝Ｖｉ （２−３ｃｏｓＯ＋
ｃｏｓ２０）ただし、ｒ：核の曲率半径 ０：核の接触角 ｇｖ：ｅｌｊ−位堆積当りの自由エネルギσ０ ：核と
真空間の表面エネルギ ）Ｊｈ（ｉス−ΔＧの・倉イにのに半か爪７図に示す。
同図において、ΔＧが最大値であるときの安定核の曲率
半径がｒｃである。
半径がｒｃである。
このように核が成長して島状になり、更に＋１長して島
同志が接触して、ｆｉ１目状に基板表面を覆い、最後に
連続膜となってノ＾板表面を完全に覆う。このような過
程を経て基板上に薄膜が堆積する。
同志が接触して、ｆｉ１目状に基板表面を覆い、最後に
連続膜となってノ＾板表面を完全に覆う。このような過
程を経て基板上に薄膜が堆積する。
１、述したような堆積過程において、基板表面の栄位面
積当りに形成される核の密度は、飛来原子と基板との相
〃作用に犬きく依存し、また温度をはじめとする堆積条
件にも大きく影響される。
積当りに形成される核の密度は、飛来原子と基板との相
〃作用に犬きく依存し、また温度をはじめとする堆積条
件にも大きく影響される。
そこで堆積膜の材料とノ、（板材料との種類を適当に選
択し、また温度、圧力、ガス種等の堆積条件を適当に、
没定することで、核形成密度（あるいは核形成速度）を
決めることができる。したがって、一種類の堆積材料を
用い、上記核形成密度が大きく異なるような多種類の基
板材料から成る堆積面に５１該堆積材料を堆積させよう
とすると、堆積膜は核形成密度の高低によって選択的に
形成される。たとえば、次にようにして選択的に形成さ
れる。
択し、また温度、圧力、ガス種等の堆積条件を適当に、
没定することで、核形成密度（あるいは核形成速度）を
決めることができる。したがって、一種類の堆積材料を
用い、上記核形成密度が大きく異なるような多種類の基
板材料から成る堆積面に５１該堆積材料を堆積させよう
とすると、堆積膜は核形成密度の高低によって選択的に
形成される。たとえば、次にようにして選択的に形成さ
れる。
第１図（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明による堆積膜の選択形
成方法の概略的説明図である。
成方法の概略的説明図である。
まず、堆積面を構成する二種類の材料をＡおよびＢ、堆
積材料をＣとし、ある一定の堆積条件の下で堆積材料Ｃ
の核形成密度が材料ＡおよびＢで大幅に異なるように、
」二記材料Ａ、 ＢおよびＣを選択する。ここでは材料
Ａでの抜形Ｌｉｔ密度が大きく、材料Ｂでの核形成密１
隻が無視できる程度に小さいとする。
積材料をＣとし、ある一定の堆積条件の下で堆積材料Ｃ
の核形成密度が材料ＡおよびＢで大幅に異なるように、
」二記材料Ａ、 ＢおよびＣを選択する。ここでは材料
Ａでの抜形Ｌｉｔ密度が大きく、材料Ｂでの核形成密１
隻が無視できる程度に小さいとする。
第１図（Ａ）において、基板ｌ上に薄膜形成法により材
料Ｂの成）模６を堆積させ、その］二に、集束イオン（
−ム注入技術を用い、所９！パターンで材料Ａのイオン
を注入する。
料Ｂの成）模６を堆積させ、その］二に、集束イオン（
−ム注入技術を用い、所９！パターンで材料Ａのイオン
を注入する。
これによって同図（Ｂ）に示すように、材料Ｂの薄膜６
に、材料Ａの領域７が所望パターンで形成される。
に、材料Ａの領域７が所望パターンで形成される。
このように堆積面に所望パターンの材料Ａを形成する方
法としては、同図（Ｃ）に示すように、材料Ｂ上にマス
ク８を所望パターンで形成し、全面に材料Ａのイオンを
注入して同図（Ｂ）に示す堆積面を形成してもよい。ま
た、材料ＢＬに材料Ａの薄１１りを形成し、材料Ａの薄
膜をホトリソグラフィによって所９ツバターンに形成し
てもよい。
法としては、同図（Ｃ）に示すように、材料Ｂ上にマス
ク８を所望パターンで形成し、全面に材料Ａのイオンを
注入して同図（Ｂ）に示す堆積面を形成してもよい。ま
た、材料ＢＬに材料Ａの薄１１りを形成し、材料Ａの薄
膜をホトリソグラフィによって所９ツバターンに形成し
てもよい。
同図（Ｂ）に示すように、堆積面が材料Ａおよび日によ
って所９！パターンで構成されると、所定の堆積条件で
材料Ｃを堆積させる。この昨、材料Ｂの％ｋ Ｉｔｓ
８ にには材料Ｃは堆積しない。
って所９！パターンで構成されると、所定の堆積条件で
材料Ｃを堆積させる。この昨、材料Ｂの％ｋ Ｉｔｓ
８ にには材料Ｃは堆積しない。
これは、材料Ｃの飛来原子が、安定核になるまでにｉＱ
： ７ｑ発してしまうか、またはＣ原子が材ネＩＢと反
応して蒸気圧の高い物質が形成され、材料Ｂを工、７チ
ングするためと考えられる。その具体例としては、高温
（＞８ＯＯ°Ｃ）で５ｉ０２Ｊ−にシリコンを堆積させ
ようとすると、シリコンと５ｉ０２ とが反応してＳｉ
Ｏという蒸気圧の高い物質が形成され、５ｉ０２がエツ
チングされ、５ｉ０２ｈにはシリコンが全く付着しない
という報告がされている（Ｔ、Ｙｏｎｅｈａｒａ、Ｓ、
Ｙｏｓｈｉｏｋａ、Ｓ、Ｍｉｙａｚａｗａ Ｊ、Ａｐｐ
ｌ、Ｐｈｙｓ、５３（１０） ６８３９ｊ９８２）。
： ７ｑ発してしまうか、またはＣ原子が材ネＩＢと反
応して蒸気圧の高い物質が形成され、材料Ｂを工、７チ
ングするためと考えられる。その具体例としては、高温
（＞８ＯＯ°Ｃ）で５ｉ０２Ｊ−にシリコンを堆積させ
ようとすると、シリコンと５ｉ０２ とが反応してＳｉ
Ｏという蒸気圧の高い物質が形成され、５ｉ０２がエツ
チングされ、５ｉ０２ｈにはシリコンが全く付着しない
という報告がされている（Ｔ、Ｙｏｎｅｈａｒａ、Ｓ、
Ｙｏｓｈｉｏｋａ、Ｓ、Ｍｉｙａｚａｗａ Ｊ、Ａｐｐ
ｌ、Ｐｈｙｓ、５３（１０） ６８３９ｊ９８２）。
こうして材料Ａの領域７上だけに材料Ｃが堆積し、その
結果材料Ａの領域７のパターンと同一パターンの堆積ｊ
漠９が自己整合的に形成される。
結果材料Ａの領域７のパターンと同一パターンの堆積ｊ
漠９が自己整合的に形成される。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第２図（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明による堆積膜の選択形
成方法の一実施例を示す二［程図である。
成方法の一実施例を示す二［程図である。
まず、同図（Ａ）に示すように、シリコン巾結晶基板ｌ
を熱酸化して表面に厚さ０．１ルｍ程度のＳｉＯ２ＩＩ
々ｌＯを形成する。
を熱酸化して表面に厚さ０．１ルｍ程度のＳｉＯ２ＩＩ
々ｌＯを形成する。
次に、同図（Ｂ）に示すように、減圧化学気相法（ＬＰ
ＧＶＤ）によりＳｉ３ Ｎ ４膜１１を厚さ０．１ ｇ
ｍ堆積させる。
ＧＶＤ）によりＳｉ３ Ｎ ４膜１１を厚さ０．１ ｇ
ｍ堆積させる。
次に、同図（Ｃ）に示すように、ホトリソグラフィによ
って、Ｓｉ３Ｎ ４ ｔ）２１１だけを所望パターンで
部分的の除去する。
って、Ｓｉ３Ｎ ４ ｔ）２１１だけを所望パターンで
部分的の除去する。
次に、ＨＧＩガスを高温の基板に流すことで基板を清浄
化した後、Ｈ２で希釈した５ｉＣＩ４ 、 ＳｉＨ２Ｃ
Ｉ２笠の反応ガスを用い、減圧下（〜１７０Ｔｏｒｒ）
で同図（Ｃ）に示す基板にシリコンの堆積を２０分間行
う。その時の基板温度は１０００℃である。このような
材料よ堆積条件を選択することで、同図（Ｄ）に不側よ
うに、Ｓｉ３ Ｎ ４ ＩＩり１１ににのみシリコンＩ
ＩＱ １２が厚さ６８二ｍ以Ｉ−形成される。こうして
Ｓｉ３ Ｎ ４１１ｚｌｌの形状と回−形状のシリコン
膜１２を自己整合的に精度良く形成することができ、集
積回路を構成する１−で極めて有益である。
化した後、Ｈ２で希釈した５ｉＣＩ４ 、 ＳｉＨ２Ｃ
Ｉ２笠の反応ガスを用い、減圧下（〜１７０Ｔｏｒｒ）
で同図（Ｃ）に示す基板にシリコンの堆積を２０分間行
う。その時の基板温度は１０００℃である。このような
材料よ堆積条件を選択することで、同図（Ｄ）に不側よ
うに、Ｓｉ３ Ｎ ４ ＩＩり１１ににのみシリコンＩ
ＩＱ １２が厚さ６８二ｍ以Ｉ−形成される。こうして
Ｓｉ３ Ｎ ４１１ｚｌｌの形状と回−形状のシリコン
膜１２を自己整合的に精度良く形成することができ、集
積回路を構成する１−で極めて有益である。
第３図は、Ｓｉ０２の堆積面とＳｉ３ Ｎ ４の堆積面
との核形成密度の経時変化を示すグラフである。
との核形成密度の経時変化を示すグラフである。
同グラフが示すように、堆積開始後１０秒はで、５ｉ０
２１−での核形成密度は１０２Ｃ「２以下で飽和し、２
０分後でもそのイ〆１はほとんど変化しない。
２１−での核形成密度は１０２Ｃ「２以下で飽和し、２
０分後でもそのイ〆１はほとんど変化しない。
それに対してＳｉ３ Ｎ ４ ＪＨでは、１０秒程度で
〜４×ｌ０５Ｃ「２で飽和し、それから１０分はど変化
しないが、それ以降は急激に増大する。これは５ｉ３Ｎ
４１−で島が合体し、完全にＳｉ３ Ｎ ４の堆積面が
シリコンで覆われ、そのヒに更にシリコンの核が形成さ
れたためである。
〜４×ｌ０５Ｃ「２で飽和し、それから１０分はど変化
しないが、それ以降は急激に増大する。これは５ｉ３Ｎ
４１−で島が合体し、完全にＳｉ３ Ｎ ４の堆積面が
シリコンで覆われ、そのヒに更にシリコンの核が形成さ
れたためである。
この場合、５ｉＯ２１：での核形成はほとんど問題とな
らないが、反応ガス中にＨＣＩガスを添加することで、
５ｉ０２１−での核形成を更に抑制することができる。
らないが、反応ガス中にＨＣＩガスを添加することで、
５ｉ０２１−での核形成を更に抑制することができる。
また、堆積終了後に、ＨＣＩが高温で流すことで、Ｓｉ
０２４二の核を除去してもよい。
０２４二の核を除去してもよい。
このように堆積面の材料としてＳｉ０２およびＳｉ３
Ｎ ４を選択し、堆積材料としてシリコンを選択すれば
、同グラフに示すように十分に大きな核形成密度差を得
ることができる。核形成密度の差は、同グラフで示すよ
うに安定核の密度で１０３倍以上であれば、堆積膜の十
分な選択形成を行うことができる。
Ｎ ４を選択し、堆積材料としてシリコンを選択すれば
、同グラフに示すように十分に大きな核形成密度差を得
ることができる。核形成密度の差は、同グラフで示すよ
うに安定核の密度で１０３倍以上であれば、堆積膜の十
分な選択形成を行うことができる。
なお、核密度の測定は、光学顕微鏡、電子顕微鏡による
ｉ’＜＝によって行われる。
ｉ’＜＝によって行われる。
また、Ｓｉ３ Ｎ ４−Ｊ−二の核形成密度は、次に示
すようにＳｉとＮとの組成比にも依存する。
すようにＳｉとＮとの組成比にも依存する。
第４図は、ＳｉＮの組成比と、その上での核形成密度と
の関係を示すグラフである。このように組成比を変える
ことで核形成密度を調整することができるために、 Ｓ
ｉＮの堆積面での形状とその組成比によってシリコンの
堆積膜の形状および膜厚等を決定することが＋ｊＴ １
Ｆ、である。
の関係を示すグラフである。このように組成比を変える
ことで核形成密度を調整することができるために、 Ｓ
ｉＮの堆積面での形状とその組成比によってシリコンの
堆積膜の形状および膜厚等を決定することが＋ｊＴ １
Ｆ、である。
なお、堆積面の材料および堆積材料としては、本実施例
に限定されるものではなく、金属膜を選択的に形成する
こともできる。例えば、タングステン薄膜を化学気相法
（ＣＶＯ）でＳｉ堆積面とＳｉ０２堆積面とに堆積させ
ると、Ｓｉ堆積面にのみタングステンが堆積することが
知られている。
に限定されるものではなく、金属膜を選択的に形成する
こともできる。例えば、タングステン薄膜を化学気相法
（ＣＶＯ）でＳｉ堆積面とＳｉ０２堆積面とに堆積させ
ると、Ｓｉ堆積面にのみタングステンが堆積することが
知られている。
［発明の効果］
以ト詳細に説明したように、本発明による堆積膜の選択
形成方法は、堆積材料の堆積面材料の種類による核形成
密度の差を利用して、所望パターンの堆積膜を自己整合
的に形成できるために、所９！パターンの堆積膜が高精
度に形成でき、特に高集積回路を構成する」−で極めて
有利である。
形成方法は、堆積材料の堆積面材料の種類による核形成
密度の差を利用して、所望パターンの堆積膜を自己整合
的に形成できるために、所９！パターンの堆積膜が高精
度に形成でき、特に高集積回路を構成する」−で極めて
有利である。
更に、堆積面の材料を屯結晶だけに限定する必要はなく
、核形成密度差を有する堆積材料と堆積面材料とを選択
することで、非晶質絶縁物や全屈上でも半導体、金属等
の堆積膜を選択的に高精度で形成できる。
、核形成密度差を有する堆積材料と堆積面材料とを選択
することで、非晶質絶縁物や全屈上でも半導体、金属等
の堆積膜を選択的に高精度で形成できる。
第１図（Ａ）〜（Ｄ）は、未発用による堆積膜の選択形
成方法の概略的説明図、 第２図（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明による堆積膜の選択形
成方法の一実施例を示す工程図、 第３図は、Ｓｉ０２の堆積面とＳｉ３ Ｎ ４の堆積面
との核形成密度の経時変化を示すグラフ、第４図は、Ｓ
ｉＮの組成比と、その］；での核形成密度との関係を示
すグラフ、 第５図は、従来のホトリソグラフィによる薄膜形成方法
を示す工程図、 第６図は、従来のリフトオフを用いた薄膜形成方法を示
す工程図、 第７図は、自由エネルギＧの変化ΔＧと核の曲率半径と
の関係を示すグラフである。 ｌφ・・基板 ６・・・材料日の薄膜 ７・・・材料Ａの領域 ９φ・・材料Ｃの堆積膜 １０・・＊ ＳｉＯ２膜 １１・・・Ｓｉ３ Ｎ ４膜 １２番・争シリコン膜 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第１図 ！ＪＪＩ ＩＪＩ ＷＪｉ 旧） （Ｃ） （Ｄ） 第２図 （Ａ） （Ｂ） 時ＰＡ（脅） 第４図 ５ｉＸＮ＋−ｘ 第５図 第６図
成方法の概略的説明図、 第２図（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明による堆積膜の選択形
成方法の一実施例を示す工程図、 第３図は、Ｓｉ０２の堆積面とＳｉ３ Ｎ ４の堆積面
との核形成密度の経時変化を示すグラフ、第４図は、Ｓ
ｉＮの組成比と、その］；での核形成密度との関係を示
すグラフ、 第５図は、従来のホトリソグラフィによる薄膜形成方法
を示す工程図、 第６図は、従来のリフトオフを用いた薄膜形成方法を示
す工程図、 第７図は、自由エネルギＧの変化ΔＧと核の曲率半径と
の関係を示すグラフである。 ｌφ・・基板 ６・・・材料日の薄膜 ７・・・材料Ａの領域 ９φ・・材料Ｃの堆積膜 １０・・＊ ＳｉＯ２膜 １１・・・Ｓｉ３ Ｎ ４膜 １２番・争シリコン膜 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第１図 ！ＪＪＩ ＩＪＩ ＷＪｉ 旧） （Ｃ） （Ｄ） 第２図 （Ａ） （Ｂ） 時ＰＡ（脅） 第４図 ５ｉＸＮ＋−ｘ 第５図 第６図
Claims (2)
- （１）堆積面材料の種類による堆積材料の核形成密度の
差を利用して、複数の異種材料が所望のパターンを形成
して成る堆積面に該パターンの堆積膜を選択的に形成す
ることを特徴とする堆積膜の選択形成方法。 - （２）上記核形成密度の差は、上記堆積面に形成される
安定核の密度に関して１０＾３倍以上の差であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の堆積膜の選択形
成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22339585A JPS6281711A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | 堆積膜の選択形成方法 |
| GB8623956A GB2183090B (en) | 1985-10-07 | 1986-10-06 | Method for selective formation of deposited film |
| FR868613927A FR2588416B1 (fr) | 1985-10-07 | 1986-10-07 | Procede de formation selective d'un film depose |
| DE19863634140 DE3634140A1 (de) | 1985-10-07 | 1986-10-07 | Verfahren zur selektiven bildung einer abgeschiedenen schicht |
| US08/003,693 US5393646A (en) | 1985-10-07 | 1993-01-19 | Method for selective formation of a deposited film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22339585A JPS6281711A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | 堆積膜の選択形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281711A true JPS6281711A (ja) | 1987-04-15 |
Family
ID=16797471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22339585A Pending JPS6281711A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | 堆積膜の選択形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6281711A (ja) |
-
1985
- 1985-10-07 JP JP22339585A patent/JPS6281711A/ja active Pending
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