JPS62806A - 半導体ウエハの角度調整方法 - Google Patents

半導体ウエハの角度調整方法

Info

Publication number
JPS62806A
JPS62806A JP13998085A JP13998085A JPS62806A JP S62806 A JPS62806 A JP S62806A JP 13998085 A JP13998085 A JP 13998085A JP 13998085 A JP13998085 A JP 13998085A JP S62806 A JPS62806 A JP S62806A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
angle
pattern
wafer
stage
pattern recognition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP13998085A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0737896B2 (ja
Inventor
Takumi Sakaguchi
巧 坂口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP13998085A priority Critical patent/JPH0737896B2/ja
Publication of JPS62806A publication Critical patent/JPS62806A/ja
Publication of JPH0737896B2 publication Critical patent/JPH0737896B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は半導体ウェハの角度調整方法に関し、特に半導
体ウェハの目合せ機構における半導体ウェハの角度調整
方法に関する。
従来技術 ブO−バ等では半導体ウェハの目合せが不可欠であり、
特にウェハ内のチップの並び方向とウェハの載る載物台
の移動方向との平行をだす角度調整が特に重要である。
かかる角度調整の方法としては、従来エツジセンスによ
るのが一般的であるが、これはチップ内を細かいピッチ
で光を走査してその反射率の差からチップのエツジを見
つけるため時間がかかるという欠点がある。他の方法で
あるパターンOnによって2ケ所のチップ内の同一パタ
ーンの位置の差から角度を算出して角度調整を行う方法
は、前者に比べ高速ではあるが、角度ずれが大きいと0
1しようとするパターンが視野から外れてしまうので予
めある程度まで角度調整がされていなければならないと
いう欠点がある。
そこで最初の粗調整はエツジセンスで行い、後の微調整
はパターンQlで行う方法が考えられるが、これを実現
する装置としては高価なものになってしまうという欠点
がある。
l豆史ユ道 本発明は半導体ウェハの角度調整の粗調から微調までを
パターン認識だけを用いて行う方法を提供することを目
的としている。
発明の構成 本発明は、テレビカメラによる観測光学系とパターン認
識装置を具備した半導体ウェハの目合せ機構におけるウ
ェハ内の各チップの並び方向と載物台の移動方向の平行
を出す角度調整方法を対象とし、その特徴とするところ
は、ウェハ上のチップの並び方向に平行な直線状パター
ンを参照パターンとして記憶し、その位置からU、吻合
をテレビカメラの視野から前記参照パターンが外れない
程度の微小距離だけ移動させたときのテレビカメラの視
野内における参照パターンのずれ母をパターン認識によ
って求め、このずれ巳のX方向成分。
Y方向成分(X、Y方向は互いに直交する方向)及び載
物台の移動量から、載物台の移動方向とチップの並び方
向とのなす角度を算出して角度の粗調を行い、次いで1
つのチップ内で新たに参照パターンを記憶し、その位置
から載物台をチップ寸法の整数倍だけ移動させ、その時
の参照パターンのテレビカメラの視野内におけるずれ伍
をパターン認識によって知り、これと載物台の移動距離
から角度を算出しこれによって角度の微調を行うことに
ある。
実施例 以下、図面を用いて詳細に説明する。
第1図はウェハチップ内の直線状パターン2をテレビカ
メラ視野1の中心付近でパターン認識装置に記憶させる
ところを示す図であり、視野1の中心部領域3の中にあ
る直線状パターン2の斜線の部分が記憶されるとする。
この直線状パターン2は、ウェハ内のチップ上にあって
チップ並び方向と平行な直線であるとする。第2図は載
物台を微小距11ixだけ移動させたときに、テレビカ
メラ視野1内において、第1図のステップにて記憶した
参照パターンの位置関係を示す図である。ここでパター
ン認識を行うと、参照パターンの記憶された位置からの
ずれ量としてΔX及びΔYが得られ、これから直線状パ
ターン2すなわちウェハチップの並び方向と載物台の移
動方向とのなす角θは、 θ−tan ” (△Y/(X−△X))で与えられる
これだけの角度θだけ載物台を回動させてやることによ
って角度合せが可能となる。この場合の移動距離Xは微
小であり、パターン認識の誤差により、算出された角度
にも比較的大きな誤差が含まれるので、移動距離Xを増
しながら複数回この動作を実行することになる。
次に、第3図は上記の粗調が終った模の微調の様子を示
したちので、ウェハ内の任意のチップ4の中のパターン
認識装置に記憶することのできる領1a6内の適当なパ
ターン7を参照パターンとして記憶する。載物台をチッ
プ寸法の整数倍×1だけ移動させると、テレビカメラの
視野内にチップ5内のチップ4で記憶したパターン7に
相当するパターン7′が現れる。このとき、チップ並び
方向8と載物台移動方向9とのなす角θ1に応じてずれ
△Y1が生じる。これをパターン認識で求めることによ
って、 θImtan−’(ΔY1  /XI  )で角度θ1
が算出できることになり、この角度の@調が可能となる
のである。
発明の効果 叙上の如く本発明によれば、半導体ウェハの角度調整の
粗調から微調までをパターン認識技術のみを用いて簡単
に行うことができるので、調整装置の簡素化が図れると
いう効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例における粗調時における参照パ
ターンの記憶時の様子を示す図、第2図は第1図の状態
から載物台を微小距MXだけ移動させたときのテレビカ
メラ視野内の様子を示す図、第3図は本発明の実施例に
おける微調時のテレビカメラ視野と載物台との動きとの
関係を示す図である。 主要部分の符号の説明 1・・・・・・テレビカメラ視野 2・・・・・・直線状参照パターン 7・・・・・・チップ内の所定参照パターン第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. テレビカメラを有する観測光学系と、パターン認識装置
    と、半導体ウェハを載置する載物台とを備えた半導体ウ
    ェハ目合せ機構において、半導体ウェハ内のチップの並
    び方向と前記載物台の移動方向とを平行とするような角
    度調整方法であって、前記ウェハ内のチップ上にあって
    かつこのチップの並び方向に平行な直線状の参照パター
    ンを前記パターン認識装置に記憶せしめるステップと、
    このステップにおける位置から前記載物台を、前記参照
    パターンが前記テレビカメラの視野から外れない程度の
    微小距離だけ移動させるステップと、このステップにお
    ける前記テレビカメラの視野内の前記参照パターンの前
    記パターン認識装置に記憶された位置からのずれ量を求
    めるステップと、このずれ量と前記載物台の移動量とか
    ら載物台移動方向とチップの並び方向とのなす角度を求
    めるステップと、この角度をもとに前記載物台を回動せ
    しめて角度の粗調整をなすステップと、任意のチップ内
    における所定パターンをパターン認識装置により記憶す
    るステップと、このステップにおける位置から前記載物
    台をチップ寸法の整数倍だけ移動せしめるステップと、
    このときの前記所定パターンの前記テレビカメラの視野
    におけるずれ量をパターン認識によつて求めるステップ
    と、このずれ量と載物台の移動量とからウェハのチップ
    並び方向と載物台の移動方向とのなす角度を求め、この
    角度をもとに載物台を回動させて角度の微調整をなすス
    テップとを含む半導体ウェハの角度調整方法。
JP13998085A 1985-06-26 1985-06-26 半導体ウェハの角度調整方法 Expired - Lifetime JPH0737896B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13998085A JPH0737896B2 (ja) 1985-06-26 1985-06-26 半導体ウェハの角度調整方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13998085A JPH0737896B2 (ja) 1985-06-26 1985-06-26 半導体ウェハの角度調整方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62806A true JPS62806A (ja) 1987-01-06
JPH0737896B2 JPH0737896B2 (ja) 1995-04-26

Family

ID=15258139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13998085A Expired - Lifetime JPH0737896B2 (ja) 1985-06-26 1985-06-26 半導体ウェハの角度調整方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0737896B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111370298A (zh) * 2020-04-16 2020-07-03 上海华虹宏力半导体制造有限公司 半导体衬底清洗方法及调整方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111370298A (zh) * 2020-04-16 2020-07-03 上海华虹宏力半导体制造有限公司 半导体衬底清洗方法及调整方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0737896B2 (ja) 1995-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6494122B2 (en) Alignment method and apparatus for aligning cutting blade
US3783520A (en) High accuracy alignment procedure utilizing moire patterns
KR940000910B1 (ko) 반도체 칩의 얼라인먼트 방법 및 레이저 리페이어용 타겟이 형성된 반도체 칩
US5982044A (en) Alignment pattern and algorithm for photolithographic alignment marks on semiconductor substrates
JP5346759B2 (ja) 基板位置決め方法
US6864954B2 (en) Exposure process and exposure device
EP1095346A1 (en) Two-dimensional to three-dimensional vlsi design
US20240096677A1 (en) Wafer Positioning Method and Apparatus
JP2650182B2 (ja) 位置合せマーク並びに該マークを有する電子装置及びその製造方法
JPS62806A (ja) 半導体ウエハの角度調整方法
JPH06302925A (ja) 基板とそれに用いるアライメントマーク
US4662753A (en) Apparatus and method for aligning objects
JPS62155532A (ja) 半導体ウエ−ハの位置合せマ−クの形成方法
JP2001012905A (ja) 露光装置
JPH06334022A (ja) 半導体位置決め方法
JPH1195407A (ja) フォトマスク
JPH1197327A (ja) 露光装置のマスク取付機構
JPH05152421A (ja) 半導体ウエハの位置合せ方法
US6741330B2 (en) Exposure device
JPH055368B2 (ja)
JP3226630B2 (ja) 位置合わせ機構
JPH08298236A (ja) パターンの露光方法及びその装置
JP2674237B2 (ja) 基板の切断方法
JP3080694B2 (ja) 露光装置
JPS6152973B2 (ja)