JPS6275775A - 画像処理装置 - Google Patents
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- JPS6275775A JPS6275775A JP60215549A JP21554985A JPS6275775A JP S6275775 A JPS6275775 A JP S6275775A JP 60215549 A JP60215549 A JP 60215549A JP 21554985 A JP21554985 A JP 21554985A JP S6275775 A JPS6275775 A JP S6275775A
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- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
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- Image Analysis (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、CTスキャナなどによって得られる多孔性物
質の断層画像に対する画像処理装置に係わり、特に上記
多孔性物質の気孔率を算出する気孔率算出手段の改良に
関する。
質の断層画像に対する画像処理装置に係わり、特に上記
多孔性物質の気孔率を算出する気孔率算出手段の改良に
関する。
CTスキャナは、被検査体の特定断面に放射線を全周方
向から照射して、これら放射線の透過線量を測定するこ
とにより投影データを得、この投影データから上記特定
断面の断rvrsを得るものであって、この断HEN彰
により得られた各スライス位置の画像データからは、上
記被検査体の計測に関する情報、例えば被検査体の寸法
、断面形状および欠陥の有無、また人体等に対してはそ
の組織分布等の情報を得ることができる。したがって、
上記CTスキャナは産業用あるいは医療用として広く利
用されている。
向から照射して、これら放射線の透過線量を測定するこ
とにより投影データを得、この投影データから上記特定
断面の断rvrsを得るものであって、この断HEN彰
により得られた各スライス位置の画像データからは、上
記被検査体の計測に関する情報、例えば被検査体の寸法
、断面形状および欠陥の有無、また人体等に対してはそ
の組織分布等の情報を得ることができる。したがって、
上記CTスキャナは産業用あるいは医療用として広く利
用されている。
例えば、産業分野においては、CTスキャナによって多
孔性物質からなる製品の断層画像を求め、この断層画像
に基いて上記多孔性物質の気孔率を算出することにより
製品の品質検査を行なうことがある。この場合、従来は
、断層画像をプロフィール処理し、所定のしきい値で2
値化することにより2値化画像を得、この2値化画像に
基いて気孔率の算出を行なうものとなっていた。
孔性物質からなる製品の断層画像を求め、この断層画像
に基いて上記多孔性物質の気孔率を算出することにより
製品の品質検査を行なうことがある。この場合、従来は
、断層画像をプロフィール処理し、所定のしきい値で2
値化することにより2値化画像を得、この2値化画像に
基いて気孔率の算出を行なうものとなっていた。
しかるに、一般に、CTスキャナによる断層画像にはボ
ケが含まれており、気孔と他の部分との輪郭が明確では
ない。このため、上記従来の気孔率算出手段では、気孔
を決定する際のしきい値の選択が困難であり、しきい値
の選び方によっては、気孔率に数パーセントのずれを生
じるおそれがあった。したがって、品質検査の信頼度に
問題があり、実用性に乏しかった。
ケが含まれており、気孔と他の部分との輪郭が明確では
ない。このため、上記従来の気孔率算出手段では、気孔
を決定する際のしきい値の選択が困難であり、しきい値
の選び方によっては、気孔率に数パーセントのずれを生
じるおそれがあった。したがって、品質検査の信頼度に
問題があり、実用性に乏しかった。
また、気孔と物質とを識別するしきい値と物質と背景空
気とを識別するしきい値とが異なるため、物質の外輪郭
に形成された気孔すなわち開気孔は見落とされることに
なる。このため、従来は複雑な演算処理を行なうことに
より開気孔を含む気孔率を算出しなければならず、算出
処理に長時間を費やしていた。
気とを識別するしきい値とが異なるため、物質の外輪郭
に形成された気孔すなわち開気孔は見落とされることに
なる。このため、従来は複雑な演算処理を行なうことに
より開気孔を含む気孔率を算出しなければならず、算出
処理に長時間を費やしていた。
本発明はこのような事情に基いてなされたものであり、
その目的とするところは、多孔性物質の開気孔を含む気
孔率を単時間で簡単にかつ正確に算出することができ、
多孔性物質からなる製品の品質検査の信頼性向上をはか
り得る画像処理装置を提供することにある。
その目的とするところは、多孔性物質の開気孔を含む気
孔率を単時間で簡単にかつ正確に算出することができ、
多孔性物質からなる製品の品質検査の信頼性向上をはか
り得る画像処理装置を提供することにある。
〔発明の概要]
本発明は、上記目的を達成するために、多孔性物質の断
層画像を上記多孔性物質と周囲に存在する空気とを識別
するしきい値で2値化し、この2値化された画像の穴埋
め処理を行なうと共に、前記多孔性物質の断層画像を上
記多孔性物質と物質内気孔とを識別するしきい値で2値
化し、この2値化された画像と前記穴埋め処理された画
像とに基いて前記多孔性物質の気孔率を算出するように
したものである。
層画像を上記多孔性物質と周囲に存在する空気とを識別
するしきい値で2値化し、この2値化された画像の穴埋
め処理を行なうと共に、前記多孔性物質の断層画像を上
記多孔性物質と物質内気孔とを識別するしきい値で2値
化し、この2値化された画像と前記穴埋め処理された画
像とに基いて前記多孔性物質の気孔率を算出するように
したものである。
第1図は本発明の一実施例の概略構成を示すブロック図
である。同図において10は断層画像形成手段としての
CTシステムであって、被検査体の特定断面に全周方向
から放射線を照射して得られる放射線吸収データに画像
再構成処理を施し、この特定断面に関する画像を得るも
のである。このCTシステム10により得られた画像デ
ータは、転送インターフェース11によって画像処理シ
ステム内に導かれ、低速バス12を介してCPU13に
与えられる。そして、このCPU 13の作用により上
記画像データは高速バス14を介して主記憶装置15に
格納されるものとなっている。
である。同図において10は断層画像形成手段としての
CTシステムであって、被検査体の特定断面に全周方向
から放射線を照射して得られる放射線吸収データに画像
再構成処理を施し、この特定断面に関する画像を得るも
のである。このCTシステム10により得られた画像デ
ータは、転送インターフェース11によって画像処理シ
ステム内に導かれ、低速バス12を介してCPU13に
与えられる。そして、このCPU 13の作用により上
記画像データは高速バス14を介して主記憶装置15に
格納されるものとなっている。
16は画像データ処理装置であって、上記主記憶装置1
5に格納された画像データに基いて被検査体としての多
孔性物質の気孔率を算出するための面積データを得るも
のであり、この画像データ処理装置16によって得られ
た面積データは、前記CPU13に与えられて気孔率が
算出されるものとなっている。17は前記主記憶装置1
5バツクアツプする2次記憶装置であって、必要に応じ
て上記CPU13にて算出された気孔率データあるいは
画像データ処理5A置16からの各種画像データが記憶
される。18はキーボードなどからなる入力装置であっ
て、前記画像データ処理装置16にてデータ処理に必要
なしきい値等の入力を行なうものである。19はCRT
などからなる表示装置であって、前記主記憶装置15あ
るいは2次記憶装置17に格納された画像データまたは
気孔率データなどを表示する。
5に格納された画像データに基いて被検査体としての多
孔性物質の気孔率を算出するための面積データを得るも
のであり、この画像データ処理装置16によって得られ
た面積データは、前記CPU13に与えられて気孔率が
算出されるものとなっている。17は前記主記憶装置1
5バツクアツプする2次記憶装置であって、必要に応じ
て上記CPU13にて算出された気孔率データあるいは
画像データ処理5A置16からの各種画像データが記憶
される。18はキーボードなどからなる入力装置であっ
て、前記画像データ処理装置16にてデータ処理に必要
なしきい値等の入力を行なうものである。19はCRT
などからなる表示装置であって、前記主記憶装置15あ
るいは2次記憶装置17に格納された画像データまたは
気孔率データなどを表示する。
第2図は前記画像データ処理装置16の具体的構成を示
すブロック図である。同図において20はコントローラ
であって、画像データの転送制御および後述する各構成
要素の動作制御を行なうものとなっている。また、上記
コントローラ20は記憶部21を備えており、必要情報
を所定の領域に格納できる。22はメモリ部MO−M4
を有する画像メモリ装置であって、画像データバス23
a、23bを介して与えられる各種画像データを一時記
憶する。24は2値化処理装置であって、前記画像メモ
リ装置22に記憶された所定の画像データをコントロー
ラ21から与えられるしきい値によって2値化する。2
5は穴埋め処理装置であって、上記2値化処理装置24
にて2値化された画像データの穴埋め処理を行なうもの
である。
すブロック図である。同図において20はコントローラ
であって、画像データの転送制御および後述する各構成
要素の動作制御を行なうものとなっている。また、上記
コントローラ20は記憶部21を備えており、必要情報
を所定の領域に格納できる。22はメモリ部MO−M4
を有する画像メモリ装置であって、画像データバス23
a、23bを介して与えられる各種画像データを一時記
憶する。24は2値化処理装置であって、前記画像メモ
リ装置22に記憶された所定の画像データをコントロー
ラ21から与えられるしきい値によって2値化する。2
5は穴埋め処理装置であって、上記2値化処理装置24
にて2値化された画像データの穴埋め処理を行なうもの
である。
具体的には、例えば穴埋め処理を行なう2値化画像の濃
淡度を逆にした画像を得、この画像において空気部分(
例えば画面左上端)のCT値と同様のCT値を有する画
素部分を取り出し、この取出した画素部分を上記2値化
画像に加える。こうすることにより、画像の穴埋め処理
が行なわれる。
淡度を逆にした画像を得、この画像において空気部分(
例えば画面左上端)のCT値と同様のCT値を有する画
素部分を取り出し、この取出した画素部分を上記2値化
画像に加える。こうすることにより、画像の穴埋め処理
が行なわれる。
26は面積算出処理装置であって、前記2値化処理装置
24あるいは穴埋め処理装置25により処理された画像
データに対し画素の値が零でない画素部分の面積を算出
するものであり、算出結果は前記コントローラ20にお
ける記憶部21の所定領域に記憶される。27は画素間
演算装置であって、所定の2つの画像データに対し1画
素毎に減算処理を行なう機能を有している。
24あるいは穴埋め処理装置25により処理された画像
データに対し画素の値が零でない画素部分の面積を算出
するものであり、算出結果は前記コントローラ20にお
ける記憶部21の所定領域に記憶される。27は画素間
演算装置であって、所定の2つの画像データに対し1画
素毎に減算処理を行なう機能を有している。
次に、上記の如く構成された本実施例の動作について説
明する。
明する。
第3図は動作説明用の流れ図である。なお、被試験体と
しては多孔性物質のセラミックス体とする。先ず、CT
システム10を動作させて、上記セラミック体の特定断
面に関する濃淡画像(原画像)GOを得る(ステップ(
以下STと略称する)1)。この濃淡画@GOは転送イ
ンターフェース11によって画像処理システム内に転送
され、さらに、CPU13の作用によって主記憶袋@1
5に格納される。その後、画像データ処理装置16にお
けるコントローラ20により画像メモリ装置22のメモ
リ部MOに書込まれる(ST2>。
しては多孔性物質のセラミックス体とする。先ず、CT
システム10を動作させて、上記セラミック体の特定断
面に関する濃淡画像(原画像)GOを得る(ステップ(
以下STと略称する)1)。この濃淡画@GOは転送イ
ンターフェース11によって画像処理システム内に転送
され、さらに、CPU13の作用によって主記憶袋@1
5に格納される。その後、画像データ処理装置16にお
けるコントローラ20により画像メモリ装置22のメモ
リ部MOに書込まれる(ST2>。
第4図は上記画像メモリ装置22のメモリ部MOに書込
まれた濃淡画@GOの状態図である。
まれた濃淡画@GOの状態図である。
同図において、セラミックス体31のCT値が最も高く
、開気孔32も回りのセラミックス体31の影響でやや
高いCT値となっている。また、物質内気孔33および
背景空気34のCT値は低い値になっている。したがっ
て、この濃淡画像GOをプロフィール処理すると、その
プロフィールは第5図に示すとおりになる。なお、第5
図において、しきい1m L Oはセラミックス体31
と物質内気孔33とを識別するためのしきい値であり、
しきい1ffiL1はセラミックス体31と背景空気3
4とを識別するためのしきい値である。そして、これら
各しきい値LO,Llは、セラミックス体31の材料等
により経験的に決められる。
、開気孔32も回りのセラミックス体31の影響でやや
高いCT値となっている。また、物質内気孔33および
背景空気34のCT値は低い値になっている。したがっ
て、この濃淡画像GOをプロフィール処理すると、その
プロフィールは第5図に示すとおりになる。なお、第5
図において、しきい1m L Oはセラミックス体31
と物質内気孔33とを識別するためのしきい値であり、
しきい1ffiL1はセラミックス体31と背景空気3
4とを識別するためのしきい値である。そして、これら
各しきい値LO,Llは、セラミックス体31の材料等
により経験的に決められる。
一方、前記メモリ部MOに書込まれた濃淡画像GOは、
画素毎に画像データバス23aを通って2値化処理装置
24に送られ、この2値化処理装置24において、コン
トローラ20から与えられるしきい値L1によって2値
化される(ST3)。
画素毎に画像データバス23aを通って2値化処理装置
24に送られ、この2値化処理装置24において、コン
トローラ20から与えられるしきい値L1によって2値
化される(ST3)。
そして、このしきい値L1により2値化された画素デー
タは、逐次画像データバス23bを通って画像メモリ装
置22のメモリ部M1に与えられ、2値化画像G1とし
て書込まれる(ST4)。このメモリ部M1に書込まれ
た2値化画像G1を第6図(a)に示す。このように、
2値化画像G1は開気孔32をある程度含んだ外輪郭を
有する。
タは、逐次画像データバス23bを通って画像メモリ装
置22のメモリ部M1に与えられ、2値化画像G1とし
て書込まれる(ST4)。このメモリ部M1に書込まれ
た2値化画像G1を第6図(a)に示す。このように、
2値化画像G1は開気孔32をある程度含んだ外輪郭を
有する。
次いで、上記メモリ部M1に記憶された2値化画像G1
は、逐次、穴埋め処理装置25に転送され、所定の穴埋
め処理が施される(ST5)。そして、穴埋めされた2
値化画像G2はメモリ部M2に書込まれる(ST6)。
は、逐次、穴埋め処理装置25に転送され、所定の穴埋
め処理が施される(ST5)。そして、穴埋めされた2
値化画像G2はメモリ部M2に書込まれる(ST6)。
このメモリ部M2に書込まれた2値化画像G2を第6図
(b)に示す。
(b)に示す。
その後、上記メモリ部M2に記憶された2値化画(*G
2は、画素毎に面一1出処理装置26へ送られ、ここで
画素の値が零でない画素の面積が算出される(ST7)
。そして、この算出された面積データSOは前記記憶部
21の所定の領域に格納される(ST8)。
2は、画素毎に面一1出処理装置26へ送られ、ここで
画素の値が零でない画素の面積が算出される(ST7)
。そして、この算出された面積データSOは前記記憶部
21の所定の領域に格納される(ST8)。
また、メモリ部MOに格納されている濃淡画像Goは2
値化処理装置24へ送られ、コントローラ20から与え
られるしきい値LOによって2値化される(ST9)。
値化処理装置24へ送られ、コントローラ20から与え
られるしきい値LOによって2値化される(ST9)。
そして、この2@化画111G3は前記メモリ部M3に
書込まれる<5T10)。
書込まれる<5T10)。
このメモリ部M3に書込まれた2値化画像G3を第6図
(C)に示す。
(C)に示す。
その後、メモリ部M2から21!!化画像G2が1画素
ずつ画素間演算装置27に送られると同時に、メモリ部
M3から2値化画像G3が1画素ずつ画素間演算@置2
7に送られ、画素毎に画素値の差が求められる(ST1
1 )。そして、この画素間演算装置27により求めら
れた2値化画像G4(G2−G3)は画素毎に逐次画像
メモリ装置22のメモリ部M4に書込まれる(ST12
)。このメモリ部M4に書込まれた2値化画像G4を第
6図(d)に示す。このように、物質内気孔32と開気
孔33の部分が浮び上る。
ずつ画素間演算装置27に送られると同時に、メモリ部
M3から2値化画像G3が1画素ずつ画素間演算@置2
7に送られ、画素毎に画素値の差が求められる(ST1
1 )。そして、この画素間演算装置27により求めら
れた2値化画像G4(G2−G3)は画素毎に逐次画像
メモリ装置22のメモリ部M4に書込まれる(ST12
)。このメモリ部M4に書込まれた2値化画像G4を第
6図(d)に示す。このように、物質内気孔32と開気
孔33の部分が浮び上る。
次に、上記メモリ部M4に格納された2値化画像G4は
画素毎に逐次面積算出処理装置26へ送られ、画素の値
が零でない画素の面積が算出される(ST13)。そし
て、 算出された面積データS1は前記記憶部21の面
積データSOが格納された領域とは異なる領域に格納さ
れる(ST14)。
画素毎に逐次面積算出処理装置26へ送られ、画素の値
が零でない画素の面積が算出される(ST13)。そし
て、 算出された面積データS1は前記記憶部21の面
積データSOが格納された領域とは異なる領域に格納さ
れる(ST14)。
その後、上記記憶部21の所定領域にそれぞれ格納され
た2値化画像G2の面積データSOおよび2値化画像G
4の面積データS1はコントローラ21の制御によりC
PU 13に与えられ、このCPU13において気孔率
Rが次式に基いて演算される(ST15)。
た2値化画像G2の面積データSOおよび2値化画像G
4の面積データS1はコントローラ21の制御によりC
PU 13に与えられ、このCPU13において気孔率
Rが次式に基いて演算される(ST15)。
R−81/80
そして、このCPU13にて算出された気孔率Rは主記
憶部15に記憶され、必要に応じて表示装置19上に表
示される(ST16.17>。
憶部15に記憶され、必要に応じて表示装置19上に表
示される(ST16.17>。
かくして、本実施例によれば、多孔性物質からなる被試
験体において、物質と物質内気孔とを識別するしきい値
と、物質と背景空気とを識別するしきい値とを設定する
ことにより、多孔性物質の開気孔を含む気孔率を11度
よく算出することができる。また、複連な演l!処理を
必要としな0ので、簡単にかつ短時間で気孔率が得られ
る。したがって、気孔率により多孔性物質からなる製品
の品質検査を行なう場合、信頼性の高い検査結果を得る
ことができ、実用性に富んでいる。
験体において、物質と物質内気孔とを識別するしきい値
と、物質と背景空気とを識別するしきい値とを設定する
ことにより、多孔性物質の開気孔を含む気孔率を11度
よく算出することができる。また、複連な演l!処理を
必要としな0ので、簡単にかつ短時間で気孔率が得られ
る。したがって、気孔率により多孔性物質からなる製品
の品質検査を行なう場合、信頼性の高い検査結果を得る
ことができ、実用性に富んでいる。
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではない。
たとえば、前記実施例ではCTシステム10によって得
られた濃淡画像により気孔率を算出する場合を示したが
、これに限定されるものではなく、マイクロアナライザ
あるいはNMRによる画像といった一般的な画像であっ
ても適当なしきい値を与えることにより精度よく気孔率
を算出することができる。また、前記実施例では表示装
置19に気孔率のみを表示する場合を示したが、画像メ
モリ装置22の各メモリ部MO〜M4に格納される各種
画像データを表示させるようにしてもよい。このほか本
発明の要旨を越えない範囲で種々変形実施可能であるの
は勿論である。
られた濃淡画像により気孔率を算出する場合を示したが
、これに限定されるものではなく、マイクロアナライザ
あるいはNMRによる画像といった一般的な画像であっ
ても適当なしきい値を与えることにより精度よく気孔率
を算出することができる。また、前記実施例では表示装
置19に気孔率のみを表示する場合を示したが、画像メ
モリ装置22の各メモリ部MO〜M4に格納される各種
画像データを表示させるようにしてもよい。このほか本
発明の要旨を越えない範囲で種々変形実施可能であるの
は勿論である。
以上詳述したように、本発明によれば、多孔性物質の断
層画像を上記多孔性物質と周囲に存在する空気とを識別
するしきい値で21ffl化し、この2値化された画像
の穴埋め処理を行なうと共に、前記多孔性物質の断層画
像を上記多孔性物質と物質内気孔とを識別するしきい値
で2値化し、この2値化された画像と前記穴埋め処理さ
れた画像とに基いて前記多孔性物質の気孔率を算出する
ようにしたので、多孔性物質の開気孔を含む気孔率を単
時間で簡単にかつ正確に算出することができ、多孔性物
質からなる製品の品質検査の信頼性向上をはかり得る画
像処理装置を提供できる。
層画像を上記多孔性物質と周囲に存在する空気とを識別
するしきい値で21ffl化し、この2値化された画像
の穴埋め処理を行なうと共に、前記多孔性物質の断層画
像を上記多孔性物質と物質内気孔とを識別するしきい値
で2値化し、この2値化された画像と前記穴埋め処理さ
れた画像とに基いて前記多孔性物質の気孔率を算出する
ようにしたので、多孔性物質の開気孔を含む気孔率を単
時間で簡単にかつ正確に算出することができ、多孔性物
質からなる製品の品質検査の信頼性向上をはかり得る画
像処理装置を提供できる。
第1図ないし第6図(a)〜(d)は本発明の一実施例
を示す図であって、第1図は全体の概略構成を示すブロ
ック図、第2図は画像データ処理装置の具体的構成を示
すブロック図、第3図は動作説明用の流れ図、第4図は
濃淡画像(原画像)の状態図、第5図は濃淡画像をプロ
フィール処理した状態図、第6図(a)〜(d)は画像
メモリ装置の各メモリ部に記憶される画像データの状態
図である。 10・・・CTシステム、13・・・CPU、15・・
・主記憶装置、16・・・画像データ処理装置、18・
・・入力装置、19・・・表示装置、2o・・・コント
ローラ、21・・・記憶部、22・・・画像メモリ装置
、24・・・2値化処理装置、25・・・穴埋め処理装
置、26・・・面積算出処理装置、27・・・画素間演
算装置。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第3図
を示す図であって、第1図は全体の概略構成を示すブロ
ック図、第2図は画像データ処理装置の具体的構成を示
すブロック図、第3図は動作説明用の流れ図、第4図は
濃淡画像(原画像)の状態図、第5図は濃淡画像をプロ
フィール処理した状態図、第6図(a)〜(d)は画像
メモリ装置の各メモリ部に記憶される画像データの状態
図である。 10・・・CTシステム、13・・・CPU、15・・
・主記憶装置、16・・・画像データ処理装置、18・
・・入力装置、19・・・表示装置、2o・・・コント
ローラ、21・・・記憶部、22・・・画像メモリ装置
、24・・・2値化処理装置、25・・・穴埋め処理装
置、26・・・面積算出処理装置、27・・・画素間演
算装置。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第3図
Claims (4)
- (1)多孔性物質の断層画像を上記多孔性物質と周囲に
存在する空気とを識別するしきい値で2値化する第1の
2値化手段と、この第1の2値化手段により2値化され
た画像の穴埋め処理を行なう穴埋め手段と、前記多孔性
物質の断層画像を上記多孔性物質と物質内気孔とを識別
するしきい値で2値化する第2の2値化手段と、この第
2の2値化手段により2値化された画像と前記穴埋め手
段により穴埋めされた画像とに基いて前記多孔性物質の
気孔率を算出する気孔率算出手段とを具備したことを特
徴とする画像処理装置。 - (2)前記穴埋め手段は、前記第1の2値化手段により
2値化された画像の濃淡度を逆にした画像を得、この画
像において空気部分のCT値と同様のCT値を有する画
素部分を取出し、この取出した画素部分を前記2値化さ
れた画像に加えるようにするものであることを特徴とす
る特許請求の範囲第(1)項記載の画像処理装置。 - (3)前記気孔率算出手段は、前記穴埋め手段により穴
埋めされた画像から前記第2の2値化手段により2値化
された画像を減算処理することにより得られた画像の面
積と前記穴埋め手段により穴埋めされた画像の面積との
比を求めるものであることを特徴とする特許請求の範囲
第(1)項記載の画像処理装置。 - (4)前記第1の2値化手段および第2の2値化手段に
て設定されるそれぞれのしきい値は、前記多孔性物質の
材料等により経験的に決められ、少なくとも前記第1の
2値化手段にて設定されるしきい値の方が前記第2の2
値化手段にて設定されるしきい値よりも低くなる関係を
有するものであることを特徴とする特許請求の範囲第(
1)項記載の画像処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60215549A JPS6275775A (ja) | 1985-09-28 | 1985-09-28 | 画像処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60215549A JPS6275775A (ja) | 1985-09-28 | 1985-09-28 | 画像処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6275775A true JPS6275775A (ja) | 1987-04-07 |
Family
ID=16674269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60215549A Pending JPS6275775A (ja) | 1985-09-28 | 1985-09-28 | 画像処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6275775A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0212574A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Shimadzu Corp | 画像解析装置 |
JPH063251A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-01-11 | Hitachi Ltd | 多孔質体における気孔率等の分析法 |
US9669745B2 (en) | 2011-12-27 | 2017-06-06 | Piolax, Inc. | Mat fastener |
JP2018031735A (ja) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | 新日鐵住金株式会社 | 気孔率測定装置、気孔率測定プログラム、及びその方法 |
-
1985
- 1985-09-28 JP JP60215549A patent/JPS6275775A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0212574A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Shimadzu Corp | 画像解析装置 |
JPH063251A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-01-11 | Hitachi Ltd | 多孔質体における気孔率等の分析法 |
US9669745B2 (en) | 2011-12-27 | 2017-06-06 | Piolax, Inc. | Mat fastener |
JP2018031735A (ja) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | 新日鐵住金株式会社 | 気孔率測定装置、気孔率測定プログラム、及びその方法 |
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