JPS627442A - 反応装置 - Google Patents

反応装置

Info

Publication number
JPS627442A
JPS627442A JP14582485A JP14582485A JPS627442A JP S627442 A JPS627442 A JP S627442A JP 14582485 A JP14582485 A JP 14582485A JP 14582485 A JP14582485 A JP 14582485A JP S627442 A JPS627442 A JP S627442A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
contraction
expansion nozzle
nozzle
reaction
stock material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14582485A
Other languages
English (en)
Inventor
Masao Sugata
菅田 正夫
Hiroyuki Sugata
裕之 菅田
Toshiaki Kimura
木村 稔章
Yuji Chiba
千葉 裕司
Masahiro Haruta
春田 昌宏
Kuniji Osabe
長部 国志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP14582485A priority Critical patent/JPS627442A/ja
Priority to CA000504936A priority patent/CA1272661A/en
Priority to GB8607603A priority patent/GB2175708B/en
Priority to DE3610295A priority patent/DE3610295C2/de
Publication of JPS627442A publication Critical patent/JPS627442A/ja
Priority to US07/053,555 priority patent/US4909914A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/26Nozzle-type reactors, i.e. the distribution of the initial reactants within the reactor is effected by their introduction or injection through nozzles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228Gas flow assisted PVD deposition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45582Expansion of gas before it reaches the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45585Compression of gas before it reaches the substrate
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00051Controlling the temperature
    • B01J2219/00054Controlling or regulating the heat exchange system
    • B01J2219/00056Controlling or regulating the heat exchange system involving measured parameters
    • B01J2219/00065Pressure measurement
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00164Controlling or regulating processes controlling the flow
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00245Avoiding undesirable reactions or side-effects

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、例えばガスや、気相中に浮遊された液体又は
固体の微粒子等、実質的に気相流とし得る原料の反応装
置に関するもので、特に、縮小拡大ノズルを有する反応
装置に関するものである。
本明細書において、縮小拡大ノズルとは、流入口側から
中間部に向って徐々に開口面積が絞られてのど部となり
、こののど部から流出口に向って徐々に開口面積が拡大
されているノズルをいう。
また、反応とは、化学反応だけでなく、気相、液相及び
固相間の原料の相変化、クラスターの生成、更には原料
の活性化笠、化学反応は伴なわない物性変化をも含むも
のである。
[従来の技術」 従来、SiO蒸気を発生させる手段と、捕集箱との間に
末広ノズルを設けたアモルファス状SiOの製造装置が
特公昭59−050Ei01において提案されている。
この装置は、ト流側にSiO蒸気を発生させ、このSi
O蒸気を末広ノズルに導き、断熱膨張丁において急冷す
ると共に、前記ノズルの出口雰囲気を窒化又は炭化雰囲
気にしておき、噴射されてきたB微粉のアモルファス状
SiOと前記雰囲気を反応させ、少なくとも表面を窒化
又は炭化してなるM微粉のアモルファス状SiOを得る
ものであった。
L記装首における末広ノズルは、流過する気相が、流過
時の断熱膨張と共に急冷されることを利用して、流通す
るSiOを急冷し、SiOがSiと5i02に分解して
しまうのを防止するものである。また、末広ノズルが、
流過する気相を超音速にまで加速できるという、流過す
る気相の広い速度調整領域を有することを利用して、得
られるアモルファス状SiOの粒径を調整するものでも
ある。
[発明が解決しようとする問題点J しかしながら、このような装置にあっては、雰囲%状の
B物質に、ノズルから導かれたA物質を噴射させるもの
であるため、下流側においては、その反応場となる領域
が拡散してしまう。したがって、物質相互の混合密度が
低くなり、原料の利用効率が悪くなるばかりでなく、反
応によって得られる生成物の歩留りも低下してしまう。
また、下流側において、外部からレーザー、プラズマ等
によるエネルギー付テを行うことによって、反応物質の
活性化を計る場合においても、反応場が限定されていな
いため、エネルギー付与を効率よく行うことができなか
った。
本発明は、上述の従来技術の欠点を解決した新規な反応
装置を提供することを目的とするものである。
L問題点を解決するための手段J 上記問題点を解決するために講じられた手段を、実施例
に対応する第1図とともに説明すると、」二流室3と上
流室4とを結ぶ流路に縮小拡大ノズル1を設け、前記上
流室3から少なくとも一種類以北の物質を縮小拡大ノズ
ルlに送り込み、この縮小拡大ノズル内で単独あるいは
複数の物質相互での反応を行なわせるようにしたもので
ある。また、外部からのエネルギー付ケの手段としては
、縮小拡大ノズル1をガラス等の透明体で作製する方法
、あるいは、ノズル本体を電極化する方法などが挙げら
れる。
なお1本発明における縮小拡大ノズル1とは、流入口1
aから中間部に向って徐々に開口面積が絞られてのど部
2となり、こののど部2から流出口1bに向って徐々に
開口面積が拡大されているノズルをいう。751図にお
いては、説明の便宜り、縮小拡大ノズルlの流入側と流
出側は、各々密閉系である上流室3と下流室4に連結さ
れている。しかし、本発明における縮小拡大ノズルlの
流入側と流出側は1両者間に差圧を生じさせて、下流側
で排気しつつキャリアガスと共に微粒子を流過させるこ
とができれば、密閉系であっても開放系であってもよい
[作 用] 例えば第1図に示されるように、供給口6から、上流室
3内に原料を供給する一方、下流室4内の空気を真空ポ
ンプ(図示せず〕で排気ロアから排気すると、上流室3
と下流室4間に圧力差を生じる。従って、供給された原
料は、上流室3から縮小拡大ノズル1を流過して下流室
4へと流入することになる。
この時、縮小拡大ノズルは、噴出される原料の流れを凝
縮、均一化し、かつ反応場の領域を限定する作用を成す
ものである。なお、ノズル内における流速は、特に具体
的数値に限定されることはない。
縮小拡大ノズルlは、上流室3の圧力Po と下流室4
の圧力Pの圧力比P/POと、のど部2の開口面積A”
 と流出口1bの開口面積Aとの比A/A” とを調節
することによって、原料の流れを高速化できる。そして
、上流室3と下流室4内の圧力比P / P oが臨界
圧力比より大きければ、縮小拡大ノズル1の出口流速が
亜音速以下の流れとなり、原料は減速噴出される。また
、上記圧力比が臨界圧力比以下であれば、縮小拡大ノズ
ル1の出[1流速はIE音速流となり、原料を超高速に
て噴出させることができる。
ここで、原料の速度をU、その点における音速をa、原
料の比熱比をγとすると、原料の到達マツハ数Mは、上
流室の圧力Po と下流室の圧力Pとから次式で定まる
尚、音速aは局所温度をT、気体定数をRとすると、次
式で求めることができる。
ニーJ−)こ「〒− また、流出C11b l3JJ口面積A及びのど部2の
開口面[A’ とマツハ数Mには次の関係がある。
このように、上流室3の圧力Po と下流室4の圧力P
の圧力比P/P、によって(1)式から定まるマツハ数
Mに応じて開口面積比A/A” を定めたり、A/A”
 によって(2)式から定まるMに応じてP/POを調
整することによって、拡大縮小ノズルlから噴出する原
料の流速を調整できる。したがって、上流と下流の圧力
比のつりおいをとることによって、原料の流れをビーム
化することも可能である。
一方、縮小拡大ノズル1を流過するときに、原料は、保
有する熱エネルギーが運動エネルギーに変換される。そ
して、特に超音速で噴出される場合、熱エネルギーは著
しく小さくなって過冷却状態となる。従って、原料中に
凝縮成分が含まれている場合、上記過冷却状態によって
積極的にこれらを凝縮させ、これによって超微粒子を形
成させることも可能である。この場合、原料を圧縮性の
一1次元断熱流とし、この原料の流れの持つ熱エネルギ
ーをf−、運動ニオ、ルキーをVとすると、tと■は次
の関係にある。
従って、前述のP/Po並ひにA/A・の調整によって
原料の流れのMを調整してVを増減させれば、(3)式
に従って原料の持つ熱エネルギーtを増減させることが
でき、これによって原料の温度を制御することができる
。この温度ルj御は、原料を移送するためのエネルギー
をそのまま温度制御に活用してしまうもので、温度制御
のためのみの他のエネルギー源は不要である。
また、ポンプの排気温情に対する縮小拡大ノズル1のの
ど部2断面積を調整することによって、原料の出が流量
を常に一定の値にすることが可能で、出量流量の制御を
容易に行うことができる。
すなわち、ポンプの有効排気流量と縮小拡大ノズル1の
ノズル出量流量が簿しくなるよう、縮小拡大ノズル1の
のど部2断面積を決定しておけば、パルプ等によるポン
プの排気流量調節を行うことなく、流出口1bで微粒子
流が、常に適正膨張となるようにすることができ、当該
ポンプの性能下における原料の最大流速を安定して得る
ことが可能となる・ここで、縮小拡大ノズル1のノズル
出量流置伍は、次の(4)式で求められるもので、上流
室3の圧力Poと温度T。が−足とすると、のど部2の
開口面、ti¥A”で決定される。
したがって、連続的に一定量ずつの反応生成物を容易に
得られ、また、反応量に見合った量の原料の供給も容易
である。
し実施例」 第1図は本発明の実施例を示す反応装置の概略構成図で
ある。図中、lは縮小拡大ノズル、3は上流室、4は下
流室、5は生成物を補集するための基体、6は原料の供
給【1.7は排気口である。
第1図(a)は、原F) Aを単独で反応させる場合の
例を示したもので、縮小拡大ノズル1を通過した原料A
は、物性の異なる生成物A′として基体5Lで捕集され
る。同図(b)は、複数の原料A及びBを同時に反応さ
せる場合の例を示したもので、縮小拡大ノズル1を通過
した原料A、Bは、生成物A’ 、B’として捕集され
る。同図(C)は、(b)と同様な例を示すものである
が、この場合、原料AとBとの反応によって新たな生成
物Cが捕集される。
次に、本発明において用いられる縮小拡大ノズルについ
て述べる。
縮小拡大ノズル1としては、前述のように、流入口1a
から徐々に開口面積が絞られてのど部2となり、再び徐
々に開0面積が拡大してtf、出口lbとなっているも
のであればよいが、第2図(a)に拡大して示しである
ように、流出口lb付近の内周面が、中心軸に対してほ
ぼ7行であることが好ましい。これは、原料の流れ方向
が、ある程度流出口lb付近の内周面の方向によって影
響を受けるので、できるだけモ行流にさせやすくするた
めである。しかし、第2図(b)に示されるように、の
ど部2から流出口1bへ至る内周面の中心軸に対する角
度αを、7°以下好ましくは5″以下とするば、剥離現
象を生じにくく、噴出する原料の流れはほぼ均一に維持
されるので、この場合はことさら上記平行部を形成しな
くともよい。
平行部の形成を省略することにより、縮小拡大ノズル1
の作製が容易となる。また、縮小拡大ノズルlを第2図
(C)に示されるような矩形のものとすれば、スリット
状に原料を噴出させることができる。
ここで、前記剥離現象とは縮小拡大ノズルlの内面に丈
起物等があった場合に、縮小拡大ノズル1の内面と流過
流体間の境界層が大きくなって、流れが不均一になる現
象をいい、噴出流が高速になるほど生じやすい。前述の
角度αは、この剥離現象防止のために、縮小拡大ノズル
1の内面仕上げ精度が劣るものほど小さくすることが好
ましい。縮小拡大ノズル1の内面は、JIS 8080
1に定められる、表面仕[二げ精度を表わす逆三角形マ
ークで三つ以L、最適には四つ以上が好ましい。特に、
縮小拡大ノズル1の拡大部における剥離現象が、その後
の原料の流れに大きく影響するので、L記仕上げ精度を
、この拡大部を重点にして定めることによって、縮小拡
大ノズル1の作製を容易にできる。また、やはり剥離現
象の発生防ILのため、のど部2は滑らかな湾曲面とし
、断面積変化率における微係数が(1)とならないよう
にする必要がある。
縮小拡大ノズルlの材質としては、例えば鉄、ステンレ
ススチールその他の金属の他、アクリル樹脂、ポリ塩化
ビニル、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン
等の合成樹脂、セラミック材料、石英、ガラス等、広く
用いることができる。この材質の選択は、生成される物
質との非反応性、加工性、真空系内におけるガス放出性
等を考慮して行えばよい。また、縮小拡大ノズル1の内
面に、原料の付着・反応を生じにくい材料をメッキ又は
コートすることもできる。具体例としては、ポリフッ化
エチレンのコート等を挙げることができる。他方、ノズ
ル内面において化学反応を起こさせる材料を形成するこ
ともできる。具体例としては、担持触媒、バイコールガ
ラス等の多孔質物質による触媒作用を用いる方法、ある
いは反応性物質を塗布する方法などが挙げられる。
縮小拡大ノズル1の長さは、装置の大きさ等によって任
意に定めることができる。ところで、縮小拡大ノズルl
を流過するときに、流れは、保有する熱エネルギーが運
動エネルギーに変換される。そして、速度を大きくして
Qエネルギーを小さくすれば、過冷却状態を作り出すこ
ともできる。従って、原料A中に凝縮成分が含まれてい
る場合、上記温度降下によって積極的にこれらを凝縮さ
せ、これによって微粒子を形成させることも可能である
。また、この場合、部分な凝縮を行うために、縮小拡大
ノズル1は長い方が好ましい。
一方、上記のような凝縮を生ずると、これによって熟エ
ネルギーが増加して速度エネルギーは低下する。従って
、高速噴出の維持を図る1では、縮小拡大ノズル1は短
い方が好ましい。
m3図(a)は、ノズルの下流側出口付近における平行
部を延長させたものである。このように、ノズルの出口
付近の平行部を延長させた場合、第2図(a)に示した
ノズルに比べ、流れる原料の流速は、出口付近でdくな
るものの、前述した様にノズル内における圧力及び温度
分布に特徴が表われる。すなわち、第3図(a)におい
て、流入口からのど部を経て流出口lb′に至るまでは
圧力、温度共に等エントロピー的に降下していくが、平
行部分を通過する際の熱エネルギーの増加にともない圧
力、温度共再びと昇した状態となり、下流側に排出され
る。したがって、流出口ibにおいては丘昇した分の圧
力に見合うだけの圧力設定をすればよいことになり、ポ
ンプの容量を大きくすることなく低圧条件をつくり出す
ことができる。
さらに縮小拡大ノズル1は、第3図(b)に示されるよ
うに、二以J二ののど部2a、2b・・・を有するもの
とすることもできる。このような多段の縮小拡大ノズル
を用いた場合、縮小拡大ノズル1内でm(、Fは加速と
減速を繰返し、これに伴って流れの温度も降下と上昇先
繰返すことになる。、従・、で、このような温度変化を
利用して反応を促すこと等も可能となる。
また、第4図(a)に示されるように、縮小拡大ノズル
lののど部壁面に供給口10を多数設けた構造とするこ
ともできる。この場合、ノズル内を原料が通過する時に
発生するベンチュリー作用によって、前記供給口lOよ
り他の原料を霧状に供給することができる。この場合、
供給する原料が液状の物質であっても、定量的に供給す
ることが可能となる。
一方、第4図(b)に示されるように、縮小拡大ノズル
lののど部2より流入口寄りに供給口10を形成し、縮
小拡大ノズルl内を流れる原料と反応する他の原料を供
給することもできる。供給口10の縮小拡大ノズルl内
聞口位置を、のど部2から七分殖しておくことによって
、縮小拡大ノズル1から噴出される流れの乱れを防止す
ることができる。このような供給口10を設けた縮小拡
大ノズル1とすれば、例えば2種以上の原料をビーム状
流れ内で反応させるときに、L流室z内で全原料を供給
混合する必要がないので、上流室2内で反応が開始され
てその壁面に付着してしまうのを防止できる。
本発明による反応装置は、前述した様にノズル部におい
て外部からエネルギー封手を行ない、原料の活性化を計
ることも可能である。次に、−―としてノズル本体を電
極化した場合について説明する。
第5図は、電極化した縮小拡大ノズルを分解した状態の
甜視図である。この縮小拡大ノズルは、図に示されるよ
うに、電気的良導体で形成されて一対の電極9a、9b
を兼ねる上片及び下片と。
上下片間に介在される電気的絶縁体9Cとから構成され
ている。そして、上片及び下片である両電極9a、9b
間に直流又は高周波電流を付与することによって、縮小
拡大ノズルl内でプラズマが発生されるものである。電
極9a、9bを構成する電気的良導体としては、例えば
鉄、銅その他の金属等が使用される。両電極9a、9b
を電気的に仕切る電気的絶縁体9cとしては、例えば電
気的絶縁性のある合成樹脂、セラミック材料、石英、ガ
ラス等を用いることができる。これらは、生成される物
質との非反応性、加工性、真空系内におけるガス放出性
等を考慮して選択すればよい。また、縮小拡大ノズルの
上下片内面に原料の付看゛反応を生じにくい電気的良導
体をメッキ又はコートしたり、このようなメッキ又はコ
ート層を電極9a、9bとしたりしてもよい。
また、生成物質を捕集しやすい状態とするために、基体
を加熱又は冷却することもできる。特に基体を冷却して
おけば、基体の表面で成分を凝縮させたり固化させて捕
集することもできる。他方、基体を加熱した場合には、
基体上で捕集しゃすい状態で捕集することもでき、さら
に、基体上において活性化による反応を継続させること
も可能である。
[発明の効果] 本発明によれば、原料をS縮、均一化した状態で反応さ
せることができるので、原料の利用効率及び生成物の歩
留りを向上させることができる。
一方、反応場の領域をノズル部に集中化することができ
るので、エネルギー封手を効率よく行なうことができ、
さらには、装置の小型化、反応のフローシステム化も可
能となる。
また、原料の流れを超音速の所定の速度に制御すること
も可能であり、その場合、熱エネルギーが運動エネルギ
ーに変換されて、原料の分子を凍結状態とすることもで
き、これらを利用した新しい反応場を得ることにも大き
な期待を有するものである。更に、本発明によれば、上
記凍結状態になることを利用し、流体中の分子のミクロ
な状態を規定し、一つの状態からある状態への遷移を取
り扱うことも可能である。即ち、分子の持つ各種のエネ
ルギー準位までも規定し、その準位に相当するエネルギ
ーを封手するという、新たな方式による気相の化学反応
が可能である。また、従来とは異なるエネルギー授受の
場が提供されることにより、水素結合やファンデアワー
ルス結合等の比較的弱い分子間力で形成される分子間化
合物を容易に生み出すこともできる。
また、本発明の反応装置によれば、原料を超音速のビー
ムとして移送することもでき、ビーム化した場合には、
装置の内壁等の第3者の介在による汚染の影響を除去し
、かつ空間的に独立した領域内で反応させることが可能
となり、基体玉での生成物の捕集も従来に比べ効率よく
行うことができる。
さらに、イオン・インプラの様な従来技術では、荷電粒
子の打込みが行なわれているが、本発明によりその原料
となる物質をビーム化すれば、その集束性、高速性を活
かして、中性粒子の打ち込みや、切削・エツチング等を
行うことも可能となる。
また、従来の反応装置、例えば、その反応に触媒を用い
るものでは、触媒の活性化作用が低下した場合、触媒の
交換が必要であり、その都度、装置を停止状態にしなけ
ればならない。しかしながら、本発明による反応装置で
は、反応用原料及び原料の活性化り段を、外部から任意
に添加し、制御するものであるため、反応物質の連続生
成が可能となり、工業的にも極めて有用なものとなる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す概略構成図、第2図〜第
4図は縮小拡大ノズルの形状例を示す図、第5図は電極
化した縮小拡大ノズルを分解した状態の斜視図である。 1:縮小拡大ノズル、ld :流入口、1b:流出口、
2:のど部、3:上流室、4:r流室、5:基体、6:
供給口。 7:排出口、9a 、 9b :電極、9C:電気的絶
縁体、10:供給口。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)縮小拡大ノズル内に反応場を有することを特徴と
    する反応装置。
JP14582485A 1985-05-11 1985-07-04 反応装置 Pending JPS627442A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14582485A JPS627442A (ja) 1985-07-04 1985-07-04 反応装置
CA000504936A CA1272661A (en) 1985-05-11 1986-03-24 Reaction apparatus
GB8607603A GB2175708B (en) 1985-05-11 1986-03-26 Reaction apparatus
DE3610295A DE3610295C2 (de) 1985-05-11 1986-03-26 Verfahren und Vorrichtung zur Umsetzung von Rohmaterialien
US07/053,555 US4909914A (en) 1985-05-11 1987-05-21 Reaction apparatus which introduces one reacting substance within a convergent-divergent nozzle

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14582485A JPS627442A (ja) 1985-07-04 1985-07-04 反応装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS627442A true JPS627442A (ja) 1987-01-14

Family

ID=15393972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14582485A Pending JPS627442A (ja) 1985-05-11 1985-07-04 反応装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS627442A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010021265A1 (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 岩谷産業株式会社 クラスタ噴射式加工方法、半導体素子、微小電気機械素子、及び、光学部品
JP2017060952A (ja) * 2017-01-10 2017-03-30 富士夫 堀 容器回転装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4827962A (ja) * 1971-08-16 1973-04-13
JPS544869A (en) * 1977-06-15 1979-01-13 Babcock Hitachi Kk Mixer for reducing agent and diluting agent
JPS60145823A (ja) * 1984-01-06 1985-08-01 Toyobo Co Ltd 高分子材料の熱処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4827962A (ja) * 1971-08-16 1973-04-13
JPS544869A (en) * 1977-06-15 1979-01-13 Babcock Hitachi Kk Mixer for reducing agent and diluting agent
JPS60145823A (ja) * 1984-01-06 1985-08-01 Toyobo Co Ltd 高分子材料の熱処理装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010021265A1 (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 岩谷産業株式会社 クラスタ噴射式加工方法、半導体素子、微小電気機械素子、及び、光学部品
JPWO2010021265A1 (ja) * 2008-08-18 2012-01-26 岩谷産業株式会社 クラスタ噴射式加工方法、半導体素子、微小電気機械素子、及び、光学部品
US8461051B2 (en) 2008-08-18 2013-06-11 Iwatani Corporation Cluster jet processing method, semiconductor element, microelectromechanical element, and optical component
JP5575648B2 (ja) * 2008-08-18 2014-08-20 岩谷産業株式会社 クラスタ噴射式加工方法
JP2017060952A (ja) * 2017-01-10 2017-03-30 富士夫 堀 容器回転装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4909914A (en) Reaction apparatus which introduces one reacting substance within a convergent-divergent nozzle
US7771666B2 (en) Method of producing nanoparticles using a evaporation-condensation process with a reaction chamber plasma reactor system
JPS6380843A (ja) 反応装置
JPS627442A (ja) 反応装置
JPH03505104A (ja) プラズマ処理法およびプラズマトロン
KR20060118819A (ko) 액상 물질 기화 장치
JPH043254B2 (ja)
US20060105912A1 (en) Microstructured catalyst body and method for production thereof
JPS62253772A (ja) 成膜装置
JPS62120477A (ja) 成膜装置
JPS62155934A (ja) 気相励起装置
JPS6316043A (ja) 微粒子の捕集方法
JPS62158318A (ja) 流れ制御装置
GB2175414A (en) Controlling density of particles
JP2003096508A (ja) 微粒子製造方法および微粒子製造装置
JPS6291233A (ja) 微粒子流の流れ制御装置
JPS61221377A (ja) プラズマcvd装置
JPS6381824A (ja) 微粒子流の流れ制御方法
JP2002173394A (ja) ダイヤモンドの製造方法、プラズマ装置およびそのプラズマ装置を用いたダイヤモンドの製造方法
JPS61218815A (ja) 微粒子流の流れ制御装置
JPS62131510A (ja) 微粒子の吹き付け装置
JPH0234509A (ja) 芯体浮場による多結晶質ダイヤモンドの製造方法及びその装置
JP2560032B2 (ja) 粒状体の製造方法
JPS6335779A (ja) 成膜装置
JPS62115699A (ja) 気相励起装置