JPS6271031A - ドロツプアウト検査装置 - Google Patents
ドロツプアウト検査装置Info
- Publication number
- JPS6271031A JPS6271031A JP60210782A JP21078285A JPS6271031A JP S6271031 A JPS6271031 A JP S6271031A JP 60210782 A JP60210782 A JP 60210782A JP 21078285 A JP21078285 A JP 21078285A JP S6271031 A JPS6271031 A JP S6271031A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光ディスク等のドロップアウト検査を行なう装
置に関するものである。
置に関するものである。
従来り技術
従来例として特開昭５９−１９３５６１号公報を引用部
、第８図にその全体の構成図、第９図に検出器の構成図
を示す。第８図、第９図において、レーザー光３６はビ
ームスプリッタ３６により反射されλ／４板３了及び絞
りレンズ３８を経てディスク記録！３９に絞り込まれ、
反射光は絞りレンズ３８．λ／゛４板３Ｔ全３Ｔビーム
スプリッタ３６を透過し７、凸レンズ４０にで絞られ、
フ１−フィールドタ装置に設置された４分割ディテクタ
ー４１により受光される。ディテクター４１の各セルに
よシ得られる信号出力から加算器４２によシ和信号４３
．減算器４４により周方向差信号４６．減算器４６によ
り径方向差信号４７が得られる。これらの和信号、差信
号を適切な検出しづルで比較し、ドロップアウトの検出
を行なう。
、第８図にその全体の構成図、第９図に検出器の構成図
を示す。第８図、第９図において、レーザー光３６はビ
ームスプリッタ３６により反射されλ／４板３了及び絞
りレンズ３８を経てディスク記録！３９に絞り込まれ、
反射光は絞りレンズ３８．λ／゛４板３Ｔ全３Ｔビーム
スプリッタ３６を透過し７、凸レンズ４０にで絞られ、
フ１−フィールドタ装置に設置された４分割ディテクタ
ー４１により受光される。ディテクター４１の各セルに
よシ得られる信号出力から加算器４２によシ和信号４３
．減算器４４により周方向差信号４６．減算器４６によ
り径方向差信号４７が得られる。これらの和信号、差信
号を適切な検出しづルで比較し、ドロップアウトの検出
を行なう。
発明が解決しようとする問題点
罰記の従来の装置によるとドロップアウトの検出ができ
ても、ドロップアウトの要因分別を行なうことができな
かった。本発明はかかる点に鑑みなされたもので、ドロ
ップアウトの要因を分別することができるドロップアウ
ト検査装置を提供することを目的とするものである。
ても、ドロップアウトの要因分別を行なうことができな
かった。本発明はかかる点に鑑みなされたもので、ドロ
ップアウトの要因を分別することができるドロップアウ
ト検査装置を提供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
レーザー光を光デイスク記録面上にその長軸が案内溝と
直交する楕円状に絞り、記録面から反射し絞りレンズで
集光される反射光の、０次回折光光軸と直交し±１次回
折光光軸と交わる直線にて分割される２つの領域の光強
度をそれぞれ検出して各検出信号の差信号を得、差信号
を１個もしくは複数のろ波器に通し、ｐ波器後の差信号
を適切な検出レベルで比較し、検出レベルをこえる場合
とこえない場合とでドロップアウトの要因分別を行なう
ものである。
直交する楕円状に絞り、記録面から反射し絞りレンズで
集光される反射光の、０次回折光光軸と直交し±１次回
折光光軸と交わる直線にて分割される２つの領域の光強
度をそれぞれ検出して各検出信号の差信号を得、差信号
を１個もしくは複数のろ波器に通し、ｐ波器後の差信号
を適切な検出レベルで比較し、検出レベルをこえる場合
とこえない場合とでドロップアウトの要因分別を行なう
ものである。
作 用
光ディスクのドローツブアウト・要因として基材内の遮
光性異物（以下基材的異物と呼ぶ）、案内溝上の傷か異
物（以下溝異常と呼ぶ）、記録膜内の異物やビンボール
（以下膜異常と呼ぶ）等の３つが考えられている。溝異
常と膜異常をまとめて記録面異常と呼ぶ。一般に基材内
異物による差信号は低周波であり、記録面異常による差
信号は高周波となるため、低域通過Ｆ波器（以下ＬＰＦ
と呼ぶ）後の差信号は基材内異物で振幅が大きく、記録
面異常では小さくなり、高域Ｐ波器（以下ＨＰＦと呼ぶ
）後の差信号は基材内異物で小さく、記録面異常で大き
くなる。なお膜異常はその和信号におけるドロップアウ
ト振幅が溝異常に比べ極めて大きいため、ＬＰＦによっ
てはＬＰＦ後の差信号でもその振幅が大きくなる。
光性異物（以下基材的異物と呼ぶ）、案内溝上の傷か異
物（以下溝異常と呼ぶ）、記録膜内の異物やビンボール
（以下膜異常と呼ぶ）等の３つが考えられている。溝異
常と膜異常をまとめて記録面異常と呼ぶ。一般に基材内
異物による差信号は低周波であり、記録面異常による差
信号は高周波となるため、低域通過Ｆ波器（以下ＬＰＦ
と呼ぶ）後の差信号は基材内異物で振幅が大きく、記録
面異常では小さくなり、高域Ｐ波器（以下ＨＰＦと呼ぶ
）後の差信号は基材内異物で小さく、記録面異常で大き
くなる。なお膜異常はその和信号におけるドロップアウ
ト振幅が溝異常に比べ極めて大きいため、ＬＰＦによっ
てはＬＰＦ後の差信号でもその振幅が大きくなる。
以上よシＬＰＦもしくはＨＰＦ後の差信号を適切な検出
レベルで比較することにより、その検出レベルをこえる
か否かで基材内異物、溝異常、膜異常等の要因を分別す
ることが出来る。
レベルで比較することにより、その検出レベルをこえる
か否かで基材内異物、溝異常、膜異常等の要因を分別す
ることが出来る。
実施例
不発明のドロップアウト検査装置の一実施例を第１図に
示す。レーザー光１はビームスプリッタ２により反射さ
れλ／４板３及び絞りレンズ４更に光デイスク基板６を
経て光デイスク記録面６に絞り込まれ、反射光は光デイ
スク基板６．絞りレンズ４．λ／４板３を経てビームス
プリッタ２を透過し、凸レンズ７にて絞られ、分割ミラ
ー８により分割され、透過光側はナイフエッヂ９にて一
部遮光されてニアフィールド位置の２分割′ディテクタ
ー１０に集光され、反射光側はファーフィールド位置の
２分割ディテクター１１に集光される。なおディテクタ
ー１ｏより焦点誤差信号を得て絞りレンズ４を記録面６
に追従させている。第２図はディテクター１１上の反射
光分布を示す説明図である。反射光は０次回折光゛；２
．−１次回折光１３゜＋１次回折光１４等の集まシであ
り、ディテクター１１はその分割ライン１６を０次回折
光１２の光軸が通シ、±１次回折光の光軸と分割ライン
１５が交わるように設置されている。第３図にこの実施
例のドロップアウト検出回路を示す。セル１１−ａ、１
１−ｂの出力信号をそれぞれＶ ａ ｔ Ｖ ｂとし、
加算器１６により（ｖ、＋ｖ、）の和信号１７を得る。
示す。レーザー光１はビームスプリッタ２により反射さ
れλ／４板３及び絞りレンズ４更に光デイスク基板６を
経て光デイスク記録面６に絞り込まれ、反射光は光デイ
スク基板６．絞りレンズ４．λ／４板３を経てビームス
プリッタ２を透過し、凸レンズ７にて絞られ、分割ミラ
ー８により分割され、透過光側はナイフエッヂ９にて一
部遮光されてニアフィールド位置の２分割′ディテクタ
ー１０に集光され、反射光側はファーフィールド位置の
２分割ディテクター１１に集光される。なおディテクタ
ー１ｏより焦点誤差信号を得て絞りレンズ４を記録面６
に追従させている。第２図はディテクター１１上の反射
光分布を示す説明図である。反射光は０次回折光゛；２
．−１次回折光１３゜＋１次回折光１４等の集まシであ
り、ディテクター１１はその分割ライン１６を０次回折
光１２の光軸が通シ、±１次回折光の光軸と分割ライン
１５が交わるように設置されている。第３図にこの実施
例のドロップアウト検出回路を示す。セル１１−ａ、１
１−ｂの出力信号をそれぞれＶ ａ ｔ Ｖ ｂとし、
加算器１６により（ｖ、＋ｖ、）の和信号１７を得る。
また減算器１８により（ｖａ−ｖ、）の差信号を得、Ｌ
ＰＦ（低域通過Ｆ波器）１９もしくはＨＰＦ（高域通過
Ｆ波器）２１を経てＬＰＦ後差信号２０もし、くはＨＰ
Ｆ俊差信号２２を得る。
ＰＦ（低域通過Ｆ波器）１９もしくはＨＰＦ（高域通過
Ｆ波器）２１を経てＬＰＦ後差信号２０もし、くはＨＰ
Ｆ俊差信号２２を得る。
第４図ａはディテクター１１上の基材内異物による反射
光強度分布に与える影響を示す説明図で ′ある
。
光強度分布に与える影響を示す説明図で ′ある
。
基材内異物による影はレーザー光の絞りレンズから記録
面までの往路において遮光され、溝面にて反射回折し、
復路において再度異物によりｆｉ光されるため、往路に
おける遮光影響は０次回折光での影響部２３と一１次回
折光での影響部２４として現われ、復路における遮光影
響部２６は０次回折光での影響２３と光軸対称に現われ
る。各影響部は光ディスクの回転とともに図中矢印の如
く移動する。なお＋１次回折光Ｖの影響部２６は絞りレ
ンズ瞳径内に入らないためディテクター１１上には現わ
れない。影響部２３は影響部２５とその光量変化量がほ
ぼ等しいが、影響部２４がディテクター１１上に現われ
でいるため、差信号において第５図すに示す如き波形を
生ずる。第５図ａは瞳面３０から焦乎面３１に至るまで
のレーザーピ・−ム径を示しており、絞りレンズの熱煮
距離ｆ。
面までの往路において遮光され、溝面にて反射回折し、
復路において再度異物によりｆｉ光されるため、往路に
おける遮光影響は０次回折光での影響部２３と一１次回
折光での影響部２４として現われ、復路における遮光影
響部２６は０次回折光での影響２３と光軸対称に現われ
る。各影響部は光ディスクの回転とともに図中矢印の如
く移動する。なお＋１次回折光Ｖの影響部２６は絞りレ
ンズ瞳径内に入らないためディテクター１１上には現わ
れない。影響部２３は影響部２５とその光量変化量がほ
ぼ等しいが、影響部２４がディテクター１１上に現われ
でいるため、差信号において第５図すに示す如き波形を
生ずる。第５図ａは瞳面３０から焦乎面３１に至るまで
のレーザーピ・−ム径を示しており、絞りレンズの熱煮
距離ｆ。
瞳径φａとすれば溝面から光学的距離２の位置でのビー
ム径はその長軸径がａ ｚ／ ｆであり、光ディスクの
回転周速度をＶ、基材内異物径をφｄとし′ａｚ て差信号のドロップアウト波形の時間幅（７＋ｄ）／Ｖ
となる。また２ζ０の時にはビームスポット短軸径をｂ
として（ｂａｄ）／ｖが時間幅となる。一般にｚ）＞
１ ｐｒｎでありＮＡ （＝ａ ／ ｆ ） −０，５
のもとではｂ’：６１μｍとなるから（７＋ｄ ）／ｖ
＞ （ｂａｄ）／Ｖである。
ム径はその長軸径がａ ｚ／ ｆであり、光ディスクの
回転周速度をＶ、基材内異物径をφｄとし′ａｚ て差信号のドロップアウト波形の時間幅（７＋ｄ）／Ｖ
となる。また２ζ０の時にはビームスポット短軸径をｂ
として（ｂａｄ）／ｖが時間幅となる。一般にｚ）＞
１ ｐｒｎでありＮＡ （＝ａ ／ ｆ ） −０，５
のもとではｂ’：６１μｍとなるから（７＋ｄ ）／ｖ
＞ （ｂａｄ）／Ｖである。
一方第４図ｂＨ記録面異常による影響を示す説明図であ
り、０次回折光での影響部２７と一１次回折光での影響
部２８がディテクター１１上に現われ、それぞれ図中矢
印の方向に移動する。なお＋１次回折光での影響部２９
はディテクター上には現われない。第６図ａは記録面異
常の１つ膜異常の一例を示しており膜異常３２を有する
案内溝３３上をビームスポット３４が走査している。ｂ
は和信号波形、Ｃは差信号波形であり、差信号波形の時
間幅はｂ／ｖに等しい。従って膜異常の時間幅ｂ／ｖを
基材内異物の時間幅（７＋ ｄ ）と比較して（、＋ｄ
）／ｖ）ｂ／ｖが成り立ち、差信侃基材内異物が低周波
、膜異常が高周波となる。よって第３図のＬＰＦ１９も
しくは）（Ｐ Ｆ ２−１を設けることにより、ＬＰＦ
後の差信号は基材内異物で振幅が大きく、膜異常で小さ
くなり、ＨＰＦ後の差信号は基材内異物で小さく、膜異
常で大きくなる。また膜異常は基本的に膜異常と同じで
あるが、和信号において膜異常に比ベドロップアウト振
幅が極めて大きいため、ＬＰＦによってＬＰＦ後の差信
号か大きく出ることもある。第７図ａは要因別の和信号
波形を示す説明図であり、ｂ、ｄはＬＰＦ後の差信号、
ＣはＨＰＦ後の差信号を示している。基村内異物をイ、
溝異常をロ、膜異常をハに示す。第７図すによりＬＰＦ
後の差信号に±ｖ１ の検出レベルを設けることで基
材内異物イ及び膜異常ハが検出されるが、膜異常口は検
出されない。またＬＰＦの特性を向上させることで第７
図ｄの如きＬＰＦ後差信号が得られた場合、±ｖ１／／
の検出レベルを設けることによって基材内異物イは検出
されるが、膜異常ロ、膜異常ハは検出されない。
り、０次回折光での影響部２７と一１次回折光での影響
部２８がディテクター１１上に現われ、それぞれ図中矢
印の方向に移動する。なお＋１次回折光での影響部２９
はディテクター上には現われない。第６図ａは記録面異
常の１つ膜異常の一例を示しており膜異常３２を有する
案内溝３３上をビームスポット３４が走査している。ｂ
は和信号波形、Ｃは差信号波形であり、差信号波形の時
間幅はｂ／ｖに等しい。従って膜異常の時間幅ｂ／ｖを
基材内異物の時間幅（７＋ ｄ ）と比較して（、＋ｄ
）／ｖ）ｂ／ｖが成り立ち、差信侃基材内異物が低周波
、膜異常が高周波となる。よって第３図のＬＰＦ１９も
しくは）（Ｐ Ｆ ２−１を設けることにより、ＬＰＦ
後の差信号は基材内異物で振幅が大きく、膜異常で小さ
くなり、ＨＰＦ後の差信号は基材内異物で小さく、膜異
常で大きくなる。また膜異常は基本的に膜異常と同じで
あるが、和信号において膜異常に比ベドロップアウト振
幅が極めて大きいため、ＬＰＦによってＬＰＦ後の差信
号か大きく出ることもある。第７図ａは要因別の和信号
波形を示す説明図であり、ｂ、ｄはＬＰＦ後の差信号、
ＣはＨＰＦ後の差信号を示している。基村内異物をイ、
溝異常をロ、膜異常をハに示す。第７図すによりＬＰＦ
後の差信号に±ｖ１ の検出レベルを設けることで基
材内異物イ及び膜異常ハが検出されるが、膜異常口は検
出されない。またＬＰＦの特性を向上させることで第７
図ｄの如きＬＰＦ後差信号が得られた場合、±ｖ１／／
の検出レベルを設けることによって基材内異物イは検出
されるが、膜異常ロ、膜異常ハは検出されない。
次に第７図ＣによｐＨＰＦ後の差信号に±ｖ１′の検出
レベルを設けることで、膜異常口、膜異常ハは検出され
るが、基材円異物イは検出されない。
レベルを設けることで、膜異常口、膜異常ハは検出され
るが、基材円異物イは検出されない。
なお第７図す、ｃを弁用することによシＬＰＦ後差信号
すで検出、ＨＰＦ後差信号Ｃで未検出は基村内異物、Ｌ
ＰＦ後差信号すで未検出、ＨＰＦ後差信号Ｃで検出は膜
異常、ＬＰＦ後差信号す。
すで検出、ＨＰＦ後差信号Ｃで未検出は基村内異物、Ｌ
ＰＦ後差信号すで未検出、ＨＰＦ後差信号Ｃで検出は膜
異常、ＬＰＦ後差信号す。
ＨＰＦ後差信号Ｃとも検出は膜異常と、全要因を分別す
ることもできる。
ることもできる。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば従来不可能とさ
れていたドロップアウトの要因分別が可能となり、ドロ
ップアウト検査装置とし、てきわめて有用である。
れていたドロップアウトの要因分別が可能となり、ドロ
ップアウト検査装置とし、てきわめて有用である。
第１図は本発明の一実施例におけるドロップアウト検査
装置の原理図、第２図は同装置のディテクター上反射光
分布を示す図、第３図は同装置のドロップアウト検出回
路ブロック図、第４図ａ。 ｂはそれぞれ基村内異物、記録面異常の反射光分布に与
える影響を示す図、第６図ａはレーザービーム径を示す
図、ｂは基村内異物の差信号波形図、第６図ａは膜異常
の一例を示す図、ｂはその和信号波形図、Ｃはその差信
号波形図、第７図ａは要因別の和信号波形図、ｂ及びｄ
Ｆｉ、Ｌ Ｐ Ｆ後差信号波形図、ＣはＨＰＦ後差信号
波形図、第８図は従来のドロップアウト検査装置の原理
図、第９図は従来のドロップアウト検出回路ブロック図
である。 １・・・・・・レーザ４２・・・・・・ビームスフリツ
タ、３・・・・・・λ／４板、４・・・・・・絞りレン
ズ、６・・・・・・基板、６・・・・・・記録面、７・
・・・・・凸レンズ、８・・・・・・ハーフミラ−１９
・・・・・・ナイフエッヂ、１０．１１・・・・・・デ
ィテクター、１６・・・・・・加算器、１７・・・・・
・和信号、１８・・・・・・減算器、１９・・・・・・
ＬＰＦ（低域通過Ｆ波器）、２ｏ・・・・・・ＬＰＦ後
差信号、２１・・・・・・ＨＰＦ（高域通過Ｆ波器）、
２２・・・・・・ＨＰＦ後差信号。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第５図 第７図 第８図 第９図
装置の原理図、第２図は同装置のディテクター上反射光
分布を示す図、第３図は同装置のドロップアウト検出回
路ブロック図、第４図ａ。 ｂはそれぞれ基村内異物、記録面異常の反射光分布に与
える影響を示す図、第６図ａはレーザービーム径を示す
図、ｂは基村内異物の差信号波形図、第６図ａは膜異常
の一例を示す図、ｂはその和信号波形図、Ｃはその差信
号波形図、第７図ａは要因別の和信号波形図、ｂ及びｄ
Ｆｉ、Ｌ Ｐ Ｆ後差信号波形図、ＣはＨＰＦ後差信号
波形図、第８図は従来のドロップアウト検査装置の原理
図、第９図は従来のドロップアウト検出回路ブロック図
である。 １・・・・・・レーザ４２・・・・・・ビームスフリツ
タ、３・・・・・・λ／４板、４・・・・・・絞りレン
ズ、６・・・・・・基板、６・・・・・・記録面、７・
・・・・・凸レンズ、８・・・・・・ハーフミラ−１９
・・・・・・ナイフエッヂ、１０．１１・・・・・・デ
ィテクター、１６・・・・・・加算器、１７・・・・・
・和信号、１８・・・・・・減算器、１９・・・・・・
ＬＰＦ（低域通過Ｆ波器）、２ｏ・・・・・・ＬＰＦ後
差信号、２１・・・・・・ＨＰＦ（高域通過Ｆ波器）、
２２・・・・・・ＨＰＦ後差信号。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第５図 第７図 第８図 第９図
Claims (3)
- （１）案内溝の形成された記録媒体の面にレーザー光を
前記案内溝を短軸方向とする楕円状に絞って照射するこ
とにより得られた反射光を集光する絞りレンズと、前記
反射光により焦点誤差信号を得て焦点制御を行なう手段
と、前記反射光の０次回折光光軸と直交し±１次回折光
光軸と交わる直線にて分割される前記反射光の２つの領
域の光強度をそれぞれ検出し各検出信号の差信号を得る
手段とを備え、前記差信号を１個もしくは複数のろ波器
に通し、ろ波器後の差信号を適切な検出レベルで比較判
別することを特徴とするドロップアウト検査装置。 - （２）差信号を低域ろ波器に通し低域ろ波器後の差信号
を検出レベル±ｖ＿１で比較し、検出レベル±ｖ＿１を
こえるものとこえないものとを判別することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のドロップアウト検査装置
。 - （３）差信号を高域ろ波器に通し高域ろ波器後の差信号
を検出レベル±ｖ＿１′で比較し、検出レベル±ｖ＿１
′をこえるものとこえないものとを判断することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のドロップアウト検査
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210782A JPS6271031A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | ドロツプアウト検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210782A JPS6271031A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | ドロツプアウト検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6271031A true JPS6271031A (ja) | 1987-04-01 |
Family
ID=16595044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60210782A Pending JPS6271031A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | ドロツプアウト検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6271031A (ja) |
-
1985
- 1985-09-24 JP JP60210782A patent/JPS6271031A/ja active Pending
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