JPS6269510A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 複数種類のガスと加熱した基板との間の化学反応によっ
て基板上に皮膜を形成するＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶ
ａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置において、ガス
ノズルと基板との間にガスだけを通過させる耐熱性フィ
ルタを設けることによって、ノズルと基板の間の空間に
おいてガス間の反応によって析出した物質が基板に付着
することを防止して、析出物質による基板の皮膜生成に
対する悪影響を防止する。

〔産業上の利用分野〕

本発明はＣＶＤ装置に係シ、特に複数種類のガスの反応
に基づく析出物質が基板上に付着して、皮膜の形成に悪
影響を与えることを防止し九〇ＶＤ装置に関するもので
ある。

〔従来の技術〕

第２図は従来のＣＶＤ装置を示したものである。

同図において、１はノズルであって導入管２．３からそ
れぞれ異なる種類のガス１．ガス２を導入される。ノズ
ル１はその開口部４をプレート５に接近して配置されて
いるとともに、その周囲を外囲器６によって被われてい
る。外囲器６には、排気管７が設けられている。プレー
ト５は下部にヒータ８を有し、これによって加熱されて
いる。９は基板であってプレート５上に置かれる。

ノズル１内に導入されたガス１．ガス２はノズル内で混
合し、開口部４から流出してプレート５上の基板９に触
れる。プレート５はヒータ８によって加熱され、従って
プレート５上の基板９は高温になっている。ノズル１か
ら噴出したガス１゜ガス２は、基板９に触れて化学反応
を生じ、基板９上に所要の皮膜を形成する。使用ずみの
ガスは外囲器６内を通って、排気管７から排出される。

プレート５は移動可能に構成されており、その上に未反
応の基板９を載置してＣＶＤ装置中第２図の位置に移動
させ、ガス１．ガス２を導入して皮膜を形成したのち、
プレート５を引き出すことによって、皮膜を形成された
基板９を得ることができるようになっている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

第２図に示されたＣＶＤ装置では、基板上に形成される
膜質が必ずしも良好でなかった。これは基板９上で行わ
れるべきガス１．ガス２の反応が、ノズル１と基板９の
間の空間で行われ、その結果反応物質が析出して基板９
上に付着し、これが皮膜の形成に悪影響を与えるためで
ある。

本発明は、このような従来技術の問題点を解決したＣＶ
Ｄ装置を提供しようとするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明のＣＶＤ装置は、第１図の実施例に示すように、
複数種類のガスと加熱した基板との間の化学反応によっ
て基板上に皮膜を形成するＣＶＤ装置において、複数種
類のガスを導入されたノズル１の開口部と加熱された基
板９との中間に、ガスを通過させるとともにガス間の反
応によって生じた析出物質を阻止するような微孔を無数
に有するフィルタＩＯを設けたものである。

〔作用〕

本発明のＣＶＤ装置では、ノズル１と基板９間に設けら
れたフィルタ１０が導入されたガスを自由に通過させる
ので、複数種類のガスと加熱された基板との間で化学反
応が行われて基板９上に皮膜が形成されるとともに、ガ
ス間の反応によって生じた析出物質はフィルタｌＯによ
って阻止されるので、析出物質が基板９上に付着して皮
膜の形成に悪影響を与えることがない。

〔実施例〕

第１図は本発明のＣＶＤ装置の一実施例の構成を示した
ものであって、第２図におけると同じ部分を同じ番号で
示し、１０はフィルタであって、１１はフィルタ１０上
に析出した析出物質を示している。

第１図において、フィルタ１０はノズル１の下部におけ
る閉口部４に設けられておシ、加熱されたプレート５か
らの高熱に耐えられる耐熱性膜からなっている。この耐
熱性膜は、ガス１．ガス２を自由に通過させるとともに
、ガス１．ガス２の反応によって生じた析出物資を通過
させない程度の大きさの孔を無数に有している。

い１、第２図の場合と同様にして、基板９を載置したプ
レート５を加熱してノズル１の下を移動させながら、ガ
ス１．ガス２を導入する。異なる種類のガス１．ガス２
はノズル１内で混合し、フィルタＩＯの無数の孔を通っ
てプレート５上の高温の基板９に触れ、基板９の表面で
反応して基板上に皮膜を形成する。−例として、ガス１
にシラン（Ｓｉａ４）、ガス２に酸素（０２）を用い、
シリコン（Ｓｉ）から々る基板９の温度を４２０℃とし
て皮膜形成を行う。

この際ノズル１内およびノズル１とフィルタ１゜との間
の空間においてガス１．ガス２の間の反応によって析出
した物質は、１１に示すようにフィルタ１０によって阻
止されてその上に堆積し、基板９に付着することを妨げ
られる。

このように本発明のＣＶＤ装置では、本来基板９上で行
われるべきガス１．ガス２の反応が、ノズルと基板間の
空間で行われて析出物質が生じてもフィルタ１０によっ
て阻止されて基板９に付着することがないので、析出物
質の付着による基板上の皮膜形成への悪影響が防止され
る。

本発明において便用されるフィルタ１０の材質としては
、例えば耐熱性を有し０．５μｍ程度の孔径の微孔を無
数に有する、四フッ化炭素（ＣＦ４　）樹脂膜等が好適
である。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明のＣＶＤ装置によれば、複数
種類のガスの間の反応によって生じた析出物質が基板に
付着することがないので、このような析出物質の付着に
よる基板形成への悪影響を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のＣＶＤ装置の一実施例の構成を示す図
、 第２図は従来のＣＶＤ装置を示す図である。 １・・・ノズル ２．３・・・導入管 ４・・・開口部 ５・・・プレート ６・・・外囲器 ７・・・排気管 ８・・・ヒータ ９・・・基板 ｌＯ・・・フィルタ １１・・・析出物質

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）複数種類のガスと加熱した基板との間の化学反応
   によつて該基板上に皮膜を形成するＣＶＤ装置において
   、 前記ガスのノズルと基板との間に前記ガスを通過させる
   とともに、ガス間の反応によつて生じた析出物質を阻止
   するフィルタを設けたことを特徴とするＣＶＤ装置。
2. （２）前記フィルタが四フッ化炭素（ＣＦ＿４）樹脂膜
   からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   ＣＶＤ装置。