JPS62111417A - 熱分解ラジカルビ−ムｃｖｄ装置 - Google Patents
熱分解ラジカルビ−ムｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS62111417A JPS62111417A JP25068285A JP25068285A JPS62111417A JP S62111417 A JPS62111417 A JP S62111417A JP 25068285 A JP25068285 A JP 25068285A JP 25068285 A JP25068285 A JP 25068285A JP S62111417 A JPS62111417 A JP S62111417A
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- Japan
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- film growth
- film
- reaction chambers
- chamber
- growth chamber
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- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は例えばアモルファスシリコンやＳｉｎ、 。
Ｓｉ、Ｎ、等、杷々の物質の成膜を行なうための熱分解
ラジカルビームＣＶＤ装置に関する。
ラジカルビームＣＶＤ装置に関する。
（従来の技術）
従来、アモルファスシリコン等の成膜ハ、プラズマＣＶ
Ｄや熱分解ＣＶＤによって行なっている。
Ｄや熱分解ＣＶＤによって行なっている。
（発明が解決しようとする問題点）
前記プラズマＣＶＤは反応ガスをプラズマ分１ＪＪｌ
＋Ｐ＋−７Ｊ−ｕｌｆｆＲ１！５１ｋｃｗ＋ｚｒｆｆ、
ｒ／、ｆｆ１％４ＭＡｂ５＋−含む非常に多数の分解佃
が生成し、ラジカル同志の衝突によって底膜物質が減少
してしまうぼかυか、生成したイオンや高エネルギー′
藏千等の荷電粒子によって基板や得らｎた漠に損傷を与
え、基板や膜表面の荒ｎ、ピンホール等の欠陥を生じさ
せる等の不都合金有する。
＋Ｐ＋−７Ｊ−ｕｌｆｆＲ１！５１ｋｃｗ＋ｚｒｆｆ、
ｒ／、ｆｆ１％４ＭＡｂ５＋−含む非常に多数の分解佃
が生成し、ラジカル同志の衝突によって底膜物質が減少
してしまうぼかυか、生成したイオンや高エネルギー′
藏千等の荷電粒子によって基板や得らｎた漠に損傷を与
え、基板や膜表面の荒ｎ、ピンホール等の欠陥を生じさ
せる等の不都合金有する。
また、熱ＣＶＤは前記プラズマＣＶＤのような不都合を
有しないが、基板表面での化学反応によって成膜を行な
っているために基板温度が高く、その几めにＭ、腺さｆ
Ｌｆｃ膜の膜質が良くない等の不都合を有する。
有しないが、基板表面での化学反応によって成膜を行な
っているために基板温度が高く、その几めにＭ、腺さｆ
Ｌｆｃ膜の膜質が良くない等の不都合を有する。
（問題点を解決するための手段）
本発明者等は前記小郡８全解消できるラジカルビームＣ
ＶＤ装置を鋭意研究の結果、成膜物ＪＲ全生成させる反
応室と基板金偏える成膜室を分離して基板湿度を下げる
と共に成膜ｗＪ質としてプラズマ分解に代えて熱分解に
よるラジカルを用いてこｌｒＬ全ビ全ビームレて成膜室
にｇＪＩ田石せるようにし、彦板表面全損傷させる粒子
の生成全押さえ且つラジカルの平均自由行程を長くして
ラジカル同志の衝突を減少させるようにすｎば、成膜物
質の余分な消費を生ずることなくしかも良好な膜質で成
膜を行なえるという知見金得た。
ＶＤ装置を鋭意研究の結果、成膜物ＪＲ全生成させる反
応室と基板金偏える成膜室を分離して基板湿度を下げる
と共に成膜ｗＪ質としてプラズマ分解に代えて熱分解に
よるラジカルを用いてこｌｒＬ全ビ全ビームレて成膜室
にｇＪＩ田石せるようにし、彦板表面全損傷させる粒子
の生成全押さえ且つラジカルの平均自由行程を長くして
ラジカル同志の衝突を減少させるようにすｎば、成膜物
質の余分な消費を生ずることなくしかも良好な膜質で成
膜を行なえるという知見金得た。
不発明はかかる知見に基づき成さ′ｎ比もので、反応ガ
スを熱分解ぢせて成膜物質を生成させる反応室を、該成
膜物質をビーム状に収束するオリフィス七介して基板を
備える成膜室に連通して成る。
スを熱分解ぢせて成膜物質を生成させる反応室を、該成
膜物質をビーム状に収束するオリフィス七介して基板を
備える成膜室に連通して成る。
（実施例）
以下、添付図面に従って本発明の実施例に付き説明する
。
。
第１図は本発明装置の１実施例を示すもので、図中（Ｉ
Ｊは成膜室、（２）はその内部の基板を示し、該成膜室
１１１内の上部には第１図ではその３個のみを示したが
、石英ガラス製の外径的２ｃ１１の円筒状の反応室（３
）を多数個備えるものとした。該反応室（３）の夫々は
その上面（３ａ）で原料物質供給管＋４１に連通さｎる
と共にその下面（３ｂ）には１〜２酊径のオリアイス（
５）が形成さｎておシ、その側壁（３ｃ）には７ＪＩｌ
熱用ヒータ（６）が巻回さ１している。
Ｊは成膜室、（２）はその内部の基板を示し、該成膜室
１１１内の上部には第１図ではその３個のみを示したが
、石英ガラス製の外径的２ｃ１１の円筒状の反応室（３
）を多数個備えるものとした。該反応室（３）の夫々は
その上面（３ａ）で原料物質供給管＋４１に連通さｎる
と共にその下面（３ｂ）には１〜２酊径のオリアイス（
５）が形成さｎておシ、その側壁（３ｃ）には７ＪＩｌ
熱用ヒータ（６）が巻回さ１している。
該ヒータ（６）はその構成物質による膜の汚染を防止ス
べく石英ガラス製のケーシング（力で被覆さｊしている
。また、該成膜室（１）は真空排気系（８）に連通さｎ
ｚＫ反応室（３）にオリフィス（５）を介して連通さｎ
ている各反応室（３）と共に排気嘔ｎるようにした０か
くして、反応室（３）内で熱分解によって碍ら−ｎ＋図
示しないラジカルから戊る成膜物質をオリアイス（５）
全通してビーム状と放し一成膜室ｔｌＪ内の基板（２）
に照射自在とし次。
べく石英ガラス製のケーシング（力で被覆さｊしている
。また、該成膜室（１）は真空排気系（８）に連通さｎ
ｚＫ反応室（３）にオリフィス（５）を介して連通さｎ
ている各反応室（３）と共に排気嘔ｎるようにした０か
くして、反応室（３）内で熱分解によって碍ら−ｎ＋図
示しないラジカルから戊る成膜物質をオリアイス（５）
全通してビーム状と放し一成膜室ｔｌＪ内の基板（２）
に照射自在とし次。
第２図は本発明装置の他実施例を示すもので、例えば１
６個のオリフィス（５）ヲ備えた石英ガラス製の仕切板
（９）を介してチャンバーｕ（ｌ上刃の反応室（３）と
下方の成膜室（１）とに２室に仕切るものとした。該反
応室（３）内には石英ガラス製のケーシング（７）で被
覆さｎたヒータ（６）が、図中その３個のみ示し７’（
が、多数個並列して設けらγしていると共に、該反応革
（３）はその上端で原料物質供給管（４）に連通嘔ｎて
いる。該成膜室ｆｌｌは前記実施例と特に異なるところ
はないので前記のものと同一符号を付してその説明を省
略する０前記オリフイス（５）ヲ備え九仕切板（９）は
８１０ｔコーテイングを施こさｎ、ラジカルの付着消失
を防ぐようにした。
６個のオリフィス（５）ヲ備えた石英ガラス製の仕切板
（９）を介してチャンバーｕ（ｌ上刃の反応室（３）と
下方の成膜室（１）とに２室に仕切るものとした。該反
応室（３）内には石英ガラス製のケーシング（７）で被
覆さｎたヒータ（６）が、図中その３個のみ示し７’（
が、多数個並列して設けらγしていると共に、該反応革
（３）はその上端で原料物質供給管（４）に連通嘔ｎて
いる。該成膜室ｆｌｌは前記実施例と特に異なるところ
はないので前記のものと同一符号を付してその説明を省
略する０前記オリフイス（５）ヲ備え九仕切板（９）は
８１０ｔコーテイングを施こさｎ、ラジカルの付着消失
を防ぐようにした。
尚、第１図並びに第２図中αυはヒータ（６）の電源を
示す口 次に第１図示の実施例装置を用いたアモルファスシリコ
ンの成膜の１例を示す。
示す口 次に第１図示の実施例装置を用いたアモルファスシリコ
ンの成膜の１例を示す。
まず、例えばＳｌの基板（２）ｔセットさｎた成膜室ｔ
ｌ＋と各反応室（３）とｔ真空排気系（８）を介して１
Ｔｏｒｒ程度に排気すると共に各反応室（３）全加熱用
ヒータ（６）で９００〜１１００°Ｃ程度に加熱してお
く。
ｌ＋と各反応室（３）とｔ真空排気系（８）を介して１
Ｔｏｒｒ程度に排気すると共に各反応室（３）全加熱用
ヒータ（６）で９００〜１１００°Ｃ程度に加熱してお
く。
この時の基板（２）の温度はわずか３００°Ｃ程度に過
ぎなかつ念。この状態で原料物質供給管（４）から各反
応室（３）に５ （１〜１００ Ｓｏ ｃｍの流量で５
ｉｎ４ガスを導入する。各反応室（３）内で熱分解して
生成さｆした成膜物質でおる主にＳｉｎ、ラジカルは各
反応室（３）のオリアイス（５＋によってビーム状にさ
ｎて成膜室ｔｌＪ内の基板（２）に向って高濃度で噴出
さｎ入−ｆｈ ／ １Ｔｉｉ女ｋ ｊ＄ｌｉ Ｊ９＋μ
Ｆ ７ ｇ−ルア７スシ１１コンが成膜さｎる。得らτ
したアモルファスシリコン膜は、通常のプラズマＣＶＤ
法で形成名′ｎｆｃものに比べて約１桁程度ダングリン
グボンドの音度が減少しており、また水素離脱か少ない
ので適度の水素も混入していることが赤外吸収法により
ａ認さｎた。
ぎなかつ念。この状態で原料物質供給管（４）から各反
応室（３）に５ （１〜１００ Ｓｏ ｃｍの流量で５
ｉｎ４ガスを導入する。各反応室（３）内で熱分解して
生成さｆした成膜物質でおる主にＳｉｎ、ラジカルは各
反応室（３）のオリアイス（５＋によってビーム状にさ
ｎて成膜室ｔｌＪ内の基板（２）に向って高濃度で噴出
さｎ入−ｆｈ ／ １Ｔｉｉ女ｋ ｊ＄ｌｉ Ｊ９＋μ
Ｆ ７ ｇ−ルア７スシ１１コンが成膜さｎる。得らτ
したアモルファスシリコン膜は、通常のプラズマＣＶＤ
法で形成名′ｎｆｃものに比べて約１桁程度ダングリン
グボンドの音度が減少しており、また水素離脱か少ない
ので適度の水素も混入していることが赤外吸収法により
ａ認さｎた。
また、Ｉ＠２図示の１氾実ゐ剥裂＆を用いてアモルファ
スシリコンの成１１１記のものに準じ次条件で行なった
ところ、やはシ前記の場合と同様に高品質のアモルファ
スシリコン膜が得らＩした０ （発明の効果） このように、本発明によるときは、成膜室と反応室’を
分離して成膜室内の基板温度の高温化を防止すると共に
、反応室で熱分解によって得らＴした成膜物質を基板に
向ってビーム状に噴射できるようにしたため（、高品質
の膜・を間単に成膜できる効果を有するＯ
スシリコンの成１１１記のものに準じ次条件で行なった
ところ、やはシ前記の場合と同様に高品質のアモルファ
スシリコン膜が得らＩした０ （発明の効果） このように、本発明によるときは、成膜室と反応室’を
分離して成膜室内の基板温度の高温化を防止すると共に
、反応室で熱分解によって得らＴした成膜物質を基板に
向ってビーム状に噴射できるようにしたため（、高品質
の膜・を間単に成膜できる効果を有するＯ
第１図は本発明熱分解ラジカルビームＣＶＤ装置の１実
施の正面線図、第２図は他実施例の正面線図である０ （１）・・・成 膜 室 （２）・・・基 板 （３）・・・反 応 室 （５）・・・オリアイス 外２名 第１図
施の正面線図、第２図は他実施例の正面線図である０ （１）・・・成 膜 室 （２）・・・基 板 （３）・・・反 応 室 （５）・・・オリアイス 外２名 第１図
Claims (1)
- 反応ガスを熱分解させて成膜物質を生成させる反応室を
、該成膜物質をビーム状に収束するオリフィスを介して
基板を備える成膜室に連通して成る熱分解ラジカルビー
ムＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25068285A JPS62111417A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 熱分解ラジカルビ−ムｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25068285A JPS62111417A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 熱分解ラジカルビ−ムｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62111417A true JPS62111417A (ja) | 1987-05-22 |
Family
ID=17211475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25068285A Withdrawn JPS62111417A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 熱分解ラジカルビ−ムｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62111417A (ja) |
-
1985
- 1985-11-11 JP JP25068285A patent/JPS62111417A/ja not_active Withdrawn
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| EXTENDED ABSTRACTS=1984 * |
| J.CRPST.GROWTH=1981 * |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |