JPS6267437A - ガス検出素子とその製造方法 - Google Patents
ガス検出素子とその製造方法Info
- Publication number
- JPS6267437A JPS6267437A JP20667485A JP20667485A JPS6267437A JP S6267437 A JPS6267437 A JP S6267437A JP 20667485 A JP20667485 A JP 20667485A JP 20667485 A JP20667485 A JP 20667485A JP S6267437 A JPS6267437 A JP S6267437A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mol
- gas
- detection element
- gas detection
- antimony
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、シラン系ガスなどの特殊ガスを選択的に検
出できるガス検出素子とその製造方法に関するものであ
る。
出できるガス検出素子とその製造方法に関するものであ
る。
モノシラン（ＳｉＬ）、 ジクロルシラン（ＳｉＨｚ
ＣＩ ｇ） 。
ＣＩ ｇ） 。
トリクロルシラン（Ｓｉ）ＩＣ１＋） 、ホスフィン（
ＰＨ，）。
ＰＨ，）。
ジポラン（ＢＪａ）やアルシン（ＡＳＨ３）など、空気
などの他の気体と接触混合すると数％の濃度で自然発火
する特殊ガスを検出することができるガス検出素子とし
て、本発明者は、先に特願昭５８−１５７９３１号（特
開昭６０−５０４４６号）によって酸化第２スズ（Ｓｎ
Ｏ□）と白金（Ｐ ｔ）とオキシ塩化アンチモン（Ｓｂ
ＯＣｌ）を組成物としシラン系ガス雰囲気で後処理した
金属酸化物半導体のガス検出素子を、また特願昭５９−
９８８１８号によってＳｎＯ□とパラジウム（Ｐｄ）と
アンチモン化合物（Ｓｂ化合物）を組成物としシラン系
ガス雰囲気で後処理した金属酸化物半導体のガス検出素
子を提案している。
などの他の気体と接触混合すると数％の濃度で自然発火
する特殊ガスを検出することができるガス検出素子とし
て、本発明者は、先に特願昭５８−１５７９３１号（特
開昭６０−５０４４６号）によって酸化第２スズ（Ｓｎ
Ｏ□）と白金（Ｐ ｔ）とオキシ塩化アンチモン（Ｓｂ
ＯＣｌ）を組成物としシラン系ガス雰囲気で後処理した
金属酸化物半導体のガス検出素子を、また特願昭５９−
９８８１８号によってＳｎＯ□とパラジウム（Ｐｄ）と
アンチモン化合物（Ｓｂ化合物）を組成物としシラン系
ガス雰囲気で後処理した金属酸化物半導体のガス検出素
子を提案している。
ところで、これら従来のガス検出素子を濃度が１０ｐｐ
ｍのＳｉＨ４ガスにさらしたときのＳＮ比と応答時間は
、前者のＳｎｕｇ−Ｐｔ−ＳｂＯＣ１系ガス検比ガス検
出素子比が１０程度、応答時間は１５０〜１８０秒程度
７あり、後者の５ｎ０２− Ｐｄ−５ｂ化合物系ガス検
出素子ではＳＮ比が５程度、応答時間は１５０秒前後で
あるという特性を有している。
ｍのＳｉＨ４ガスにさらしたときのＳＮ比と応答時間は
、前者のＳｎｕｇ−Ｐｔ−ＳｂＯＣ１系ガス検比ガス検
出素子比が１０程度、応答時間は１５０〜１８０秒程度
７あり、後者の５ｎ０２− Ｐｄ−５ｂ化合物系ガス検
出素子ではＳＮ比が５程度、応答時間は１５０秒前後で
あるという特性を有している。
Ｃ目的と解決手段〕
本発明は、ＳＮ比が良好で応答時間の早い、しかも低濃
度の特殊ガスを選択的に検出できるガス検出素子とその
製造方法を目的とするもので、酸化第２スズ（Ｓｎｏｗ
）を主材、白金（Ｐｔ）とパラジウム（Ｐｄ）とを触媒
、アンチモン化合物（Ｓｂ化合物）を安定材としてＰｔ
／Ｓｎ＝ ０．５〜８モル％、Ｐｄ／Ｓｎ＝０．１〜８
モル％、Ｓｂ／Ｓｎ＝０〜８モル％の組成比を存し、２
０〜４００ｐｐｍのシラン系ガス雰囲気で処理してなる
金属酸化物半導体と、この金属酸化物半導体を２００〜
４００℃に加熱する加熱手段とからなることを特徴とす
るものである。
度の特殊ガスを選択的に検出できるガス検出素子とその
製造方法を目的とするもので、酸化第２スズ（Ｓｎｏｗ
）を主材、白金（Ｐｔ）とパラジウム（Ｐｄ）とを触媒
、アンチモン化合物（Ｓｂ化合物）を安定材としてＰｔ
／Ｓｎ＝ ０．５〜８モル％、Ｐｄ／Ｓｎ＝０．１〜８
モル％、Ｓｂ／Ｓｎ＝０〜８モル％の組成比を存し、２
０〜４００ｐｐｍのシラン系ガス雰囲気で処理してなる
金属酸化物半導体と、この金属酸化物半導体を２００〜
４００℃に加熱する加熱手段とからなることを特徴とす
るものである。
また、次の工程の製造方法を特徴とするものである。
■ＳｎＯ□に塩化パラジウム（ＰｄＣ１り溶液と塩化白
金酸（ｌＩｔＰｔｃＩ＊）溶液とをＰｄ／Ｓｎ＝ ０．
１〜８モル％、ＰＬ／Ｓｎ ＝ ０．５〜８モル％とな
るように加えて分散させ、乾燥する。
金酸（ｌＩｔＰｔｃＩ＊）溶液とをＰｄ／Ｓｎ＝ ０．
１〜８モル％、ＰＬ／Ｓｎ ＝ ０．５〜８モル％とな
るように加えて分散させ、乾燥する。
■■の試料にｓｂ化合物をＳｂ／Ｓｎ −０，５〜８モ
ル％となるように加えて混合する。
ル％となるように加えて混合する。
■■の試料に有機溶剤を加えてペースト状にし、１対の
電極が設けられた絶縁体に塗布し乾燥する。
電極が設けられた絶縁体に塗布し乾燥する。
■■の素子を、６００〜８５０℃の大気またはアンチモ
ン酸化ガスの雰囲気中で５〜３０分間焼成する。
ン酸化ガスの雰囲気中で５〜３０分間焼成する。
■■の素子を、ＣＶＤ法により２０〜４００ｐｐｍのシ
ラン系ガスで５〜３０分間処理する。
ラン系ガスで５〜３０分間処理する。
■■の素子を加熱してエージングする。
以下、この発明のガス検出素子とその製造方法について
実験例により説明する。
実験例により説明する。
次の製造方法により表に示す実験例２〜８のガス検出素
子を製作した。なお、各実験例においてガス検出素子は
８個ずつ製作した。
子を製作した。なお、各実験例においてガス検出素子は
８個ずつ製作した。
準備段階として、塩化パラジウム（ＰｄＣＩ ｔ）に０
．２％の塩酸水溶液を加えてＰｄＣ１□溶液を作成する
とともに、塩化白金酸（ＨｚＰｔＣｌｂ・６）１２０）
に純水を加えて１１□ＰｔＣＩｂ？ｇ液を作成する。
．２％の塩酸水溶液を加えてＰｄＣ１□溶液を作成する
とともに、塩化白金酸（ＨｚＰｔＣｌｂ・６）１２０）
に純水を加えて１１□ＰｔＣＩｂ？ｇ液を作成する。
まず、酸化第２スズ（Ｓｎｕｇ）にＰｄＣｌ ｚ溶液を
Ｐｄ／Ｓｎ＝ ０．１〜８モル％となるように加え、さ
らにｎ、ｐｔｃ＋、 ２容液をＰｔ／ Ｓｎ ＝ ０．
５〜８モル％となるように加えて混合水溶液を作成する
。
Ｐｄ／Ｓｎ＝ ０．１〜８モル％となるように加え、さ
らにｎ、ｐｔｃ＋、 ２容液をＰｔ／ Ｓｎ ＝ ０．
５〜８モル％となるように加えて混合水溶液を作成する
。
次に、この混合水溶液を超音波かくはん機によってかく
はんしてＰｄとｐｔを良く分散させる。
はんしてＰｄとｐｔを良く分散させる。
その後この分散混合水溶液を真空凍結乾燥器にセットし
、−４０℃で急速凍結乾燥させる。
、−４０℃で急速凍結乾燥させる。
そして、この乾燥試料にオキシ塩化アンチモン（ＳｂＯ
Ｃｌ）をＳｂ／ Ｓｎ ＝ ０．５〜８モル％となるよ
うに加え、乳鉢で約３０分間混合して混合試料を得る。
Ｃｌ）をＳｂ／ Ｓｎ ＝ ０．５〜８モル％となるよ
うに加え、乳鉢で約３０分間混合して混合試料を得る。
なお、実験例２〜１０における各混合試料のＰｄ、 Ｐ
ｔ、 ＳｂとＳｎの組成比は表に示す通りである。
ｔ、 ＳｂとＳｎの組成比は表に示す通りである。
この混合試料に有機溶剤であるイソプロピルアルコール
を加えてペースト状の混合試料とし、これを１対の電極
を有するアルミナ磁器管上に１対の電橋間を覆うように
塗布し、その後自然乾燥する。
を加えてペースト状の混合試料とし、これを１対の電極
を有するアルミナ磁器管上に１対の電橋間を覆うように
塗布し、その後自然乾燥する。
次に、この自然乾燥した素子を７００℃にセットしたア
ンチモン酸化ガス雰囲気の石英管中で１０分間焼成する
。このアンチモン酸化ガス雰囲気は７００℃にセントさ
れた石英管（内径４ｃＩ１１．電気炉挿入部５０ｃｍ）
中に２．５ｍｇの５ｂＯＣ１をアルミナポートに載置し
て３０分間入れて蔑発させて作成したものである。
ンチモン酸化ガス雰囲気の石英管中で１０分間焼成する
。このアンチモン酸化ガス雰囲気は７００℃にセントさ
れた石英管（内径４ｃＩ１１．電気炉挿入部５０ｃｍ）
中に２．５ｍｇの５ｂＯＣ１をアルミナポートに載置し
て３０分間入れて蔑発させて作成したものである。
そして、焼成後の素子にヒータを取り付け、このヒータ
に通電して素子を３００±５０℃に加熱して大気中で１
０時間の１回目のエージングを行う。
に通電して素子を３００±５０℃に加熱して大気中で１
０時間の１回目のエージングを行う。
さらに、この１回目のエージングが終了した素子をヒー
タによって３２５±２５℃に加熱し、空気中に５０１］
ＰＲ１の濃度のＳ ｉ Ｉｔ 、を含んだシラン系ガス
雰囲気中に１０分間さらし、ＣＶＤ法（ｃｈｅｌＩｉｃ
ａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏ
ｄ）によって焼成した素子の表面にＳｉ酸化物を分散さ
せて金属酸化物半導体を得る。
タによって３２５±２５℃に加熱し、空気中に５０１］
ＰＲ１の濃度のＳ ｉ Ｉｔ 、を含んだシラン系ガス
雰囲気中に１０分間さらし、ＣＶＤ法（ｃｈｅｌＩｉｃ
ａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏ
ｄ）によって焼成した素子の表面にＳｉ酸化物を分散さ
せて金属酸化物半導体を得る。
最重要に、この素子をヒータによって３００±５０℃に
加熱し、大気中で１２時間の２回目のエージングを行っ
て各実験例のガス検出素子を完成する。
加熱し、大気中で１２時間の２回目のエージングを行っ
て各実験例のガス検出素子を完成する。
なお、実験例１のガス検出素子は、本発明による実験例
２〜ｌＯと比較するため、実験例３〜６の組成成分から
ｐｔを除いて製作した比較用の素子である。
２〜ｌＯと比較するため、実験例３〜６の組成成分から
ｐｔを除いて製作した比較用の素子である。
このようにして製作した実験例１〜１０のそれぞれ８個
ずつの素子について大気中での抵抗値Ｒ０を測定し、８
個の素子の平均値を求めたところ表に示す結果が得られ
た。
ずつの素子について大気中での抵抗値Ｒ０を測定し、８
個の素子の平均値を求めたところ表に示す結果が得られ
た。
なお、上記の測定ならびに後記の測定のいずれの場合に
も、各実験例のガス検出素子をヒータにより３２５±１
０℃に加熱して行った。
も、各実験例のガス検出素子をヒータにより３２５±１
０℃に加熱して行った。
次に実験例１〜１０の素子を、それぞれ濃度が１００ｐ
ｐ＋ｓの水素（＋１２）、メタン（ＣＩ＋、）、エチＬ
’７ （ＣＪ＜）、Ｘタフ （Ｃｌ４）、イソブタ７（
ｉＣＪ＋。）。
ｐ＋ｓの水素（＋１２）、メタン（ＣＩ＋、）、エチＬ
’７ （ＣＪ＜）、Ｘタフ （Ｃｌ４）、イソブタ７（
ｉＣＪ＋。）。
アンモニア（Ｎ１１．）、−酸化炭素（ＣＯ） 、イソ
プロピルアルコール（ｉＰＡ）、エチルアルコール（Ｅ
ｔＯＨ）を各別に含む空気中、ならびに７店度が１０ｐ
ｐｍ（ただし実験例１０のみ２０ｐｐｍ）のＳ ｉ Ｉ
Ｉ 、を含む空気中に順次にさらし、各供試ガス中での
抵抗値Ｒｇならびに応答時間を測定した。そしてこの測
定結果から、各実験例毎に各供試ガスに対するＳＮ比、
つまりＲｏ／Ｒｇ、ならびに応答時間について８個の素
子の平均値を求めたところ、表に示す結果が得られた。
プロピルアルコール（ｉＰＡ）、エチルアルコール（Ｅ
ｔＯＨ）を各別に含む空気中、ならびに７店度が１０ｐ
ｐｍ（ただし実験例１０のみ２０ｐｐｍ）のＳ ｉ Ｉ
Ｉ 、を含む空気中に順次にさらし、各供試ガス中での
抵抗値Ｒｇならびに応答時間を測定した。そしてこの測
定結果から、各実験例毎に各供試ガスに対するＳＮ比、
つまりＲｏ／Ｒｇ、ならびに応答時間について８個の素
子の平均値を求めたところ、表に示す結果が得られた。
この結果から、本発明による実験例２〜１０と従来の比
較用実験例１とを比べてみると、実験例２〜ｌＯのもの
は実験例１のものに比べ、Ｓ ｉ Ｉｔ 。
較用実験例１とを比べてみると、実験例２〜ｌＯのもの
は実験例１のものに比べ、Ｓ ｉ Ｉｔ 。
ガスの選択性には差がないものの、ＳｉＨ，ガスに対す
る応答時間は４８〜８９％と早（なり、がっＳＮ比も１
．３６〜５．６２倍と向−ヒしていることがわかる。
る応答時間は４８〜８９％と早（なり、がっＳＮ比も１
．３６〜５．６２倍と向−ヒしていることがわかる。
また、Ｐｄ ／ Ｓｎ （！： Ｓｂ ／ Ｓｎの組成
比が同じ実験例１と３〜６とを比べると、実験例３〜６
のものは実験例１のものに比べ、Ｓ ｉ ＩＩ ａガス
に対する応答時間は５５〜８１％で２０％以上早くなり
、またＳＮ比は１．３６〜２．２２倍で１．４倍程度以
上の向上がみられる。
比が同じ実験例１と３〜６とを比べると、実験例３〜６
のものは実験例１のものに比べ、Ｓ ｉ ＩＩ ａガス
に対する応答時間は５５〜８１％で２０％以上早くなり
、またＳＮ比は１．３６〜２．２２倍で１．４倍程度以
上の向上がみられる。
なお、図にＳ ｉ ＩＩ ａガスに対する応答特性の代
表例を示す。図において縦軸は抵抗値（ＫΩ）、横軸は
時間（秒）、５は実験例５のうらの１つの素子の応答特
性、１は実験例１のうちの１つの素子の応答特性である
。
表例を示す。図において縦軸は抵抗値（ＫΩ）、横軸は
時間（秒）、５は実験例５のうらの１つの素子の応答特
性、１は実験例１のうちの１つの素子の応答特性である
。
ところで、上記製造方法における各種条件は次の通りで
ある。
ある。
混合水？８液の乾燥は自然乾燥などで行ってもよい。こ
の場合には、急速凍結乾燥の場合に比べ、Ｐｄ、 ＰＬ
の分散状態にむらが生しやすく、製品の歩留りは低下す
る。
の場合には、急速凍結乾燥の場合に比べ、Ｐｄ、 ＰＬ
の分散状態にむらが生しやすく、製品の歩留りは低下す
る。
素子を焼成する際のアンチモン酸化ガス雰囲気は、上記
石英管を用いた場合には、０．２５〜１０ｍｇの５ｂＯ
Ｃ１または三酸化アンチモン５ｂｚＯ：＋などのｓｂ化
合物を６００〜８５０℃の温度雰囲気に５〜６０分間入
れて作成した雰囲気を使用する。
石英管を用いた場合には、０．２５〜１０ｍｇの５ｂＯ
Ｃ１または三酸化アンチモン５ｂｚＯ：＋などのｓｂ化
合物を６００〜８５０℃の温度雰囲気に５〜６０分間入
れて作成した雰囲気を使用する。
この場合のアンチモン化合物の量は５ｂ２ｏ、のモル故
に換算してｌ×１０″ｑ〜４．５Ｘ１０〜８モル／ｄで
ある。
に換算してｌ×１０″ｑ〜４．５Ｘ１０〜８モル／ｄで
ある。
なお、素子の焼成は大気雰囲気中で行ってもよい。この
場合、素子を連続して製造すると、アンチモン酸化ガス
雰囲気中の場合に比べ、製造ロット間での抵抗値のばら
つきが大きくなる点を除けば差はない。
場合、素子を連続して製造すると、アンチモン酸化ガス
雰囲気中の場合に比べ、製造ロット間での抵抗値のばら
つきが大きくなる点を除けば差はない。
また素子を焼成する際の温度と時間は、アンチモン酸化
ガスと大気のいずれの雰囲気でも、６００〜８５０℃な
らびに５〜３０分間の範囲である。この範囲外ではＰｄ
、 Ｐｔの活性度が低下する。
ガスと大気のいずれの雰囲気でも、６００〜８５０℃な
らびに５〜３０分間の範囲である。この範囲外ではＰｄ
、 Ｐｔの活性度が低下する。
ＣＶＤ法による素子表面への分散処理はジクロルシラン
５ｉｌｌｚＣＩｔなどのシラン系ガスで行ってもよく、
シラン系ガスの濃度は２０〜４００ｐｐｍの範囲が適当
である。この範囲以外の濃度では特殊ガスに対する選択
性は低下する。なお、この際の処理温度ならびに時間は
１５０〜８５０℃、５〜３０分間の範囲である。
５ｉｌｌｚＣＩｔなどのシラン系ガスで行ってもよく、
シラン系ガスの濃度は２０〜４００ｐｐｍの範囲が適当
である。この範囲以外の濃度では特殊ガスに対する選択
性は低下する。なお、この際の処理温度ならびに時間は
１５０〜８５０℃、５〜３０分間の範囲である。
また、エージングは１回目は省略してもよく、２回目は
１０時間以上行うことが望ましい。
１０時間以上行うことが望ましい。
ガス検出を行う際のガス検出素子の加熱温度は２００〜
４００℃である。この範囲外では、特殊ガスに対する応
答時間が遅くなるとともに、選択性が低下する。
４００℃である。この範囲外では、特殊ガスに対する応
答時間が遅くなるとともに、選択性が低下する。
この発明によれば、特殊ガスに対してＳＮ比が高くかつ
応答時間の早い、しかも低濃度の特殊ガスを選択的に検
出可能なガス検出素子とその製造方法が得られる効果が
ある。
応答時間の早い、しかも低濃度の特殊ガスを選択的に検
出可能なガス検出素子とその製造方法が得られる効果が
ある。
図は５ｉＨａガスに対する応答特性の代表例である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、酸化第２スズを主材、白金とパラジウムとを触媒、
アンチモン化合物を安定剤としてＰｔ／Ｓｎ＝０．５〜
８モル％、Ｐｄ／Ｓｎ＝０．１〜８モル％、Ｓｂ／Ｓｎ
＝０．５〜８モル％の組成比を有し、２５〜４００ｐｐ
ｍのシラン系ガス雰囲気で処理されてなる金属酸化物半
導体と、上記金属酸化物半導体を２００〜４００℃に加
熱する加熱手段とからなることを特徴とするガス検出素
子。 ２、酸化第２スズに塩化パラジウム溶液と塩化白金酸溶
液とをＰｄ／Ｓｎ＝０．１〜８モル％、Ｐｔ／Ｓｎ＝０
．５〜８モル％となるように加えて分散させ、乾燥させ
る第１工程と、 第１工程で作成した試料にアンチモン化合物をＳｂ／Ｓ
ｎ＝０．５〜８モル％となるように加えて混合する第２
工程と、 第２工程で作成した試料に有機溶剤を加えてペースト状
にし、これを１対の電極が設けられた絶縁体に塗布し乾
燥させる第３工程と、第３工程で作成した素子を、６０
０〜８５０℃の大気またはアンチモン酸化ガスの雰囲気
中で５〜３０分間焼成する第４工程と、 エージングした素子を、ＣＶＤ法により２０〜４００ｐ
ｐｍシラン系ガスで５〜３０分間処理する第５工程と、 第５工程で作成した素子を加熱してエージングする第６
工程と、 からなるガス検出素子の製造方法。 ３、アンチモン酸化ガス雰囲気は、三酸化アンチモンの
モル数に換算して１×１０＾−＾９〜４．５×１０＾−
＾８モル／ｃｍ＾３アンチモン化合物を６００〜８５０
℃の雰囲気中に５〜６０分間入れて作成したものである
特許請求の範囲第２項記載のガス検出素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20667485A JPS6267437A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | ガス検出素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20667485A JPS6267437A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | ガス検出素子とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6267437A true JPS6267437A (ja) | 1987-03-27 |
| JPH0458905B2 JPH0458905B2 (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=16527238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20667485A Granted JPS6267437A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | ガス検出素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6267437A (ja) |
-
1985
- 1985-09-20 JP JP20667485A patent/JPS6267437A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0458905B2 (ja) | 1992-09-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6360339B2 (ja) | ||
| CN106990142A (zh) | 一种基于石墨烯/二氧化锡量子点复合材料的no2传感器及其制备方法 | |
| JPS59119249A (ja) | 一酸化炭素の検出素子とその製造方法 | |
| JPS6267437A (ja) | ガス検出素子とその製造方法 | |
| JPH0473545B2 (ja) | ||
| EP0139139A2 (en) | Silane gas sensor and a method of making the same | |
| CN114280111B (zh) | 铈掺杂氧化钨复合材料和硫化氢传感器、以及制备方法 | |
| JPH0473543B2 (ja) | ||
| De Haan et al. | Electrical resistance of copper phthalocyanine thin films as influenced by substrates, electrodes and physical features of the films | |
| JPH0473544B2 (ja) | ||
| JPH0458906B2 (ja) | ||
| JPH0418258B2 (ja) | ||
| JPH0458907B2 (ja) | ||
| JPS5999343A (ja) | ガス検知素子 | |
| JPH0415907B2 (ja) | ||
| JP2000180397A (ja) | 排気ガス用ＮＯｘ測定素子 | |
| JPH09318582A (ja) | ガス検知素子用触媒の活性化処理方法 | |
| JPS6280544A (ja) | ガス検出素子とその製造方法 | |
| JPH05133923A (ja) | ガスセンサの製造方法 | |
| JPH03162656A (ja) | ガスセンサ | |
| JPH05164720A (ja) | ガスセンサ用組成物およびこの組成物を用いたガスセ ンサの製造方法 | |
| JPH0226184B2 (ja) | ||
| Sakata et al. | Oxygen gas-sensing properties of semiconductive V2O5-SrO-Sb2O3 glass at high temperature | |
| JPH058983B2 (ja) | ||
| JPS60242356A (ja) | ガス検出素子とその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |