JPS6265239A - 磁気デイスク配向装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、異極関係にある一対の磁極により、磁気ディ
スク上で均一かつ高い配向度の磁気ディスク媒体を得る
ことが可能な磁気ディスク配向装置に関するものである
。

従来、磁気ディスク媒体は、出力９分解能、前歴および
雑音等に対する電磁変換特性を向上させるため、塗膜中
の磁性粉の長軸方向をディスク円周方向に向けるように
配向を行なっている。

磁気ディスク媒体の配向は、磁気テープの場合と異なり
、樹脂が熱硬化性であること、基板の形状が円形である
こと等から困難な点が多い。

磁気ディスク媒体中の磁性粉を配向する装置として、第
１図（ａｌに示すように、複数個の同種をディスク２を
挟んで互いに対向させ、特に異掻間磁橿の先端を細くし
て、互いに接近させることにより、有効磁束を形成させ
る方法および装置が従来より提案されている。第１図（
ｂ）は、第１図１ａ）の装置の上部断面図である。第１
図１ａｌ、　ｌｂ）において、１はコイル、２はディス
ク（アルミ基板）、３は漏洩磁場、４はコア、５は配向
Ｍ１場である。

しかし、第１図による方法では、漏洩磁場３の強さが大
きく、配向度があまり高くとれない、また、漏洩磁場３
を皆無にするためには、きわめて高度な技術が要求され
る。

一般に、第１図１ａｌのような機構では、磁気ディスフ
がこの配向装置に入るときと出るときに互いにＮ、Ｓ極
が反転する漏洩磁場（反転磁場）が発生し、この漏洩磁
場の強さが大の場合には、磁性粉の向きを変える。

第２図は、配向磁場と漏洩磁場の強さが等しい場合のデ
ィスク−周におけるコーテイング膜厚分布図である。

配向磁場と漏洩磁場の強さが等しい場合には、第２図に
示すように、膜厚の厚い部分と薄い部分が周期的に現れ
る。そして、配向時の回転数を速くすると周期は短かく
なり、遅くすると周期は長くなる。これを肉眼で観察す
ると、ディスク直径方向に幅を持つ濃淡模様が明確に見
られる。これは、磁気ディスク特有のものであり、ディ
スクが回転するので、漏洩磁場が磁性粉の向きを変える
際、磁性粉が円周方向に移動し、何度も同−磁性中を通
過するため、密度が異なってくる現象である。−周で磁
性粉の密度が興なり、膜厚が１μｍ程度異なってくると
、コンタクト・スタート・ストップ式ヘッドは使用でき
ず、ディスク媒体としては使用できない、　′ａ／！Ｕ
ｍ場の強さが配向磁場の強さの１／２以下では問題は起
きていない、従って、漏洩磁場の強さはできる限り弱く
するのが好ましい。

この目的のため、本発明者は、特願昭５２−１５８４３
４号において、第３図に示すような改良された磁気ディ
スク配向装置を提案した。

第３図は先に提案した配向装置の上面断面図である。こ
の配向装置における正面の断面形状は、第１図ｆａｔに
示すように従来と同一であるが、配向装置を構成する永
久磁石（コア４）の平面形状は第３図に示すような扇形
磁石を用いる。即ち、ディスク２の回転方向に対して漏
洩磁場が発生する磁極の稜の方向７を、ディスク２の直
径方向と一敗させる。

第１図山）に示すような平面形状が矩形の永久磁石の場
合には、漏洩磁場が発生する磁極の稜の方向とディスク
の直径方向とが約４５度の角度で交差するので、配向磁
場５で配向された磁性粉が漏洩磁場により４５度の方向
に曲げられることになる。これに対して、第３図に示す
ように、漏洩磁場の発生方向７とディスク２の直径方向
とを一敗させた形状の永久磁石を用いると、配向磁場５
で配向された磁性粉は漏洩磁場により向きを変更される
が、ディスク２の円周方向にＮＳ極を反転されるため、
磁性粉が円周方向に移動しにくくなり、ディスク円周上
の密度は均一化される。

しかしながら、先の提案では漏洩磁場の方向による影響
を小さくすることはできても、殆ど無視しえるまで皆無
とすることは原理的に不可能であった。特に、磁気ディ
スクの高密度記録が要求されるに伴い、更に配向度が高
くなるよう要求されている。

本発明は、漏洩磁場の方向による影響を皆無とすること
が可能な磁気ディスク配向装置を提供することを目的と
する。

この目的の達成のため、本発明の磁気ディスク配向装置
は、異極関係にある一対の磁極を具え、該一対の磁極の
一端による磁場方向が配向すべき磁気ディスクの円周方
向となるように該磁気ディスクに対し設け、該磁気ディ
スクを回転させ該磁場により磁気ディスクを配向せしめ
る磁気ディスク配向装置において、該磁極の他端からの
漏洩磁場が該磁気ディスクの円周方向となるように該一
対の磁極に近接して磁路形成体を設けたことを特徴とす
る。

以下、本発明を実施例に基づいて説明する。

第４図は本発明の実施例の上面図であり、８′は一対の
磁極、９は円板状の磁気ディスク、１２は磁路形成体を
示す。

第３図との相違点は、磁極８，８′の形成されていない
磁気ディスク９上に磁路形成体１２をその円周方向に沿
って設けたことにある。この磁路形成体１２は強磁性体
であることが好ましく、例えば鉄板で構成される。磁路
形成体１２により漏洩磁場１４．１５は磁気ディスク９
の円周方向に沿った方向に規制され、漏洩磁場１４．１
５の方向により影響を受けない。

但し、漏洩磁場１４．１５の方向と配向磁場１３の方向
とは磁気ディスク回転方向に対し、反転しているため、
漏洩磁場１４．１５の強さを配向磁場１３の強さの１／
３以下とすることが好ましい。

本実施例では配向磁場の強さ２００００ｅ、漏洩磁場の
強さ７０００ｅである。

このような本発明の構成によれば、配向度は下記の如く
となる。

磁性粉としてｒＦｅ、ｏ、の針状粒子を用い、アルミナ
を攪拌のためのボールとして使用した磁性＝Ｓを形成し
た場合、本発明の構成による配向度（角形比Ｂｒ　／　
Ｂｓ　）は、０．９０となり、これは静置配向度（磁気
ディスクを静置し、磁石により一部のみを配向したこの
一部の配向値であり、漏洩磁場の影響を一切受けない）
と同一である。

尚、第３図の構成による配向度は０．７５であった。

以上説明したように、本発明によれば、一対の磁極の他
に、この磁極の他端による漏洩磁場の方向が磁気ディス
クの円周方向となるように磁路形成体を配置したので、
漏洩磁場を皆無とすることができ、漏洩磁場による磁気
ディスクの配向への悪影響をなくすことが可能となるた
め、配向度が向上し、掻めて高性能の磁気ディスクを得
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気ディスクの配向装置構成図、第２図
は従来の構成によるコーテイング膜厚分布図、第３図は
先のｌｉ案による磁気ディスク配向装置構成図、第４図
は本発明の実施例構成図を夫々示す。 図中、１はコイル、２．９はディスク、３゜１１．１４
．１５は漏洩磁場、４はコア、５゜１０．１３は配向磁
場、１２は磁路形成体を夫々示す。 撞鯰

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 異極関係にある一対の磁極を具え、該一対の磁極の一端
   による磁場方向が配向すべき磁気ディスクの円周方向と
   なるように該磁気ディスクに対し設け、該磁気ディスク
   を回転させ該磁場により磁気ディスクを配向せしめる磁
   気ディスク配向装置において、 該磁極の他端からの漏洩磁場が該磁気ディスクの円周方
   向となるように該一対の磁極に近接して磁路形成体を設
   けたことを特徴とする磁気ディスク配向装置。