JPS626484A - 磁性薄膜コアメモリ - Google Patents
磁性薄膜コアメモリInfo
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- JPS626484A JPS626484A JP14447285A JP14447285A JPS626484A JP S626484 A JPS626484 A JP S626484A JP 14447285 A JP14447285 A JP 14447285A JP 14447285 A JP14447285 A JP 14447285A JP S626484 A JPS626484 A JP S626484A
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- thin film
- grooves
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- groove
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/06—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
- G11C11/06007—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、コアメモリの改良に係り、より詳しくは、磁
性薄膜メモリを応用して閉磁路のコアを形成した磁性薄
膜コアメモリに関する。
性薄膜メモリを応用して閉磁路のコアを形成した磁性薄
膜コアメモリに関する。
コンピュータに適用されるランダムアクセスメモリ（以
下、ＲＡＭと略称する。）には、不揮発性であること、
ランダムアクセス性に優れていること、小型にして記憶
容量が大きいこと、動作が安定であること、Ｉｌ造が容
易で安価であること。
下、ＲＡＭと略称する。）には、不揮発性であること、
ランダムアクセス性に優れていること、小型にして記憶
容量が大きいこと、動作が安定であること、Ｉｌ造が容
易で安価であること。
等の諸性能が要求される。
従来より、この種ＲＡＭとしては、半導体メモリ、バブ
ルメモリ、プロッホラインメモリ、コアメモリ、磁性薄
膜メモリなどが知られているが。
ルメモリ、プロッホラインメモリ、コアメモリ、磁性薄
膜メモリなどが知られているが。
近年は記憶容量の大容量化が特に強く要求されており、
かかる観点から、ＩＭｂｉｔ程度までの大容量化が可能
な半導体メモリが、現在のところ、コンピュータメモリ
の主流となっている。しかしながら、半導体メモリの場
合、セルが小型化するにつれ、電圧が同じでも電界強度
が大きくなって絶縁破壊のおそれが大きくなること、お
よび、扱う電荷量が小さくなるにつ扛で、α線あるいは
外部ノイズ電界などの外乱に対して不安定になること。
かかる観点から、ＩＭｂｉｔ程度までの大容量化が可能
な半導体メモリが、現在のところ、コンピュータメモリ
の主流となっている。しかしながら、半導体メモリの場
合、セルが小型化するにつれ、電圧が同じでも電界強度
が大きくなって絶縁破壊のおそれが大きくなること、お
よび、扱う電荷量が小さくなるにつ扛で、α線あるいは
外部ノイズ電界などの外乱に対して不安定になること。
さらには、線幅の加工精度にも自ずから限界があると考
えられることから、今＠（±急激な記憶６１の増加を望
むことは難し、い。しかも、揮発性であるため用途が限
定されるという間開もある。
えられることから、今＠（±急激な記憶６１の増加を望
むことは難し、い。しかも、揮発性であるため用途が限
定されるという間開もある。
一方、バブルメモリ、プロシホラインメモリは、不揮発
性、放射線耐久性、および大容量化の点で非常に優れて
いるが、反面５本質的にアクセス能力が劣り、特に大容
量になるほど実効アクセス速度が低下するという問題が
ある。
性、放射線耐久性、および大容量化の点で非常に優れて
いるが、反面５本質的にアクセス能力が劣り、特に大容
量になるほど実効アクセス速度が低下するという問題が
ある。
また、コアメモリおよび磁性薄膜メモリは１本質的に不
揮発メモリであって、動作の安定性が高く、シかもラン
ダムアクセス性に僅れていることから、一時はコンピュ
ータメモリの主流であった。
揮発メモリであって、動作の安定性が高く、シかもラン
ダムアクセス性に僅れていることから、一時はコンピュ
ータメモリの主流であった。
しかしながら、これらのうちコアメモリは、微小なフェ
ライトコアを信号線で編み上げる構造であるため、大容
量メモリの製造が困難で大容量化が難しく、近年の大容
量化の要請に対応することができず、大容量化された半
導体メモリに置き換えられた。また、磁性薄膜メモリは
、ａ造が比較的容易で大容量化が可能である反面、磁路
が閉じていないために、記録効率および再生効率それに
記録された信号の安定性が悪いという問題がある。
ライトコアを信号線で編み上げる構造であるため、大容
量メモリの製造が困難で大容量化が難しく、近年の大容
量化の要請に対応することができず、大容量化された半
導体メモリに置き換えられた。また、磁性薄膜メモリは
、ａ造が比較的容易で大容量化が可能である反面、磁路
が閉じていないために、記録効率および再生効率それに
記録された信号の安定性が悪いという問題がある。
かように、ますます記憶容量の大容量化が要求されるコ
ンピュータメモリとして、従来のＲＡＭはそれぞれ特有
の問題点を有しており、理想的なメモリは今だ提供され
ていない。上記した従来のＲＡＭのうち、不揮発性、ラ
ンダムアクセス性。
ンピュータメモリとして、従来のＲＡＭはそれぞれ特有
の問題点を有しており、理想的なメモリは今だ提供され
ていない。上記した従来のＲＡＭのうち、不揮発性、ラ
ンダムアクセス性。
記録再生効率、および動作の安定性に関してはコアメモ
リが最も優れており、記憶容量の大容量化が実現される
ならば、理想的なコンピュータメモリとすることができ
る。
リが最も優れており、記憶容量の大容量化が実現される
ならば、理想的なコンピュータメモリとすることができ
る。
本発明は大容量化に適した磁性薄膜メモリの製造技術を
応用することによって、かかる理想的なコンピュータメ
モリを得ようとするものであって、高飽和磁束密度と適
度な保磁力とを有する磁性材料にて形成された磁性基板
の片面に格子状の凹溝を凹設し、該凹溝に沿って予じめ
定められたパターンでＸ駆動線およびＹ駆動線および信
号線を埋設し、これらＸ駆動線およびＹ駆動線および信
号線が埋設された凹溝を介して相隣接する２つの島の表
面に磁性薄膜を横着したこと、および、この磁性薄膜コ
アメモリを単位ユニットとして、これを多層に積層した
ことを特徴とするものである。
応用することによって、かかる理想的なコンピュータメ
モリを得ようとするものであって、高飽和磁束密度と適
度な保磁力とを有する磁性材料にて形成された磁性基板
の片面に格子状の凹溝を凹設し、該凹溝に沿って予じめ
定められたパターンでＸ駆動線およびＹ駆動線および信
号線を埋設し、これらＸ駆動線およびＹ駆動線および信
号線が埋設された凹溝を介して相隣接する２つの島の表
面に磁性薄膜を横着したこと、および、この磁性薄膜コ
アメモリを単位ユニットとして、これを多層に積層した
ことを特徴とするものである。
第１図は本発明の第１実施例に係る磁性薄膜コアメモリ
の斜視図、第２図は磁性基板の平面図。
の斜視図、第２図は磁性基板の平面図。
第３図は第２図のＡ−Ａ断面図、第４図はＸ駆動線およ
び７ｇ動線および信号線の形成パターンを示す磁性基板
の平面図、第５図はＸ駆動線およびＹ駆動線および信号
線が埋設された磁性基板の断面図、第６図は磁性薄膜が
付設された磁性基板の平面図であって、１は磁性基板、
２は磁性基板ｌに凹設された凹溝、３は凹溝２によって
磁性基板１の表面に形成された島、４はＸ駆動線、５は
Ｙ駆動線、６は信号線、７は磁性薄膜を示している・磁
性基板１は１例えばパーマロイあるいはセンダストなど
、ａｏｏｏガウス以上の飽和磁束密度と１〜１ｏｏｏｅ
程度の保磁力を有する金属磁性材料の薄膜によって形成
される。磁性基板ｌのもとになる金屑磁性材料は、結晶
質であると非結品質であるとを問わないが、加工性の観
点から、非結晶質金属磁性材料の方が好ましい。尚、こ
の磁性基板１は、非磁性基板の表面に上記の金属磁性材
料をスパッタリングすることによって形成される。
び７ｇ動線および信号線の形成パターンを示す磁性基板
の平面図、第５図はＸ駆動線およびＹ駆動線および信号
線が埋設された磁性基板の断面図、第６図は磁性薄膜が
付設された磁性基板の平面図であって、１は磁性基板、
２は磁性基板ｌに凹設された凹溝、３は凹溝２によって
磁性基板１の表面に形成された島、４はＸ駆動線、５は
Ｙ駆動線、６は信号線、７は磁性薄膜を示している・磁
性基板１は１例えばパーマロイあるいはセンダストなど
、ａｏｏｏガウス以上の飽和磁束密度と１〜１ｏｏｏｅ
程度の保磁力を有する金属磁性材料の薄膜によって形成
される。磁性基板ｌのもとになる金屑磁性材料は、結晶
質であると非結品質であるとを問わないが、加工性の観
点から、非結晶質金属磁性材料の方が好ましい。尚、こ
の磁性基板１は、非磁性基板の表面に上記の金属磁性材
料をスパッタリングすることによって形成される。
凹溝２は、第２図に示すように、上記磁性基板１の表面
を図上右側上方から左側下方にそｔぞれ等しい間隔をも
って相平行に延びる凹溝群２ａと。
を図上右側上方から左側下方にそｔぞれ等しい間隔をも
って相平行に延びる凹溝群２ａと。
左側上方から右側下方にそれぞれ等しい間隔をもって相
平行に延びる凹溝群２ｂによって格子状に形成される。
平行に延びる凹溝群２ｂによって格子状に形成される。
この凹溝２は１例えばフォトエツチングなどのリソグラ
フィーを応用した加工手段を適用することによって、第
３図に示すように、上記磁性基板１の厚さよりも浅い一
定の深さに形成される。尚、相隣接する凹溝群２の間隔
、即ち島３の大きさは２−辺が約１０μｍに形成される
。
フィーを応用した加工手段を適用することによって、第
３図に示すように、上記磁性基板１の厚さよりも浅い一
定の深さに形成される。尚、相隣接する凹溝群２の間隔
、即ち島３の大きさは２−辺が約１０μｍに形成される
。
Ｘ駆動線４は、第４図に破線にて表示するように、磁性
基板１のＸ方向に配置された２個を一組とする島の列３
ｘの間に形成された上記磁性基板１の右側上方から左側
下方に延びる凹溝２ａ、および、これを連結する左側上
方から右側下方に延びる凹溝２ｂに連続して形成される
。また、Ｘ駆動線５および信号線６は、第４図に実線に
て表示するように、磁性基板１のＹ方向に配置された２
個を一組とする島の列３ｙの間に形成され、上記Ｘ駆動
線４が形成された凹溝２ａ、および、これを連結する左
側上方から右側下方に延びる凹１ｌＩ２ｂに連続して形
成される。これらＸ駆動線４．Ｘ駆動線５．信号線６は
、磁性基板１との間、およびＸ駆動ＩＡ４．Ｘ駆動線５
、信号線６の相互間での短絡を防止するため、第５図に
示すように１例えば５ｉＯ＝の如き絶縁体８を介して凹
溝２内に埋設される。具体的には、スパッタリングによ
る絶縁層の形成とリソグラフィー技術によるＸ駆動線４
、Ｙｌｌｌ動線５、信号線６の形成を順次繰り返すこと
によって形成される。
基板１のＸ方向に配置された２個を一組とする島の列３
ｘの間に形成された上記磁性基板１の右側上方から左側
下方に延びる凹溝２ａ、および、これを連結する左側上
方から右側下方に延びる凹溝２ｂに連続して形成される
。また、Ｘ駆動線５および信号線６は、第４図に実線に
て表示するように、磁性基板１のＹ方向に配置された２
個を一組とする島の列３ｙの間に形成され、上記Ｘ駆動
線４が形成された凹溝２ａ、および、これを連結する左
側上方から右側下方に延びる凹１ｌＩ２ｂに連続して形
成される。これらＸ駆動線４．Ｘ駆動線５．信号線６は
、磁性基板１との間、およびＸ駆動ＩＡ４．Ｘ駆動線５
、信号線６の相互間での短絡を防止するため、第５図に
示すように１例えば５ｉＯ＝の如き絶縁体８を介して凹
溝２内に埋設される。具体的には、スパッタリングによ
る絶縁層の形成とリソグラフィー技術によるＸ駆動線４
、Ｙｌｌｌ動線５、信号線６の形成を順次繰り返すこと
によって形成される。
尚、上記Ｘ駆動線４およびＸ駆動線５および信号線６が
全部埋設された凹溝以外の凹溝には、第５図に示すよう
に、 ５１０２の如き非磁性体９が充填される。
全部埋設された凹溝以外の凹溝には、第５図に示すよう
に、 ５１０２の如き非磁性体９が充填される。
磁性薄膜７は、上記磁性基Ｆｉ１と同様の磁性材料にて
形成されており、第６図に示すように、Ｘ駆動線４、Ｙ
ｊｌ！動線５、および信号線６が埋設された凹溝２を介
してその両側に配置される２つの島の表面に横着される
。具体的には、上記のようにしてＸ駆動線４．Ｘ駆動線
５．信号線６が埋設され、これらＸ駆動線４、Ｘ駆動線
５．信号線６が全て埋設された凹溝以外の凹溝に非磁性
体９が一充填された磁性基板１の表面にラッピングを施
し、該表面に磁性基板１と同様の磁性材料をスパッタリ
ングしたのちに、Ｘ駆動線４、Ｙ駆動ａＳ、信号線６が
全て埋設された凹溝を介して相隣接する２つの島、即ち
、１つの磁気コアを形成する一対の島の組の表面を除く
部分をエツチングなどの手。
形成されており、第６図に示すように、Ｘ駆動線４、Ｙ
ｊｌ！動線５、および信号線６が埋設された凹溝２を介
してその両側に配置される２つの島の表面に横着される
。具体的には、上記のようにしてＸ駆動線４．Ｘ駆動線
５．信号線６が埋設され、これらＸ駆動線４、Ｘ駆動線
５．信号線６が全て埋設された凹溝以外の凹溝に非磁性
体９が一充填された磁性基板１の表面にラッピングを施
し、該表面に磁性基板１と同様の磁性材料をスパッタリ
ングしたのちに、Ｘ駆動線４、Ｙ駆動ａＳ、信号線６が
全て埋設された凹溝を介して相隣接する２つの島、即ち
、１つの磁気コアを形成する一対の島の組の表面を除く
部分をエツチングなどの手。
段を用いて除去する。
上記実施例の磁性薄膜コアメモリは、Ｘ駆動線４、Ｘ駆
動線５、および信号線６を介してその両側に配置された
２つの島３と該２つの島３の表面に横着された磁性薄膜
７とによって閉磁路を構成可能なコアが形成されろ。該
コアは、上記Ｘ駆動線４またはＸ駆動線５に電流を印加
することによって保磁力士Ｈｅまたは−Ｈｅよりも大き
な磁界を加えられると、その磁界の方向によって＋Ｂｒ
または−Ｂｒに磁化される。この磁化の状態は磁界を取
り去ったのちも安定に存在し、該コアの保磁力よりも小
さい磁界を加えても磁化の状態は失われない。これによ
り、この２つの磁化の状態を２進情報の１′Ｖ′と１″
０″に対応させ、１ビツトの情報を記録することができ
る。また、記憶内容を読み取る場合には、コアの保磁力
士Ｈｃよりも大きい正の磁界を加えてみる。もし記憶内
容がｌ″であれば磁化は−Ｂｒから＋Ｂｒに変わるから
、この磁束反転によって上記信号線６に電圧が誘起され
る。しかし、記憶内容が１１ Ｏｎであれば磁束の変化
がないから誘起電圧がない。即ち、信号線６に誘起電圧
が出力さ九たか否かによって、記憶内容がｌ″であった
か０″であったかを判別することができる。
動線５、および信号線６を介してその両側に配置された
２つの島３と該２つの島３の表面に横着された磁性薄膜
７とによって閉磁路を構成可能なコアが形成されろ。該
コアは、上記Ｘ駆動線４またはＸ駆動線５に電流を印加
することによって保磁力士Ｈｅまたは−Ｈｅよりも大き
な磁界を加えられると、その磁界の方向によって＋Ｂｒ
または−Ｂｒに磁化される。この磁化の状態は磁界を取
り去ったのちも安定に存在し、該コアの保磁力よりも小
さい磁界を加えても磁化の状態は失われない。これによ
り、この２つの磁化の状態を２進情報の１′Ｖ′と１″
０″に対応させ、１ビツトの情報を記録することができ
る。また、記憶内容を読み取る場合には、コアの保磁力
士Ｈｃよりも大きい正の磁界を加えてみる。もし記憶内
容がｌ″であれば磁化は−Ｂｒから＋Ｂｒに変わるから
、この磁束反転によって上記信号線６に電圧が誘起され
る。しかし、記憶内容が１１ Ｏｎであれば磁束の変化
がないから誘起電圧がない。即ち、信号線６に誘起電圧
が出力さ九たか否かによって、記憶内容がｌ″であった
か０″であったかを判別することができる。
叙上のように、上記実施例の磁性Ｗｅｔコアメモリは、
閉磁路を構成するコアに情報を記憶するようにしたので
、動作が安定であるとともに記録再生効率が高い、また
、磁性基板１および磁性ｍ膜７の材料としてパーマロイ
およびセンダストのように８０００ガウス以上の高い飽
和磁束密度と１〜１０００ｅ程度の高い保磁力を有する
金属磁性材料を用いたので、コアの体積を微小化しても
コア内に比較的大きな磁束を閉じ込めることができ。
閉磁路を構成するコアに情報を記憶するようにしたので
、動作が安定であるとともに記録再生効率が高い、また
、磁性基板１および磁性ｍ膜７の材料としてパーマロイ
およびセンダストのように８０００ガウス以上の高い飽
和磁束密度と１〜１０００ｅ程度の高い保磁力を有する
金属磁性材料を用いたので、コアの体積を微小化しても
コア内に比較的大きな磁束を閉じ込めることができ。
コアの微小化、即ち、記憶容量の大容量化を図ることが
できる。現在の一般的なリソグラフィー技術を応用して
も、−辺がｌＯμｍ程度の島３を形成することは容易で
あり、この場合には、１ｃｍ”の磁性基板１上に１０６
ビツトのコアメモリを形成することができる。また、１
つのコアを構成する一組の島の周囲に非磁性体９を充填
したので。
できる。現在の一般的なリソグラフィー技術を応用して
も、−辺がｌＯμｍ程度の島３を形成することは容易で
あり、この場合には、１ｃｍ”の磁性基板１上に１０６
ビツトのコアメモリを形成することができる。また、１
つのコアを構成する一組の島の周囲に非磁性体９を充填
したので。
相隣接するコア同士が磁気的に影響を及ぼしあうことが
なく、この点からも記憶容量の大容量化を図ることがで
きろ。この場合、凹溝２の深さを全て同一に形成したの
で、Ｘ駆動線４、Ｙ駆動線５、信号線７が埋設される凹
溝と、これらの線が埋設されない凹溝の段差が小さく、
非磁性体９の充填が容易である。
なく、この点からも記憶容量の大容量化を図ることがで
きろ。この場合、凹溝２の深さを全て同一に形成したの
で、Ｘ駆動線４、Ｙ駆動線５、信号線７が埋設される凹
溝と、これらの線が埋設されない凹溝の段差が小さく、
非磁性体９の充填が容易である。
尚、上記実施例においては、ｉｎ性基板１および磁性薄
膜７の材料として、パーマロイおよびセンダストを例示
したが、本発明の要旨は磁性基板１上に形成される磁気
コアの密度に応じて適度な飽和磁束密度と保磁力を有す
るものを選択する点に存するのであって上記のものに限
定されるものではない。即ち、鉄、ニッケル、コバルト
のグループから選択された１種以上の元素と、リン、炭
素、ホウ素、ケイ素のグループから選択された１種以上
の元素から成る結晶質または非晶質の合金、またはこれ
らを主成分として、アルミニウム、ゲルマニウム、ベリ
リウム、スズ、インジウム、モリブデン、タングステン
、チタン、マンガン、クロム、ジルコニウム、ハフニウ
ム、ニオブなどを添加した結晶質または非晶質の合金、
あるいは、コバルト、ジルコニウムを主成分として上記
の添加元素を含んだ結晶質または非晶質の合金などから
広く選択することができる。
膜７の材料として、パーマロイおよびセンダストを例示
したが、本発明の要旨は磁性基板１上に形成される磁気
コアの密度に応じて適度な飽和磁束密度と保磁力を有す
るものを選択する点に存するのであって上記のものに限
定されるものではない。即ち、鉄、ニッケル、コバルト
のグループから選択された１種以上の元素と、リン、炭
素、ホウ素、ケイ素のグループから選択された１種以上
の元素から成る結晶質または非晶質の合金、またはこれ
らを主成分として、アルミニウム、ゲルマニウム、ベリ
リウム、スズ、インジウム、モリブデン、タングステン
、チタン、マンガン、クロム、ジルコニウム、ハフニウ
ム、ニオブなどを添加した結晶質または非晶質の合金、
あるいは、コバルト、ジルコニウムを主成分として上記
の添加元素を含んだ結晶質または非晶質の合金などから
広く選択することができる。
また、上記実施例においては、磁性基板ｌの形成手段お
よび非磁性層９の形成手段としてスパッタリングを用い
た場合について説明したが１本発明の要旨はこれに限定
されるものではなく、真空蒸着あるいは化学めっきなど
、任意の薄膜形成手段を用いることができる。
よび非磁性層９の形成手段としてスパッタリングを用い
た場合について説明したが１本発明の要旨はこれに限定
されるものではなく、真空蒸着あるいは化学めっきなど
、任意の薄膜形成手段を用いることができる。
さらに、上記実施例におい−Ｃは、凹溝２の形成手段、
Ｘ駆動＄１４．Ｙ駆動線５．信号ＩＩＡ６の形成手段お
よび磁性薄ＩＩ ７の成形手段としてリソグラフィー技
術を用いた場合について説明したが１本発明の要ヨはこ
れに限定されるものではなく、電子ビーム加工、レーザ
加工など任意の微細加工技術を適用することができる。
Ｘ駆動＄１４．Ｙ駆動線５．信号ＩＩＡ６の形成手段お
よび磁性薄ＩＩ ７の成形手段としてリソグラフィー技
術を用いた場合について説明したが１本発明の要ヨはこ
れに限定されるものではなく、電子ビーム加工、レーザ
加工など任意の微細加工技術を適用することができる。
また、上記実施例においては、Ｘ駆動ｎ４．Ｙ駆動ｎ５
．信号線６を凹溝２の底部より順次埋設した場合につい
て説明したが、本発明の要旨はこれに限定されろもので
はなく、これらの線４，５゜６ののうちの２つ乃至３つ
を凹溝２内に並列に形成することもできろ。
．信号線６を凹溝２の底部より順次埋設した場合につい
て説明したが、本発明の要旨はこれに限定されろもので
はなく、これらの線４，５゜６ののうちの２つ乃至３つ
を凹溝２内に並列に形成することもできろ。
以下９本発明の第２実施例について説明する。
第７図は第２実施例の磁性ｍ膜コアメモリの斜視図であ
って、１０は磁性薄膜コアメモリの単位ユニット、１１
は磁性薄膜コアメモリのブロックを示す。
って、１０は磁性薄膜コアメモリの単位ユニット、１１
は磁性薄膜コアメモリのブロックを示す。
単位ユニット１０は、上記した第１実施例の磁性薄膜コ
アメモリと全く同一のものであって、これら磁性薄膜コ
アメモリの単位ユニットを、第６図に示すように、非磁
性層１２を介して順次積層することによって、磁性薄膜
コアメモリのブロック１１を形成する。
アメモリと全く同一のものであって、これら磁性薄膜コ
アメモリの単位ユニットを、第６図に示すように、非磁
性層１２を介して順次積層することによって、磁性薄膜
コアメモリのブロック１１を形成する。
上記第２実施例の磁性薄膜コアメモリは、積層した磁性
薄膜コアメモリの数の倍数だけ記憶容量を増加すること
ができるので、記憶容量の大容量化に顕著なる効果があ
る１例えば、１ｃｍ立方の磁性薄膜コアメモリのブロッ
ク１１を作製する場合、１つの単位ユニットの厚さが０
．２！Ｉ１１であるとすると、５１層の単位ユニット１
０を積層することが可能で、上記したように、島３の一
辺を１０μｍに形成した場合には１つの単位ユニット１
０上に１０ｅビツトのコアメモリを形成することか可能
であるから、全体として、約５Ｘ１０７ビツトのメモリ
とすることができるゆ 〔発明の効果〕 以上説明したように１本発明の磁性薄膜コアメモリは、
閉磁路を構成するコアに情報を記憶するようにしたので
、動作が安定であるとともに記録再生効率が高い、また
、磁性基板および磁性：ａｌｌｇの材料として高飽和磁
束密度、高保磁力の磁性材料を用いたので、コアの体８
！ト微小化してもコア内に比較的大きな磁束を閉じ込め
ることができ。
薄膜コアメモリの数の倍数だけ記憶容量を増加すること
ができるので、記憶容量の大容量化に顕著なる効果があ
る１例えば、１ｃｍ立方の磁性薄膜コアメモリのブロッ
ク１１を作製する場合、１つの単位ユニットの厚さが０
．２！Ｉ１１であるとすると、５１層の単位ユニット１
０を積層することが可能で、上記したように、島３の一
辺を１０μｍに形成した場合には１つの単位ユニット１
０上に１０ｅビツトのコアメモリを形成することか可能
であるから、全体として、約５Ｘ１０７ビツトのメモリ
とすることができるゆ 〔発明の効果〕 以上説明したように１本発明の磁性薄膜コアメモリは、
閉磁路を構成するコアに情報を記憶するようにしたので
、動作が安定であるとともに記録再生効率が高い、また
、磁性基板および磁性：ａｌｌｇの材料として高飽和磁
束密度、高保磁力の磁性材料を用いたので、コアの体８
！ト微小化してもコア内に比較的大きな磁束を閉じ込め
ることができ。
コアの微小化、即ち記憶容量の人１ｊ藍化を図ることが
できる。特に、平板状に形成された磁性薄膜コアメモリ
を多数積層するようにした実施例においては、大容量化
の効果が顕著である。また、１つのコアを構成する一組
の島の周囲に非磁性体を充填したので、相隣接するコア
同士が磁気的に影響を及ぼしあうことがなく、この点か
らも記憶容量の大容量化を図ることができろ。さらに、
駆動線および信号線の配線が比較的シンプルであるので
、製造が容易で安価に提供することができる。
できる。特に、平板状に形成された磁性薄膜コアメモリ
を多数積層するようにした実施例においては、大容量化
の効果が顕著である。また、１つのコアを構成する一組
の島の周囲に非磁性体を充填したので、相隣接するコア
同士が磁気的に影響を及ぼしあうことがなく、この点か
らも記憶容量の大容量化を図ることができろ。さらに、
駆動線および信号線の配線が比較的シンプルであるので
、製造が容易で安価に提供することができる。
加えて、コアメモリは本質的に不Ｊｌｌ性で、かつラン
ダムアクセス性に優れていることから、理想的なコンピ
ュータメモリとすることができる。
ダムアクセス性に優れていることから、理想的なコンピ
ュータメモリとすることができる。
添付の図面は本発明の実施例図であって、第１図は本発
明の第１実施例に係る磁性薄膜コアメモリの斜視図、第
２図は磁性基板の平面図、第３図は第２図のＡ−Ａ断面
図、第４図はＸ駆動線およびＸ駆動線および信号線の配
置を示す磁性基板の平面図、第５図はＸ駆動線およびＸ
駆動線および信号線が埋設された磁性基板の断面図、第
６図は上部磁性膜が付設された磁性基板の平面図、第７
図は本発明の第２実施例を示す斜視図である。 １：磁性基板、２；凹溝、３：島、４ ： Ｘ駆動線、
５：Ｘ駆動線５，６：信号線、７：磁性薄膜。 ８：絶縁体、９：非磁性体、１０：磁性薄膜コアメモリ
の単位ユニット、１１：磁性薄膜コアメモリのブロック
、１２：非磁性層 第２図 第３図 第５図 第４図 第６図 第７図
明の第１実施例に係る磁性薄膜コアメモリの斜視図、第
２図は磁性基板の平面図、第３図は第２図のＡ−Ａ断面
図、第４図はＸ駆動線およびＸ駆動線および信号線の配
置を示す磁性基板の平面図、第５図はＸ駆動線およびＸ
駆動線および信号線が埋設された磁性基板の断面図、第
６図は上部磁性膜が付設された磁性基板の平面図、第７
図は本発明の第２実施例を示す斜視図である。 １：磁性基板、２；凹溝、３：島、４ ： Ｘ駆動線、
５：Ｘ駆動線５，６：信号線、７：磁性薄膜。 ８：絶縁体、９：非磁性体、１０：磁性薄膜コアメモリ
の単位ユニット、１１：磁性薄膜コアメモリのブロック
、１２：非磁性層 第２図 第３図 第５図 第４図 第６図 第７図
Claims (2)
- （１）高飽和磁束密度と適度な保磁力とを有する磁性材
料にて形成された磁性基板の片面に格子状の凹溝を凹設
し、該凹溝に沿つて予じめ定められたパターンでＸ駆動
線およびＹ駆動線および信号線を埋設し、これらＸ駆動
線およびＹ駆動線および信号線が埋設された凹溝を介し
て相隣接する２つの島の表面に磁性薄膜を橋着したこと
を特徴とする磁性薄膜コアメモリ。 - （２）高飽和磁束密度と適度な保磁力とを有する磁性材
料にて形成された磁性基板の片面に格子状の凹溝を凹設
し、該凹溝に沿つて予じめ定められたパターンでＸ駆動
線およびＹ駆動線および信号線を埋設し、これらＸ駆動
線およびＹ駆動線および信号線が埋設された凹溝を介し
て相隣接する２つの島の表面に磁性薄膜が橋着された磁
性薄膜コアメモリの単位ユニットを複数個積層したこと
を特徴とする磁性薄膜コアメモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14447285A JPS626484A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | 磁性薄膜コアメモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14447285A JPS626484A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | 磁性薄膜コアメモリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS626484A true JPS626484A (ja) | 1987-01-13 |
Family
ID=15363084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14447285A Pending JPS626484A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | 磁性薄膜コアメモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS626484A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6545900B2 (en) | 2000-09-12 | 2003-04-08 | Infineon Technologies, Ag | MRAM module configuration |
| JP2008075475A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Fujitsu General Ltd | 密閉型圧縮機 |
-
1985
- 1985-07-03 JP JP14447285A patent/JPS626484A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6545900B2 (en) | 2000-09-12 | 2003-04-08 | Infineon Technologies, Ag | MRAM module configuration |
| JP2008075475A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Fujitsu General Ltd | 密閉型圧縮機 |
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