JPS6258643A - レジンモ−ルド形電子部品の製造方法 - Google Patents

レジンモ−ルド形電子部品の製造方法

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JPS6258643A
JPS6258643A JP19764885A JP19764885A JPS6258643A JP S6258643 A JPS6258643 A JP S6258643A JP 19764885 A JP19764885 A JP 19764885A JP 19764885 A JP19764885 A JP 19764885A JP S6258643 A JPS6258643 A JP S6258643A
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JP
Japan
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resin
mold
lead frame
lead
molding
Prior art date
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Pending
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JP19764885A
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English (en)
Inventor
Akio Nadamura
灘村 昭夫
Ryuichiro Sakai
酒井 隆一郎
Hideya Kokubu
国分 秀弥
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Hitachi Ltd
Hitachi Power Semiconductor Device Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Haramachi Electronics Ltd
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Publication date
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、レジンモールド後にリードフレーム側面の微
小突起レジンを流体を吹付けることにより除去するレジ
ンモールド形電子部品の製造方法に関する。
〔発明の背景〕
一般にリードフレームの所定個所に電子部品を載置して
おいて、リードとなる部分がモールドレジンの外部に突
出するようにトランスファモールドする電子部品の製造
において、モールド時の外部リードフレーム側面へのレ
ジン流出をせきとめるためにリードとなる部分のモール
ド型がらの突出部(以下、リード付根と略記)の隙間を
小さくしたモールド型を使用してトランスファモールド
するが、リード側面で微小突起レジン、所謂、パリの発
生が避けられず、このレジンバリは次工程のリード切断
工程の型摩耗等の弊害を及ぼす等、モールド後にパリ取
り作業が必要である。
従来のレジンモールド形状では、リード付根の側面とモ
ールド型との隙間が、リードフレーム打抜き寸法公差や
モールド型加工寸法公差及びリードフレームのモールド
型へのセットを容易する為の勾配を含めた必要最小寸法
になっており、モールド後のリード側面のレジンパリの
付着量が薄い為、例えばノズルから噴射したくるみ粉等
の研摩剤や超高圧水等の衝撃力でパリ取りを作業する(
特開昭58−135646号公報)場合に、衝撃力によ
ってレジンパリ付着面にかかるモーメントが小さく、レ
ジンバリが剥離しにくいという欠点があった。
特に、リードフレーム材質の主成分がCuで。
側面にCuが露出している場合は、レジンの接着力が大
きい為、一層、レジンバリを完全に除去するのは困難で
ある。
尚、衝撃力を増す為に研磨剤等の噴出速度を大きくした
り、研磨剤による破砕効果を得る為にガラス玉等の硬度
の高い研磨剤を使用するとリードフレーム面を粗雑にす
るという問題がある。
この様に、従来のレジンモールド形状では、レジンバリ
の完全除去は困難であり、その為1機械でのパリ取り作
業後、手作業にて残存しているパリを除去していた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、レジンバリを容易に除去することがで
きるレジンモールド形電子部品の製造方法を提供するこ
とである。
〔発明の概要〕
レジンモールド品のパリ除去を検討している過程で、パ
リ付着量が大きいものがむしろ比較的剥離し易いという
現象が見られた。
この現象は、リードフレーム側面に付着しているパリの
付着面積は一定、即ち接着力が一定であるのに対して、
パリ取り時の研磨剤や超高圧水等の衝撃を受ける面積が
大きいとパリの受ける衝撃力の和が大きく、且つ剥離さ
せようとするモーメントが大きくなる為と考えられる。
従って衝撃力を利用してレジンバリを除去する方式に於
いては、パリの付着量は小さくするよりもむしろ大きく
しておき、衝撃力で生ずるモーメントを大きくした方が
パリ除去に対して有効である。
本発明はこのような考察から得られたもので、レジンバ
リをハードフレームの厚さの0.5 倍以上でリードの
間隔以内の高さに付着させておいて、除去することを特
徴とする。
除去する際の水圧は約1200kg/aJが好適である
6これ以上とすると、リードが損傷されてしまう。
またレジンバリがリードフレームの厚さの0.5倍未満
の高さでは、充分にパリを剥離することができなかった
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。
第1図に、本発明の一実施例の対象製品となるTo−2
20パツケ一ジ形半導体装置の製造過程を示す。
第1図(a)はトランスファモールド型を用いて成形し
たレジンモールド後の状態を示し、モールド本体1は通
常エポキシレジンが多く使われ、レジン中には充填剤と
してガラス粉状の溶融シリカが含まれている。モールド
本体1は第1図(e)に示すように、その内部にはリー
ドフレーム2、半導体素子3.配線4が内蔵されており
、リードフレーム2の外部端子(リード)となる部分は
モールド本体1の面側に突出している。このレジンモー
ルド品は、第1図(b)に示すリード切断工程、第1図
(Q)に示す半田揚工程、セパレート工程を経て第1図
(d)に示す完成品の形状となる。
ここで第1図(a)のA部を拡大すると第2図(a)、
(b)に示すように、厚さ0.4nnのリードフレーム
側面に数10〜100μm程度のレジンバリ5が付着し
ている。このレジンバリ5はレジンモールド時にリード
フレームをトランスファモールド型にセットした時の型
との隙間にレジンが浸入したもので、これが残存したま
まであると次工程のリードフレーム切断時にレジン中の
溶融シリカにより切断型を摩耗させるという致命的な弊
害を招く。又、半田揚工程で半田が付かなくなり、機能
的、外観的にも好ましくない。
そこで一般的にはモールド後、上記のレジンパリ5を除
去する為にパリ取り作業が行われる。パリ取り作業は機
械的に行う方法と薬品を用いる方法がある。機械的に行
う方法は第3図に示すように、ノズル6から例えばくる
み粉のような研磨剤を高速でリードフレーム面に噴射さ
せてそのWll力でレジンバリ5を剥雅させる方法で、
研磨剤の代りに超高圧水を噴射させても良い。
薬品を用いる方法は、剥離液にレジンモールド品を一定
時間浸漬しレジンバリを膨潤させた後スプレー洗浄する
が、リードフレーム面の数μm程度の薄い被膜状のレジ
ンフラッシュは除去出来るが、リードフレーム側面の数
10〜100μm程度のレジンバリは除去困難であり、
この後、前述の機械的方法を併用している例がある。
この様なパリ取り作業を行っても完全に除去することは
困難であり、第4図のリード■、リード■に示す様に部
分的にレジンバリ5が残存する。
特にリードフレームの材質の主成分がCuで、リード側
面にCuが露出しているものはこの傾向が大きい。
尚、研磨剤等の噴射速度を速くしたり、ガラス玉の様な
硬い研磨剤を使用すると、リードフレーム面が粗雑にな
るという問題がある。
この為、従来のパリ取り作業では1機械処理後、残存し
ているレジンバリを手作業にて除去しなければならなか
った。又、この様にしても完全に爪切れないレジンバリ
によって、リード切断型の摩耗はどうしても避けられな
かった。
次に機械的なパリ取りの原理を第5図(a)。
(b)について考える。
レジンバリ5とリードフレーム2の側面との接着力はI
ll、Axで得られる面積で決まり、リードフレームの
板厚Q8とリード付根部の長さQlが変わらなければ接
着力は一定となる。
一方、噴射された研磨剤等はレジンバリ5に衝突するが
、この時の衝撃力Pはレジンバリの付着部に対するモー
メントMに変換される。このモーメントは、レジンバリ
の付着高さQZと衝撃力Pによって決まる。又、衝撃を
受ける面積が大きいと全体の面積にかかる衝撃力も大き
くなる。
即ち、付着高さQZが大きいと付着面からの距離が長く
なると共に衝撃力も大きくなり、この相乗効果によって
モーメントMが大きくなる。従って、レジンバリの付着
量が大きければ、むしろレジンバリは剥離しやすくなる
ここで、従来のレジンモールド形状におけるレシンハリ
5の付着量について見る。
第6図(a)、(b) 、(c)は従来のトランスファ
モールド型の一部分と、これにセットされるリードフレ
ームとの関係を示す。。通常、トランスファモールド型
の下型7にパイロットピン8を基準にしてリードフレー
ム2をセットし上型10とクランプしてトランスファモ
ールドする。
このモールド時にレジンがリードフレーム2のリード間
の空間にレジンが流出しない様にせきとめる為の突起9
がある。しかし、突起9の間隔Wtはリードフレーム2
のリード巾w2より若干広くなっている。その理由は、
板状材料からリードフレーム2を打抜く時の寸法公差、
モールド型の突起9の加工公差及びリードフレーム2を
モールド型下型7にセットし易くする為の勾配を含めた
必要量小寸法だけ広くしてあり、通常、(wz  W2
)/2は数10μm〜1100It程度設けである。
例えば0.4■厚のリードフレームでは約100μmで
あるこの値が、モールド時にリードフレーム側面に発生
するレジンバリ5の付着量になる。
従って前述の第5図に示すレジンバリ5の付着高さAX
を大きくするということは、 (wl−wz)/2の値
を必要最小寸法にせず、むしろ充分に大きくすることで
ある。
具体的にはリードフレーム厚0.4閣の場合、レジンバ
リ5の付着量を従来の5倍の500μmにした。
第7図は、もう一つの実施例である。リード間を全面的
にレジンバリ5で埋めた形状であるが、第8図に示すよ
うにモールド型下型7の突起部9を寄棟型にしておき、
これで得られるレジンバリ5に稜線状の凹みを設けであ
る。研磨剤等がレジンバリ5に噴射した時、この稜線に
沿って3個に分割して塊状にリードフレーム2側面から
剥離することを狙っている。
ここで、第5図に示すようにレジンバリ5がモールド本
体1の頚部Bから一様に付着し、リードフレームが厚い
場合は頭部の断面積も大きく、剥離したレジンバリ5が
この頚部で分離しないが、又は、分離した時モールド本
体1にチッピングが生じることがある。この問題点を解
決するには、頚部Bのレジンバリ5の断面積を小さくし
、この頚部Bでのレジン間の結合方を他の部分より小さ
くしておけば、剥離したレジンバリは、この頚部から分
離する筈であり、その実施例を第9図および第10図に
示す。
第9図の実施例は、モールド型下型7の突起部9を第1
0図に示すように丁字形にしておき、リードフレーム2
の側面に付着するレジンバリ5の厚さを頚部の一定範囲
だけ局部的に薄くしたものである。この一定範囲の長さ
は、リード切断時の型磨耗および半田揚げの品質に影響
のない最小範囲を選ぶ。
第11図の実施例は、モールド型下型7の突起部9を第
12図に示すように上向きに局部的な突起9aを更に設
けたもので、この突起によりレジンバリ5とモールド本
体lの頚部の断面積が小さくなる。第11図および第1
2図のようにモールド本体1とレジンバリ5のとの頂部
に於けるレジン付着量を連続的にせず、局部的に小さく
することにより、リードフレーム2がら剥離したレジン
バリ5はモールド本体1がら容易に分離しゃすくなる。
本発明の適用範囲としては、プラスチックパッケージタ
イプの半導体装置であれば、アキシャルパッケージ、デ
ュアルインラインパッケージ、フラットパッケージおよ
び、これに準するタイプ全てが対象となる。
又、半導体装置以外でも外形が上記に類似するものであ
れば適用可能である。
〔発明の効果〕
本発明によれば、レジンモールド品のリードフレーム側
に付着しているレジンバリが、機械的にms力を受けた
時に容易に剥離するので、従来行われて来た機械処理後
の手作業が不要となり、全体のパリ取り作業の約50%
の工数が低減出来る。
又、従来、機械処理後の手作業でも完全にレジンバリを
除去してしまうことは困難で一部レジンバリが残存し、
リード切断型の摩耗を促進させたり、半田揚工程で均一
な半田揚げが出来なかったが、本発明の波及効果として
、リード切断型の保守面および製品の品質面でも向上す
るという利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す半導体装置の製造過程
を示す図、第2図(a)、(b)は第1図(a)のA部
の拡大図で(b)は(a)の1−■切断線に沿う断面図
、第3図は、レジンバリ取りの状況を示す図、第4図は
レジンバリを良く除去できない状況を示す図、第5図は
レジンバリ取りの原理を示すもので(b)は(a)の■
−■切断線に沿う断面図、第6図は従来のトランスファ
モールドの型とモールド状況を示す図で、(b)。 (Q)は(a)のm−m、 rv−rv切断線に沿う断
面図、第7図は本発明の他の実施例を示す図で、(b)
、(c)は(ll)のv−v、vi−vi切断aに沿う
断面図、第8図は第7図の実施例に用いられるモールド
型を示す図で、(b)は(a)の■−■切断線に沿う断
面図、第9図は本発明の更に他の実施例を示す図で、(
b)、(c)は(a)の■−■、IX−IX切断線に沿
う断面図、第10図は第9図の実施例に用いられるモー
ルド型を示すもので、(b)は(a)のX−X切断線に
沿う断面図、第11図は本発明の更に他の実施例を示す
もので、(b)、(c)は(a)のxt −XI、 X
l+ −朋切断線に沿う断面図、第12図は第11図の
実施例に用いるモールド型を示す図で、(b)は(a)
の突起部の斜視図である。 1・・・レジンモールド品のモールド本体、2・・・リ
ードフレーム、3・・・半導体素子、4・・・配線、5
・・・モールド本体から流出したレジンバリ、6・・・
パリ取り装置の研磨剤等を噴射するノズル、7・・・ト
ランスファモールド型の下型、8・・・トランスファモ
ールド型のパイロットピン、9・・・トランスファモー
ルド型の突起部、10・・・トランスファモールド型の
上型。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、電子素子をリードフレームの所定の位置に載置した
    状態で複数のリードとなる部分がモールドレジンから突
    出するように上記リードフレームをモールド型を用いて
    レジンモールドし、その後、上記リードとなる部分に付
    着した微小突起レジンを流体の吹付けによつて除去する
    レジンモールド形電子部品の製造方法において、リード
    の厚さの0.5倍以上でリードの間隔以内の高さの微小
    突起レジンをレジンモールドの際に設けることを特徴と
    するレジンモールド形電子部品の製造方法。 2、上記特許請求の範囲第1項において、微小突起レジ
    ンに溝を形成することを特徴とするレジンモールド形電
    子部品の製造方法。 3、上記特許請求の範囲第1項において、流体は約12
    00kg/cm^2の圧力を持つ水であることを特徴と
    するレジンモールド形電子部品の製造方法。 4、上記特許請求の範囲第1項において、リードの材質
    は主成分が銅であることを特徴とするレジンモールド形
    電子部品の製造方法。
JP19764885A 1985-09-09 1985-09-09 レジンモ−ルド形電子部品の製造方法 Pending JPS6258643A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5898216A (en) * 1995-11-14 1999-04-27 Sgs-Thomson Microelectronics S.A. Micromodule with protection barriers and a method for manufacturing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5898216A (en) * 1995-11-14 1999-04-27 Sgs-Thomson Microelectronics S.A. Micromodule with protection barriers and a method for manufacturing the same
US6071758A (en) * 1995-11-14 2000-06-06 Sgs-Thomson Microelectronics S.A. Process for manufacturing a chip card micromodule with protection barriers

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