JPS6254952A - 半導体集積回路の設計方法 - Google Patents

半導体集積回路の設計方法

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JPS6254952A
JPS6254952A JP19624285A JP19624285A JPS6254952A JP S6254952 A JPS6254952 A JP S6254952A JP 19624285 A JP19624285 A JP 19624285A JP 19624285 A JP19624285 A JP 19624285A JP S6254952 A JPS6254952 A JP S6254952A
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JP
Japan
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polycrystalline silicon
silicon film
frequency
semiconductor integrated
integrated circuit
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Pending
Application number
JP19624285A
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English (en)
Inventor
Hiroyuki Shiraki
弘之 白木
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路の設計方法に関し、特に多結晶
珪素膜抵抗素子を有する半導体集積回路の設計方法に関
する。
〔従来の技術〕
従来、多結晶珪素膜抵抗素子の寸法設計は、多結晶珪素
膜の直流電気伝導度の値をそのまま用いて行なわれてい
た。
それは、多結晶珪素膜の電気伝導の機構の解明が十分に
行なわれず、電気伝導度の周波数依存性の予測が困難で
あると考えられていたからである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の半導体集積回路の設計方法は、多結晶珪
素膜の直流電気伝導度の値をそのまま用い、周波数依存
性を無視しているので、期待通りの動作特性が得られず
、設計の精度が悪いという欠点がある。
本発明の目的は、精度の良い半導体集積回路の設計方法
を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、多結晶珪素膜抵抗素子を有する半導体集積回
路の設計方法において、前記多結晶珪素膜の伝導機構に
応じた電気伝導度の周波数依存性をもとに前記多結晶珪
素膜抵抗素子の寸法を定めるものである。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図は多結晶珪素膜の電気伝導度の周波数依存性を示
す特性図である。
不純物原子として硼素を4X10”個/33 含み、厚
さ2500A、層抵抗10にΩtの多結晶珪素膜の電気
伝導度の周波数依存性の実測値を10ツトしである。ω
は交流周波数、σ■)は交流電気伝導度、σ(0)は直
流電気伝導度である。
例えば、600 MHzで動作させる場合、交流電気伝
導度は直流電気伝導度の約2倍となるので、短冊状の抵
抗素子ならば直流電気伝導度の値を用いて設計した寸法
の長さを2倍にするか幅t−1/2にすれば期待通りの
特性が得られることになる。
第1図のような周波数依存性は、珪素結晶の長距離秩序
の乱れに起因する局在状態間を電子又は正孔がホッピン
グ伝導するという機構に工って説明できる。そのような
場合の周波数依存性は、周波数ωがl Q Q MHz
 @度以上テハ、σ(ω)/σ(0)二ω8 S = 1−4/ln (νph/GJ )と近似され
る。ここに、νphはフォノン周波数である。
一定の条件で多結晶珪素膜を形成し、第1図のような曲
線を実測により求めておけば、形成条件を制御すること
により、設計値にほぼ等しい抵抗値の抵抗素子を得るこ
とができる。
なお、以上の説明は、ホッピング伝導が支配的な場合に
ついて行なったが、膜厚が800A以下になるとサイズ
効果が無視できなくなるけれども、その場合には別の種
類の曲線を用いて設計すればよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、多結晶珪素膜の伝導機構
に応じた周波数依存性をもとに多結晶珪素膜抵抗素子の
寸法を定めることにより、設計値と動作値とのずれを少
なくすることができるので半導体集積回路の設計精度を
向上できる効果がある0
【図面の簡単な説明】
第1図は多結晶珪素膜の電気伝導度の周波数依存性を示
す特性図である。 σ(0)・・・・・・直流電気伝導度、σ−)・・・・
・・交流電気伝導度、ω・・・・・・交流周波数。 代理人 弁理士  内 原   晋 第 ! @

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  多結晶珪素膜抵抗素子を有する半導体集積回路の設計
    方法において、前記多結晶珪素膜の伝導機構に応じた電
    気伝導度の周波数依存性をもとに前記多結晶珪素膜抵抗
    素子の寸法を定めることを特徴とする半導体集積回路の
    設計方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5820879A (ja) * 1981-07-31 1983-02-07 松下電工株式会社 自動扉
JPH01207579A (ja) * 1988-02-12 1989-08-21 Yoshida Kogyo Kk <Ykk> 自動ドアのロック装置

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