JPS6254438A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS6254438A JPS6254438A JP11560286A JP11560286A JPS6254438A JP S6254438 A JPS6254438 A JP S6254438A JP 11560286 A JP11560286 A JP 11560286A JP 11560286 A JP11560286 A JP 11560286A JP S6254438 A JPS6254438 A JP S6254438A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- rinsing
- liquid
- nozzle
- rinsing liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体の製造装置に関するものであジ%特に
、ウェハー上への液体滴下g&置に関するものである。
、ウェハー上への液体滴下g&置に関するものである。
半導体装置の製造工程の中で、ウェハー上へ液体を滴下
中、或は、回転振り切り後に、ウェハー1に面にリンス
液を吹きつけて、裏面の滴下液のしみや回り込んだ滴下
液を洗い流している。
中、或は、回転振り切り後に、ウェハー1に面にリンス
液を吹きつけて、裏面の滴下液のしみや回り込んだ滴下
液を洗い流している。
従来技術においては、第4図(5)、第4図に)に不す
様に、ウェハー1の中心部14から外側5に向って、ウ
ェハー1の裏lにノズル4にてリンス液を吹きつけてい
る。10は現像液滴下用ノズル、12はリンス液滴下用
ノズル、7はスピンチャ。
様に、ウェハー1の中心部14から外側5に向って、ウ
ェハー1の裏lにノズル4にてリンス液を吹きつけてい
る。10は現像液滴下用ノズル、12はリンス液滴下用
ノズル、7はスピンチャ。
り、8は現像器用上ぶた、9は現像器用下ぶた、13は
排気ホース、6はウェハーの回転方向を示す。15はオ
リエンテーションフ2.トを示す。
排気ホース、6はウェハーの回転方向を示す。15はオ
リエンテーションフ2.トを示す。
上述した従来の液体滴下装置においては、ウェハー裏面
ノズル4によってリンス液が吹きつけられてからウェハ
ー外周に出るまでの距離が、軌跡5に示すように、ウェ
ハーの半径未満と短い。このため、リンス液の上に向う
力が十分減らぬうちにウェハー外周へとリンス液が達す
る。このときにリンス液はウェハー外縁から上部へ回り
込む。
ノズル4によってリンス液が吹きつけられてからウェハ
ー外周に出るまでの距離が、軌跡5に示すように、ウェ
ハーの半径未満と短い。このため、リンス液の上に向う
力が十分減らぬうちにウェハー外周へとリンス液が達す
る。このときにリンス液はウェハー外縁から上部へ回り
込む。
ウェハーを回転させながら裏面のリンスを行っている際
には、リンス准がオリエンテーション・7ラット15に
達する時に、リンス吹きつけ位置からウェハー外周まで
の距離が急に短くなるために、リンス液はオリエンテー
ション−フラット部15でさらに強く上方へと飛ぶ。こ
の瞬間、リンス液はウェハー外縁から上部へ回り込むた
めに、ウェハー上面へ液のじみが付着する、という欠点
を有する。
には、リンス准がオリエンテーション・7ラット15に
達する時に、リンス吹きつけ位置からウェハー外周まで
の距離が急に短くなるために、リンス液はオリエンテー
ション−フラット部15でさらに強く上方へと飛ぶ。こ
の瞬間、リンス液はウェハー外縁から上部へ回り込むた
めに、ウェハー上面へ液のじみが付着する、という欠点
を有する。
本発明は、上記欠点を解消して、ウェハー上面をリンス
液で汚さない液体滴下装置を提供するものである。
液で汚さない液体滴下装置を提供するものである。
上述した従来のウェハー上への液体滴下装置がウェハー
の中心部から外側に向って吹きつける様な裏面リンス用
ノズをを有しているのに対し、本発明は、ウェハー上へ
の液体滴下装置がウエノ・−の回転方向に吹きつける様
な8面リンス用ノズルを有しているという独M1」的内
容を有する。
の中心部から外側に向って吹きつける様な裏面リンス用
ノズをを有しているのに対し、本発明は、ウェハー上へ
の液体滴下装置がウエノ・−の回転方向に吹きつける様
な8面リンス用ノズルを有しているという独M1」的内
容を有する。
本発明のウェハー上への数体滴下装置は、リンス液ヲウ
ェハー回転方向に噴出出来る裏面リンス用ノズルを有す
る。
ェハー回転方向に噴出出来る裏面リンス用ノズルを有す
る。
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第1図(5)は、本発明の第1の実施例の上面図、第1
図(ロ)は縦断面図である。本装置は、ノズルの先端が
ウェハーの回転方向6を向いている製図リンス用ノズル
2から構成される。現像が終了してウェハー1の裏面の
裏面リンスを行なわせる場合、リンス吹きつけ位置から
ウェハーの端筐での距離が長いために、同図のリンス液
の軌跡5に示すように、リンスの上向きの力が十分弱ま
り、ウェハーの端では、はとんど上方にリンス液は飛ば
ない。
図(ロ)は縦断面図である。本装置は、ノズルの先端が
ウェハーの回転方向6を向いている製図リンス用ノズル
2から構成される。現像が終了してウェハー1の裏面の
裏面リンスを行なわせる場合、リンス吹きつけ位置から
ウェハーの端筐での距離が長いために、同図のリンス液
の軌跡5に示すように、リンスの上向きの力が十分弱ま
り、ウェハーの端では、はとんど上方にリンス液は飛ば
ない。
このため、リンス液がオリエンテーション・フラ、ト1
5に達してもリンス液は強く上方へ飛ばない。これによ
り、ウェハー上面にリンス液は付着しない。尚、第1図
(5)、β)で第4図(5)、(B)とにおいて同じ機
能のところは同じ符号で示している。
5に達してもリンス液は強く上方へ飛ばない。これによ
り、ウェハー上面にリンス液は付着しない。尚、第1図
(5)、β)で第4図(5)、(B)とにおいて同じ機
能のところは同じ符号で示している。
第2図(5)は、本発明の第2の実施例の上面図、第2
図(B)は縦断−図である。本装置は、ノズルの先端が
ウェハー回転方向を向いている複数個の裏面リンス用ノ
ズル2から構成される装置第1図(5)、第1図(H)
の装置において&面すンス用ノズルを複数個有する形状
であるため、ウェハー裏面の複数の箇所を同時に裏面リ
ンスすることができる。つ1リ、ウェハー上面にリンス
液が付着しないだけではなく、裏面リンス時間の短縮も
可能となる。尚、第2図囚,(B)で第1図(5)、
(Bl 、第4図(5)、(B)と同じ機能のところは
同一の符号で示している。
図(B)は縦断−図である。本装置は、ノズルの先端が
ウェハー回転方向を向いている複数個の裏面リンス用ノ
ズル2から構成される装置第1図(5)、第1図(H)
の装置において&面すンス用ノズルを複数個有する形状
であるため、ウェハー裏面の複数の箇所を同時に裏面リ
ンスすることができる。つ1リ、ウェハー上面にリンス
液が付着しないだけではなく、裏面リンス時間の短縮も
可能となる。尚、第2図囚,(B)で第1図(5)、
(Bl 、第4図(5)、(B)と同じ機能のところは
同一の符号で示している。
第3図(5)は、本発明の第3の実施例の上面図、第3
図(B)は縦断面図でおる。本装置は、ノズルの先端が
ウェハーの回転方向を向き、レジスト溶出可能なリンス
液を噴出出来る裏面リンス用ノズル3から構成される。
図(B)は縦断面図でおる。本装置は、ノズルの先端が
ウェハーの回転方向を向き、レジスト溶出可能なリンス
液を噴出出来る裏面リンス用ノズル3から構成される。
レジストの塗布が終了してウェハー裏面の裏面リンスを
行なわせる場合、リンス吹きつけ位置からウェハ一端ま
での距離か長いために、リンスの上向きの力が十分弱−
まり、ウェハーの端では、ほとんど上方にリンス液は飛
ばない。このため、リンス液がオリエンテーション●フ
ラットに達してもリンス液は強く上方へ飛ばない。これ
により、ウェハー上面にリンス液は付着しない。尚、第
3回内.(均で第1図(5)、■)、第2図(5)#
(B) #第4図(5)、(B)と同じ機能のところは
同一の符号で示している。
行なわせる場合、リンス吹きつけ位置からウェハ一端ま
での距離か長いために、リンスの上向きの力が十分弱−
まり、ウェハーの端では、ほとんど上方にリンス液は飛
ばない。このため、リンス液がオリエンテーション●フ
ラットに達してもリンス液は強く上方へ飛ばない。これ
により、ウェハー上面にリンス液は付着しない。尚、第
3回内.(均で第1図(5)、■)、第2図(5)#
(B) #第4図(5)、(B)と同じ機能のところは
同一の符号で示している。
第4図(5)は従来技術の塗布装t&t ’x示す上面
図、第4図(l3)はその縦断面図である。現像が終了
し、裏面リンスを行う際、リンス液はリンス液の軌跡5
の様にウェハー外周へ向かって流れる。このとき、リン
ス吹きつけ位置からウェハ一端゜までの距離が短いため
に、リンス液は、上に向かう力が十分減らないうちにウ
ェハー外周へと連子る。このときに、リンス液はウェハ
ー外周を界目として上方へと飛ぶ。ウェハーを回転させ
なから裏面リンスを行う際には、リンス液がオリエンテ
ーション・フラットに達する時、リンス吹きつけ位置か
らウェハー外周までの距離が急激に短くなるために、リ
ンス液はオリエンチージョン・フラットでさらに強く上
方へと飛ぶ。この瞬間、リンス液にはウェハー中心へと
向う力が働くために、ウェハーの上面に故のじみが付着
しゃする。
図、第4図(l3)はその縦断面図である。現像が終了
し、裏面リンスを行う際、リンス液はリンス液の軌跡5
の様にウェハー外周へ向かって流れる。このとき、リン
ス吹きつけ位置からウェハ一端゜までの距離が短いため
に、リンス液は、上に向かう力が十分減らないうちにウ
ェハー外周へと連子る。このときに、リンス液はウェハ
ー外周を界目として上方へと飛ぶ。ウェハーを回転させ
なから裏面リンスを行う際には、リンス液がオリエンテ
ーション・フラットに達する時、リンス吹きつけ位置か
らウェハー外周までの距離が急激に短くなるために、リ
ンス液はオリエンチージョン・フラットでさらに強く上
方へと飛ぶ。この瞬間、リンス液にはウェハー中心へと
向う力が働くために、ウェハーの上面に故のじみが付着
しゃする。
第5図(5)ハ、中心14.オリニーテンションフラッ
ト15を有する半導体ウェハー1に対して、ノズルの角
度θと裏面リンス液とび発生率の関係を説明する際のノ
ズルの角度を定義するための図、第5図(13)は、ノ
ズルの角度と表面リンス液とび発生率の関係を説明する
だめの図である。ノズルの角度が小さい時には裏面リン
ス液とび発生率は大きな値を示すが、ノズルの角度が大
きくなるに従って裏面リンス液とび発生率は次第に減少
していく。
ト15を有する半導体ウェハー1に対して、ノズルの角
度θと裏面リンス液とび発生率の関係を説明する際のノ
ズルの角度を定義するための図、第5図(13)は、ノ
ズルの角度と表面リンス液とび発生率の関係を説明する
だめの図である。ノズルの角度が小さい時には裏面リン
ス液とび発生率は大きな値を示すが、ノズルの角度が大
きくなるに従って裏面リンス液とび発生率は次第に減少
していく。
以上説明したように本発明は、裏面リンス用ノズルの先
端がウェハー回転方向に向いた構造を用いることにより
、ウェハ一端面で噴き上がるリンス液がウェハー上面に
付着することを防ぐことができる効果がある。
端がウェハー回転方向に向いた構造を用いることにより
、ウェハ一端面で噴き上がるリンス液がウェハー上面に
付着することを防ぐことができる効果がある。
第1因(5)、 (B) 、第2図(5)、(B)およ
び第3図(5)。 (B)はそれぞれ本発明の第1の実施例、第2の実施例
および第3の実施例においてウェハー上への液体滴下装
置による液体滴下及び振り切り方法を説明するだめの上
面図及び縦断面図である。第4図(A) 、 (B)は
、従来技術においてウェハー上への液体滴下装置による
液体滴下及び振り切り方法全説明するための上面図及び
縦断面図である。第5図(5)。 (13)は、ノズルの角度と裏面リンス液はね発生率の
関係を説明する図である。 尚、図において、 l・・・・・・ウェハー、2・・・・・・先端がウェハ
ー回転方向を向いた現像装置用&面すンス用ノズル、3
・・・・・・先端がウェハー回転方向を向いた塗布装置
用複面リンス用ノズル、4・・・・・・ノズルが外側を
向いた現像装置用裏面リンス用ノズル、5・・・・・・
リンス液の軌跡、6・・・・・・回転、7・・・・・・
スピンチャック、8・・・・・・装置上ぶた、9・・・
・・・鋏置下ぶた、10・・・・・・現律液滴下用ノズ
ル、11・・・・・・レジスト滴下用ノズル、12・・
・・・・リンスQM下用ノズル、13・・・・・・排気
用ホース、14・・・・・・ウェハー中心、15・・・
・−オリエンテーション・フラットである。 代理人 弁理士 内 原 音 f;ITM(A) 茅 I TMCB) 14:ウェハーす、L: 第 2 図(A) ts−−4−1プシフー>ヨ
叡うゾトII) 茅2 図(B) 乎3図(f3) 茅4 TM(A) 募4図C/3)
び第3図(5)。 (B)はそれぞれ本発明の第1の実施例、第2の実施例
および第3の実施例においてウェハー上への液体滴下装
置による液体滴下及び振り切り方法を説明するだめの上
面図及び縦断面図である。第4図(A) 、 (B)は
、従来技術においてウェハー上への液体滴下装置による
液体滴下及び振り切り方法全説明するための上面図及び
縦断面図である。第5図(5)。 (13)は、ノズルの角度と裏面リンス液はね発生率の
関係を説明する図である。 尚、図において、 l・・・・・・ウェハー、2・・・・・・先端がウェハ
ー回転方向を向いた現像装置用&面すンス用ノズル、3
・・・・・・先端がウェハー回転方向を向いた塗布装置
用複面リンス用ノズル、4・・・・・・ノズルが外側を
向いた現像装置用裏面リンス用ノズル、5・・・・・・
リンス液の軌跡、6・・・・・・回転、7・・・・・・
スピンチャック、8・・・・・・装置上ぶた、9・・・
・・・鋏置下ぶた、10・・・・・・現律液滴下用ノズ
ル、11・・・・・・レジスト滴下用ノズル、12・・
・・・・リンスQM下用ノズル、13・・・・・・排気
用ホース、14・・・・・・ウェハー中心、15・・・
・−オリエンテーション・フラットである。 代理人 弁理士 内 原 音 f;ITM(A) 茅 I TMCB) 14:ウェハーす、L: 第 2 図(A) ts−−4−1プシフー>ヨ
叡うゾトII) 茅2 図(B) 乎3図(f3) 茅4 TM(A) 募4図C/3)
Claims (1)
- 半導体装置の製造におけるフォトリソグラフィー工程に
使用される、ウェハー上への液体滴下装置において、リ
ンス液をウェハー回転方向に噴出出来る裏面リンス用ノ
ズルを有することを特徴とする半導体製造装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11492785 | 1985-05-28 | ||
JP60-114927 | 1985-05-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6254438A true JPS6254438A (ja) | 1987-03-10 |
JPH051972B2 JPH051972B2 (ja) | 1993-01-11 |
Family
ID=14650103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11560286A Granted JPS6254438A (ja) | 1985-05-28 | 1986-05-19 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6254438A (ja) |
-
1986
- 1986-05-19 JP JP11560286A patent/JPS6254438A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH051972B2 (ja) | 1993-01-11 |
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