JPS6253502A - 超高周波フイルタの構造 - Google Patents
超高周波フイルタの構造Info
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- JPS6253502A JPS6253502A JP19315985A JP19315985A JPS6253502A JP S6253502 A JPS6253502 A JP S6253502A JP 19315985 A JP19315985 A JP 19315985A JP 19315985 A JP19315985 A JP 19315985A JP S6253502 A JPS6253502 A JP S6253502A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はストリップラインによって形成される超高周波
フィルタの構造に関する。
フィルタの構造に関する。
第４図に示すようにマイクロ波のろ波に使用されるバイ
パスフィルタをストリップラインで形成する場合、並列
容量素子Ｃはストリップラインパターンのパターン幅を
広くすることによって得られ、並列インダクタンス素子
りはストリップラインパターンのパターン幅を狭くする
ことによって得られる。又、直列容量素子Ｃ５は誘電体
基板を挾んでストリップラインを重ね合わせることによ
って形成される。第５図は第４図に示したバイパスフィ
ルタを構成する直列容量素子の概略図である。
パスフィルタをストリップラインで形成する場合、並列
容量素子Ｃはストリップラインパターンのパターン幅を
広くすることによって得られ、並列インダクタンス素子
りはストリップラインパターンのパターン幅を狭くする
ことによって得られる。又、直列容量素子Ｃ５は誘電体
基板を挾んでストリップラインを重ね合わせることによ
って形成される。第５図は第４図に示したバイパスフィ
ルタを構成する直列容量素子の概略図である。
第５図において、１は誘電体基板、２はストリップライ
ンパターン、３及び４は電気的に接地された上部内壁及
び下部内壁ある。なお、誘電体基板１の上面のストリッ
プラインパターン２と誘電体基板１の下面のストリップ
ラインパターン２との重畳部分が直列容量素子Ｃ３とし
て作用することになる。
ンパターン、３及び４は電気的に接地された上部内壁及
び下部内壁ある。なお、誘電体基板１の上面のストリッ
プラインパターン２と誘電体基板１の下面のストリップ
ラインパターン２との重畳部分が直列容量素子Ｃ３とし
て作用することになる。
ところで、マイクロ波が図面に平行な方向に伝搬してい
くときは、誘電体基板１内に誘電体基板１の上面のスト
リップラインパターン２から下面のストリップラインパ
ターン２に向かう奇姿態電界Ｅｌ、ｆｉ誘電体基板の下
面のストリップラインパターン２から下部内壁４に向か
う偶姿態電界Ｅ２及び誘電体基板１の上面のストリップ
ラインパターン２から上部内壁３に向かう偶姿態電界Ｅ
２が存在することば周知の通りである。この電界Ｅ２は
適当な直列容量素子Ｃ３を実現するのに不要なものであ
り、除去できないので、超高周波フィルタの特性を劣化
させ、特に周波数通過帯域においてリップルを生じさせ
る原因になるという問題があった。
くときは、誘電体基板１内に誘電体基板１の上面のスト
リップラインパターン２から下面のストリップラインパ
ターン２に向かう奇姿態電界Ｅｌ、ｆｉ誘電体基板の下
面のストリップラインパターン２から下部内壁４に向か
う偶姿態電界Ｅ２及び誘電体基板１の上面のストリップ
ラインパターン２から上部内壁３に向かう偶姿態電界Ｅ
２が存在することば周知の通りである。この電界Ｅ２は
適当な直列容量素子Ｃ３を実現するのに不要なものであ
り、除去できないので、超高周波フィルタの特性を劣化
させ、特に周波数通過帯域においてリップルを生じさせ
る原因になるという問題があった。
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、
不要な電界をできるだけ除去でき、周波数通過帯域にお
いてリップルを低減できる超高周波フィルタの構造を提
供することを目的とする。
不要な電界をできるだけ除去でき、周波数通過帯域にお
いてリップルを低減できる超高周波フィルタの構造を提
供することを目的とする。
そこで本発明では、ストリップラインによる直列容量素
子を含む超高周波フィルタ素子が形成された誘電体基板
と、誘電体基板の上方に誘電体基板と所定の間隔を隔て
て配置され、誘電体基板に形成された直列容量素子に対
応する位置に、その直列容量素子との間に存在する電界
を十分に弱め得る深さの凹部が設けられた上部内壁と、
誘電体基板の下方に誘電体基板と所定の間隔を隔てて配
置され、誘電体基板に形成された直列容量素子に対応す
る位置に、その直列容量素子との間に存在する電界を十
分に弱め得る深さの凹部が設けられた下部内壁とから超
高周波フィルタの構造を構成する。
子を含む超高周波フィルタ素子が形成された誘電体基板
と、誘電体基板の上方に誘電体基板と所定の間隔を隔て
て配置され、誘電体基板に形成された直列容量素子に対
応する位置に、その直列容量素子との間に存在する電界
を十分に弱め得る深さの凹部が設けられた上部内壁と、
誘電体基板の下方に誘電体基板と所定の間隔を隔てて配
置され、誘電体基板に形成された直列容量素子に対応す
る位置に、その直列容量素子との間に存在する電界を十
分に弱め得る深さの凹部が設けられた下部内壁とから超
高周波フィルタの構造を構成する。
又、本発明では上部内壁の凹部及び下部内壁の凹部にそ
れぞれ上部電波吸収体及び下部電波吸収体を設ける。
れぞれ上部電波吸収体及び下部電波吸収体を設ける。
上記構成の超高周波フィルタの構造は、マイクロ波が伝
搬していくときに誘電体基板を挾んで設けられたストリ
ップラインパターン間に電界が存在するとともに、スト
リップラインパターンと上部内壁との間又はス）・リッ
プラインパターンと下部内壁との間に電界が存在する。
搬していくときに誘電体基板を挾んで設けられたストリ
ップラインパターン間に電界が存在するとともに、スト
リップラインパターンと上部内壁との間又はス）・リッ
プラインパターンと下部内壁との間に電界が存在する。
このストリップラインパターンと上部内壁との間又はス
トリップラインパターンと下部内壁との間に存在する電
界は、ストリップラインパターンと上部内壁との距離及
びストリップラインパターンと下部内壁との距離が、そ
れぞれ誘電体基板を構成するス）・リップラインパター
ンと上部内壁又はストリップラインパターンと下部内壁
の間に存在する電界を十分に弱め得るほど離れているの
で、この部分に存在するマイクロ波エネルギーが小さく
なる。
トリップラインパターンと下部内壁との間に存在する電
界は、ストリップラインパターンと上部内壁との距離及
びストリップラインパターンと下部内壁との距離が、そ
れぞれ誘電体基板を構成するス）・リップラインパター
ンと上部内壁又はストリップラインパターンと下部内壁
の間に存在する電界を十分に弱め得るほど離れているの
で、この部分に存在するマイクロ波エネルギーが小さく
なる。
又、上部内壁の凹部及び下部内壁の凹部に上部電波吸収
体及び下部電波吸収体を設けた場合は、ストリップライ
ンパターン上部内壁パターンの間及びストリップライン
パターン上部内壁パターンの間に存在する電界は、急激
に減衰することになる。
体及び下部電波吸収体を設けた場合は、ストリップライ
ンパターン上部内壁パターンの間及びストリップライン
パターン上部内壁パターンの間に存在する電界は、急激
に減衰することになる。
以下、本発明の一実施例を添付図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明に係る超高周波フィルタの構汝の主要部
分である直列容量素子の概略図である。
分である直列容量素子の概略図である。
第１図において、１はストリップラインパターン２によ
る直列容気素子ＣＳが形成された誘電体基板、３はＪ
ＷＥ体基板１の上方に誘電体基板１バターノ所定の間隔
を１宥でて配置され、誘電体基板１−に形成された直列
容量素子Ｃ３に対応する位置に所定の深さの凹部が設け
られた上部内壁、４ば誘電体基板１の下方に誘電体基板
１パターノ所定の間隔を隔てて配置され、誘電体基板１
に形成された直列容量素子Ｃ３に対応する位置に所定の
深さの凹部が設けられた下部内壁である。
る直列容気素子ＣＳが形成された誘電体基板、３はＪ
ＷＥ体基板１の上方に誘電体基板１バターノ所定の間隔
を１宥でて配置され、誘電体基板１−に形成された直列
容量素子Ｃ３に対応する位置に所定の深さの凹部が設け
られた上部内壁、４ば誘電体基板１の下方に誘電体基板
１パターノ所定の間隔を隔てて配置され、誘電体基板１
に形成された直列容量素子Ｃ３に対応する位置に所定の
深さの凹部が設けられた下部内壁である。
マイクロ波が図面に平行な方向に伝搬するとき、とき、
誘電体基板１を挾んで設りられたストリップラインパタ
ーン２間に存在する奇姿態電界Ｅ１は減衰しない。しか
し、ストリップラインパターン２と下部内壁４及び上部
内壁３との間に存在する隅姿態電界Ｅ２はストリップラ
インパターン２と■部内壁４との間の距離が離れており
、この間のインピーダンスが高いので、この部分に存在
するマイクロ波エネルギーが小さい。
誘電体基板１を挾んで設りられたストリップラインパタ
ーン２間に存在する奇姿態電界Ｅ１は減衰しない。しか
し、ストリップラインパターン２と下部内壁４及び上部
内壁３との間に存在する隅姿態電界Ｅ２はストリップラ
インパターン２と■部内壁４との間の距離が離れており
、この間のインピーダンスが高いので、この部分に存在
するマイクロ波エネルギーが小さい。
次に、第２図は本発明に係る超高周波フ−（）１． 、
’７の構造の他の実施例であって、主要部分である直列
容気素子の概略図である。なお、第２図において、第１
図と同様の機能を果す部分についてはｌｉ’ＦＪ−の符
号を付し、その説明は省略する。
’７の構造の他の実施例であって、主要部分である直列
容気素子の概略図である。なお、第２図において、第１
図と同様の機能を果す部分についてはｌｉ’ＦＪ−の符
号を付し、その説明は省略する。
本実施例では、上記実施例に示した上部内壁３の凹部及
び下部内壁４の凹部にそれぞれ上部電波吸収体５及び下
部電波吸収体６を設ける。、不要な電界Ｅ２１よ直列容
量素子ＣＳと上部内壁３及び下部内壁４との距離が離れ
ているので−Ｌ述の如くそのエネルギーが小さい。これ
に加えて、上部電波吸収体５及び下部電波吸収体６によ
−てエネルギーが吸収されるので、急倣に減衰すること
になる。
び下部内壁４の凹部にそれぞれ上部電波吸収体５及び下
部電波吸収体６を設ける。、不要な電界Ｅ２１よ直列容
量素子ＣＳと上部内壁３及び下部内壁４との距離が離れ
ているので−Ｌ述の如くそのエネルギーが小さい。これ
に加えて、上部電波吸収体５及び下部電波吸収体６によ
−てエネルギーが吸収されるので、急倣に減衰すること
になる。
なお、］一部主電波吸収体及び下部電波吸収体６（才、
例えばカーボン又はフェライトを接着剤で練り合オつせ
たもの等を用いる。
例えばカーボン又はフェライトを接着剤で練り合オつせ
たもの等を用いる。
又、フィルタの通過周波数帯域の中心周波数に１ｊ３
ｉ）ろ波長をλとし５、上部電波吸収体５及び下部電波
吸収体６の誘電率をεとすれば、上部電波吸収体５及び
下部電波吸収体Ｃ５の厚さはλ／、ｒＴ■ に孝°るどよい１．こねは電波吸収体の表面で反射する
成分と電波吸収体の底面て反別する成分との位相差が１
８０°となって相殺されるからである。
ｉ）ろ波長をλとし５、上部電波吸収体５及び下部電波
吸収体６の誘電率をεとすれば、上部電波吸収体５及び
下部電波吸収体Ｃ５の厚さはλ／、ｒＴ■ に孝°るどよい１．こねは電波吸収体の表面で反射する
成分と電波吸収体の底面て反別する成分との位相差が１
８０°となって相殺されるからである。
次に、本発明に係る超高周波フィ／Ｌりの構造の周波数
特性について、第３図に示しｔコ周波数特性ｒ’＜）を
５照して説明する。従来の超高周波フィルタの構１５１
．．１：特性曲線Ａに示すようにり・ソゴルの大き；゛
・が約２ｄ１（である。これに対して、−［部内壁３及
ζＦ下部内９４に凹部を設けた第１の実施例（第１図参
照）の場合、特性曲線Ｂに示ずよろにリツーノ。
特性について、第３図に示しｔコ周波数特性ｒ’＜）を
５照して説明する。従来の超高周波フィルタの構１５１
．．１：特性曲線Ａに示すようにり・ソゴルの大き；゛
・が約２ｄ１（である。これに対して、−［部内壁３及
ζＦ下部内９４に凹部を設けた第１の実施例（第１図参
照）の場合、特性曲線Ｂに示ずよろにリツーノ。
ルの大きさが約１ｄＢに減少することになる。さらに、
上部内壁３及び下部内壁４に凹部を設けるとともに、電
波吸収体５及び電波吸収体６を設けた第２の実施例（第
２図参照）の場合、特性曲線Ｃに示すようにリップルの
大きさが約０．３ｄＢに減少することになる。
上部内壁３及び下部内壁４に凹部を設けるとともに、電
波吸収体５及び電波吸収体６を設けた第２の実施例（第
２図参照）の場合、特性曲線Ｃに示すようにリップルの
大きさが約０．３ｄＢに減少することになる。
以上説明したように本発明によれば、直列容気素子を含
む超＾）周波フィルタが形成された誘電体基板の上方及
び下方に、それぞれ誘電体基板と所定の間隔を隔てて、
それぞれ直列容気素子の形成位置に対応する位置に凹部
を設けた上部内壁及び下部内壁を配置することにより、
ストリップラインと上部内壁との距離及びス）・リップ
ラインと下部内壁との距府が離れ、ストリップラインと
上部内壁との間に存在する不要な電界又はスＩ・リップ
ラインと下部内壁との間に存在する不要な電界を・十分
に弱めることができ、この不要な電界により生しろり・
ソプルを減少させることができろ。
む超＾）周波フィルタが形成された誘電体基板の上方及
び下方に、それぞれ誘電体基板と所定の間隔を隔てて、
それぞれ直列容気素子の形成位置に対応する位置に凹部
を設けた上部内壁及び下部内壁を配置することにより、
ストリップラインと上部内壁との距離及びス）・リップ
ラインと下部内壁との距府が離れ、ストリップラインと
上部内壁との間に存在する不要な電界又はスＩ・リップ
ラインと下部内壁との間に存在する不要な電界を・十分
に弱めることができ、この不要な電界により生しろり・
ソプルを減少させることができろ。
又、上部内壁の凹部及び下部内壁の凹部に電波吸収体を
設け、不要な電界を吸収することにより、不要な電界に
より生じるリップルをより一層減少させることができる
。
設け、不要な電界を吸収することにより、不要な電界に
より生じるリップルをより一層減少させることができる
。
第１図は本発明に係る超高周波フィルタの構造の主要部
分である直列容量素子の概略図、第２図は本発明に係る
超高周波フィルタの構造の他の実施例であって、主要部
分である直列容量素子の概略図、第３図は本発明に係る
超高周波フィルタの構造の周波数特性図、第４図はバイ
パスフィルタの回路図、第５図は従来の超高周波フィル
タの構造を構成する直列容量素子の概略図である。 １ 誘電体基板、２ ストリップラインパターノ、３
上部内壁、４ 下部内壁、５ 上部電波吸収体、６ 下
部電波吸収体、Ｃ３・直列容量素子。
分である直列容量素子の概略図、第２図は本発明に係る
超高周波フィルタの構造の他の実施例であって、主要部
分である直列容量素子の概略図、第３図は本発明に係る
超高周波フィルタの構造の周波数特性図、第４図はバイ
パスフィルタの回路図、第５図は従来の超高周波フィル
タの構造を構成する直列容量素子の概略図である。 １ 誘電体基板、２ ストリップラインパターノ、３
上部内壁、４ 下部内壁、５ 上部電波吸収体、６ 下
部電波吸収体、Ｃ３・直列容量素子。
Claims (4)
- （１）ストリップラインによる直列容量素子を含む超高
周波フィルタ素子が形成された誘電体基板と、前記誘電
体基板の上方に該誘電体基板と所定の間隔を隔てて配置
され、該誘電体基板に形成された前記直列容量素子に対
応する位置に、該直列容量素子との間に存在する電界を
十分に弱め得る深さの凹部が設けられた上部内壁と、前
記誘電体基板の下方に該誘電体基板と所定の間隔を隔て
て配置され、該誘電体基板に形成された前記直列容量素
子に対応する位置に、該直列容量素子との間に存在する
電界を十分に弱め得る深さの凹部が設けられた下部内壁
とを備えたことを特徴とする超高周波フィルタの構造。 - （２）誘電体基板は、該誘電体基板の上面両端部と前記
上部内壁との間にそれぞれ介在させた所定の厚さを有す
る上部スペーサ及び該誘電体基板の下面両端部と前記下
部内壁との間にそれぞれ介在させた所定の厚さを有する
下部スペーサを備えている特許請求の範囲第１項記載の
超高周波フィルタの構造。 - （３）ストリップラインによる直列容量素子を含む超高
周波フィルタ素子が形成された誘電体基板と、前記誘電
体基板の上方に該誘電体基板と所定の間隔を隔てて配置
され、該誘電体基板に形成された前記直列容量素子に対
応する位置に、該直列容量素子との間に存在する電界を
十分に弱め得る深さの凹部が設けられた上部内壁と、前
記誘電体基板の下方に該誘電体基板と所定の間隔を隔て
て配置され、該誘電体基板に形成された前記直列容量素
子に対応する位置に、該直列容量素子との間に存在する
電界を十分に弱め得る深さの凹部が設けられた下部内壁
と、前記上部内壁の凹部に設けられた上部電波吸収体と
、前記下部内壁の凹部に設けられた下部電波吸収体とを
備えたことを特徴とする超高周波フィルタの構造。 - （４）誘電体基板は、該誘電体基板の上面両端部と前記
上部内壁との間にそれぞれ介在させた所定の厚さを有す
る上部スペーサ及び該誘電体基板の下面両端部と前記下
部内壁との間にそれぞれ介在させた所定の厚さを有する
下部スペーサを備えている特許請求の範囲第３項記載の
超高周波フィルタの構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19315985A JPS6253502A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 超高周波フイルタの構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19315985A JPS6253502A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 超高周波フイルタの構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6253502A true JPS6253502A (ja) | 1987-03-09 |
| JPH0355042B2 JPH0355042B2 (ja) | 1991-08-22 |
Family
ID=16303263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19315985A Granted JPS6253502A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 超高周波フイルタの構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6253502A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6048882A (en) * | 1995-02-08 | 2000-04-11 | Nisshin Flour Milling Co., Ltd. | Prophylactic and therapeutic agent for hepatic diseases |
| KR20020009182A (ko) * | 2000-07-25 | 2002-02-01 | 이형도 | 필터의 차폐장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5471940U (ja) * | 1977-10-28 | 1979-05-22 |
-
1985
- 1985-09-03 JP JP19315985A patent/JPS6253502A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5471940U (ja) * | 1977-10-28 | 1979-05-22 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6048882A (en) * | 1995-02-08 | 2000-04-11 | Nisshin Flour Milling Co., Ltd. | Prophylactic and therapeutic agent for hepatic diseases |
| KR20020009182A (ko) * | 2000-07-25 | 2002-02-01 | 이형도 | 필터의 차폐장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0355042B2 (ja) | 1991-08-22 |
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