JPS6251293A - 回路の接続方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は新規なる回路の接続方法に関するものであって
、その目的とするところはプリント基板、フィルムコネ
クタ、配線板あるいはシートスイッチ用などの精密な導
電性回路を効果的に優れた方法で接続し、回路基板を生
産し、産業用、工業用、日用品等の素材として市場に提
供せんとするものである。

〈発明の構成の詳細〉 導電性回路基板は従来、印刷法、フォトレジストエツチ
ング法、マスキング蒸着法、レーザーエツチング法ある
いは化学的溶解法等により作成されているのであるが、
精度、生産性、経済性あるいは技術面等における種々の
困難性がその各々について常に発現し、特に複雑な図柄
とか微細な図柄とかに至ってはいずれの公知の製造法を
とってみても精密、美麗な品質の良い製品を定常的に製
造し難いという欠点を有しているのである。ここにおい
て本発明者らはこの欠点を一挙に解決するための新方法
について永年にわたり研究を続行してきたが今般遂に割
目すべき本発明を完成するに至ったものである。

すなわち本発明者は、基板面に形成されたヘテロ原子を
含む導電性高分子によりなる回路の金属鍍金した領域に
異方導電性を発現する粉粒体を含むインキ、塗料、糊料
、フィルム及びスポンジよりなる群から選ばれた少なく
とも一つの導電性材料を存在せしめた後、別基板の導電
性回路部分を重ねて加圧もしくは加熱して密着せしめる
ことを特徴とする回路の接続方法を発明したものである
。

ヘテロ原子を含む導電性高分子とはポリアニリン、核置
換ポリアニリン、ポリナフチルアミン、核置換ポリナフ
チルアミン、ポリアミノアンスラセン、核置換ポリアミ
ノアンスラセン、ポリチオフェン、核置換ポリチオフェ
ン、ポリピロール、置換ポリピロール、ポリピラゾール
、置換ポリピラゾール、ポリイミダゾール、置換ポリイ
ミダゾール、ポリトリアゾール、置換ポリトリアゾール
、ポリピリジン、核置換ポリピリジン、ポリジアジン、
置換ポリジアジン、ポリトリアジン、置換ポリトリアジ
ン、ポリオキサジン、置換ポリオキサジン、ポリベンゾ
チオフェン、置換ポリベンゾチオフェン、ポリベンゾピ
ロール、置換ポリベンゾピロール、ポリチアジアゾール
、置換ポリチアジアゾール、ポリヘンズイミダゾール、
置換ポリベンズイミダゾール、ポリオキサジアゾール、
ポリチアジアゾール、ポリアゾベンゼン、置換ポリアゾ
ベンゼン、ポリフタロシアニン、核置換ポリフタロシア
ニン、ポリカルバゾール、置換ポリカルバゾール、ポリ
キノリン、核置換ポリキノリン、ポリベンズオキサゾー
ル、置換ポリベンズオキサゾール、ポリテトラ（ナフチ
ロ）テトラアザポルフィリンおよびポリテトラ（フェナ
ンスロ）テトラアザポルフィリンよりなる群より選ばれ
た少なくとも一つの高分子化合物である。

これらの導電性高分子よりなる回路を形成せしめる基板
としては次のプラスチックスがもちいられる。

即ち、プラスチックス成形物とは、例えば、ポリ塩化ビ
ニル、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニル系共重合体、ポ
リフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエステル
、ポリアミド、ポリビニルカルバゾール、ポリエーテル
、ポリエーテルエステル、塩素化ポリオレフィン、ポリ
アミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポ
リアミノビスマレイミド、ポリスルホン、ポリスチレン
よりなる群より選ばれた少なくとも一つの高分子を基体
とする膜、フィルム、シートもしくは板である。

プラスチック成形物の面上に導電性高分子による回路図
柄を電解重合法によって形成する方法としては、例えば
、金属等の導電性物質で回路図柄が形成されたフィルム
、積層物または基体を用いて、該金属等の回路図柄面に
プラスチックス・フィルムまたは薄板を密着させ、該プ
ラスチック・フィルムまたは薄板に対向する電極を設置
して該・フィルムまたは薄板と該電極との間にヘテロ原
子を有する芳香族化合物、強電解質および活性水素原子
不含の極性有機溶剤よりなる電解液を充満させて、該金
属等の回路図柄と該電極との間に通電して電解し該フィ
ルムまたは薄板上に回路図柄を形成せしめるのである。

このようにして形成された導電性回路を有する基板に最
も簡単な方法としては、例えば無電解鍍金用混合物を接
触させ、要求に応じて該回路図柄の一部または全部を鍍
金することにより回路に金属鍍金した領域が形成せしめ
られる。

無電解鍍金用混合物とは例えば金、銀、銅、白金、パラ
ジウム、クロム、鉄、コバルト、ニッケルおよびバナジ
ウムよりなる群から選ばれた少なくとも一つの金属の化
合物および還元剤等よりなる各々別の溶液もしくは混合
溶液である。

そもそも無電解鍍金には溶解鍍金、浸透鍍金、金属溶射
、陰極スパツタリング、真空蒸着、化学鍍金および浸漬
鍍金という種類があるが、本発明において用いられるも
のは化学鍍金を主としたものであり、その目的を達成す
るために次のような無電解鍍金用混合物が用いられる。

例えばニッケル鍍金またはコバルト鍍金には酸性浴とア
ンモニア性浴とがあり、その組成により以下の如く各種
の名称が付されている。

■ヒドロキシアセテート・ニッケル酸性浴ＮｉＣｌ□・
６ＨｇＯ３０ｇ／ｌ。

Ｎ　ａ　ＨｇＰ　Ｏｚ・ＨｚＯｌ　Ｏｇ／　Ｉ、ＨＯＣ
ＨｚＣＯＯＨ３５ｇ／ｌ。

ＮａＯＨ中和量（ｐＨ４〜６）。

■チトレート・アセテート・ニッケル酸性浴ＮｉＣｌ、
・６Ｈｚ０　３０　ｇ／１１ＮａｆｌｚＰＯｚｌ量ｚＯ
ＩＯｇ／１１Ｎａ３Ｃｄ（ｓＯｙ・５．５Ｈｚ０　１５
ｇ／ＬＣＨ３ＣＯＯＮａ　　５　ｇ／Ｉ。

ＮａＯＨ中和量（ｐＨ４〜６）。

■ラクテート・プロピオネート・ニッケル酸性浴ｐＪ　
ｉ　Ｃｌ　ｚ・６　Ｈｇ０　　２６　ｇ／　ｌ　。

Ｎ　ａ　ＨｗＰ　Ｏｚ・ＨｚＯ２４ｇ　／　ｌ　１ＣＨ
３ＣＨＯＨＣＯＯＨ２７ｇ／Ｉ。

ＣｚＨｓＣＯＯＨ２，２ｇ／　’、 Ｐｂ”　　０．００２ｇ／Ｉ、 ＮａＯＨ中和量（ｐＴ（４〜６）。

■フルオライド・ニッケル酸性浴 Ｎ　ｉ　Ｓ　Ｏａ・６Ｈ，０３０ｇ／Ｉ、ＮａＨｚＰＯ
ｚ・ＨｚＯ３０ｇ／ｌ。

ＮＨ４Ｆ　　１５ｇ／ｌ、 ＮａＯＨ適量（ｐＨ６〜７）。

■チトレート・ニッケルアンモニア外温Ｎｉ　Ｃｌ　ｚ
・６Ｈ，Ｏａ　ｏ　ｇ／　１１ＮａＨｔＰＯｚ・ＨｚＯ
１０ｇ／Ｉ。

Ｎａ５Ｃ６Ｈｓ０７・５．５Ｈ２Ｏｌ００ｇ／Ｉ、ＮＨ
４Ｃｌ　　５０ｇ／ｉ ＮＨ，ＯＨ中和量（ｐＨ８〜１０）。

■ピロホスフェート・ニッケルアンモニア外温ＮａＮａ
ＳＯ４−６Ｈ２５ｇ／Ｉ、 Ｎａ　ＨｚＰＯｇ、ＨｇＯ２５ｇ／Ｉ。

Ｎａ４Ｐ２Ｏ７５０ｇ／　１１ Ｎ　Ｈ，ＯＨ中和量（ｐＨ１０〜１１）。

■チトレート・コバルトアンモニア性浴ＣｏＣ１ｇ−６
Ｈｚ０　３０ｇ／Ｉ− ＮａＨｇＰＯ，・ＨｚＯ２０ｇ／Ｉ。

Ｎ　ａ　３ＣｂＨ５０７−５，５Ｈｚｏ　　３５　ｇ　
／　ｌ　。

ＮＨ２Ｏ１５０ｇ／Ｌ ＮＨ，ＯＨ中和量（ｐＨ９〜１０）。

■ロソセル塩・コバルト・ニッケルアンモニア外温 ＮｉＣＩｇ・６Ｈｚ０　　３０ｇ／Ｉ、ＣｏＣＩ＝・６
Ｈ，０３０ｇ、／ｌ。

ＮａＨｚＰＯｇ・ＨｚＯ２０ｇ／　１１Ｎ）１．ＣＩ　
　　５０　ｇ／Ｌ ＣａＨａＫＮａＯｂ・４Ｈｚ０　　２００ｇ／Ｉ。

ＮＨ４ＯＨ中和量（ｐＨ８〜１０）。

上側に示した如く無電解鍍金用混合物というのは主成分
として金属化合物と還元剤を含み、補助成分としてｐＨ
調整剤、緩衝側、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤等を
含むものである。

無電解鍍金膜が酸性かアルカリ性かにかかわらず、還元
剤として広く用いられているものは次亜硫酸ナトリウム
、亜硫酸ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、亜リン酸
、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、ヒドラジン塩
、酒石酸、酒石酸塩、ブドウ糖、アミノボラン、グリセ
リン、Ｎ、Ｉｌ−ジエチルグリジンナトリウム、ホルマ
リン等である。補助成分のうち、ｐ　Ｈ調整剤としては
水酸化アルカリ、水酸化アンモニウム、無機酸、有機酸
がよく用いられており、緩衝剤としてはクエン酸アルカ
リ、酢酸アルカリ、ホウ酸アルカリ、炭酸アルカリ、リ
ン酸アルカリ等が一般に用いられている。

錯化剤というのは鍍金膜から金属化合物が沈澱するのを
防止するために加えられるもので、好都合な金属錯体イ
オンを形成する試薬としてはクエン酸アルカリ、酢酸ア
ルカリ、グリコール酸アルカリ、シアン化アルカリ、酒
石酸アルカリ、チオグリコール酸、チオ尿素、アンモニ
ア、ヒドラジン、トリエタノールアミン、エチレンジア
ミン、グリシン、０−アミノフェノール、ピリジン、エ
チレンジアミンテトラ酢酸等がある。

促進剤というのは鍍金を促進すると共に水素ガスの発生
を抑えて金属の析出効率をよくするもので、硫化物とか
フッ化物が微量添加される。安定剤と言うのは鍍金膜の
自然分解（老化と不必要な還元）を抑えるもので鉛の塩
化物、硫化物、硝酸塩が主として用いられる。改良剤と
いうのは鍍金皮膜の状態を良好ならしめるもので、例え
ば光沢を良くするためにｍｌの界面活性剤が用いられて
いる。

クエン酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、コハク酸ナトリ
ウム、リンゴ酸、グリシン等は上記の緩衝剤、促進剤、
錯化剤の能力を兼ね備えた補助剤であり非常によく使用
される。

このような無電解鍍金用混合物を接触させることは導電
性基板を鍍金膜へ浸漬するか、導電性基板に鍍金膜を塗
布するか散布するかあるいは印刷するか等の操作により
達成される。この場合鍍金膜と接触する部分は多くても
少なくてもよくその適用範囲は用途に応し決定されるべ
きである。

ヘテロ原子を含む導電性高分子による回路図柄が形成さ
れている導電性基板に以上の非電解鍍金用混合物を接触
させた場合にはプラスチックス成形物の表面が前処理に
よって活性化されていない限り鍍金化は回路図柄の部分
に通常集中して起こり、回路図柄以外の部分は洗浄等に
より鍍金が脱落してしまうのが常である。この効果はプ
ラスチックス成形物の表面が撥水性または撥液性である
場合に著しい。従ってプリント配線基板のスルーホール
上に鍍金するためにはこの部分に不必要な撥水性とか１
８液性が生じないようこの部分のみ活性化前処理を行っ
ておく必要がある。

無電解鍍金用混合物は金属の化合物と還元剤とを上記の
ごとく同時に接触させてもよいが、工業的には第一の工
程で金属の化合物溶液にまず接触させた後、水洗もしく
は水洗することなく第二の工程で還元剤溶液と接触させ
ることも有利である。

以上の方法を通じて加工された導電性回路基板は所定の
部分のみ鍍金されてはいるが、無電解鍍金よって得られ
た鍍金膜は一般に非常に薄いものであり、それは物理的
に、機械的に充分な強度を有しているとは言い難い場合
もある。このような場合には再度無電解鍍金されるか、
電解鍍金されて補強されてよいのは勿論である。そして
このような時には鍍金される金□属は初めの金属と同種
でも別種であっても何等差し支えない。

なお、鍍金された回路の接続に関係なき部分はプラスチ
ックス膜によって保護しておいてもよい。

異方導電性を発現する粉粒体とは金属（例えば銅、ニッ
ケル、銀等）、鍍金無機材料（例えばニッケルコーティ
ングシリカ等）、鍍金有機材料（例えば銅コーテイング
フェノール樹脂、ニッケルコーティングメラミン樹脂等
）、鍍金鉱物（例えばニッケルコーティングマイカ等）
、鍍金ガラス体（例えば銀コーテイングガラス等）、炭
素材料（例えばグラファイト等）、導電性高分子材料（
例えばポリアセチレン、ポリパラフェニレンと言う等）
、電荷移動錯体（例えばテトラシアノキノジタメタン化
合物、テトラチアフルバレン化合物等）、導電性金属酸
化物（例えば酸化スス、酸化インジウム等）及びこれら
の複合体よりなる材料群から選ばれた少なくとも一つの
粉粒体でこれを含むインキ、塗料、糊料、フィルムおよ
びスポンジは乾燥、加圧あるいは加熱等の操作によって
導電性粉粒体が特定の方向、つまりいわゆる異方向に偏
って整列する。例えばインキ塗膜面に垂直方向に導電性
を発現するものでは、インキ面に平行方向には電気抵抗
が非常に大きくなるものである。異方導電性の発現の原
因は粉粒体の粒子形状、そのフィラーとしての使用量、
塗膜とかフィルム中の配列という物理的な条件に主とし
て依存して起こり、イオン電導のごとく化学的な原因に
よって起こっているのではない。従って導電性材料の導
電性はフィラーの導電度、フィラーの使用量、バインダ
ー樹脂の誘電率ならびに使用量とか密着方法等によって
変化し、その１ｍ電量に応じて性質を任意に加減するこ
とができる。

本発明者は以上に述べてきた本発明に関して多数の実験
を行い本発明の新規性と優秀性を確認したのであるが、
更に本発明の技術的内容を明確にするために多数の実験
例より代表的な二三例を抽出して以下に実施例として示
すことにする。従って本発明は単に以下に示された実施
例のみに限定して解釈されるべきではなく本発明の趣旨
と精神とを逸脱せざる限り任意にその実施態様を変更し
て実施しうろことは当然である。

〈実施例〉 実施例１ 厚さｌ　ｓｎのポリプロピレンシートと厚さ０．　５ｍ
ｌのニッケル板とを交互に５０層ずつ積層し、この積層
物の上下を厚手の不飽和ポリエステル樹脂ガラスクロス
含浸板硬化物ではさみボルトおよびナンドを用いて正味
の積層部分の厚さが６８〜７２１４ｍになるように同圧
して固着物にする。そしてこの積層固着物を積層方向に
対して垂直（９００）または垂直に近い角度（８０°）
に切断する。

切断面はサンドペーパ一ついでパフ掛けして研磨し、ア
セトン洗浄して乾燥し完全に清潔にする。

この切断面に裔重合度の精製ポリ塩化ビニルを溶剤（テ
トラヒドロフ５冫９０ ン１０％）に溶かした７％溶液を清浄室内で塗布し、乾
燥空気を送って溶剤を除去し、厚さ０．３鶴のポリ塩化
ビニルのフィルムを形成させる。この積層物のニッケル
板を陽極とし、一方切断面積よりやや広い面積を有する
ニッケル板を陰極として陽極より約２ｃＩｎの間隙をあ
けて対向設置する。

これを電解液を満たしたデシケータ−中に沈め減圧脱気
したのちｉ山型する。電解液はテトラプロピルアンモニ
ウムバークロレート０．２モル、ピロール０．１モルを
プロピレンカーボネートーアセトニリル混液（１　：　
ＩＬＩ　７！に溶解した組成を有し温度は−１５〜−５
℃に保たれている。通電は２■、０．６ｍ＾／　ｃａｌ
で５〜ＩＯ時間行なう。この操作時間中においてポリ塩
化ビニルのフィルム切断面に接した側にニッケル陽極の
線状面と同じ図柄の回路が形成され、この回路が次第に
強化されてくるのが観察されるので、通電を終了したの
ち電極等を引き上げてアセトン中に浸漬して洗浄し乾燥
したのち、切断面からポリ塩化ビニルのフィルムを剥離
する。剥離したフィルムには切断面にあられれたニッケ
ル線状面と垂直切断したものは同じような太さの回路図
柄が形成されており、また垂直に近い角度で切断したも
のはやや太めの回路図柄が形成されている。いずれにせ
よここに得られたポリピロールよりなる回路図柄はσー
１５〜２０５７ｃｍであるが、このフィルムをＫ　Ｐ　
Ｆ　ｂを飽和したアセトニトリル溶液中に浸漬して（２
０％）延伸したのち、アセトンで洗浄して乾燥するとド
ーピングと延伸の効果によりσ−２５〜３０Ｓ　／　ｃ
ｍに変化することが認められた。

実施例２・ 実施例１で得られた回路図柄の形成された導電性基板面
に次に示すＡ液を塗布して３０分間保存した後余分のＡ
液を水洗除去し、次いでこの面に次に示すＢ液を含浸さ
せたポリビニルホルマールスポンジシートを重ねて２枚
のガラス板ではさんで１５〜２０℃で２０分間保った後
スポンジシートを除去して基板面を充分水洗し乾燥する
と最初の回路図柄の部分のみ美しい銀鍍金が完成された
加工導電性回路基板が得られた。

Ａ液：硝酸銀３．５ｇを水６０ｍ１に溶解し、これにア
ンモニア水を加えて沈澱を作り、更にこの沈澱が溶解す
るに足るアンモニア水を添加した後水酸化す）　ＩＪウ
ム水溶液（ＮａＯＨ２，５ｇ含有）６０ｍｌを混合した
もの。

Ｂ液ニブドウ！４５ｇ、酒石酸４ｇ、アルコール１００
ｍ１を水１０００　ｍ　ｌに溶解したもの。

実施例３ 実施例２で得られた加工導電性回路基板面の接続部分以
外の面に、実施例１に示したポリ塩化ビニル溶液を塗布
して乾燥空気を送って乾燥後、７０℃において加圧して
成形してやると銀鍍金された所定の導電性回路部分のみ
がサンドインチ状にはさまれた補強された加工導電性回
路基板になる。

このものを一定の形に切断し回路の導電性を測定したと
ころρ−１．６Ｘ１０−’Ωｃｍであった。

実施例４ ポリエチレンテレフタレートに金を真空蒸着したフィル
ムを何枚も重ね合わせたのち、硬質塩化ビニル樹脂板で
両端面をはさんでボルトおよびナンドを用いて締めつけ
て固着させる。この積層フィルムの垂直切断面に旋盤ハ
イドを用いて切削を行い、その面を曲面状にしてパフ掛
けを行って滑らかにした」二、メタノール洗浄して乾燥
する。ついでこノ曲面切断面に高重合度のポリアクリロ
ニトリルの２０％ジメチルホルムアミド溶液を塗布し清
浄室内で乾燥し厚さが０．５ｍｍのポリアクリロニトリ
ルのフィルムを形成させる。この半球状のフィルムから
３ｃｍ離して球状の黒鉛電極を対向させたのち電解液中
につけて金を陽極、黒鉛を陰極として２０　Ｖ、　　２
０ｍＡ／ｃＪの通電をＱ　’ｃで６時間行なう。電解液
はチオフェンＯ，１モルおよび過塩素酸リチウム１モル
をアセトニトリル−メチル−１，３−ジオキソラン混液
（２：１）Ｉｔ！に溶解した組成を有している。電解終
了後、電極等を電解槽より引き上げ、さらにメチル−１
，３−ジオキソラン中に浸漬して充分洗浄したのち、乾
燥することなく注意してポリアクリロニトリルのフィル
ムを曲面切断面より剥離し、曲面状のゴムスポンジ上に
載置して減圧乾燥する。ここに得られた曲面状のポリア
クリロニトリルの曲面切断面側つまり凸面上にポリエチ
レンテレフタレートに埋めこまれた金線と同型、同数の
回路図柄が導電性のポリチオフェン（ρ−５（１３７ｃ
ｍ）で細かく再現されている。この方法は球面回路基板
を得る例であるが、金蒸着したポリエチンテレフタレー
ト・フィルムを別の積層形式、例えば渦巻状、指紋状あ
るいは波状に変えた積層物を用いて切断面をつくってや
り上記と同様に操作すれば、その積層の形と切断面の形
に応する各種の回路図柄を有する基板が得られる。

実施例５ 実施例４で得られた回路図柄の形成された導電性基板を
次に示すＡ液とＢ液とのｌ：３混液に浸漬すると最初の
回路図柄の部分のみ銅鍍金されるのでこれを水洗乾燥す
ると美しい加工導電性回路基板が得られた。

Ａ液：水１１に硫酸銅１４ｇ及び塩化ニッケル４ｇを溶
解しこれに３７％ホルマリン５３ｍ１を添加したもの。

Ｂ液：酒石酸カリウムナトリウム４５．５ｇ、水酸化ナ
トリウム９．０ｇ、及び炭酸ナトリウム４．２ｇを水１
ｊ！に溶解したもの。

この場合鋼はニッケルに比べて標準単極電位が＋、０．
３３４Ｖであり、還元力の弱いホルマリンでも容易に銅
が析出し回路を形成するのである。

実施例６ 実施例５で得られた加工導電性回路基板面の接続部分以
外の部分に実施例４で示したポリアクリロニトリル溶液
を塗布し乾燥したものは曲面状の銅鍍金された導電性回
路がサンドインチ状にはさまれた補強された加工導電性
回路基板であり、このものは回路部分の導電性がρ−１
．５Ｘ１０−’ΩｃａＩで耐候性が非常に良かった。

実施例７ 実施例４においてチオフェンの半量をピロールに置き換
え、同じように操作するとポリチオフェンのかわりにポ
リ　（チオフェン・ピロール）の導電性回路（σ−２５
Ｓ／ｃｍ）が得られた。また実施例４のチオフェンを各
種の千ツマ−に置き換え電解反応を用いてそれぞれに相
当するポリマーにより図柄の描かれた回路基板を得るこ
とができる。

モノマーの種類と得られた回路図柄部分の導電性は次表
のとおりであった。

実施例８ 実施例１の表に示したβ、β”　−ジメチルピロールか
ら得られた図柄を有する導電性回路基板を次表の３種の
ニッケル鍍金浴■、■または■に１時間浸漬してニッケ
ル鍍金する。

■〜■のいずれのニッケル鍍金浴を用いても回路図柄が
美しくニッケル鍍金された加工導電性器路基板が得られ
た。

実施例９ 実施例７の表に示したアニリンから得られた図柄を有す
る導電性回路基板を次表の２種の二・ノケル鍍金浴■ま
たは■に１時間浸漬して二・ノケル鍍■、■のいずれの
ニッケル鍍金浴を用いても回路図柄が美しくニッケル鍍
金された加工導電性回路基板が得られた。

実施例１０ 厚さ１０鰭のポリエチレン板と厚さ０．１園−の白金板
とを交互に重層したのち、実施例１と同様に固着してブ
ロックにし、この積層物を垂直切断してこの面に次表に
示すプラスチックスを溶剤（クロロベンゼン、イソホロ
ン、フェノールまたはジメチルホルムアミド）に熔解し
たものを塗布し乾燥して厚さ１０μｍのフィルムを切断
面で形成させこの上に糊状の電解液を塗布する。この電
解液はアセトニトリル６０％、プロピレンカーボネート
２０％およびジメトキシエタン２０％の混液にＬｉＰＦ
、をｌ規定液となるよう溶解し、さらにピロールを０．
５規定になるよう溶解した後エアロゾルシリカを加えて
ペースト状にしたものである。塗布量は３ｍ―の厚さで
あり、その上に対極となる厚さｌ龍のアルミニウム板を
置き、電解環部分が空気に触れないよう厚手のプラスチ
ックス・テープで目張りをしたのち３Ｖ、１ｍＡ／ｃＪ
の１ｍ電を行なう。この実験では電解液部分に空気が入
ったり空間ができたりさせないことで、また吸湿しない
よう乾燥室内でセントすることが必要である。２０分間
通電すると１０μｍのフィルム上に積層物の切断面の白
金板に接した部分にのみポリピロールが析出してくる。

極く薄いポリピロールは無色であるが厚くなると共に着
色し最終的には暗色〜黒色を呈するようになる。次表に
プラスチックス・フィルム面にできた回路図柄のＲＴＩ
Ｌ　性を示そう。

実施例１１ 実施例１０において得られたポリ塩化ビニリデン基板上
に画かれた回路図柄面上に余液（塩化金１０ｇ、食塩５
ｇ、水８００ｍ　ｌ）を塗布して、充分含浸させたのち
余分の余液を回収する。次いで還元液（酒石酸２２．５
ｇ、水酸化ナトリウム３００　ｇ、エタノール３８０ｍ
１、水６００ｍ１）を基板上にスプレーし室温で放置し
ておくと回路図柄部分に金が鍍金されるので基板を充分
水洗し乾燥する。このように一般に貴金属である白金、
金、パラージウム等はその塩の溶液から弱還元剤によっ
て所望の金属を容易に析出し、これが導電性回路図柄に
良＜イ」着する。弱還元剤としては酒石酸の他に、ホル
マリン、ブドウ糖、グリセリン等も用いられるが、勿論
次亜塩素酸ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、ヒド
ラジン等の稀水溶液でも使用できる。

実施例１２ 実施例１０で得られた導電性基板を実施例１１の如き方
法で金もしくは白金を部分鍍金した後に水洗、乾燥する
。この面上に接続部分を除いて酢酸ビニル・塩化ビニル
共重合体をシンナーに溶かしたインキを薄く塗布して鍍
金部を補強したものは、いずれも耐水性、耐屈曲性に冨
んでいる。鍍金部分の導電性は比抵抗ρ−２〜１１　Ｘ
　１’Ｏ−６Ωｃｍであり、得られた製品はプリント基
板として用いられた。

実施例１３ 実施例３で得られた銀鍍金され補強加工された導電性基
板の接続部分に異方導電性接着剤（スリーボンド■製、
炭素粉含有物）をラミネーターにて加温して塗布した後
、この上に別に作成された回路図柄化した銅電極の末端
を重ね合わせて圧力３０ｋｇ／ｃｎをかけて１２０℃以
上で圧着せしめた。

この際ポリ塩化ビニル部分が変化しないよう圧着時間を
制限する必要があり２０秒以内にこの操作を終わるよう
にする。この方法によって非常に良好な電気的接続が完
了された。

実施例１４ 実施例６で得られた銅鍍金され補強加工された導電性基
板の接続部分に微細な菱状の形を有するガラス粉末（平
均粒径３．４μｍ）に銅を鍍金したフィラーを４０重量
％含有するゴム系接着剤を塗布し乾燥後、これに実施例
６で得られた同種の導電性基板を互いに鍍金面が合致す
るように載置して圧力１０ｋｇ／ｃＪをかけて室温で圧
着せしめる。

この操作において菱状の形を有する銅鍍金ガラス粉末は
銅鍍金部分に堅く食い込み非常に良好な導電性の接続が
完了された。

実施例１５ 実施例８および実施例９の各々の方法によって得られた
ニッケル鍍金された加工導電性基板の接続部分にビビリ
振動法によって切削されたニッケル粉末（米国インコ社
製、平均粒度は３００メソシユで針状粉末）を７５重量
％含有するポリアクリロニトリル系接着剤を塗布し、乾
燥後、この上に別に作製された回路図柄化したニッケル
電極を重ね合わせて圧力３０ｋｇ／ｃａｔをかけて９０
℃で圧着せしめる。この操作において針状ニッケル粉末
はニッケル鍍金部分に堅く食い込み導電性と機械的強度
において非常に良好な接続製品が得られた。

実施例１６ 実施例１１で得られた金鍍金された導電性回路の末端の
接続部分に異方導電性フィルム（大阪曹達■製、ニッケ
ル粉末等含有）をａｌｌしその上に実施例１２で得られ
た金鍍金され補強加工された導電性基板を導電性図柄部
分が合致するように載置し１４０〜１６０℃、圧力１５
ｋｇ／ｃＪで約１５秒間圧着を行うと用に良好な接続製
品が得られた。

〈発明の効果〉 本発明は導電性回路基板とその接続方法に関するもので
あり、産業部品から日用品にわたる電気材料、電子材料
として有用な導電性基板を容易に且つ大量に生産する方
式を明らかにしたものである。本発明によって得られる
製品はその形態によってプリント基板、フィルムコネク
タ、配線板、シートスイッチ、フユーズ、センサー、お
よび高密度回路等として利用できるものであり、その産
業利用性は極めて大きいものである。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板面に形成されたヘテロ原子を含む導電性高分
   子によりなる回路の金属鍍金した領域に異方導電性を発
   現する粉粒体を含むインキ、塗料、糊料、フィルム及び
   スポンジよりなる群から選ばれた少なくとも一つの導電
   性材料を存在せしめた後、別基板の導電性回路部分を重
   ねて加圧もしくは加熱して密着せしめることを特徴とす
   る回路の接続方法。
2. （２）ヘテロ原子を含む導電性高分子がポリアニリン、
   核置換ポリアニリン、ポリナフチルアミン、核置換ポリ
   ナフチルアミン、ポリアミノアンスラセン、核置換ポリ
   アミノアンスラセン、ポリチオフェン、核置換ポリチオ
   フェン、ポリピロール、置換ポリピロール、ポリピラゾ
   ール、置換ポリピラゾール、ポリイミダゾール、置換ポ
   リイミダゾール、ポリトリアゾール、置換ポリトリアゾ
   ール、ポリピリジン、核置換ポリピリジン、ポリジアジ
   ン、置換ポリジアジン、ポリトリアジン、置換ポリトリ
   アジン、ポリオキサジン、置換ポリオキサジン、ポリベ
   ンゾチオフェン、置換ポリベンゾチオフェン、ポリベン
   ゾピロール、置換ポリベンゾピロール、ポリベンズピラ
   ゾール、置換ポリベンズピラゾール、ポリベンズイミダ
   ゾール、置換ポリベンズイミダゾール、ポリオキサジア
   ゾール、ポリチアジアゾール、ポリアゾベンゼン、置換
   ポリアゾベンゼン、ポリフタロシアニン、核置換ポリフ
   タロシアニン、ポリカルバゾール、置換ポリカルバゾー
   ル、ポリキノリン、核置換ポリキノリン、ポリベンズオ
   キサゾール、置換ポリベンズオキサゾール、ポリテトラ
   （ナフチロ）テトラアザポルフィリンおよびポリテトラ
   （フェナンスロ）テトラアザポルフィリンよりなる群よ
   り選ばれた少なくとも一つの高分子化合物であることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の回路の接続方法
   。
3. （３）異方導電性を発現する粉粒体が金属、鍍金無機材
   料、鍍金有機材料、鍍金鉱物、鍍金ガラス体、炭素材料
   、導電性高分子材料、電荷移動錯体、導電性金属酸化物
   及びこれらの複合体よりなる材料群から選ばれた少なく
   とも一つの粉粒体であることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の回路の接続方法。