JPS6251137A - 陰極線管 - Google Patents
陰極線管Info
- Publication number
- JPS6251137A JPS6251137A JP60190434A JP19043485A JPS6251137A JP S6251137 A JPS6251137 A JP S6251137A JP 60190434 A JP60190434 A JP 60190434A JP 19043485 A JP19043485 A JP 19043485A JP S6251137 A JPS6251137 A JP S6251137A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- limiting aperture
- electrode
- aperture member
- control electrode
- potential
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/488—Schematic arrangements of the electrodes for beam forming; Place and form of the elecrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/02—Electron guns
- H01J3/029—Schematic arrangements for beam forming
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子銃にリミッティングアノ母−チャが設けら
れた陰極線管に関する。
れた陰極線管に関する。
本発明は、電子銃にリミッティングアパーチャが設けら
れた陰極線管において、リミッティングアパーチャで発
生する２次電子が螢光面等に到達することを抑制するこ
とにより、２次電子によるハロー現象を防止するように
したものである。
れた陰極線管において、リミッティングアパーチャで発
生する２次電子が螢光面等に到達することを抑制するこ
とにより、２次電子によるハロー現象を防止するように
したものである。
例えば、高ａ測度受像管、ビームインデックス方式のカ
ラー受膿管等忙おいては、良好な画像を得るために螢光
面上におけるビームスポット径は微細である必要がある
。
ラー受膿管等忙おいては、良好な画像を得るために螢光
面上におけるビームスポット径は微細である必要がある
。
一般に、受像管で微細なビームスポット径を得るのに、
■投影すべき物点となるクロスオーバ一点そのものの径
を小さくすること、あるいは、投影レンズそのものの収
差を小さくすることに主眼がおかれている。
■投影すべき物点となるクロスオーバ一点そのものの径
を小さくすること、あるいは、投影レンズそのものの収
差を小さくすることに主眼がおかれている。
これに対して本出願の発明者は、電子銃にリミッティン
グアパーチャを設けることを考えた。第、６図はその構
成例を示したものである。同図において、に、Ｇｌ及び
Ｇ２は、夫々カソード、第１グリツド電極及び第２グリ
ツド電極、また、０３及びＧ４は夫々集束電極を構成す
る第３及び第４グリツド電極、また、（１）は螢光面で
ある。そして、ＬＡがリミッティングアパーチャであり
、電極Ｇ２の後段に配される。
グアパーチャを設けることを考えた。第、６図はその構
成例を示したものである。同図において、に、Ｇｌ及び
Ｇ２は、夫々カソード、第１グリツド電極及び第２グリ
ツド電極、また、０３及びＧ４は夫々集束電極を構成す
る第３及び第４グリツド電極、また、（１）は螢光面で
ある。そして、ＬＡがリミッティングアパーチャであり
、電極Ｇ２の後段に配される。
このリミッティングアパーチャＬＡにより、クロスオー
バ一点の見かけ上の径が小さくされ、また電子ビーム発
散角が小くされ（レンズの径が大となることと等価）、
ビームスぜット径が微細化されるのである。
バ一点の見かけ上の径が小さくされ、また電子ビーム発
散角が小くされ（レンズの径が大となることと等価）、
ビームスぜット径が微細化されるのである。
リミタティングア／４’−チヤＬＡを用いる方式は、撮
像管においては通常行われているが、これを受像管に適
用すると、重大な問題を生じることが判明した。即ち、
リミッティングアパーチャＬＡに電子ビームが当たると
、２次電子ｅ′が多量に発生する。
像管においては通常行われているが、これを受像管に適
用すると、重大な問題を生じることが判明した。即ち、
リミッティングアパーチャＬＡに電子ビームが当たると
、２次電子ｅ′が多量に発生する。
カンード電位スタビライズイング型の通常の撮像管にお
いては、ターゲツト面の電圧が低いので、２次Ｎ−ｆ−
ｅ’はターゲツト面にランディングせず問題とならない
が、受像管の場合には螢光面（りの電圧が高いので、第
６図に示すように２次電子ｅ′は螢光面（１）にランデ
ィングし、第７図に示すように、２次電子ｅ′によるデ
フォーカスした電子ビームＢｍ２のために、いわゆるハ
ロー現象が生じ、画質を著しく損なうのである。第７図
において、Ｂｍｌは主電子ビームである。
いては、ターゲツト面の電圧が低いので、２次Ｎ−ｆ−
ｅ’はターゲツト面にランディングせず問題とならない
が、受像管の場合には螢光面（りの電圧が高いので、第
６図に示すように２次電子ｅ′は螢光面（１）にランデ
ィングし、第７図に示すように、２次電子ｅ′によるデ
フォーカスした電子ビームＢｍ２のために、いわゆるハ
ロー現象が生じ、画質を著しく損なうのである。第７図
において、Ｂｍｌは主電子ビームである。
向、撮像管でも、高速度ビーム走査型撮＠管では同様に
ハロー現象が生じる不都合がある。
ハロー現象が生じる不都合がある。
本発明は斯る点に鑑み、上述したような２次′電子によ
るハロー現象が生じるのを防止するものである。
るハロー現象が生じるのを防止するものである。
本発明は上述問題点を解決するため、リミッティングア
パーチャＬＡとその後段の電極、例えば２次電子制御電
極ＳＧとの間の軸上電位を、リミッティングアパーチャ
ＬＡの電位より数１０ ＴＩｅルト低くするものである
。
パーチャＬＡとその後段の電極、例えば２次電子制御電
極ＳＧとの間の軸上電位を、リミッティングアパーチャ
ＬＡの電位より数１０ ＴＩｅルト低くするものである
。
リミッティングアパーチャＬＡとその後段の電極との間
の軸上電位がリミッティングアパーチャ詰の電位より数
１０ボルト低くされるので、リミッティングアパーチャ
ＬＡより発生する２次電子ｅ′は螢光面あるいはターゲ
ツト面に到達することが抑制される。したがって、２次
電子ｅ′によるハロー現象が防止される。
の軸上電位がリミッティングアパーチャ詰の電位より数
１０ボルト低くされるので、リミッティングアパーチャ
ＬＡより発生する２次電子ｅ′は螢光面あるいはターゲ
ツト面に到達することが抑制される。したがって、２次
電子ｅ′によるハロー現象が防止される。
以下、第１図を参照しながら本発明の一実施例について
説明しよう。この第１図において、第６図と対応する部
分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
説明しよう。この第１図において、第６図と対応する部
分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
本例においては、リミッティングアミ４−チヤＬＡと電
極Ｇ３との間に円板上の二次電子制御電極ＳＧが配され
る。
極Ｇ３との間に円板上の二次電子制御電極ＳＧが配され
る。
この場合、制御電極ＳＧには、この制御電極ＳＧの近傍
の軸上、例えば電極ＳＧの開孔中心点Ｐの電位がリミッ
ティングアパーチャＬＡの電位よりも数１０（Ｖ） 、
例えば５０〔７３以上低くなるような電圧が印加される
。
の軸上、例えば電極ＳＧの開孔中心点Ｐの電位がリミッ
ティングアパーチャＬＡの電位よりも数１０（Ｖ） 、
例えば５０〔７３以上低くなるような電圧が印加される
。
例えば、カソードにの電圧ＥＫ＝０〔ｖ〕、第１グリツ
ドを極Ｇ１の電圧Ｅ。１キー２０（Ｖ）、第２グリツド
′ε極Ｇ２の電圧Ｅ。２中４００〔ｖ〕、リミッティン
グアパーチャＬＡノ電圧ＥＬＡ中４００Ｃｖ〕、第３グ
リツド電極Ｇ３１ｖ電圧ＥＧｓ中１．ｓａｃ幻、第４グ
リツド電極Ｇ４の電圧Ｅ（１４中６［：ｋＶ］ 、螢光
面（１）ノミ圧Ｅ、中６〔ｋＶ）ノとき、制御電極ＳＧ
の電ｔＥ、、は０−３００（Ｖ〕とされる。このように
印加電圧に幅をもつのは、制御電極ＳＧの配置位置、開
孔の径によって近傍軸上電位が異ってくるからである。
ドを極Ｇ１の電圧Ｅ。１キー２０（Ｖ）、第２グリツド
′ε極Ｇ２の電圧Ｅ。２中４００〔ｖ〕、リミッティン
グアパーチャＬＡノ電圧ＥＬＡ中４００Ｃｖ〕、第３グ
リツド電極Ｇ３１ｖ電圧ＥＧｓ中１．ｓａｃ幻、第４グ
リツド電極Ｇ４の電圧Ｅ（１４中６［：ｋＶ］ 、螢光
面（１）ノミ圧Ｅ、中６〔ｋＶ）ノとき、制御電極ＳＧ
の電ｔＥ、、は０−３００（Ｖ〕とされる。このように
印加電圧に幅をもつのは、制御電極ＳＧの配置位置、開
孔の径によって近傍軸上電位が異ってくるからである。
第２図は軸上電位分布の概要を示すものである。
また、第３図は、具体構成例を示すものである。
電極Ｇ１の開孔直径Φ１＝０２ ［ｍ〕、電極Ｇ２の開
孔直径Φ２＝：０．２５（ｓｍ：ｌ 、リミツテイング
ア／ＩＰ−チャＬＡの直径＝０．１［ｍａ］、制御電極
ＳＧの開孔直径ΦＢ（２＝１．５（＋ｍ） 、カソード
にと￥ｆＬ極Ｇ極上１距離ｄ（え−。１）＝０．Ｉ Ｃ
調〕、′シ極Ｇ１とＧ２との距離ｄ（。、−Ｇ２ン＝０
．２５（簡〕、電極Ｇ２とリミッティングアノ９−チャ
ＬＡとの距離ｄ （Ｇ２−ＬＡ）＝０−５５ ｅ）、リ
ミッティングア・母−チャＬＡと制御電極ＳＧとの距離
ｄ（１，Ａ−ｓａ）＝０．２（ｍ） 、制御電極ＳＧと
電極Ｇ３との距離ｄ （ｓ ａ −ａ ｓ ）＝０．２
Ｃｒｍ〕とされる。また、カソードにの電ＥＥ ＥＫ
＝Ｏ（Ｖ〕、電極Ｇｌ １７）電圧Ｅｃ１＝−２５（Ｖ
〕、’を極Ｇ２の電圧Ｅ。２＝５５０（Ｖ） 、リミッ
ティングアノ卆−チャＬＡの電圧ＥＬＡ＝５５０［Ｖ）
、制御電極ＳＧの電圧Ｅｓｏ＝ＯＣＶ〕、電極Ｇ３
（７）電圧Ｅ、 ３＝１．６ ［ｋＶ］とさレル。
孔直径Φ２＝：０．２５（ｓｍ：ｌ 、リミツテイング
ア／ＩＰ−チャＬＡの直径＝０．１［ｍａ］、制御電極
ＳＧの開孔直径ΦＢ（２＝１．５（＋ｍ） 、カソード
にと￥ｆＬ極Ｇ極上１距離ｄ（え−。１）＝０．Ｉ Ｃ
調〕、′シ極Ｇ１とＧ２との距離ｄ（。、−Ｇ２ン＝０
．２５（簡〕、電極Ｇ２とリミッティングアノ９−チャ
ＬＡとの距離ｄ （Ｇ２−ＬＡ）＝０−５５ ｅ）、リ
ミッティングア・母−チャＬＡと制御電極ＳＧとの距離
ｄ（１，Ａ−ｓａ）＝０．２（ｍ） 、制御電極ＳＧと
電極Ｇ３との距離ｄ （ｓ ａ −ａ ｓ ）＝０．２
Ｃｒｍ〕とされる。また、カソードにの電ＥＥ ＥＫ
＝Ｏ（Ｖ〕、電極Ｇｌ １７）電圧Ｅｃ１＝−２５（Ｖ
〕、’を極Ｇ２の電圧Ｅ。２＝５５０（Ｖ） 、リミッ
ティングアノ卆−チャＬＡの電圧ＥＬＡ＝５５０［Ｖ）
、制御電極ＳＧの電圧Ｅｓｏ＝ＯＣＶ〕、電極Ｇ３
（７）電圧Ｅ、 ３＝１．６ ［ｋＶ］とさレル。
第１図例は以上のように構成され、リミッティングアパ
ーチャＬＡの後段である制御電極ＳＧの近傍の軸上電位
がリミッティングアパーチャＬＡの電位よりも数１０１
：Ｖ：ｌ低くされるので、カソードＫからの電子ビーム
Ｂｍ １がリミッティングアパーチャＬＡに当たること
により、このリミッティングアノや一チャＬＡより発生
する２次電子ｅ′は、図示のようにリミッテイングア／
４’−チャＬＡｉＩｌ１１に追返えされ、螢光面（１）
に到達することが防止される。
ーチャＬＡの後段である制御電極ＳＧの近傍の軸上電位
がリミッティングアパーチャＬＡの電位よりも数１０１
：Ｖ：ｌ低くされるので、カソードＫからの電子ビーム
Ｂｍ １がリミッティングアパーチャＬＡに当たること
により、このリミッティングアノや一チャＬＡより発生
する２次電子ｅ′は、図示のようにリミッテイングア／
４’−チャＬＡｉＩｌ１１に追返えされ、螢光面（１）
に到達することが防止される。
したがって、本例によれば２次電子ｅ′によるハロー現
象が防止される。ゆえに、本例によれば、螢光面（１）
上におけるビームスポット径を充分に微細とすることが
できる。
象が防止される。ゆえに、本例によれば、螢光面（１）
上におけるビームスポット径を充分に微細とすることが
できる。
次に、第４図及び第５図は夫々本発明の他の実施例を示
すものである。これらの図において、第１図と対応する
部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
すものである。これらの図において、第１図と対応する
部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
第４図例は、２次電子制御電極ＳＧを円筒状としたもの
で、その他は第１図例と同様に構成され、同様の作用効
果を得ることができる。
で、その他は第１図例と同様に構成され、同様の作用効
果を得ることができる。
次に、第５図例は、２次電子制御電極ＳＧを特に設ける
ことなく、電極Ｇ３の電圧を適当に選定することにより
、同様の作用効果を得るものである。
ことなく、電極Ｇ３の電圧を適当に選定することにより
、同様の作用効果を得るものである。
例えば、■ＥＫ＝０〔ｖ〕、Ｅ、、＝−３０（Ｖ：ｌ、
ＥＧ２＝４００〔ｖ〕、ＥＬＡ＝１０００Ｃｖ〕、Ｅｏ
、−８００（ｖ）、Ｂａ４＝６（ｋＶ：ｌ 、（ｄ Ｅ
Ｋ＝Ｏ（Ｖ）、Ｂａ１＝−３０（Ｖ）、ＥＧ２＝４００
〔ｖ〕、ＥＬＡ＝４００〔ｖ〕、Ｅａ ３”２００［’
Ｖ］、Ｅ、４＝６［ｋＶ］とされる。この場合、リミッ
ティングアパーチャＩ、Ａと後段のｔ極Ｇ３との間の軸
上電位がリミッティングアパーチャＬＡの電位より低く
なるので、リミッティングアノや一チャ詰より発生する
２次電子ｅ′はリミッティングア・ヤーチャＬＡ側に追
返えされ、螢光面（１）側に到達することが防止される
。
ＥＧ２＝４００〔ｖ〕、ＥＬＡ＝１０００Ｃｖ〕、Ｅｏ
、−８００（ｖ）、Ｂａ４＝６（ｋＶ：ｌ 、（ｄ Ｅ
Ｋ＝Ｏ（Ｖ）、Ｂａ１＝−３０（Ｖ）、ＥＧ２＝４００
〔ｖ〕、ＥＬＡ＝４００〔ｖ〕、Ｅａ ３”２００［’
Ｖ］、Ｅ、４＝６［ｋＶ］とされる。この場合、リミッ
ティングアパーチャＩ、Ａと後段のｔ極Ｇ３との間の軸
上電位がリミッティングアパーチャＬＡの電位より低く
なるので、リミッティングアノや一チャ詰より発生する
２次電子ｅ′はリミッティングア・ヤーチャＬＡ側に追
返えされ、螢光面（１）側に到達することが防止される
。
尚、上述実施例は、受像管に適用した例であるが、本発
明は、例えば高速度ビーム走査型撮像管に同様に適用す
ることができる。
明は、例えば高速度ビーム走査型撮像管に同様に適用す
ることができる。
以上述べた本発明によれば、リミッティングアパーチャ
で発生する２次電子が螢光面あるいはターゲツト面に到
達することが抑制されるので、２次電子によるハロー現
象が防止される。ゆえに本発明によれば、螢光面あるい
はターゲツト面上におけるビームスポット径を充分に微
細とすることができる。したがって本発明は、高′＃を
細度受像管、ビームインデックス方式のカラー受＠管等
に適用して好適である。
で発生する２次電子が螢光面あるいはターゲツト面に到
達することが抑制されるので、２次電子によるハロー現
象が防止される。ゆえに本発明によれば、螢光面あるい
はターゲツト面上におけるビームスポット径を充分に微
細とすることができる。したがって本発明は、高′＃を
細度受像管、ビームインデックス方式のカラー受＠管等
に適用して好適である。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図はその
軸上電位分布を示す図、第３図は具体構成図、第４図及
び第５図は本発明の他の実施例を示す構成図、第６図は
従来例を示す構成図、第７図はハロー現象の説明のため
の図である。
軸上電位分布を示す図、第３図は具体構成図、第４図及
び第５図は本発明の他の実施例を示す構成図、第６図は
従来例を示す構成図、第７図はハロー現象の説明のため
の図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電子銃にリミツテイングアパーチヤが設けられた陰極線
管において、 上記リミツテイングアパーチヤとその後段の電極との間
の軸上電位が、上記リミツテイングアパーチヤの電位よ
り数１０ボルト低くされることを特徴とする陰極線管。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60190434A JPS6251137A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 陰極線管 |
| EP86306667A EP0214816A3 (en) | 1985-08-29 | 1986-08-28 | Cathode ray tubes |
| KR1019860007162A KR870002633A (ko) | 1985-08-29 | 1986-08-28 | 음극선관 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60190434A JPS6251137A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 陰極線管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6251137A true JPS6251137A (ja) | 1987-03-05 |
Family
ID=16258065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60190434A Pending JPS6251137A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 陰極線管 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0214816A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6251137A (ja) |
| KR (1) | KR870002633A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8728481D0 (en) * | 1987-12-04 | 1988-04-27 | Rank Brimar Ltd | Electron gun |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB467611A (en) * | 1935-12-23 | 1937-06-21 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to cathode ray tubes and apparatus comprising them |
| JPS55165554A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-24 | Hitachi Ltd | Camera tube |
| JPS57128439A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-10 | Toshiba Corp | Electron gun and cathode-ray tube |
-
1985
- 1985-08-29 JP JP60190434A patent/JPS6251137A/ja active Pending
-
1986
- 1986-08-28 EP EP86306667A patent/EP0214816A3/en not_active Withdrawn
- 1986-08-28 KR KR1019860007162A patent/KR870002633A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR870002633A (ko) | 1987-04-06 |
| EP0214816A3 (en) | 1988-11-23 |
| EP0214816A2 (en) | 1987-03-18 |
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