JPH0132623B2 - - Google Patents
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- JPH0132623B2 JPH0132623B2 JP58023447A JP2344783A JPH0132623B2 JP H0132623 B2 JPH0132623 B2 JP H0132623B2 JP 58023447 A JP58023447 A JP 58023447A JP 2344783 A JP2344783 A JP 2344783A JP H0132623 B2 JPH0132623 B2 JP H0132623B2
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- electrode
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- KFOPKOFKGJJEBW-ZSSYTAEJSA-N methyl 2-[(1s,7r,8s,9s,10r,13r,14s,17r)-1,7-dihydroxy-10,13-dimethyl-3-oxo-1,2,6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-dodecahydrocyclopenta[a]phenanthren-17-yl]acetate Chemical compound C([C@H]1O)C2=CC(=O)C[C@H](O)[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H](CC(=O)OC)[C@@]1(C)CC2 KFOPKOFKGJJEBW-ZSSYTAEJSA-N 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/50—Electron guns two or more guns in a single vacuum space, e.g. for plural-ray tube
- H01J29/503—Three or more guns, the axes of which lay in a common plane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/488—Schematic arrangements of the electrodes for beam forming; Place and form of the elecrodes
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、クロスオーバ虚像の径大化を防ぎ、
高輝度となる大ビーム電流時においても径小のビ
ームスポツトが得られるように構成した高解像度
の受像管装置に関する。
高輝度となる大ビーム電流時においても径小のビ
ームスポツトが得られるように構成した高解像度
の受像管装置に関する。
従来例の構成とその問題点
カラー受像管には通常、バイポテンシヤル形電
子銃が用いられている。バイポテンシヤル形電子
銃は、高電圧特性およびフオーカス特性において
すぐれているが、良好なフオーカス特性が得られ
るのは主として小ビーム電流時であつて、高輝度
となる大ビーム電流時にはビームスポツト（輝
点）径が大きくなり、ブルーミングを生じて解像
度が著しく低下する。
子銃が用いられている。バイポテンシヤル形電子
銃は、高電圧特性およびフオーカス特性において
すぐれているが、良好なフオーカス特性が得られ
るのは主として小ビーム電流時であつて、高輝度
となる大ビーム電流時にはビームスポツト（輝
点）径が大きくなり、ブルーミングを生じて解像
度が著しく低下する。
これを第１図により説明すると、陰極１から放
射された熱電子は、陰極１、第１グリツドとして
のG1電極２および第２グリツドとしてのG2電極
３によつて生成されるカソードレンズ４により中
心軸へ向かい、クロスオーバ５をつくつて発散す
る。そして、G2電極３と第３グリツドとしての
G3電極６とによつて生成されるプリフオーカス
レンズ７によりビーム状となされ、G3電極６お
よびG4電極８によつて生成されるメインレンズ
９に射入する。メインレンズ９はクロスオーバ５
の虚像１０を蛍光体スクリーン１１上に結像さ
せ、これによつて輝点としてのビームスポツト１
２が生成される。
射された熱電子は、陰極１、第１グリツドとして
のG1電極２および第２グリツドとしてのG2電極
３によつて生成されるカソードレンズ４により中
心軸へ向かい、クロスオーバ５をつくつて発散す
る。そして、G2電極３と第３グリツドとしての
G3電極６とによつて生成されるプリフオーカス
レンズ７によりビーム状となされ、G3電極６お
よびG4電極８によつて生成されるメインレンズ
９に射入する。メインレンズ９はクロスオーバ５
の虚像１０を蛍光体スクリーン１１上に結像さ
せ、これによつて輝点としてのビームスポツト１
２が生成される。
ところで、メインレンズ９での電子ビーム径０／
が小さすぎたり大きすぎたりするとビームスポツ
ト１２が径大化するので、ビーム発散角a′をプリ
フオーカスレンズ７により制御し、電子ビーム径
０／を最適値に設定することが重要となる。
が小さすぎたり大きすぎたりするとビームスポツ
ト１２が径大化するので、ビーム発散角a′をプリ
フオーカスレンズ７により制御し、電子ビーム径
０／を最適値に設定することが重要となる。
径小のビームスポツト１２を得るためには、ク
ロスオーバ虚像１０が径小でなければならない
が、これはビーム電流が増すほど困難になる。と
くに、バイポテンシヤル形電子銃におけるG3電
極電位は高だか10KV程度であるから、ビーム電
流の増大によつてクロスオーバ虚像１０が大きく
なり、ビームスポツト１２が径大化する。
ロスオーバ虚像１０が径小でなければならない
が、これはビーム電流が増すほど困難になる。と
くに、バイポテンシヤル形電子銃におけるG3電
極電位は高だか10KV程度であるから、ビーム電
流の増大によつてクロスオーバ虚像１０が大きく
なり、ビームスポツト１２が径大化する。
プリフオーカスレンズ７とクロスオーバ虚像１
０との関係は第２図に示すとおりであり、同図に
は陰極１の中央領域からの電子軌道が曲線１３
ａ，１３ｂで、陰極１の周辺領域からの電子軌道
が曲線１４ａ，１４ｂでそれぞれ示されている。
プリフオーカスレンズ７は、G2電極３の出口付
近に生成される集束レンズ部分７ａと、G3電極
６の入口付近に生成される発散レンズ部分７ｂと
からなる。
０との関係は第２図に示すとおりであり、同図に
は陰極１の中央領域からの電子軌道が曲線１３
ａ，１３ｂで、陰極１の周辺領域からの電子軌道
が曲線１４ａ，１４ｂでそれぞれ示されている。
プリフオーカスレンズ７は、G2電極３の出口付
近に生成される集束レンズ部分７ａと、G3電極
６の入口付近に生成される発散レンズ部分７ｂと
からなる。
陰極１の中央領域から放射された熱電子は、カ
ソードレンズ４の影響をあまり受けず、陰極１か
ら遠い位置でクロスオーバ５ａをつくる。このク
ロスオーバ５ａは、集束レンズ部分７ａ内に入り
込むので、集束レンズ部分７ａによる集束作用は
あまり受けず、発散レンズ部分７ｂで弱い発散作
用を受けるがため、プリフオーカスレンズ７の影
響をほとんど受けないことになる。
ソードレンズ４の影響をあまり受けず、陰極１か
ら遠い位置でクロスオーバ５ａをつくる。このク
ロスオーバ５ａは、集束レンズ部分７ａ内に入り
込むので、集束レンズ部分７ａによる集束作用は
あまり受けず、発散レンズ部分７ｂで弱い発散作
用を受けるがため、プリフオーカスレンズ７の影
響をほとんど受けないことになる。
一方、陰極１の周辺領域から放射された熱電子
は、カソードレンズ４の球面収差の影響を大きく
受け、陰極１に近い位置でクロスオーバ５ｂをつ
くる。そして、比較的大きい発散角ａでもつて集
束レンズ部分７ａに射入し、発散レンズ部分７ｂ
で若干発散して、発散角a′でもつてG3電極６内
に入り、メインレンズに射入する。
は、カソードレンズ４の球面収差の影響を大きく
受け、陰極１に近い位置でクロスオーバ５ｂをつ
くる。そして、比較的大きい発散角ａでもつて集
束レンズ部分７ａに射入し、発散レンズ部分７ｂ
で若干発散して、発散角a′でもつてG3電極６内
に入り、メインレンズに射入する。
クロスオーバ虚像１０の径は、電子軌道曲線１
３ａ，１３ｂの直線部分延長線１３a′，１３
b′と、電子軌道曲線１４ａ，１４ｂの直線部分延
長線１４a′，１４b′との交点位置における径で決
まり、カソードレンズ４およびプリフオーカスレ
ンズ７の球面収差が大きいほど大となる。
３ａ，１３ｂの直線部分延長線１３a′，１３
b′と、電子軌道曲線１４ａ，１４ｂの直線部分延
長線１４a′，１４b′との交点位置における径で決
まり、カソードレンズ４およびプリフオーカスレ
ンズ７の球面収差が大きいほど大となる。
一般に、軸対称電界による電子レンズのレンズ
作用強さは Ａ＝（１／√b）∫b a（V″／√）dZ ……(1) なる量で決まる。ただし、ここでＶは軸上電位、
V″はその二次微分V″＝（d2V）／（dZ2）、ａはレ
ンズ入口位置、ｂはレンズ出口位置、Vbはレン
ズ出口位置における軸上電位を示す。
作用強さは Ａ＝（１／√b）∫b a（V″／√）dZ ……(1) なる量で決まる。ただし、ここでＶは軸上電位、
V″はその二次微分V″＝（d2V）／（dZ2）、ａはレ
ンズ入口位置、ｂはレンズ出口位置、Vbはレン
ズ出口位置における軸上電位を示す。
第３図は軸上電位Ｖとその二次微分V″とを、
軸方向距離Ｚの関数として示したもので、陰極近
傍の小さな山１５がカソードレンズ領域に対応
し、これに続く２つの山１６，１７がプリフオー
カスレンズ領域に対応し、G2電極の出口付近位
置（陰極の電子放射面から距離Z1の位置）に
V″の極大値（正）を生じ、G3電極の入口付近位
置（陰極の電子放射面から距離Z2の位置）に
V″の極小値（負）を生じる。そして、レンズ作
用の強さは前述のようにV″／√の積分値で決
まり、Ｖが低いほどレンズ作用が強くなり、全体
としては集束形のレンズとなる。
軸方向距離Ｚの関数として示したもので、陰極近
傍の小さな山１５がカソードレンズ領域に対応
し、これに続く２つの山１６，１７がプリフオー
カスレンズ領域に対応し、G2電極の出口付近位
置（陰極の電子放射面から距離Z1の位置）に
V″の極大値（正）を生じ、G3電極の入口付近位
置（陰極の電子放射面から距離Z2の位置）に
V″の極小値（負）を生じる。そして、レンズ作
用の強さは前述のようにV″／√の積分値で決
まり、Ｖが低いほどレンズ作用が強くなり、全体
としては集束形のレンズとなる。
電子レンズはその口径が大きく、かつ、レンズ
生成用電界が緩やかに変化しているものほど球面
収差が少ない。そこで従来は、G2電極およびG3
電極の各電子ビーム通過孔を可及的に径大とな
し、かつ、両電極間隔をできるだけ広げて滑らか
な電位分布となしていた。すなわち、極大値と極
小値との間隔（Z2−Z1）を1.5D1倍以上（D1はG1
電極の電子ビーム通過孔径）となし、G3電極の
電子ビーム通過孔径をG2電極の電子ビーム通過
孔径の２倍以上となし、軸上電界の最大値
（V′max）を５×104V／cm以下に抑えるのが通例
であつた。
生成用電界が緩やかに変化しているものほど球面
収差が少ない。そこで従来は、G2電極およびG3
電極の各電子ビーム通過孔を可及的に径大とな
し、かつ、両電極間隔をできるだけ広げて滑らか
な電位分布となしていた。すなわち、極大値と極
小値との間隔（Z2−Z1）を1.5D1倍以上（D1はG1
電極の電子ビーム通過孔径）となし、G3電極の
電子ビーム通過孔径をG2電極の電子ビーム通過
孔径の２倍以上となし、軸上電界の最大値
（V′max）を５×104V／cm以下に抑えるのが通例
であつた。
発明の目的
本発明は、G2電極とG3電極との間隔を十分に
狭めながら、大ビーム電流時においても径小のビ
ームスポツト、したがつて高い解像度の得られる
受像管装置を提供するものである。
狭めながら、大ビーム電流時においても径小のビ
ームスポツト、したがつて高い解像度の得られる
受像管装置を提供するものである。
発明の構成
本発明の受像管装置によると、プリフオーカス
レンズを従来とは逆に、できるだけ強いレンズ電
界で生成し、クロスオーバ虚像を可及的に径小化
せしめる。すなわち、軸上電位の一次微分（軸上
電界）が５×104〜５×105V／cmで、かつ、陰極
の電子放射面から軸上電位二次微分の極大値にい
たる軸上距離Z1と、陰極の電子放射面から軸上電
位二次微分の極小値にいたる軸上距離Z2と、第１
グリツドの電子ビーム通過孔径D1との関係を 1.0D1≦Z1≦2.0D1 0.5D1≦Z2−Z1≦1.2D1 となすのであり、これを以下図面に示した実施例
とともに詳しく説明する。
レンズを従来とは逆に、できるだけ強いレンズ電
界で生成し、クロスオーバ虚像を可及的に径小化
せしめる。すなわち、軸上電位の一次微分（軸上
電界）が５×104〜５×105V／cmで、かつ、陰極
の電子放射面から軸上電位二次微分の極大値にい
たる軸上距離Z1と、陰極の電子放射面から軸上電
位二次微分の極小値にいたる軸上距離Z2と、第１
グリツドの電子ビーム通過孔径D1との関係を 1.0D1≦Z1≦2.0D1 0.5D1≦Z2−Z1≦1.2D1 となすのであり、これを以下図面に示した実施例
とともに詳しく説明する。
実施例の説明
第４図において、G2電極１９およびG3電極２
８は従来に比して径小の電子ビーム通過孔１９
ａ，２８ａをそれぞれ有し、G2電極１９とG3電
極２８との相互間隔も従来構成に比してかなり小
さい。また、軸上電位Ｖとその二次微分V″は第
５図に示すようなものとなる。カソードレンズ領
域の山２０は従来とほとんど変らないが、プリフ
オーカスレンズ領域においては、V″の極大値お
よび極小値の位置が相互に近接し（Z2−Z1の値が
小さくなり）、しかも極大および極小の絶対値が
非常に大きく、正部分２１の面積および負部分２
２の面積がかなり大きくなつている。
８は従来に比して径小の電子ビーム通過孔１９
ａ，２８ａをそれぞれ有し、G2電極１９とG3電
極２８との相互間隔も従来構成に比してかなり小
さい。また、軸上電位Ｖとその二次微分V″は第
５図に示すようなものとなる。カソードレンズ領
域の山２０は従来とほとんど変らないが、プリフ
オーカスレンズ領域においては、V″の極大値お
よび極小値の位置が相互に近接し（Z2−Z1の値が
小さくなり）、しかも極大および極小の絶対値が
非常に大きく、正部分２１の面積および負部分２
２の面積がかなり大きくなつている。
このような軸上電位分布にすると、第４図のプ
リフオーカスレンズ２３の集束レンズ部分２３ａ
および発散レンズ部分２３ｂの各レンズ作用がと
もに強くなり、以下にのべるような収差抑制効果
が新たに現われ、クロスオーバ虚像２４が著しく
径小化される。
リフオーカスレンズ２３の集束レンズ部分２３ａ
および発散レンズ部分２３ｂの各レンズ作用がと
もに強くなり、以下にのべるような収差抑制効果
が新たに現われ、クロスオーバ虚像２４が著しく
径小化される。
陰極１の中央領域から放射された熱電子は、曲
線２５ａ，２５ｂで示す電子軌道に沿つて進行
し、クロスオーバ２６ａをつくるのに対し、陰極
１の周辺領域から放射された熱電子は、曲線２７
ａ，２７ｂで示す電子軌道に沿つて進行し、クロ
スオーバ２６ｂをつくる。そして、クロスオーバ
２６ｂから発散角ａで発散した熱電子は、集束レ
ンズ部分２３ａに射入し、ここで非常に強い集束
作用を受け、曲線部分ｃで中心軸側へ急激に曲げ
られる。そして、その直後に位置する発散レンズ
部分２３ｂに射入することにより、曲線部分ｄで
進行の向きを急激に戻し、最終的にはa′なるビー
ム発散角でG3電極２８内に入り、メインレンズ
に射入する。
線２５ａ，２５ｂで示す電子軌道に沿つて進行
し、クロスオーバ２６ａをつくるのに対し、陰極
１の周辺領域から放射された熱電子は、曲線２７
ａ，２７ｂで示す電子軌道に沿つて進行し、クロ
スオーバ２６ｂをつくる。そして、クロスオーバ
２６ｂから発散角ａで発散した熱電子は、集束レ
ンズ部分２３ａに射入し、ここで非常に強い集束
作用を受け、曲線部分ｃで中心軸側へ急激に曲げ
られる。そして、その直後に位置する発散レンズ
部分２３ｂに射入することにより、曲線部分ｄで
進行の向きを急激に戻し、最終的にはa′なるビー
ム発散角でG3電極２８内に入り、メインレンズ
に射入する。
このように、プリフオーカスレンズ２３を構成
する集束レンズ部分２３ａと発散レンズ部分２３
ｂとを相互に近接させ、かつ、両レンズ部分２３
ａ，２３ｂに強いレンズ作用を営ませると、プリ
フオーカスレンズ２３の入口におけるビーム発散
角がａなる大ビーム電流時においても、径小にし
てかつビーム発散角a′が従来値どおりの電子ビー
ムを、プリフオーカスレンズ２３からとり出すこ
とができる。
する集束レンズ部分２３ａと発散レンズ部分２３
ｂとを相互に近接させ、かつ、両レンズ部分２３
ａ，２３ｂに強いレンズ作用を営ませると、プリ
フオーカスレンズ２３の入口におけるビーム発散
角がａなる大ビーム電流時においても、径小にし
てかつビーム発散角a′が従来値どおりの電子ビー
ムを、プリフオーカスレンズ２３からとり出すこ
とができる。
一方、曲線２５ａ，２５ｂで示される電子軌道
を進む近軸電子は、前述のようにプリフオーカス
レンズ２３によるレンズ作用をほとんど受けない
から、曲線２５ａ，２５ｂの直線部分延長線２５
a′，２５b′と、曲線２７ａ，２７ｂの直線部分延
長線２７a′，２７b′との交点位置におけるクロス
オーバ虚像２４は著しく径小化されることにな
る。そして、これは前述のようにカソードレンズ
およびプリフオーカスレンズの球面収差の悪影響
を抑制するのに役立つ。
を進む近軸電子は、前述のようにプリフオーカス
レンズ２３によるレンズ作用をほとんど受けない
から、曲線２５ａ，２５ｂの直線部分延長線２５
a′，２５b′と、曲線２７ａ，２７ｂの直線部分延
長線２７a′，２７b′との交点位置におけるクロス
オーバ虚像２４は著しく径小化されることにな
る。そして、これは前述のようにカソードレンズ
およびプリフオーカスレンズの球面収差の悪影響
を抑制するのに役立つ。
しかし、大ビーム電流時の収差抑制効果が過大
であると、小ビーム電流時におけるビームスポツ
ト径が大きくなるという弊害が現われる。これ
は、小ビーム電流時における陰極の実効的な電子
放射面積が狭小となり、クロスオーバが陰極のご
く近くに生じてプリフオーカスレンズ作用が効き
やすくなり、ビーム発散角が過小となつて、プリ
フオーカスレンズとメインレンズとを総合したレ
ンズ倍率が過大となることに原因している。
であると、小ビーム電流時におけるビームスポツ
ト径が大きくなるという弊害が現われる。これ
は、小ビーム電流時における陰極の実効的な電子
放射面積が狭小となり、クロスオーバが陰極のご
く近くに生じてプリフオーカスレンズ作用が効き
やすくなり、ビーム発散角が過小となつて、プリ
フオーカスレンズとメインレンズとを総合したレ
ンズ倍率が過大となることに原因している。
本発明においては、これらの諸点を勘案して、
５×104V／cm≦V′max≦５×105V／cm
1.0D1≦Z1≦2.0D1
0.5D1≦Z2−Z1≦1.2D1
となす。
ただし、D1はG1電極の電子ビーム通過孔径、
Z1、Z2は陰極の電子放射面から軸上電位二次微分
の極大値、極小値にいたる軸上距離を示す。
Z1、Z2は陰極の電子放射面から軸上電位二次微分
の極大値、極小値にいたる軸上距離を示す。
つぎに、本発明実施の具体的数値例を示すと、
バイポテンシヤル形電子銃において、 G1電極の電子ビーム通過孔径を１とするとき、 G2電極の電子ビーム通過孔を ……0.7〜1.3 G3電極の 〃 ……0.7〜1.3 陰極とG1電極との間隔を ……0.1〜0.2 G1電極とG2電極との間隔を ……0.3〜0.5 G2電極とG3電極との 〃 ……0.5〜1.2 G1電極の厚みを ……0.1〜0.2 G2電極の 〃 ……0.5〜1.2 G3電極の 〃 ……0.3〜1.0 とする。そして、 陰極の電位 ……20〜200V G1電極の電位 ……0V G2電極の 〃 ……300〜800V G3電極の 〃 ……６〜8KV G4電極の 〃 ……20〜30KV であり、４ｍＡ程度の大ビーム電流時において、
従来の35〜45％に相当する径小のビームスポツト
を得ることができる。
バイポテンシヤル形電子銃において、 G1電極の電子ビーム通過孔径を１とするとき、 G2電極の電子ビーム通過孔を ……0.7〜1.3 G3電極の 〃 ……0.7〜1.3 陰極とG1電極との間隔を ……0.1〜0.2 G1電極とG2電極との間隔を ……0.3〜0.5 G2電極とG3電極との 〃 ……0.5〜1.2 G1電極の厚みを ……0.1〜0.2 G2電極の 〃 ……0.5〜1.2 G3電極の 〃 ……0.3〜1.0 とする。そして、 陰極の電位 ……20〜200V G1電極の電位 ……0V G2電極の 〃 ……300〜800V G3電極の 〃 ……６〜8KV G4電極の 〃 ……20〜30KV であり、４ｍＡ程度の大ビーム電流時において、
従来の35〜45％に相当する径小のビームスポツト
を得ることができる。
発明の効果
以上のように本発明の受像管装置によると、小
ビーム電流時および大ビーム電流時を通じて径小
のビームスポツトを得ることができ、良好な解像
度で画像再現ができる。
ビーム電流時および大ビーム電流時を通じて径小
のビームスポツトを得ることができ、良好な解像
度で画像再現ができる。
第１図は従来の受像管装置の電子銃とその動作
態様を示す断面図、第２図は同電子銃のプリフオ
ーカスレンズ生成部における動作を説明するため
の断面図、第３図は同装置の軸上電位とその二次
微分とを、軸方向距離を関数として示した電位分
布図、第４図は本発明の受像管装置のプリフオー
カスレンズ生成部における動作を説明するための
断面図、第５図は同装置の軸上電位とその二次微
分とを、軸方向距離を関数として示した電位分布
図である。
態様を示す断面図、第２図は同電子銃のプリフオ
ーカスレンズ生成部における動作を説明するため
の断面図、第３図は同装置の軸上電位とその二次
微分とを、軸方向距離を関数として示した電位分
布図、第４図は本発明の受像管装置のプリフオー
カスレンズ生成部における動作を説明するための
断面図、第５図は同装置の軸上電位とその二次微
分とを、軸方向距離を関数として示した電位分布
図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第２グリツドと第３グリツドとが向き合う領
域において、軸上電位の一次微分（軸上電界）の
最大値が５×104〜５×105V／cmの範囲にあり、
かつ、陰極の電子放射面から軸上電位二次微分の
極大値にいたる軸上距離をZ1、前記電子放射面か
ら軸上電位二次微分の極小値にいたる軸上距離を
Z2とし、第１グリツドの電子ビーム通過孔径を
D1とするとき、 1.0D1≦Z1≦2.0D1 0.5D1≦Z2−Z1≦1.2D1 となる電極構成となしたことを特徴とする受像管
装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58023447A JPS59148242A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 受像管装置 |
| US06/579,504 US4542320A (en) | 1983-02-14 | 1984-02-13 | Cathode ray tube |
| EP84101452A EP0117475B1 (en) | 1983-02-14 | 1984-02-13 | Cathode ray tube |
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