JPS6025140A - 陰極線管装置 - Google Patents
陰極線管装置Info
- Publication number
- JPS6025140A JPS6025140A JP13317183A JP13317183A JPS6025140A JP S6025140 A JPS6025140 A JP S6025140A JP 13317183 A JP13317183 A JP 13317183A JP 13317183 A JP13317183 A JP 13317183A JP S6025140 A JPS6025140 A JP S6025140A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- cathode
- electron
- main lens
- trimming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/488—Schematic arrangements of the electrodes for beam forming; Place and form of the elecrodes
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、グラフィク表示や漢字表示などに適した高解
像度の陰極線管装置に関する。
像度の陰極線管装置に関する。
従来例の構成とその問題点
グラフィク表示や漢字表示などに用いられる陰極線管装
置に対しては、とくに高い解像度が要求される。しかし
、解像度を高めるために陽極電圧を高めたり電子銃径を
大きく設定したりすると、Ｘ線輻射や偏向電力が増すの
みならずコスト高を招く。
置に対しては、とくに高い解像度が要求される。しかし
、解像度を高めるために陽極電圧を高めたり電子銃径を
大きく設定したりすると、Ｘ線輻射や偏向電力が増すの
みならずコスト高を招く。
特開昭５７−３０２４７号公報に開示されている陰極線
管装置では、プリフォーカスレンズ付近で−Ｈクロスオ
ーバしてメインレンズへ向う電子ビームを再度クロスオ
−バさせる２回交差方式を採ることにより、メインレン
ズでの球面収差を少なくして高い解像度を得ている。し
かし、銃軸と２回交差するのは電子ビームの外殻を形成
する外側電子ビーム部分（外周面部分）だけであるから
、高い解像度がイ４Ｉられるのは高輝度となる大ビーム
電流域に限られ、低輝度となる小ビーム電流域での解像
度は改善されず、むしろ悪化する。
管装置では、プリフォーカスレンズ付近で−Ｈクロスオ
ーバしてメインレンズへ向う電子ビームを再度クロスオ
−バさせる２回交差方式を採ることにより、メインレン
ズでの球面収差を少なくして高い解像度を得ている。し
かし、銃軸と２回交差するのは電子ビームの外殻を形成
する外側電子ビーム部分（外周面部分）だけであるから
、高い解像度がイ４Ｉられるのは高輝度となる大ビーム
電流域に限られ、低輝度となる小ビーム電流域での解像
度は改善されず、むしろ悪化する。
発明の目的
本発明は、前述のよう々２２回交差方を採用しながら小
ビーム電流域においても高い解像度が得られる陰極線管
装置を提供するものである。
ビーム電流域においても高い解像度が得られる陰極線管
装置を提供するものである。
発明の構成
３ パ
本発明においては、前置三極部とメインレンズ生成用電
極との間に、Ｇ２電極電位よりも低くかつ偏向量に応じ
て変化する電位が与えられるＧ２ｓ電極を設け、陰極の
電子放射面から放射される電子の大部分を銃軸と２回交
差させるとともに、集束された電子ビームの外周面部分
をトリミング電極により切除するのであり、その詳細を
以下図面に示した実施例とともに説明する。
極との間に、Ｇ２電極電位よりも低くかつ偏向量に応じ
て変化する電位が与えられるＧ２ｓ電極を設け、陰極の
電子放射面から放射される電子の大部分を銃軸と２回交
差させるとともに、集束された電子ビームの外周面部分
をトリミング電極により切除するのであり、その詳細を
以下図面に示した実施例とともに説明する。
実施例の説明
第１図において電子銃１は、電子放射面２を有する陰極
３、制御電極としての６１電極４、遮蔽電極としての０
２電極６、補助遮蔽電極としてのＧ２ｓ電極６、第１陽
極としての０３電極７、集束電極としての０４電極８お
よび第２陽極としてのＧ 電極９を備え、Ｇ５電極９は
その内側にトリミンク電極１０を有している。Ｇ１電極
４、Ｇ２電極５およびＧ２８電極６の各主面に設けられ
た電子ビーム通過孔１１．１２．１３の直径はすべて０
．４１ｎＴｎφで、Ｇ１電極４の主面の板厚は０Ｄ６５
箇、Ｇ２電極６の主面の板厚は０．２５ｗｎ１Ｇ２ｓ電
極特開昭ＧＯ−２５１４０（２） ６の主面の板厚はＯ−２ｍｍ 、 Ｇ４電極８の内径は
８゜７咽φ、電子放射面２とＧ１電極４との間隔は０．
０７ ｔｒａｎ 、Ｇ１電極４とＧ２電極５との実効的
間隔はＱ、４３ ｍｍ 、 Ｇ２電極５とＧ２ｓ電極６
との間隔は０．４岨、Ｇ２８電極６とＧ３電極７との間
隔は３．２咽、トリミング電極１０のトリミング用孔１
４の直径は０．８＋ｎｍφである。捷だ、陰極３の電子
放射面２とメインレンズ中心との間隔Ｚｋは１７．２７
ｍｍで、メインレンズ中心と螢光体スクリーン面との間
隔Ｚｓは２１３．４肺である。Ｇ２ｓ電極６には、Ｇ２
電極６に対する電圧ｖ９２」：りも低くかつ第２図の（
ａ） 、 ｆｂ）に示すよう々垂直偏向量または水平偏
向量に応じて変化するダイナミック電圧■ｇ２８がＪ５
えられ、電子は第３図に曲線で示す軌道内を走行する。
３、制御電極としての６１電極４、遮蔽電極としての０
２電極６、補助遮蔽電極としてのＧ２ｓ電極６、第１陽
極としての０３電極７、集束電極としての０４電極８お
よび第２陽極としてのＧ 電極９を備え、Ｇ５電極９は
その内側にトリミンク電極１０を有している。Ｇ１電極
４、Ｇ２電極５およびＧ２８電極６の各主面に設けられ
た電子ビーム通過孔１１．１２．１３の直径はすべて０
．４１ｎＴｎφで、Ｇ１電極４の主面の板厚は０Ｄ６５
箇、Ｇ２電極６の主面の板厚は０．２５ｗｎ１Ｇ２ｓ電
極特開昭ＧＯ−２５１４０（２） ６の主面の板厚はＯ−２ｍｍ 、 Ｇ４電極８の内径は
８゜７咽φ、電子放射面２とＧ１電極４との間隔は０．
０７ ｔｒａｎ 、Ｇ１電極４とＧ２電極５との実効的
間隔はＱ、４３ ｍｍ 、 Ｇ２電極５とＧ２ｓ電極６
との間隔は０．４岨、Ｇ２８電極６とＧ３電極７との間
隔は３．２咽、トリミング電極１０のトリミング用孔１
４の直径は０．８＋ｎｍφである。捷だ、陰極３の電子
放射面２とメインレンズ中心との間隔Ｚｋは１７．２７
ｍｍで、メインレンズ中心と螢光体スクリーン面との間
隔Ｚｓは２１３．４肺である。Ｇ２ｓ電極６には、Ｇ２
電極６に対する電圧ｖ９２」：りも低くかつ第２図の（
ａ） 、 ｆｂ）に示すよう々垂直偏向量または水平偏
向量に応じて変化するダイナミック電圧■ｇ２８がＪ５
えられ、電子は第３図に曲線で示す軌道内を走行する。
３
このように構成された陰極線管装置は、従来構成の陰極
線管装置に比べて解像度を約２５％向上させ得るのであ
り、つぎにこの点を位相図により説明する。
線管装置に比べて解像度を約２５％向上させ得るのであ
り、つぎにこの点を位相図により説明する。
位相図は、電子ビームの状態を把握するのに便５ベー】
利な手法で、これにエミツタンスとアクセプタンスとが
ある。前者は陰極からメインレンズへ向かう回転軸対称
電子ビームの状態を把握するのに適しており、後者はメ
インレンズの性能を把握するのに適している。また、内
位相図を重ね合わせて整合をとると、ビームスポット（
輝点）のサイズを推定することができる。
ある。前者は陰極からメインレンズへ向かう回転軸対称
電子ビームの状態を把握するのに適しており、後者はメ
インレンズの性能を把握するのに適している。また、内
位相図を重ね合わせて整合をとると、ビームスポット（
輝点）のサイズを推定することができる。
かかる位相図の適用例を本発明の説明に先きだって説明
しておくと、第４図に示すように陰極の電子放射面２上
の等分割点ｉから放射されて軌道１５を通る電子は、銃
軸Ｚと１回だけ交差してメインレンズ１６へ向う。そし
てその仮想放射点１了は、メインレンズ１６に入る直前
の軌道部分を直線的に戻した延長線１８と銃軸Ｚとの交
点にある。
しておくと、第４図に示すように陰極の電子放射面２上
の等分割点ｉから放射されて軌道１５を通る電子は、銃
軸Ｚと１回だけ交差してメインレンズ１６へ向う。そし
てその仮想放射点１了は、メインレンズ１６に入る直前
の軌道部分を直線的に戻した延長線１８と銃軸Ｚとの交
点にある。
延長線１日と電子放射面２とが交わる位置での離軸距離
ｒと、延長線１８の傾斜角度ｆＴ （ｒｌ −ｄ ｒ／
ｄ ｚ ）とを、多数の等分割点につきプロットシてい
くと、第６図に示すようなエミツタンス図が得られる。
ｒと、延長線１８の傾斜角度ｆＴ （ｒｌ −ｄ ｒ／
ｄ ｚ ）とを、多数の等分割点につきプロットシてい
くと、第６図に示すようなエミツタンス図が得られる。
なお、１９は螢光体スクリーン面、ρはスクリーン面上
の球面収差を示す。
の球面収差を示す。
６、・ ７・
第６図はアクセプタンス図で、あるメインレンズ位置と
スクリーン面位置とが与えられたとき、メインレンズに
入射する電子ビームによりスクリーン面上の球面収差ρ
が定まる。電子放射面上における離軸距１１１１１ ｒ
と煩多１角度ｒνとを変化させて球面収差ρを軌道計算
１〜、たとえばρ＝ ０．５ ｍｍ一定となるｒ値とｒ
ｌ値との組合せを多数求める。そしてこの紹合せを第６
図図示のようにρ＝ ＋０．５ｍｍの等高純として表わ
すとともにρ”’ −０，５＋ｌｌ’ｌＨの条件で等高
純をめるのであり、このようにしてρ＝一定の線を描い
た図がアクセプタンスである。
スクリーン面位置とが与えられたとき、メインレンズに
入射する電子ビームによりスクリーン面上の球面収差ρ
が定まる。電子放射面上における離軸距１１１１１ ｒ
と煩多１角度ｒνとを変化させて球面収差ρを軌道計算
１〜、たとえばρ＝ ０．５ ｍｍ一定となるｒ値とｒ
ｌ値との組合せを多数求める。そしてこの紹合せを第６
図図示のようにρ＝ ＋０．５ｍｍの等高純として表わ
すとともにρ”’ −０，５＋ｌｌ’ｌＨの条件で等高
純をめるのであり、このようにしてρ＝一定の線を描い
た図がアクセプタンスである。
つぎに、エミツタンスとアクセプタンスとを重ね合わせ
て整合をとるのであるが、エミツタンスのすべてがρ＝
十〇、６喘のアクセプタンスの範囲に入るとき、ビーム
スポットの直径は１．Ｏａφと推定される。同様に、ρ
＝±１．０Ｗｎｎのアクセプタンスの範囲に入るときの
ビームスポットの直径は２ｍｍφと推定される。。
て整合をとるのであるが、エミツタンスのすべてがρ＝
十〇、６喘のアクセプタンスの範囲に入るとき、ビーム
スポットの直径は１．Ｏａφと推定される。同様に、ρ
＝±１．０Ｗｎｎのアクセプタンスの範囲に入るときの
ビームスポットの直径は２ｍｍφと推定される。。
第７図の（ａ）に示すようにエミツタンスがρの正領域
に偏在するとビーノ、スポットが異常に大きく７ 〕 なってしまう。これは集束電圧が高すぎてメインレンズ
作用が弱いことを意味する。逆に、第７図の（ｂ）に示
すようにエミツタンスがρの負領域に偏在するときは集
束電圧が低すぎることを意味する。
に偏在するとビーノ、スポットが異常に大きく７ 〕 なってしまう。これは集束電圧が高すぎてメインレンズ
作用が弱いことを意味する。逆に、第７図の（ｂ）に示
すようにエミツタンスがρの負領域に偏在するときは集
束電圧が低すぎることを意味する。
そして最適集束状態では第７図の（Ｃ）に示すようにエ
ミツタンスがρの正領域と負領域とのほぼ中間に位置す
る。したがって、集束電圧が異なる多種のアクセプタン
ス図を用意しておき、最も良く合うアクセプタンス図を
選んで整合をとると、最適の集束電圧と、そのときのビ
ームスポット径とを推定することができる。
ミツタンスがρの正領域と負領域とのほぼ中間に位置す
る。したがって、集束電圧が異なる多種のアクセプタン
ス図を用意しておき、最も良く合うアクセプタンス図を
選んで整合をとると、最適の集束電圧と、そのときのビ
ームスポット径とを推定することができる。
第８図は第１図ないし第３図に示しかつ説明した本発明
実施の陰極線管装置につき軌道計算をして描いたエミツ
タンス図で、ａ 、 ａｌはトリミング電極のトリミン
グ用孔を示す。この陰極線管装置では、陰極３の電子放
射面２から放射された電子のほとんどすべて（電子放射
面の中央部から放射される電子を除く）が、銃軸Ｚと２
回交差する軌道を通るため、離軸距離ｒが正値のとき角
度ｒ１はすべて負値となり、離軸距離ｒが負値のとき角
度ｒＩけずべて正値と庁るのであり、これは第６図に示
した従来の一般的な電子銃使用装置のエミツタンス図と
大きく異なる。
実施の陰極線管装置につき軌道計算をして描いたエミツ
タンス図で、ａ 、 ａｌはトリミング電極のトリミン
グ用孔を示す。この陰極線管装置では、陰極３の電子放
射面２から放射された電子のほとんどすべて（電子放射
面の中央部から放射される電子を除く）が、銃軸Ｚと２
回交差する軌道を通るため、離軸距離ｒが正値のとき角
度ｒ１はすべて負値となり、離軸距離ｒが負値のとき角
度ｒＩけずべて正値と庁るのであり、これは第６図に示
した従来の一般的な電子銃使用装置のエミツタンス図と
大きく異なる。
また、ｏ、ｓｇφのトリミング用孔を有するトリミング
電極１０を設けているので、ｒｔ≧０．０４の電子ビー
ム部分（外周面部分）が１− ’Ｊ ミング電極１ｏに
より切除され、メインレンズからスクリーン面へ向う有
効電子ビームｄ、全陰極電流工にの約６４％（＝ビーム
透過率）となる。したがって、陰極電流Ｉｋとしては従
来のパイポテンシャル型電子銃使用装置の５０μＡの２
倍に相当する１００μＡとしてめている。
電極１０を設けているので、ｒｔ≧０．０４の電子ビー
ム部分（外周面部分）が１− ’Ｊ ミング電極１ｏに
より切除され、メインレンズからスクリーン面へ向う有
効電子ビームｄ、全陰極電流工にの約６４％（＝ビーム
透過率）となる。したがって、陰極電流Ｉｋとしては従
来のパイポテンシャル型電子銃使用装置の５０μＡの２
倍に相当する１００μＡとしてめている。
第９図は７ｇ２６を変化さぜた場合のエミツタンス図で
ある。Ｖｇ２８が低いと電子ビームの発散角が大きくな
り、トリミング電極を通過する電イビームの透過率が低
くなるので、７ｇ２８はできるだけ高い方が」：い１、
しかし、Ｚｋ＝ １７．２７ｍｍにおいてビームスポッ
ト径を最小ならしめ得る■９２８値は１００〜１５０■
であるので、ここでは７ｇ２６−１５０Ｖ（偏向１ｉ・
０において）と設定している。
ある。Ｖｇ２８が低いと電子ビームの発散角が大きくな
り、トリミング電極を通過する電イビームの透過率が低
くなるので、７ｇ２８はできるだけ高い方が」：い１、
しかし、Ｚｋ＝ １７．２７ｍｍにおいてビームスポッ
ト径を最小ならしめ得る■９２８値は１００〜１５０■
であるので、ここでは７ｇ２６−１５０Ｖ（偏向１ｉ・
０において）と設定している。
９べ一；′
第１０図は７ｇ２８−１５Ｑ■におけるエミツタンスと
アクセプタンスとを整合した図で、トリミング電極によ
って規正されたエミツタンスはρ＝±０．１７５のアク
セプタンスの範囲内に納まり、７ｇ２８＝１５０■の条
件下でビームスポットの直径はｏ、３１５ｗ１φとなり
、非常に高い解像度が得られる。
アクセプタンスとを整合した図で、トリミング電極によ
って規正されたエミツタンスはρ＝±０．１７５のアク
セプタンスの範囲内に納まり、７ｇ２８＝１５０■の条
件下でビームスポットの直径はｏ、３１５ｗ１φとなり
、非常に高い解像度が得られる。
なお、電子放射面から放射された電子のうちの大部分が
銃軸と１回しか交差しない従来構成では、銃軸に平行に
走行する電子が多く、これはエミツタンス図においてｒ
が０でない値をとるときにｒＩ−〇となることを意味す
る。つまり、エミツタンスが０点以下でｒ軸を横切るこ
とになる。第７図のアクセプタンス図をみても判るよう
に、たとえ集束電圧を変化させてもρ−±０．２５胴の
曲線がｒ軸を横切る地点はほとんど変化しない。したが
って、エミツタンスが０点以外でｒ軸を横切るような条
件下では、エミツタンスをρ＝±ｏ、２５ｍｍの範囲内
に納め難く、径小のビームスポットを得難い。そこで本
発明では前述のように、電子数１０ 〆 射面から放射され／こ電子のほとんどすべてを銃軸と２
回文差さぜる。寸／乙第９図に示した７ｇ２−６００Ｖ
のエミツタンス図から判るように、■ｑ２８がｖｑ２に
近いと銃軸に平行して走行する電子の一計が増えるので
、７ｇ２８は７ｇ２よりも低い値に設定する。さらに本
発明ではトリミング電極を設け、メインレンズからスク
リーン面へ向う電子ビームの外周面部分を切除するので
あるが、も１−も従来構成のものにおいて本発明と同様
のトリミングを行なうと、第７図の（ｃ）から判るよう
に電子ビームはｆＴ値の大きい方から切除されるので、
ビームスポットの中火部に集捷るべき電子が切除されて
しまう結果となり、ビームスポット径は不変で、輝度分
布が悪化する。
銃軸と１回しか交差しない従来構成では、銃軸に平行に
走行する電子が多く、これはエミツタンス図においてｒ
が０でない値をとるときにｒＩ−〇となることを意味す
る。つまり、エミツタンスが０点以下でｒ軸を横切るこ
とになる。第７図のアクセプタンス図をみても判るよう
に、たとえ集束電圧を変化させてもρ−±０．２５胴の
曲線がｒ軸を横切る地点はほとんど変化しない。したが
って、エミツタンスが０点以外でｒ軸を横切るような条
件下では、エミツタンスをρ＝±ｏ、２５ｍｍの範囲内
に納め難く、径小のビームスポットを得難い。そこで本
発明では前述のように、電子数１０ 〆 射面から放射され／こ電子のほとんどすべてを銃軸と２
回文差さぜる。寸／乙第９図に示した７ｇ２−６００Ｖ
のエミツタンス図から判るように、■ｑ２８がｖｑ２に
近いと銃軸に平行して走行する電子の一計が増えるので
、７ｇ２８は７ｇ２よりも低い値に設定する。さらに本
発明ではトリミング電極を設け、メインレンズからスク
リーン面へ向う電子ビームの外周面部分を切除するので
あるが、も１−も従来構成のものにおいて本発明と同様
のトリミングを行なうと、第７図の（ｃ）から判るよう
に電子ビームはｆＴ値の大きい方から切除されるので、
ビームスポットの中火部に集捷るべき電子が切除されて
しまう結果となり、ビームスポット径は不変で、輝度分
布が悪化する。
なお、以−には本発明をユニポテンシャル型電子銃構成
のものに適用した実施例につきのべたが、本発明附、パ
イポテンシャル型等の電子銃構成のものにも同様に適用
でき、その場合、Ｇ２電極は加速電極として、寸だ、Ｇ
２ｓ電極は補助加速電極としてそれぞれ動作する。
のものに適用した実施例につきのべたが、本発明附、パ
イポテンシャル型等の電子銃構成のものにも同様に適用
でき、その場合、Ｇ２電極は加速電極として、寸だ、Ｇ
２ｓ電極は補助加速電極としてそれぞれ動作する。
１１１、−・
発明の効果
本発明の陰極線管装置は前述のように構成されるので、
大ビーム電流域および小ビーム電流域の別を問わす径小
のビームスポットが得られ、良好な解像度特性を示す。
大ビーム電流域および小ビーム電流域の別を問わす径小
のビームスポットが得られ、良好な解像度特性を示す。
また、Ｇ２ｓ電極に対する電圧を偏向量に応じて変化さ
せるときの変化量が高だか約３５Ｖと低いので、回路構
成があまり複雑にならないという利点がある。
せるときの変化量が高だか約３５Ｖと低いので、回路構
成があまり複雑にならないという利点がある。
第１図は本発明を実施した陰極線管装置の電子銃部の断
面図、第２図の（ａ） 、 （ｂ）は同電子銃のＧ２８
電極に対する印加電圧の波形図、第３図は同電子銃部に
おける電子ビームの状態を示す断面図、第４図は従来の
陰極線管装置における電子ビームの軌道を例示する図、
第５図は第４図の電子ビームのエミツタンス図、第６図
は同装置のアクセプタンス図、第７図の（ａ） 、 （
ｂ） 、 （ｃ＋）はエミツタンスとアクセプタンスと
の整合図、第８図ないし第１ｏ図は本発明を実施した装
置のエミツタンス図、アクセプタンス図および両者の整
合図である。 ３・・・・・陰極、４・・・・・Ｇ１電極、６・・・・
・・Ｇ２電極、６・・・・・・”２ｓ電極、１ｏ・・・
・・・トリミング電極、１６・・・・・・メインレンズ
、１９・・・・・・螢光体スクリーン面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第４
図 第６図 ア□＋ｆ、ｏｍｍ 綜 ２０９− 第８図 第９図
面図、第２図の（ａ） 、 （ｂ）は同電子銃のＧ２８
電極に対する印加電圧の波形図、第３図は同電子銃部に
おける電子ビームの状態を示す断面図、第４図は従来の
陰極線管装置における電子ビームの軌道を例示する図、
第５図は第４図の電子ビームのエミツタンス図、第６図
は同装置のアクセプタンス図、第７図の（ａ） 、 （
ｂ） 、 （ｃ＋）はエミツタンスとアクセプタンスと
の整合図、第８図ないし第１ｏ図は本発明を実施した装
置のエミツタンス図、アクセプタンス図および両者の整
合図である。 ３・・・・・陰極、４・・・・・Ｇ１電極、６・・・・
・・Ｇ２電極、６・・・・・・”２ｓ電極、１ｏ・・・
・・・トリミング電極、１６・・・・・・メインレンズ
、１９・・・・・・螢光体スクリーン面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第４
図 第６図 ア□＋ｆ、ｏｍｍ 綜 ２０９− 第８図 第９図
Claims (1)
- 陰極、Ｇ１電極お」：びＧ２電極からなる前置三極部と
メインレンズ生成用電極との間に、Ｇ２電極電位よりも
低くかつ偏向量に応じて変化する電位が与えられる０２
ｓ電極を設け、陰極から放射されてメインレンズへ向う
電子の大部分を銃軸と２回交差させる一方、メインレン
ズから螢光体スクリーン面へ向う電子ビームの外周面部
分をトリミング電極によシ切除せしめることを特徴とす
る陰極線管装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13317183A JPS6025140A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | 陰極線管装置 |
| US06/592,008 US4591760A (en) | 1983-03-25 | 1984-03-21 | Cathode ray tube apparatus |
| DE8484103188T DE3480144D1 (en) | 1983-03-25 | 1984-03-22 | Cathode ray tube apparatus |
| EP84103188A EP0120478B1 (en) | 1983-03-25 | 1984-03-22 | Cathode ray tube apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13317183A JPS6025140A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | 陰極線管装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6025140A true JPS6025140A (ja) | 1985-02-07 |
| JPH0129298B2 JPH0129298B2 (ja) | 1989-06-09 |
Family
ID=15098334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13317183A Granted JPS6025140A (ja) | 1983-03-25 | 1983-07-20 | 陰極線管装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025140A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4954685A (en) * | 1987-07-31 | 1990-09-04 | Tokyo Electron Limited | Heating furnace for semiconductor wafers |
| KR100751306B1 (ko) * | 2001-01-02 | 2007-08-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 컬러 음극선관용 전자총 |
-
1983
- 1983-07-20 JP JP13317183A patent/JPS6025140A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4954685A (en) * | 1987-07-31 | 1990-09-04 | Tokyo Electron Limited | Heating furnace for semiconductor wafers |
| KR100751306B1 (ko) * | 2001-01-02 | 2007-08-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 컬러 음극선관용 전자총 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0129298B2 (ja) | 1989-06-09 |
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