JPS6250470A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS6250470A JPS6250470A JP19136385A JP19136385A JPS6250470A JP S6250470 A JPS6250470 A JP S6250470A JP 19136385 A JP19136385 A JP 19136385A JP 19136385 A JP19136385 A JP 19136385A JP S6250470 A JPS6250470 A JP S6250470A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- parallel plate
- substrate
- plate electrode
- plasma cvd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「技術分野」
本発明は、薄膜材料を反応ガスとして反応容器内に供給
し、これをプラズマ化させて基板上に付着させるプラズ
マＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）装置に関する。
し、これをプラズマ化させて基板上に付着させるプラズ
マＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）装置に関する。
「従来技術およびその問題点」
プラズマＣＶ Ｄ ！Ｓ 置は、プラズマエネルギによ
り反応カスを分解して活性度の高い粒子を作り、この粒
子間の反応により膜を形成するもので、各種のタイプが
知られている。第４図は本発明の対象とする容縫誘電型
のプラズマＣＶＤ装置の概念図である６反応容器１１に
は１反応ガス１２の導入管１３と排出管１４が開口し、
その内部には、平行平板電極１５．１６が配設されてい
る。この平行平板電極１５．１６間には、外部の高周波
電源１７およびマツチングボックス１８を介して高周波
が与えられる。この反応容器１１内には、ざらにヒータ
１９が配設され、このヒータ１９によって、反応容器１
１内に入れた基板２０が加熱される。
り反応カスを分解して活性度の高い粒子を作り、この粒
子間の反応により膜を形成するもので、各種のタイプが
知られている。第４図は本発明の対象とする容縫誘電型
のプラズマＣＶＤ装置の概念図である６反応容器１１に
は１反応ガス１２の導入管１３と排出管１４が開口し、
その内部には、平行平板電極１５．１６が配設されてい
る。この平行平板電極１５．１６間には、外部の高周波
電源１７およびマツチングボックス１８を介して高周波
が与えられる。この反応容器１１内には、ざらにヒータ
１９が配設され、このヒータ１９によって、反応容器１
１内に入れた基板２０が加熱される。
この装置は、反応容器１１内の平行平板電極１５．１６
間に適当な支持手段で基板２０を支持し、ヒータ１９に
よってこれを加熱し、同時にモ行Ｗ＆電極１５．１６間
に高周波電源１７およびマ、チングボ、クス１８を介し
て高周波′電圧を加え、反応ガス１２を反応容器１１内
に導入して使用される。平行平板電極１５．１６間に高
周波電圧が加わると、高周波域により反応ガスが加熱さ
れ、その分子が電着してプラズマ化し、このプラズマ化
した粒子が、ヒータ１９で加熱されている基板２０上に
付着して薄膜が形成される。
間に適当な支持手段で基板２０を支持し、ヒータ１９に
よってこれを加熱し、同時にモ行Ｗ＆電極１５．１６間
に高周波電源１７およびマ、チングボ、クス１８を介し
て高周波′電圧を加え、反応ガス１２を反応容器１１内
に導入して使用される。平行平板電極１５．１６間に高
周波電圧が加わると、高周波域により反応ガスが加熱さ
れ、その分子が電着してプラズマ化し、このプラズマ化
した粒子が、ヒータ１９で加熱されている基板２０上に
付着して薄膜が形成される。
ところが従来のこのプラズマＣＶＤ装置は、基板２０を
ｉａ当な支持手段を介して平行平板電極１５．１６の中
間に位置させ、これを平行平板電極の外に位置させたヒ
ータ１９によって加熱しているため、熱効率が悪いとい
う問題があった。またヒータが平行平板電極１５．１６
とは別個に設けられているため、小型化が難しい。
ｉａ当な支持手段を介して平行平板電極１５．１６の中
間に位置させ、これを平行平板電極の外に位置させたヒ
ータ１９によって加熱しているため、熱効率が悪いとい
う問題があった。またヒータが平行平板電極１５．１６
とは別個に設けられているため、小型化が難しい。
「発明の目的」
本発明は、従来のプラズマＣＶＤ装置についてのこの問
罪点を解消し、ヒータによる基板加熱の熱効率がよく、
しかも小型化のできる装置を得ることを［’ｌ的とする
。
罪点を解消し、ヒータによる基板加熱の熱効率がよく、
しかも小型化のできる装置を得ることを［’ｌ的とする
。
「発明の概實」
本発明は、従来別個に設げられていたヒータとモ行モ板
′屯極とを一体化して、熱効率の向上および装置の小型
化を図るという発想に基づいてな、Ｆれたもので、平行
Ｗ板電極の一方を直接ヒータにより加熱し、これの−１
−に直接基板をａ置するようにしたことを特徴としてい
る。ヒータは交流ヒータ、直流ヒータのいずれも使用す
ることが回部であるが、直流ヒータを使用すると、これ
に流れる電流が高周波電界に対する悪影響を与えること
がなく、したがってプラ、ズマが不安定になることがな
いので好ましい。
′屯極とを一体化して、熱効率の向上および装置の小型
化を図るという発想に基づいてな、Ｆれたもので、平行
Ｗ板電極の一方を直接ヒータにより加熱し、これの−１
−に直接基板をａ置するようにしたことを特徴としてい
る。ヒータは交流ヒータ、直流ヒータのいずれも使用す
ることが回部であるが、直流ヒータを使用すると、これ
に流れる電流が高周波電界に対する悪影響を与えること
がなく、したがってプラ、ズマが不安定になることがな
いので好ましい。
「発明の実施例」
以下図示実施例について本発明を説明する。第１図、第
２図は本発明のプラズマＣＶＤ装置の実施例を示すもの
で、３０は直流電源３１から給電される直流ヒータで、
その加熱板３２は、下方の平行平板電極１５と一体にさ
れている。あるいはＷ行事板電極１５が直流ヒータ３０
の加熱板３２を兼ねる。直流ヒータ３０は、例えば電気
ポット・に使用されるような小型のセラミックヒータを
用いることができる。基板２０は、この平行平板電極１
５−Ｌに直接・数置される。この他の部分は第２図の従
来装置と同一であり、同一部分には同一の符−リを付し
ている。
２図は本発明のプラズマＣＶＤ装置の実施例を示すもの
で、３０は直流電源３１から給電される直流ヒータで、
その加熱板３２は、下方の平行平板電極１５と一体にさ
れている。あるいはＷ行事板電極１５が直流ヒータ３０
の加熱板３２を兼ねる。直流ヒータ３０は、例えば電気
ポット・に使用されるような小型のセラミックヒータを
用いることができる。基板２０は、この平行平板電極１
５−Ｌに直接・数置される。この他の部分は第２図の従
来装置と同一であり、同一部分には同一の符−リを付し
ている。
Ｌ記構成の本装置は、平行平板型Ｊ４１５上に基板２０
を直接載置し、直流ヒータ３０に直流電源３１から通電
してこれを加熱する。そして従来装置と同様に反応カス
１２を反応容器ｌｌ内に導入し、高周波電源１７および
マー、チングボックス１８を介して平行平板電極１５．
１６間に高周波電圧を印加する。すると、基本的には従
来装置と同一の動作原理により、基板２０上に、反応ガ
スがプラズマ化して形成された粒子が付着し、薄膜が形
成される。
を直接載置し、直流ヒータ３０に直流電源３１から通電
してこれを加熱する。そして従来装置と同様に反応カス
１２を反応容器ｌｌ内に導入し、高周波電源１７および
マー、チングボックス１８を介して平行平板電極１５．
１６間に高周波電圧を印加する。すると、基本的には従
来装置と同一の動作原理により、基板２０上に、反応ガ
スがプラズマ化して形成された粒子が付着し、薄膜が形
成される。
そして本発明においては、直流ヒータ３０の加熱板３２
が平行平板電極１５と一体にされ、この上に直接基板２
０を載置しているため、基板２０を熱効率よく加熱でき
、また加熱板３２と平行平板電極１５とが一体化されて
いるために、装置の小η）化ができる。
が平行平板電極１５と一体にされ、この上に直接基板２
０を載置しているため、基板２０を熱効率よく加熱でき
、また加熱板３２と平行平板電極１５とが一体化されて
いるために、装置の小η）化ができる。
第３図は、ヒータとして交流ヒータ３３を用いた実施例
で、この交流ヒータ３３は、反応容器１１の外部から内
部に通ずるヒータ通路３４内に配設されている。ヒータ
通路３４内は外気に通じ、この中には雲母等の適名な絶
縁材料３５が挿入されている。このヒータ通路３４およ
び絶縁材料３５は文論ヒータ３３に流れる交流が、モ行
平板゛市極１５．１６間に生じる高周波゛電界に悪影響
を′Ｌえないように、交流ヒータ３３を反応容器１１内
と絶縁するためのものである。そしてこの交流ヒータ３
３の加熱板３６は、下方の平行平板電極１５と一体にさ
れている。
で、この交流ヒータ３３は、反応容器１１の外部から内
部に通ずるヒータ通路３４内に配設されている。ヒータ
通路３４内は外気に通じ、この中には雲母等の適名な絶
縁材料３５が挿入されている。このヒータ通路３４およ
び絶縁材料３５は文論ヒータ３３に流れる交流が、モ行
平板゛市極１５．１６間に生じる高周波゛電界に悪影響
を′Ｌえないように、交流ヒータ３３を反応容器１１内
と絶縁するためのものである。そしてこの交流ヒータ３
３の加熱板３６は、下方の平行平板電極１５と一体にさ
れている。
この実施例においても、第一の実施例と同様に熱効率を
高めることができる。しかし交流ヒータ３３は、高周波
電界に対する７四影響を除くために、ヒータ通路３４お
よび絶縁材料３５を必要とする。したがって直流ヒータ
３０を用いる方がより好ましい。
高めることができる。しかし交流ヒータ３３は、高周波
電界に対する７四影響を除くために、ヒータ通路３４お
よび絶縁材料３５を必要とする。したがって直流ヒータ
３０を用いる方がより好ましい。
「発明の効果」
以りのように未発明のプラズマＣＶＤ装置は、反応容器
内において基板を加熱するヒータと、高層波電圧を印加
される平行平板電極とを一体化し、この上に直接基板を
載置するようにしたので、効率よく基板を加熱できると
ともに、装置の小型化を図ることができる。特にヒータ
として直流ヒータを用いると、高周波電界に対する悪影
響が除かれるので好ましい。
内において基板を加熱するヒータと、高層波電圧を印加
される平行平板電極とを一体化し、この上に直接基板を
載置するようにしたので、効率よく基板を加熱できると
ともに、装置の小型化を図ることができる。特にヒータ
として直流ヒータを用いると、高周波電界に対する悪影
響が除かれるので好ましい。
第１図は本発明のプラズマＣＶＤ装置の実施例を示す概
念図、第２図は同要部の拡大断面図、第３図は本発明の
他の実施例を示す要部の概念図、第４図は同従来装置の
概念図である。 １１・・・反応容器、１２・・・反応ガス、１５．１６
・・・平行平板電極、１７・・・高周波電源、１８・・
・マツチングボックス、２０・・・基板、３０・・・直
流ヒータ、３２．３６・・・加熱板、３３・・・交流ヒ
ータ、３４・・・ヒータ通路、３５・・・絶縁材料。
念図、第２図は同要部の拡大断面図、第３図は本発明の
他の実施例を示す要部の概念図、第４図は同従来装置の
概念図である。 １１・・・反応容器、１２・・・反応ガス、１５．１６
・・・平行平板電極、１７・・・高周波電源、１８・・
・マツチングボックス、２０・・・基板、３０・・・直
流ヒータ、３２．３６・・・加熱板、３３・・・交流ヒ
ータ、３４・・・ヒータ通路、３５・・・絶縁材料。
Claims (2)
- （１）反応容器内に、高周波電圧を印加する平行平板電
極と、この平行平板電極間に位置させる基板を加熱する
ヒータとを配設し、上記反応容器内に供給する反応ガス
を上記平行平板電極に加える高周波電圧によりプラズマ
化し、これを上記ヒータで加熱される基板上に薄膜とし
て付着させるプラズマＣＶＤ装置において、上記ヒータ
と平行平板電極とを一体化し、この平行平板電極上に直
接基板を載置するようにしたことを特徴とするプラズマ
ＣＶＤ装置。 - （２）特許請求の範囲第１項において、ヒータは直流ヒ
ータであるプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19136385A JPS6250470A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19136385A JPS6250470A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6250470A true JPS6250470A (ja) | 1987-03-05 |
Family
ID=16273330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19136385A Pending JPS6250470A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6250470A (ja) |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP19136385A patent/JPS6250470A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6250470A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2527150B2 (ja) | マイクロ波熱プラズマ・ト―チ | |
| JPH08162288A (ja) | 高周波プラズマ装置 | |
| JPS6250471A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2701242B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置用電極構造 | |
| JPH051072Y2 (ja) | ||
| JPH03228321A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS583635A (ja) | プラズマ中化学気相成長装置 | |
| JPS635526A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPS6138913Y2 (ja) | ||
| JPS61104080A (ja) | プラズマｃｖｄ装置の電極構造 | |
| JPH08134656A (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH02185978A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2541361B2 (ja) | ３極プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH02119124A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6323825B2 (ja) | ||
| JPH06300197A (ja) | 液体原料気化供給装置 | |
| JPH02231710A (ja) | 薄膜形成用装置 | |
| JPH01247574A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH01215025A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| TW296535B (ja) | ||
| JP2511737B2 (ja) | プラズマ気相反応装置 | |
| JPH0216730A (ja) | エツチング装置 | |
| JPH02105527A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH07113152B2 (ja) | 膜形成装置 |