JPH02105527A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH02105527A JPH02105527A JP25735588A JP25735588A JPH02105527A JP H02105527 A JPH02105527 A JP H02105527A JP 25735588 A JP25735588 A JP 25735588A JP 25735588 A JP25735588 A JP 25735588A JP H02105527 A JPH02105527 A JP H02105527A
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- Japan
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- wafer
- film
- rear surface
- plasma cvd
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- Pending
Links
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体デバイスを構成する薄膜を形成する平行
平板型プラズマＣＶＤ装置に係わるものである。
平板型プラズマＣＶＤ装置に係わるものである。
半導体を構成する薄膜の一部は、平行平板型プラズマＣ
ＶＤ装置により形成されている。このプラズマＣＶＤ装
置にはパーティクルの低減を目的としてウェハ裏面を下
向きに設置する構造のものがある（例えば特開昭６２−
１７２７３２号公報）。
ＶＤ装置により形成されている。このプラズマＣＶＤ装
置にはパーティクルの低減を目的としてウェハ裏面を下
向きに設置する構造のものがある（例えば特開昭６２−
１７２７３２号公報）。
第２図に上記の構造を有する従来型のプラズマＣＶＤ装
置を示す。第２図（ａ）は側面図、（ｂ）はそのＢ部拡
大図、（Ｃ）はウェハ設置電極の平面図である。成膜の
工程を簡単に説明すると、装置内に反応ガス８を導入し
つつガス排気口４からガスを抜き、装置内の圧力を数Ｔ
ｏｒｒに保つ。次にウェハ設置電極２と対向電極３の間
に高周波電源を印加し、プラズマ９を形成し、ウェハ１
に成膜していく。このときヒータ７はウェハ１の裏面に
十分安定した熱供給を行っており、ウェハ１の表に成膜
する膜の膜厚、および膜構造を良好にする等の重要な働
きをしている。また５はアースである。
置を示す。第２図（ａ）は側面図、（ｂ）はそのＢ部拡
大図、（Ｃ）はウェハ設置電極の平面図である。成膜の
工程を簡単に説明すると、装置内に反応ガス８を導入し
つつガス排気口４からガスを抜き、装置内の圧力を数Ｔ
ｏｒｒに保つ。次にウェハ設置電極２と対向電極３の間
に高周波電源を印加し、プラズマ９を形成し、ウェハ１
に成膜していく。このときヒータ７はウェハ１の裏面に
十分安定した熱供給を行っており、ウェハ１の表に成膜
する膜の膜厚、および膜構造を良好にする等の重要な働
きをしている。また５はアースである。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、以上のようなプラズマＣＶＤ装置では、第２
図（ｂ）に第２図（ａ）のＢ部の部分拡大図を示すよう
に、ウェハｌの周辺に絶縁膜１１が付着している場合ウ
ェハｌへの成膜が遅くなリ、かつ不安定になるという問
題があった。
図（ｂ）に第２図（ａ）のＢ部の部分拡大図を示すよう
に、ウェハｌの周辺に絶縁膜１１が付着している場合ウ
ェハｌへの成膜が遅くなリ、かつ不安定になるという問
題があった。
すなわち、ウェハ裏面からヒータによる熱供給が絶縁膜
によって阻害されるために不安定となり、また、絶縁膜
によってウェハが電極と絶縁状態になり、成膜の不良が
起こっていた。
によって阻害されるために不安定となり、また、絶縁膜
によってウェハが電極と絶縁状態になり、成膜の不良が
起こっていた。
そこで本発明は、上記課題であるウェハへの成膜速度が
小さくなるのを防止し、かつ成膜速度を安定させること
のできるプラズマＣＶＤ装置を提供することをを目的と
する。
小さくなるのを防止し、かつ成膜速度を安定させること
のできるプラズマＣＶＤ装置を提供することをを目的と
する。
［課題を解決するための手段］
本発明は、ウェハの表を下向きに設置する平行平板型プ
ラズマＣＶＤ装置において、ウェハ裏面への熱伝導およ
び熱輻射が良好な゛電導材料でウェハ裏面を覆い、かつ
該材料をウェハ設置電極と電気的に結合したことを特徴
とする。
ラズマＣＶＤ装置において、ウェハ裏面への熱伝導およ
び熱輻射が良好な゛電導材料でウェハ裏面を覆い、かつ
該材料をウェハ設置電極と電気的に結合したことを特徴
とする。
ウェハを覆う材料はウェハへ良好な熱供給を行い、かつ
ウェハ裏面と対向電極との間のプラズマを安定させる構
成のものであればよく、形状および材質は限定しない。
ウェハ裏面と対向電極との間のプラズマを安定させる構
成のものであればよく、形状および材質は限定しない。
例えば、ウェハを覆う材料は、アルミニウム板のような
層重導であり、かつ熱伝導性のよい材料が好ましい。ま
たアルミニウムをスパッタしたウェハを用いてもよい。
層重導であり、かつ熱伝導性のよい材料が好ましい。ま
たアルミニウムをスパッタしたウェハを用いてもよい。
更に、アルミニウム板などの層重導材料に黒い材質のも
ので蒸着されたセラミックス等でコーティングしたもの
、あるいはアルミニウム板などの層重導材料のヒータに
対向する面を熱を吸収しやすいように凹凸形状にしたも
のを使用することもできる。
ので蒸着されたセラミックス等でコーティングしたもの
、あるいはアルミニウム板などの層重導材料のヒータに
対向する面を熱を吸収しやすいように凹凸形状にしたも
のを使用することもできる。
また、ウェハを覆う材料は薄い方が好ましい。更に、こ
のウェハを覆う材料とウェハ裏面間の距離は小さいほど
望ましい。
のウェハを覆う材料とウェハ裏面間の距離は小さいほど
望ましい。
［作用１
本発明によるプラズマＣＶＤ装置の基本構造を第１図に
示す。
示す。
第１図（ａ）は全体装置の側面図で、図中の符号は既に
説明した第２図と同様である。第１図（ｂ）〜（ｇ）は
第１図（ａ）のＡ部詳細であってそれぞれ本発明の実施
例を示し、ウェハ設置電極の異なる形式のものを例示し
たものである。
説明した第２図と同様である。第１図（ｂ）〜（ｇ）は
第１図（ａ）のＡ部詳細であってそれぞれ本発明の実施
例を示し、ウェハ設置電極の異なる形式のものを例示し
たものである。
ウェハ裏面を覆うものであって、ウェハ裏面への熱伝導
および熱輻射が良好な材料として、ウェハ１の裏面上に
取り外しのできる薄いアルミニウム板１２を第１図（ｂ
）または（ｅ）のように直接ウェハ設置電極２に接触す
るようにウェハ１上に設置するか、あるいは第１図（Ｃ
）のように電気の良導体１３で短絡している。ここで第
１図（ｅ）ではウェハ設置電極２が階段状の電極となっ
ており、この階段上にアルミニウム板１２を周囲に余裕
を設けて載置しているのでアルミニウム板が熱膨張して
も容易に取り外すことができる。
および熱輻射が良好な材料として、ウェハ１の裏面上に
取り外しのできる薄いアルミニウム板１２を第１図（ｂ
）または（ｅ）のように直接ウェハ設置電極２に接触す
るようにウェハ１上に設置するか、あるいは第１図（Ｃ
）のように電気の良導体１３で短絡している。ここで第
１図（ｅ）ではウェハ設置電極２が階段状の電極となっ
ており、この階段上にアルミニウム板１２を周囲に余裕
を設けて載置しているのでアルミニウム板が熱膨張して
も容易に取り外すことができる。
また第１図（ｄ）および（ｆ）ではアルミスパッタ層１
０の付着したウェハ１をそれぞれ直接または電気および
熱の良導体１３を介してウェハ設置電極２に短絡してい
る。
０の付着したウェハ１をそれぞれ直接または電気および
熱の良導体１３を介してウェハ設置電極２に短絡してい
る。
以上に示した第１図（ｂ）〜（ｆ）のように、ウェハ設
置電極と熱的および電気的に短絡した熱伝導および熱輻
射が良好な材料をウェハ裏面に設けることにより、ウェ
ハ裏面へ良好に熱を供給し、かつウェハ裏面と対向電極
３との間のプラズマを安定させることができる。このこ
とにより、ウニ八周辺に絶縁膜１１が付着したウェハに
も安定した成膜を行うことができる。
置電極と熱的および電気的に短絡した熱伝導および熱輻
射が良好な材料をウェハ裏面に設けることにより、ウェ
ハ裏面へ良好に熱を供給し、かつウェハ裏面と対向電極
３との間のプラズマを安定させることができる。このこ
とにより、ウニ八周辺に絶縁膜１１が付着したウェハに
も安定した成膜を行うことができる。
第１図（ｇ）はウェハ裏面を覆う材料がウェハ設置電極
２と一体型になったもので、ウェハ１を横から挿入して
所定位置に設置するようにしたものである。
２と一体型になったもので、ウェハ１を横から挿入して
所定位置に設置するようにしたものである。
［実施例］
実施例１
第１図（ｂ）〜（ｇ）に示した本発明装置および第２図
に示す従来装置を用いて、窒化膜の成膜実験を行った。
に示す従来装置を用いて、窒化膜の成膜実験を行った。
実験結果を第１表に示す。本発明による第１図（ｂ）〜
（ｇ）のどの装置を用いても実験結果は同じになった。
（ｇ）のどの装置を用いても実験結果は同じになった。
（１） 成膜時間１０００秒では実施例装置において
は膜厚平均値、６０００人およびバッチ間ばらつきが３
％であるのに対し、従来装置では、それぞれ４３００人
、および１８％であった。
は膜厚平均値、６０００人およびバッチ間ばらつきが３
％であるのに対し、従来装置では、それぞれ４３００人
、および１８％であった。
（２） 成膜時間１２５０秒では実施例装置においては
膜厚平均値７８００人、およびバッチ間のばらつきが３
％であるのに対し、従来装置では、それぞれ５８００人
、および２４％であった。
膜厚平均値７８００人、およびバッチ間のばらつきが３
％であるのに対し、従来装置では、それぞれ５８００人
、および２４％であった。
（３） 成膜時間１５００秒では実施例装置においては
、膜厚平均値９５００人、およびバッチ間のばらつきが
３％であるのに対し、従来装置ではそれぞれ７７００人
、および１０％であった。
、膜厚平均値９５００人、およびバッチ間のばらつきが
３％であるのに対し、従来装置ではそれぞれ７７００人
、および１０％であった。
［発明の効果］
本発明装置を用いると、ウェハの表を下に向けて設置す
る方式の平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ウェ
ハの周辺に絶縁膜が付着されていても、成膜速度を下げ
ることな（、かつ安定した成膜速度を確保することがで
きる。
る方式の平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ウェ
ハの周辺に絶縁膜が付着されていても、成膜速度を下げ
ることな（、かつ安定した成膜速度を確保することがで
きる。
第１図は本発明の実施例装置の（ａ）側面図、（ｂ）〜
（ｇ）それぞれ異なる例のウェハ設置電極部の一部拡大
図、第２図は従来装置の（ａ）側面図、（ｂ）上部電極
の一部拡大図、（ｃ）平面図である。 ■・・・ウェハ ２・・・ウェハ設置電極 ３・−・対向電極 ４・・・ガス排気口 ５・・・アース ６・・・高周波電源 ７・・−ヒータ ８・・・反応ガス ９・・・プラズマ １０・・−アルミスパッタ層 １１・・・絶縁膜 １２・・・アルミニウム板 １３・・・電気の良導体
（ｇ）それぞれ異なる例のウェハ設置電極部の一部拡大
図、第２図は従来装置の（ａ）側面図、（ｂ）上部電極
の一部拡大図、（ｃ）平面図である。 ■・・・ウェハ ２・・・ウェハ設置電極 ３・−・対向電極 ４・・・ガス排気口 ５・・・アース ６・・・高周波電源 ７・・−ヒータ ８・・・反応ガス ９・・・プラズマ １０・・−アルミスパッタ層 １１・・・絶縁膜 １２・・・アルミニウム板 １３・・・電気の良導体
Claims (1)
- １ ウェハの表を下向きに設置する平行平板型プラズマ
ＣＶＤ装置において、ウェハ裏面への熱伝導および熱輻
射が良好な電導材料でウェハ裏面を覆い、かつ該材料を
ウェハ設置電極と電気的に結合したことを特徴とするプ
ラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25735588A JPH02105527A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25735588A JPH02105527A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02105527A true JPH02105527A (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=17305229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25735588A Pending JPH02105527A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02105527A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5296037A (en) * | 1991-06-21 | 1994-03-22 | Kawasaki Steel Corporation | Plasma CVD system comprising plural upper electrodes |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5681929A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-04 | Hitachi Ltd | Plasma processing device |
| JPS60149119A (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP25735588A patent/JPH02105527A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5681929A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-04 | Hitachi Ltd | Plasma processing device |
| JPS60149119A (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5296037A (en) * | 1991-06-21 | 1994-03-22 | Kawasaki Steel Corporation | Plasma CVD system comprising plural upper electrodes |
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