JPS6250471A - プラズマcvd装置 - Google Patents
プラズマcvd装置Info
- Publication number
- JPS6250471A JPS6250471A JP19136485A JP19136485A JPS6250471A JP S6250471 A JPS6250471 A JP S6250471A JP 19136485 A JP19136485 A JP 19136485A JP 19136485 A JP19136485 A JP 19136485A JP S6250471 A JPS6250471 A JP S6250471A
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- Japan
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- heater
- substrate
- parallel plate
- plasma
- electric field
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
「技術分野」
本発明は、薄膜材料を反応ガスとして反応容器内に供給
し、これをプラズマ化させて基板上に付着させるプラグ
? CV D (C:hemical VaporDe
pasition)装置に関する。
し、これをプラズマ化させて基板上に付着させるプラグ
? CV D (C:hemical VaporDe
pasition)装置に関する。
「従来技術およびその問題点」
プラズマCVD装置は、プラズマエネルギにより反応ガ
スを分解して活性度の高い粒子゛を作り、この粒子間の
反応により膜を形成するもので、各種のタイプが知られ
ている。第3図は本発明の対象とする容量誘電型のプラ
ズマCVD装置の概念図である6反応容器11には、反
応ガス12の導入管13と排出管14が開口し、その内
部には、平行平板電極15.16が配設されている。こ
の平行平板電極15.16間には、外部の高周波電源1
7およびマツチングボックス18を介して高周波が与え
られる。この反応容器11内には、さらにヒータ19が
配設され、このヒータ19によって、反応容器ll内に
入れた基板20が加熱される。
スを分解して活性度の高い粒子゛を作り、この粒子間の
反応により膜を形成するもので、各種のタイプが知られ
ている。第3図は本発明の対象とする容量誘電型のプラ
ズマCVD装置の概念図である6反応容器11には、反
応ガス12の導入管13と排出管14が開口し、その内
部には、平行平板電極15.16が配設されている。こ
の平行平板電極15.16間には、外部の高周波電源1
7およびマツチングボックス18を介して高周波が与え
られる。この反応容器11内には、さらにヒータ19が
配設され、このヒータ19によって、反応容器ll内に
入れた基板20が加熱される。
この装置は1反応容器11内の平行平板電極15.16
間に適当な支持手段で基板20を支持し、ヒータ19に
よってこれを加熱し、同時に平行平板電極15.16間
に高周波電源17およびマツチングボックス18を介し
て高周波電圧を加え、反応ガス12を反応容器11内に
導入して使用される。平行平板電極15.16間に高周
波電圧が加わると、高周波電界により反応ガスの分子が
電離してプラズマ化し、このプラズマ化した粒子が、ヒ
ータ19で加熱されている基板20上に付着して薄膜が
形成される。
間に適当な支持手段で基板20を支持し、ヒータ19に
よってこれを加熱し、同時に平行平板電極15.16間
に高周波電源17およびマツチングボックス18を介し
て高周波電圧を加え、反応ガス12を反応容器11内に
導入して使用される。平行平板電極15.16間に高周
波電圧が加わると、高周波電界により反応ガスの分子が
電離してプラズマ化し、このプラズマ化した粒子が、ヒ
ータ19で加熱されている基板20上に付着して薄膜が
形成される。
ところが従来のこのプラズマCVD装置は。
ヒータ19に交流を印加しているために、このヒータに
流れる電流によって生じる電界と高周波電界とが干渉し
、高周波電界に悪影響が生じることがあった。高周波電
界が乱れると、例えばプラズマの状態が不安定となって
、基板20上に付着させる薄膜も不安定となり、良好に
管理された薄膜を作成することが困難である。またこの
ような問題点を除くために、反応容器11に、第4図に
示すように該反応容器11内部と連通しないヒータ通路
21を形成し、これに雲母等の絶縁材料22により適当
な絶縁を施してヒータ19を通すことにより、ヒータ1
9の電界が真空状態の反応容器11内に及ばないように
することが行なわれているが、この装置は構成が複雑に
なってコストが高くなり、またヒータ19の熱が基板2
0に伝わりにくくなるため、基板20を効率的に加熱す
ることができないという問題が生じる。
流れる電流によって生じる電界と高周波電界とが干渉し
、高周波電界に悪影響が生じることがあった。高周波電
界が乱れると、例えばプラズマの状態が不安定となって
、基板20上に付着させる薄膜も不安定となり、良好に
管理された薄膜を作成することが困難である。またこの
ような問題点を除くために、反応容器11に、第4図に
示すように該反応容器11内部と連通しないヒータ通路
21を形成し、これに雲母等の絶縁材料22により適当
な絶縁を施してヒータ19を通すことにより、ヒータ1
9の電界が真空状態の反応容器11内に及ばないように
することが行なわれているが、この装置は構成が複雑に
なってコストが高くなり、またヒータ19の熱が基板2
0に伝わりにくくなるため、基板20を効率的に加熱す
ることができないという問題が生じる。
「発明の目的」
本発明は、従来のプラズマCVD装置についてのこの問
題点を解消し、ヒータが高周波電界に悪影響を与えるこ
とがなく、しかも基板を熱効率よく加熱することができ
る装置を得ることを目的とする。
題点を解消し、ヒータが高周波電界に悪影響を与えるこ
とがなく、しかも基板を熱効率よく加熱することができ
る装置を得ることを目的とする。
「発明の概要」
本発明は、従来のプラズマCVD装置における高周波電
界の乱れは、基板を加熱するヒータに交流を印加するこ
とが原因であり、これに対しヒータに直流を流せばこの
ような問題は生じないとの結論に基づいてなされたもの
で、上記ヒータを直流ヒータとしたことを特徴としてい
る。この直流ヒータは、高周波電界を乱すおそれがない
ために、その加熱板を高周波電圧を印加する平行平板電
極の一方と一体化して、これに直接基板を載置すること
が可能であり、そうすると装置の小型化、スペースの有
効利用ができる。
界の乱れは、基板を加熱するヒータに交流を印加するこ
とが原因であり、これに対しヒータに直流を流せばこの
ような問題は生じないとの結論に基づいてなされたもの
で、上記ヒータを直流ヒータとしたことを特徴としてい
る。この直流ヒータは、高周波電界を乱すおそれがない
ために、その加熱板を高周波電圧を印加する平行平板電
極の一方と一体化して、これに直接基板を載置すること
が可能であり、そうすると装置の小型化、スペースの有
効利用ができる。
「発明の実施例」
以下図示実施例について本発明を説明する。第1図、第
2図は本発明のプラズマCVD装置の実施例を示すもの
で、30は直流電源31から給電される直流ヒータで、
その加熱板32は、下方の平行平板電極15と一体にさ
れている。あるいは平行平板電極15が直接直流ヒータ
30の加熱板32を兼ねる。直流ヒータ30は、例えば
電気ポットに使用されるような小型のセラミックヒータ
を用いることができる。この他の部分は第3図の従来袋
4と同一であり、同一部分には同一の符号を付している
。
2図は本発明のプラズマCVD装置の実施例を示すもの
で、30は直流電源31から給電される直流ヒータで、
その加熱板32は、下方の平行平板電極15と一体にさ
れている。あるいは平行平板電極15が直接直流ヒータ
30の加熱板32を兼ねる。直流ヒータ30は、例えば
電気ポットに使用されるような小型のセラミックヒータ
を用いることができる。この他の部分は第3図の従来袋
4と同一であり、同一部分には同一の符号を付している
。
上記構成の本装置は、平行平板電極15上に基板20を
載置し、直流ヒータ30に直流TL源31から通電して
これを加熱する。そして従来装置と同様に反応ガス12
を反応容器11内に導入し、高周波電源17およびマツ
チングボックス18を介して平行平板電極15.16間
に高周波電圧を印加する。すると、基本的には従来装置
と同一の動作原理により、基板20上に2反応ガスがプ
ラズマ化して形成された粒子が付着し、薄膜が形成され
る。
載置し、直流ヒータ30に直流TL源31から通電して
これを加熱する。そして従来装置と同様に反応ガス12
を反応容器11内に導入し、高周波電源17およびマツ
チングボックス18を介して平行平板電極15.16間
に高周波電圧を印加する。すると、基本的には従来装置
と同一の動作原理により、基板20上に2反応ガスがプ
ラズマ化して形成された粒子が付着し、薄膜が形成され
る。
そして本発明においては、ヒータ30が直流ヒータであ
るため、これを流れる電流が、平行平板電極15.16
間に形成される高周波電界に悪影響を与えることがない
。すなわち高周波電界によってプラズマ化された反応ガ
スの状態が、直流ヒータ30によって乱れることがない
ため、基板20上に付着形成されるgj膜は、良好なも
のとなる。また平行平板電極15と直流ヒータ30を一
体化(兼用化)して、この上に直接基板20を載置する
ことにより、基板20の加熱効率を高め、かつヒータに
要していたスペースを実質的に不要として、装置の小型
化を図ることができる。
るため、これを流れる電流が、平行平板電極15.16
間に形成される高周波電界に悪影響を与えることがない
。すなわち高周波電界によってプラズマ化された反応ガ
スの状態が、直流ヒータ30によって乱れることがない
ため、基板20上に付着形成されるgj膜は、良好なも
のとなる。また平行平板電極15と直流ヒータ30を一
体化(兼用化)して、この上に直接基板20を載置する
ことにより、基板20の加熱効率を高め、かつヒータに
要していたスペースを実質的に不要として、装置の小型
化を図ることができる。
「発明の効果」
以上のように本発明のプラズマCVD装置は、反応容器
内において基板を加熱するヒータを直流ヒータとしたの
で、ヒータを流れる電流が、平行平板電極間に印加され
る高周波電界に悪影響を与えることがない、よって高周
波電界によって加熱電離されてプラズマ化される反応ガ
スの状態を安定させ、基板上に良好な薄膜を形成するこ
とができる。またヒータの加熱板と平行平板電極の一方
とを一体化し、これに直接基板を載置することにより、
装置を小型化することができる。
内において基板を加熱するヒータを直流ヒータとしたの
で、ヒータを流れる電流が、平行平板電極間に印加され
る高周波電界に悪影響を与えることがない、よって高周
波電界によって加熱電離されてプラズマ化される反応ガ
スの状態を安定させ、基板上に良好な薄膜を形成するこ
とができる。またヒータの加熱板と平行平板電極の一方
とを一体化し、これに直接基板を載置することにより、
装置を小型化することができる。
第1図は本発明のプラズマCVD装置の実施例を示す概
念図、第2図は同要部の拡大図、第3図は従来装置の概
念図、第4図は別の従来装置の一部拡大図である。 11・・・反応容器、12・・・反応ガス、15.16
・・・平行平板電極、17・・・高周波電源、18・・
・マツチングボックス、20・・・基板、30・・・直
流ヒータ、31・・・直流電源、32・・・加熱板。 特許出願人 アルプス電気株式会社 回 −ノ瀬 幸雄 同代理人 三 浦 邦 夫 同 松井 茂 第2因 第4図
念図、第2図は同要部の拡大図、第3図は従来装置の概
念図、第4図は別の従来装置の一部拡大図である。 11・・・反応容器、12・・・反応ガス、15.16
・・・平行平板電極、17・・・高周波電源、18・・
・マツチングボックス、20・・・基板、30・・・直
流ヒータ、31・・・直流電源、32・・・加熱板。 特許出願人 アルプス電気株式会社 回 −ノ瀬 幸雄 同代理人 三 浦 邦 夫 同 松井 茂 第2因 第4図
Claims (2)
- (1)反応容器内に、高周波電圧を印加する平行平板電
極と、この平行平板電極間に位置させる基板を加熱する
ヒータとを配設し、上記反応容器内に供給する反応ガス
を上記平行平板電極に加える高周波電圧によりプラズマ
化し、これを上記ヒータで加熱される基板上に薄膜とし
て付着させるプラズマCVD装置において、上記ヒータ
を直流ヒータとしたことを特徴とするプラズマCVD装
置。 - (2)特許請求の範囲第1項において、ヒータは平行平
板電極の一方と一体化され、これに直接基板が載置され
るプラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19136485A JPS6250471A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | プラズマcvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19136485A JPS6250471A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | プラズマcvd装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6250471A true JPS6250471A (ja) | 1987-03-05 |
Family
ID=16273347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19136485A Pending JPS6250471A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | プラズマcvd装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6250471A (ja) |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP19136485A patent/JPS6250471A/ja active Pending
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