JPS6250471A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS6250471A JPS6250471A JP19136485A JP19136485A JPS6250471A JP S6250471 A JPS6250471 A JP S6250471A JP 19136485 A JP19136485 A JP 19136485A JP 19136485 A JP19136485 A JP 19136485A JP S6250471 A JPS6250471 A JP S6250471A
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- Japan
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- heater
- substrate
- parallel plate
- plasma
- electric field
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「技術分野」
本発明は、薄膜材料を反応ガスとして反応容器内に供給
し、これをプラズマ化させて基板上に付着させるプラグ
？ ＣＶ Ｄ （Ｃ：ｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅ
ｐａｓｉｔｉｏｎ）装置に関する。
し、これをプラズマ化させて基板上に付着させるプラグ
？ ＣＶ Ｄ （Ｃ：ｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅ
ｐａｓｉｔｉｏｎ）装置に関する。
「従来技術およびその問題点」
プラズマＣＶＤ装置は、プラズマエネルギにより反応ガ
スを分解して活性度の高い粒子゛を作り、この粒子間の
反応により膜を形成するもので、各種のタイプが知られ
ている。第３図は本発明の対象とする容量誘電型のプラ
ズマＣＶＤ装置の概念図である６反応容器１１には、反
応ガス１２の導入管１３と排出管１４が開口し、その内
部には、平行平板電極１５．１６が配設されている。こ
の平行平板電極１５．１６間には、外部の高周波電源１
７およびマツチングボックス１８を介して高周波が与え
られる。この反応容器１１内には、さらにヒータ１９が
配設され、このヒータ１９によって、反応容器ｌｌ内に
入れた基板２０が加熱される。
スを分解して活性度の高い粒子゛を作り、この粒子間の
反応により膜を形成するもので、各種のタイプが知られ
ている。第３図は本発明の対象とする容量誘電型のプラ
ズマＣＶＤ装置の概念図である６反応容器１１には、反
応ガス１２の導入管１３と排出管１４が開口し、その内
部には、平行平板電極１５．１６が配設されている。こ
の平行平板電極１５．１６間には、外部の高周波電源１
７およびマツチングボックス１８を介して高周波が与え
られる。この反応容器１１内には、さらにヒータ１９が
配設され、このヒータ１９によって、反応容器ｌｌ内に
入れた基板２０が加熱される。
この装置は１反応容器１１内の平行平板電極１５．１６
間に適当な支持手段で基板２０を支持し、ヒータ１９に
よってこれを加熱し、同時に平行平板電極１５．１６間
に高周波電源１７およびマツチングボックス１８を介し
て高周波電圧を加え、反応ガス１２を反応容器１１内に
導入して使用される。平行平板電極１５．１６間に高周
波電圧が加わると、高周波電界により反応ガスの分子が
電離してプラズマ化し、このプラズマ化した粒子が、ヒ
ータ１９で加熱されている基板２０上に付着して薄膜が
形成される。
間に適当な支持手段で基板２０を支持し、ヒータ１９に
よってこれを加熱し、同時に平行平板電極１５．１６間
に高周波電源１７およびマツチングボックス１８を介し
て高周波電圧を加え、反応ガス１２を反応容器１１内に
導入して使用される。平行平板電極１５．１６間に高周
波電圧が加わると、高周波電界により反応ガスの分子が
電離してプラズマ化し、このプラズマ化した粒子が、ヒ
ータ１９で加熱されている基板２０上に付着して薄膜が
形成される。
ところが従来のこのプラズマＣＶＤ装置は。
ヒータ１９に交流を印加しているために、このヒータに
流れる電流によって生じる電界と高周波電界とが干渉し
、高周波電界に悪影響が生じることがあった。高周波電
界が乱れると、例えばプラズマの状態が不安定となって
、基板２０上に付着させる薄膜も不安定となり、良好に
管理された薄膜を作成することが困難である。またこの
ような問題点を除くために、反応容器１１に、第４図に
示すように該反応容器１１内部と連通しないヒータ通路
２１を形成し、これに雲母等の絶縁材料２２により適当
な絶縁を施してヒータ１９を通すことにより、ヒータ１
９の電界が真空状態の反応容器１１内に及ばないように
することが行なわれているが、この装置は構成が複雑に
なってコストが高くなり、またヒータ１９の熱が基板２
０に伝わりにくくなるため、基板２０を効率的に加熱す
ることができないという問題が生じる。
流れる電流によって生じる電界と高周波電界とが干渉し
、高周波電界に悪影響が生じることがあった。高周波電
界が乱れると、例えばプラズマの状態が不安定となって
、基板２０上に付着させる薄膜も不安定となり、良好に
管理された薄膜を作成することが困難である。またこの
ような問題点を除くために、反応容器１１に、第４図に
示すように該反応容器１１内部と連通しないヒータ通路
２１を形成し、これに雲母等の絶縁材料２２により適当
な絶縁を施してヒータ１９を通すことにより、ヒータ１
９の電界が真空状態の反応容器１１内に及ばないように
することが行なわれているが、この装置は構成が複雑に
なってコストが高くなり、またヒータ１９の熱が基板２
０に伝わりにくくなるため、基板２０を効率的に加熱す
ることができないという問題が生じる。
「発明の目的」
本発明は、従来のプラズマＣＶＤ装置についてのこの問
題点を解消し、ヒータが高周波電界に悪影響を与えるこ
とがなく、しかも基板を熱効率よく加熱することができ
る装置を得ることを目的とする。
題点を解消し、ヒータが高周波電界に悪影響を与えるこ
とがなく、しかも基板を熱効率よく加熱することができ
る装置を得ることを目的とする。
「発明の概要」
本発明は、従来のプラズマＣＶＤ装置における高周波電
界の乱れは、基板を加熱するヒータに交流を印加するこ
とが原因であり、これに対しヒータに直流を流せばこの
ような問題は生じないとの結論に基づいてなされたもの
で、上記ヒータを直流ヒータとしたことを特徴としてい
る。この直流ヒータは、高周波電界を乱すおそれがない
ために、その加熱板を高周波電圧を印加する平行平板電
極の一方と一体化して、これに直接基板を載置すること
が可能であり、そうすると装置の小型化、スペースの有
効利用ができる。
界の乱れは、基板を加熱するヒータに交流を印加するこ
とが原因であり、これに対しヒータに直流を流せばこの
ような問題は生じないとの結論に基づいてなされたもの
で、上記ヒータを直流ヒータとしたことを特徴としてい
る。この直流ヒータは、高周波電界を乱すおそれがない
ために、その加熱板を高周波電圧を印加する平行平板電
極の一方と一体化して、これに直接基板を載置すること
が可能であり、そうすると装置の小型化、スペースの有
効利用ができる。
「発明の実施例」
以下図示実施例について本発明を説明する。第１図、第
２図は本発明のプラズマＣＶＤ装置の実施例を示すもの
で、３０は直流電源３１から給電される直流ヒータで、
その加熱板３２は、下方の平行平板電極１５と一体にさ
れている。あるいは平行平板電極１５が直接直流ヒータ
３０の加熱板３２を兼ねる。直流ヒータ３０は、例えば
電気ポットに使用されるような小型のセラミックヒータ
を用いることができる。この他の部分は第３図の従来袋
４と同一であり、同一部分には同一の符号を付している
。
２図は本発明のプラズマＣＶＤ装置の実施例を示すもの
で、３０は直流電源３１から給電される直流ヒータで、
その加熱板３２は、下方の平行平板電極１５と一体にさ
れている。あるいは平行平板電極１５が直接直流ヒータ
３０の加熱板３２を兼ねる。直流ヒータ３０は、例えば
電気ポットに使用されるような小型のセラミックヒータ
を用いることができる。この他の部分は第３図の従来袋
４と同一であり、同一部分には同一の符号を付している
。
上記構成の本装置は、平行平板電極１５上に基板２０を
載置し、直流ヒータ３０に直流ＴＬ源３１から通電して
これを加熱する。そして従来装置と同様に反応ガス１２
を反応容器１１内に導入し、高周波電源１７およびマツ
チングボックス１８を介して平行平板電極１５．１６間
に高周波電圧を印加する。すると、基本的には従来装置
と同一の動作原理により、基板２０上に２反応ガスがプ
ラズマ化して形成された粒子が付着し、薄膜が形成され
る。
載置し、直流ヒータ３０に直流ＴＬ源３１から通電して
これを加熱する。そして従来装置と同様に反応ガス１２
を反応容器１１内に導入し、高周波電源１７およびマツ
チングボックス１８を介して平行平板電極１５．１６間
に高周波電圧を印加する。すると、基本的には従来装置
と同一の動作原理により、基板２０上に２反応ガスがプ
ラズマ化して形成された粒子が付着し、薄膜が形成され
る。
そして本発明においては、ヒータ３０が直流ヒータであ
るため、これを流れる電流が、平行平板電極１５．１６
間に形成される高周波電界に悪影響を与えることがない
。すなわち高周波電界によってプラズマ化された反応ガ
スの状態が、直流ヒータ３０によって乱れることがない
ため、基板２０上に付着形成されるｇｊ膜は、良好なも
のとなる。また平行平板電極１５と直流ヒータ３０を一
体化（兼用化）して、この上に直接基板２０を載置する
ことにより、基板２０の加熱効率を高め、かつヒータに
要していたスペースを実質的に不要として、装置の小型
化を図ることができる。
るため、これを流れる電流が、平行平板電極１５．１６
間に形成される高周波電界に悪影響を与えることがない
。すなわち高周波電界によってプラズマ化された反応ガ
スの状態が、直流ヒータ３０によって乱れることがない
ため、基板２０上に付着形成されるｇｊ膜は、良好なも
のとなる。また平行平板電極１５と直流ヒータ３０を一
体化（兼用化）して、この上に直接基板２０を載置する
ことにより、基板２０の加熱効率を高め、かつヒータに
要していたスペースを実質的に不要として、装置の小型
化を図ることができる。
「発明の効果」
以上のように本発明のプラズマＣＶＤ装置は、反応容器
内において基板を加熱するヒータを直流ヒータとしたの
で、ヒータを流れる電流が、平行平板電極間に印加され
る高周波電界に悪影響を与えることがない、よって高周
波電界によって加熱電離されてプラズマ化される反応ガ
スの状態を安定させ、基板上に良好な薄膜を形成するこ
とができる。またヒータの加熱板と平行平板電極の一方
とを一体化し、これに直接基板を載置することにより、
装置を小型化することができる。
内において基板を加熱するヒータを直流ヒータとしたの
で、ヒータを流れる電流が、平行平板電極間に印加され
る高周波電界に悪影響を与えることがない、よって高周
波電界によって加熱電離されてプラズマ化される反応ガ
スの状態を安定させ、基板上に良好な薄膜を形成するこ
とができる。またヒータの加熱板と平行平板電極の一方
とを一体化し、これに直接基板を載置することにより、
装置を小型化することができる。
第１図は本発明のプラズマＣＶＤ装置の実施例を示す概
念図、第２図は同要部の拡大図、第３図は従来装置の概
念図、第４図は別の従来装置の一部拡大図である。 １１・・・反応容器、１２・・・反応ガス、１５．１６
・・・平行平板電極、１７・・・高周波電源、１８・・
・マツチングボックス、２０・・・基板、３０・・・直
流ヒータ、３１・・・直流電源、３２・・・加熱板。 特許出願人 アルプス電気株式会社 回 −ノ瀬 幸雄 同代理人 三 浦 邦 夫 同 松井 茂 第２因 第４図
念図、第２図は同要部の拡大図、第３図は従来装置の概
念図、第４図は別の従来装置の一部拡大図である。 １１・・・反応容器、１２・・・反応ガス、１５．１６
・・・平行平板電極、１７・・・高周波電源、１８・・
・マツチングボックス、２０・・・基板、３０・・・直
流ヒータ、３１・・・直流電源、３２・・・加熱板。 特許出願人 アルプス電気株式会社 回 −ノ瀬 幸雄 同代理人 三 浦 邦 夫 同 松井 茂 第２因 第４図
Claims (2)
- （１）反応容器内に、高周波電圧を印加する平行平板電
極と、この平行平板電極間に位置させる基板を加熱する
ヒータとを配設し、上記反応容器内に供給する反応ガス
を上記平行平板電極に加える高周波電圧によりプラズマ
化し、これを上記ヒータで加熱される基板上に薄膜とし
て付着させるプラズマＣＶＤ装置において、上記ヒータ
を直流ヒータとしたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装
置。 - （２）特許請求の範囲第１項において、ヒータは平行平
板電極の一方と一体化され、これに直接基板が載置され
るプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19136485A JPS6250471A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19136485A JPS6250471A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6250471A true JPS6250471A (ja) | 1987-03-05 |
Family
ID=16273347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19136485A Pending JPS6250471A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6250471A (ja) |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP19136485A patent/JPS6250471A/ja active Pending
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