JPS62500123A - 複数の光ビ−ムを走査して情報変調するための電気光学的装置 - Google Patents

複数の光ビ−ムを走査して情報変調するための電気光学的装置

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JPS62500123A
JPS62500123A JP60503812A JP50381285A JPS62500123A JP S62500123 A JPS62500123 A JP S62500123A JP 60503812 A JP60503812 A JP 60503812A JP 50381285 A JP50381285 A JP 50381285A JP S62500123 A JPS62500123 A JP S62500123A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 複数の光ビームを走査して情報変調するだめの電気光学的装置 この発明は光ビームを走査するだめの電気元学的光弁配列体全備えた装置に関係 している。
背景技術 電気光学的物質というのはその内部に確立された電界の強さに従って光学的特性 が変化する物質である。この物質は電気的に制御された「元弁配列体」の実現全 可能にするが、この光弁配列体はこの開示においては、単色平面偏光(線形)元 ビーム金受ける電気光学的部材であって、各画素部分が確立された電界に応じて ビームからの入射光の偏光状a+変える複数の画素部分を備えたものからなって いる。検光子は画素部分からの元を受けて、その偏光面が変更されなかった(電 界がない)場合には画素部分を通過する光を阻止し、又その偏光面が電界によっ て変更された場合には光を透過させる。ここで用いられるところの「単色」の用 語は狭い範囲の周波数を持っていることを意味する。
光弁配列体に使用される電気光学的物質の一例はランタンをドープされたジルコ ン醒チタン酸鉛(PLZT )である。PLZTは好適な電気光学的物質である けれども、偏光全変えるだめにその他の電気光学的物質をも使用することができ ることは技術に通じた者により認められるであろう。
電界が確立されていなければ、PLZTの幾つかの組成物は光学的に等方性であ り、又他のものに静的複屈折を呈する。いずれの場合でも、PLZTの物体全通 して電界が加えられると、PLZTの結晶構造が変化する。
結晶構造のこの変化が複屈折の変化を生じさせる。これによって電界組に平行に 整列した光学軸が形成される。
この光学軸は方向であってただ一つの特定の線ではない。
複屈折物質の光学軸に垂直な方向からこの物質の表面に入射する平面偏光の光波 は二つの直交する成分波、すなわち光学軸に垂直に平面偏光したものと光学軸に 平行に平面偏光したものとに分解することができる。これらの成分波は物質中を 異なった速さで進行して、複屈折物質から等方性媒質中に出ると、両波間の対相 関係が変更される。
平面偏光した光波が複屈折部材の入射面及び射出面に垂直に且つその光学軸に垂 直に複屈折部材に入射して射出するとき、二つの成分波は同じ位置で部材を射出 してどちらも屈折しない。従って、それらは再び一つの波を形成する。射出する 両波の位相差は直交する両方向における部材の屈折率の差と部材の厚さとによっ て決まる。
これらの量が、部材中を進行の際一方の波が他方の波よりも4分の1波長遅れる ようになっている場合には、部材は四分の一波長板であり、又その遅れが2分の 1波長である場合には、部材は工性の一波長板である。工性の一波長板は、入射 偏光方向がこの波長板の光学軸と÷5゜の角度全なしていると仮定すれば偏光ビ ームの偏光の方向を45°だけ変える。四分の一波長板の場合には、平面偏光l −だ光は、とねが光学軸と45・の角度をなしているときには円偏光に変換され る。
電界の確立によって工性の一波長板に変換さi1得る画素部分を持った等方性部 材からなる光弁配列体が構成さハ、ている。この部材は、偏光方向が工性の一波 長板に対して典型的には45″の角度になっている交さした偏光子間にはさ−j オしている。うt弁配列体は複数のこのような工性の一波長板金儲えている。
一つの好適乃二児升配列体の形態はミア(J/zr)の米国特許第・1..22 9,095号に示さ才しており、等方性のラン7ン・ドープ形ジルフン酸チ、タ ン酸鉛のような電気光学的物質から形成1された部材と、この部材の画素部分を 規定する′f+J数のバ択的にアドレス可能な電極と全備えた光井配列体ケ含ん でいる。この部材は交さした偏光子の間(tζ−はさi Jzている。画素部分 は受けだ単色光を透過させろ3.それの電(メが生かさ〕t″CC電界立すると 、画素部分は工性の一波長板になって、入射光の偏光面を90゜だけ変える。
光弁配列体は一様に適度の精細度を持った画像を形成するだめに画像区域におい て1線当り多くの画像画素をアドレスしなけハげならない。画像区域における1 線当りの画素の数は結像装置における解像度要件に従って増大する。例えば、高 品質連続濃淡画像のためには250画素/インチ(10画素/朋)以上にもなる であろう。
従来の装置では、各画素区域画素がそれ自体の画素部分によってアドレスされて いる。画像区域画素の線の1インチ当りこのように多くの独立してアドレス可能 な画素部分を備え九元弁配列体全形成することは困難な仕事である。
共有譲渡のミア(Mir)の米国特許4377753号は、光学的分解能が改善 された光弁配列体の構rf、を開示している。この光弁配列体の各画素部分は画 像区域の特定の領域における一つではなく複数の画素部アドレスする。
この構成は、可変周波数信号に応答して受領平面偏光光を偏向させる音響光学的 偏向器金儲えている。この信号の周波数は偏向角度を制御し、且つこの信号の振 幅はビーム強度を制御する。この装置は又線形レンズ配列体、及び画素部分の配 列体全規定する電極を持った電気光学的物質で形成さnた部材を備えている。レ ンズ配列体における各レンズは配列体画素部分に対応している。光は特定のレン ズの種々の部分を通して音響光学的偏向器によって偏向させられ又は走査される とそれに対応する画素部分の種々の部分を通して導かれる。この光は画像区域に おいてレンズにより集束させられる。画素部分の電極に電気信号が選択的に加え られて、画素部分はその透過光ビームの偏光面を90°変えさせる。検光子は偏 光面が変えら扛ていない元ビーム全阻止し且つ偏光面が変えらノしている元ビー ム全透過する。
この光弁配列体溝数は、以前の構成て比べて相当の分解能の改@全与えるけれど も、比較的かさばっており且つ光学的素子を整列させるのが困難である。この配 列体構成のイrする別の問題は、音響光学的偏向器の音響的駆バカ周波数全電子 的に変更して多くの走査装俗において必要どされる高度に正itビーム偏向金与 えるようにすることが困難なことである。
発明の開示 この発明の目的は、音響光学的偏向器を用いることなく画像区域を横切って複数 の元ビームを集束させて走査することができ、且つそのようなビームをこれの偏 光面の選択的変更によって↑S報変調することのできる元弁配列体を備えた小形 高光学的分解能電気光学的装置を提供することである。
この目的は、名画素部分が電気信号と電気光学的*質で形成され且つ平面偏光光 のビームを受ける基板とに応じ1入射元の偏光面を・ぺ択的に変える複数の画素 部分を持った光弁配列体全像えている電気光学的装置によって達成される。この 装置は、基板のJ…指折率変えて元ビームを偏向させ、この偏向したビームを画 素部分の配列体に入射するように導く時間的に変化する電界を基板中に確立する ための偏向装@金儲えている。この装置は又、各画素部分を通過する光をこれが 走査され又は偏向させられるときに画像区域の特定の領域においてそれぞれ集束 させられる光ビームにするための集束装置金儲えている。
発明を実施する様式 第1図はこの発明による電気光学的装置全図解した概略的透視図であり、 第2図は第1図の線2−2に沿って取られた部分断面図であり、 第3図はこの発明による装置の別の実施例を図解した概略的透視図であり、又 第4図はこの発明を具体化した更に別の装置の概略的透視図である。
各図面の同様の符号数字は同様のmK部分を示している。
採択実施例の詳細な説明 第1図に示したように、この発明に従ってモノリシック装置】、01及び検光子 20のような相対釣元阻止装置を備えた電気光学的装置が与えられている。検光 子zOにおける点線は、検光子20によって透過させられた平面偏光光の電気ベ クトル(Eベクトル)の方向を示している。ここで使用されるところのモノリシ ックの用語は単一基板12上に形成された装置のことである。基板12は電気光 学的物質、望1しくは、基板における電界の確立に応答して複屈折が変化する光 学的に等方性のPLZTで形成されている。単色平面偏光光の単一の入刃元ビー ムは、図示のように通常装置10の全表面21a、に左から入射して、装置J− 0から隔置された画像区域30において集束する複数のビームとして右に出る。
図示のように偏光又はEベクトルは光ビームの進行方向に直角になっている。入 力光ビームは、技術1周知である幾つかの装置の任意のもの(図示されず)、例 えばレーザ、又はコリメータ、フィルタ及び通常の偏光子レンズを備えた白熱光 源、によって発生すればよい。電圧源SD によって合同の両電極21間に確立 された時間的に変化する電界は入射光ビームの偏光方向における基板屈折率を変 えで、ビームが電極21に近接した下向きの矢印によって示されたように偏向さ せらj、るようにする。
二つの合同なレンズ形状の″成極22からなる集束装置(レンズ配列物)によっ て複数のビームが形成さf′L且つ集束させられる。「レンズ形状」というのは 、電極z2が円柱レンズ群の配列体の断面の形状に概して類似しまた形状金持つ でいることゲ意味する。源Sゎからの直流電立が両電極22間に加えられて一定 の電界が確立されるが、この電界の大きさは画像区域30の位置によって決まる 。レンズ形状の電極22は両凹形状のものである。
こ汎は確立された電界が負の屈折率変化を行うPLZT基板についで好適な形式 である。屈折率変化が正である物質についてはその代わりに正レンズ形態のもの が使用されることになろう。
装置10と画像区域30との間の距離が固定さ力ているような幾つかの装置では 、1を極22を除去し5て、非電気的方法により屈折率変化を生じさせて元ビー ムを形成し且つ集束させることかできるでZ>ろう。そのような装置では、基板 のドーピングのような化学的変更を利用し2て所望の屈折率差を達成し、光ビー ムを画像区域に集束させるようにすることができる。
装置10は複数の1画素部分のある光弁配列体31全備六でいる。収束するビー ムのそfl、ぞハが走査されるときに、その偏光は一対の電極33と単一の電極 35からAるその画素部分変調装置l奴二よって変調される。各収束ビームは画 像区域30における対応する領域34・に収容さt?た数個の画業を順次走査又 は71″レスする。mノもなく説明さJするように、各ビームは情報変調されて それの対応する領域:3牛における画素の選択さ7′またものを照射するが、そ の領域における他の画素は照射されない。
第2図に示されたように、基板12はそノ1ぞれ第]及び第2の実質上平行な而 6及び8を持っている。電極はすべてこれらの面子に取り付けらハ、ている。電 極33と電極35との間の線は光弁配列体31の画素部分に対する電界線を表し ている。これについては以下で更に詳しく論述される。ずべての電極21,22 .33及び35は、基板中に形成することができ、又は金属の[べ空蒸着及び写 真印刷のような技術上周囲の幾つかの方法のいずれかによって基板上に付着させ ることができる。電極は任意の適当な物質で形成すればよいが、クロム−金、チ タン−金、及びクロム−ニッケルー金のような金属が特に有効である。図示され ていないけれども、第2の平行面8における電極21.22及び35は同じ固定 電位、例えば接地電位に保持されていることは理解されるであろう。
偏向電極21は時間的に変化する電圧源SD に応答してそれらの電極間の基板 12の部分に時間的に変化する電界を確立する。信号SDの特性は装置の特定の 使用例によって決まる。第1図に図示されたように、傾斜電圧信号が使用される 。両偏向電極21間に加えられる電界は二つの平行な面6及び8に概して垂直に 方向づけられていて、確立された電界と同じ方向に基板1zにおいて光学軸を確 立する。全表面z1に垂直に入射する入力元ビームは両電極21間を通って、こ れらの電極間に確立された光学軸に平行に偏光させられる。基板12の等方性バ ルク部分と両電極21間の基板12の部分との境界面における屈折率変化のため に元ビームは偏向する。入力元ビームの偏光が両電極21間の基板に確立された 光学軸に平行であるので、等方性基板バルク中へ出て行く光の偏光は変化しない 。電界の強さは基板の等方性部分と複屈折部分との相対的屈折率を制御する。入 力光ビームの偏光ベクトルに平行な相対的屈折率は光ビームの偏向角度全制御す る。偏向角度は、電極z1が収束ビームを集束させる画像区域30の領域34に おける画素位置を決定する。偏向角度の変化率は印加傾斜電圧信号の振幅の変化 率の関数である。
偏向電極z1は、三角形状にして図示されているが(第1図参照)、入力光ビー ムの適当な偏向を生じさせるものであるならば種々の他の形状の任意のものを持 つことができる。
レンズ形状の電極22は直流電圧源S、からの定電圧信号に応答して基板12に おいてそれらの電極間に一定の電界を確立する。この印加電界は二つの平行な面 6及び8に概して垂直に方向づけられでいて電界に平行な光学軸を確立する。両 電極22間の基板全通過する光ビームは定電界によって確立された光学軸に平行 なその電気ベクトルを持っている。この構成ではこの元ビームの偏光は変化しな いままである。電極22の曲率、及びバルク基板12の等方性部分と両電極22 間の基板1zの部分との境界面における相対的屈折率変化の組合せにより、入射 ビームから複数の収束ビームが形成される。源SLの電圧レベルは収束ビームが 集束させられる距離を制御する。この信号のレベルは、収束ビームが走査される ときにこれが画像区域30のそのそれぞれの領域3小におけるすべての画素部分 において集束させられるように選択される。
今度は第2図について述べると、光弁配列体31の単一の画素部分は基板1zの 第1平行面6上の一対の近接した電極33と基板12の第2平行面8上の電極3 5との間に加えられた′a界によって規定される。第2図に示された三つの電極 33及び35が一つの画素部分を規定している。これらの電極は二つの電界を加 える。画素部分の一対の電極33はスイッチSが閉じら力〜たとキ(、で同じ直 流電圧信号を受けるように構成されることが望−t L。
い。望−ましくは、画素部分の電極(バこj−らの電界及びそれらの確立される 光学軸が基板12の而(5及び8に対する法線から445°の角度に且つ受容光 の入射方向にほぼ垂直に方向づけられるように配置行さJ′1.でいる、1I1 1i素部分への入射光の偏光はこれらの光学軸に対して4・5° の角度である 。画素部分の長さは、適当な強さの電′If−が画素部分を通[7て加えら、l ′LIr:、ときにこの1ifIj素部分が部分の一波長板(先なって入射光の 偏光面e90”変えるように選ばtl、でいる。
情報はスイッチSを開いたり閉じたりづ゛ることにJ二って変調さilる。電極 33 +、で電圧が加えら才1.ていない(スイッチSが開いている)ときには 、検光子20が偏光光を阻止する。しかし5ながら、スイッチSが閉じら九ンへ と、第2図に示さ九た電界が確立される。そのような画素部分)(おける光ビー ムの偏光面(ま90″変えらハ、て、検光+20を通過し/ζそのような画素光 は画像区域30の9域34における画素を照射する。
第3図にはモノリシック装置の別の実施例が示されている。対応する部分には第 1図におけるのと同じ番号にプライム(′)の伺いたものが施されている。第3 図のモノリンツク装置10′は、第1図の装置10と同様の構特表昭62−50 0123 (5) 成を持っているが、但し第1図の装置1oの偏向電極21と同様の機能を行う「 のこぎり歯」電極2]′を備えている。しか(7ながら、のこぎり歯形状の利点 は、基板上で占める空間がより小さいので装置10′?より小形にすることがで きることである。別の利点は装置10′を通る光路長を容易に短くできることで ある。短い光路長は基板内の散乱の影響を最小限にする。もちろん、のこき′り 歯形状は技術に通じた者が思いつくような多ぐの電極形状全例示するにすき゛な い。装置〕O′は第1図の装置10占同様の方法で動作するので、それの残りの 素子及びこtlの動作今更に詳しく説明する必9は攻い。
第1図ないし7第3図に示された装置(i技術−に重要な改良を有17でいる。
それらの装置は製造へで容易にするモノリシック装置を使用L7ている。;7か しながら、七nらは元弁配列体画素部分において非一様な電界を受けることがあ る。別の問題は、両電極21間に加えられる時間的に変化する電界((よって引 き起こされる基板12における。@、f;:屈折率こ・う配のために望捷れない 元の散乱の発生されることがある仁とである。
第を図にはモノリシック装置を利用し丁いない電気光学的装置が示されているが 、これは令達・くたばかりの諸問題を補正するので有利である。部材40はこれ に電界が確立されたとき罠光学的等方性状態から複屈折状態に変わる電気光学的 物質(例えばPI’、;lT)で形成されている。図示されたように、平面偏光 光の入力ビームは部材!=0の入射面全体に垂直に入射している。部分の一波長 板46は部材40に接着されている。一体的光弁配列体4−9を持った電気光学 的基板を備えた部材+8は部材÷6に接着されている。各画素部分は二つの電極 53の間に規定される。部材李0には入力光ビームの入力偏光面に平行に時間的 に変化する電界を加える三角形状の電極21“が取り付けられている。この電界 は元ビームを偏向させる。この二つの電極は、前の実施例の電極2】に関して前 述したような方法で、電圧源(図示されず)からの時間的に変化する電圧信号に 応答して部材40の一部分を通る時間的に変化する電界を確立するように構成さ れている。
光路長は最小限にされており、従って光散乱問題は部材÷Oの両側に複数の合同 の二等辺三角形の形状全した三角形状の電極21“?設けることによって低減さ れる。
複数の不透明マスク50は部材40の入射面と部材48の射出面とに設けられて いる。部材40上の不透明マスク50は、屈折率こう耐震化が最も急である二等 辺三角形電極21“の頂点間で発生された電界を通過する元をそれぞt′L阻止 する。部材48上の不透明マスク50は、クロストークが生じ得るような画素部 分間の領域における光を阻止する。更に、角度θ(第4図参照)全増大すると、 偏向効率が改善される。90t35PLZTf用いてθ−60°にすると、2’  OKV/lynの電界変化で、1度の偏向が達成される。θを増大することに 伴う主な欠点Cま偏向器部分を通る光路も増大することである。幾つかの電気光 学的物質(例えばPLZT)においては長い光路はかなりの光散乱音生じること がある。
他の実施例において既に見られたように、電界は純粋に屈折的な場所(偏向及び 集束)では偏光ベクトルの方向に平行であり且つ又光弁画素部分では検光子にお けるオンオフ式の90’偏向変化を与えるために偏光の方向に対して45’の角 度であることが望ましい。
偏向部材と部材48との間の部分の一波長板部材46はその確立された光学軸が 部材48における垂直入射入力光ビームの偏光ベクトルの方向に対して2245 °の角度になっている。これは偏光光ビームの偏光面全45″変える。この偏光 変化は、各配列体画素部分に対してただ二つの電極53を使用し、これにより、 他の実施例において使用さnた三つの電極の代わりに通常の装置(図示されず) により両電極53間に加えられた定電圧に応答して高度に一様な電界を加えるこ とを可能にする。光弁画素部分電極53は部材牛8上で互いに直接対向して配置 されており、これが一様な(周辺効果のない)変調用電界を生じることになる。
両電極53間の画素部分全通過する光は部材40及び48上の不透明マスクによ って阻止さitな鴨華に述べたように、光は各画素部分間においては部材48上 のマスク50によって阻止される。
又、部材手8の厚さに対する隣り合った電極53の離隔距離の比は、画素部分間 の電界相互作用に起因すSクロストークを避けるために十分大きく選択されてい る。線形検光子52はその透過軸が部材48に入射する線形光の偏光ベクトルに 垂直に限定さたで設けられている。部fl’54にはやはり同一のレンズ55の 配列体が設けられている。各レンズ7子は画像区域6oの領域64において特定 の被変調ビームを集束させる。レンズの焦点距離は画像区域60の隣り合った領 域64の画素が互いに連続し、てつながるように偏向角度θ及びレンズ間離隔距 離によって決定さ1する。レンズ配列体は例えば日本板硝子株式会社(N1pp on Sh、eet Glass Co、 )によって製造さi;trナセルォ ック(5elfoc)配列体、又は第1図に示された電極22によって形成され たちの圧類似したレンズ状配列体でよいであろう。
利点及び産業上の適用性 この電気光学的装置は感光面に画像を発生させるための出力印刷装置に用いるの に特に:1復している。この電気光学的装俗は改善された分解能全与え1つ音響 光学的偏向器の必要性ケなくする。
FIG、4 閏ii9 ft!を報告 ANNEX To−iINTERNATIONAL 5EAR(HREF’OR T ON

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.平面偏光光のビームを受け、この受容ビームを複数のビームに形成し、この 複数のビームを装置から隔置された画像区域において集束させ、この複数のビー ムのうちの選択されたものの偏光面を変えて、この複数のビームを面像区域上で 走査するための装置であつて、(a)内部に確立された電界に応答して複屈折を 変える電気光学的物質で形成された基板、 (b)光ビームの偏光面を変えることuく制御可能u角度により平面偏光光ビー ムを偏向させるための偏向装置であつて、時間的に変化する電圧信号に応答して 前記の基板の一部分に、前記の物質の屈折率を変えて平面偏光光の入射ビームを 偏向させる時間的に変化する電界を確立する前記の基板上の少なくとも一つの電 極を備えている前記の偏向装置、及び (c)偏光光ビームを同時に複数のビームに形成してこの複数のビームを画像区 域において集束させるための集束装置、 (d)各画素部分が複数の集束したビームのうちの特定の一つの偏光面を選択的 に変えるための変調用装置を備えている複数の画素部分を規定していて、平面偏 光光ビームが画像区域において集束させられた複数のビームに形成され且つこの 複数のビームが画像区域上で定査されるときにこの複数のビームの偏光面が選択 的に変えられるようになる、光弁の配列体、によつて特徴づけられる前記の装置 。
  2. 2.前記の変調用装置が、電気信号に応答して前記の画素部分中に、入射平面偏 光光の偏光面を90°変える電界を確立する電気光学的基板上の少なくとも二つ の電極を備えている、請求の範囲第1項に記載の装置。
  3. 3.前記の偏光装置が三角形状の電極装置からなつている、請求の範囲第1項に 記載の装置。
  4. 4.平面偏光光のビームを受け、この受容ビームを複数の収束ビームに形成し、 この複数のビームをモノリシツク装置から隔置された画像区域において集束させ 、この複数の収束ビームのうちの選択されたものの偏光面を変えることによつて この複数の収束ビームを情報変調して、この複数の収束光ビームを画像区域上で 走査するためのモノリシツク装置であつて、 (a)内部に確立された電界に応答して一つの状態から複屈折状態に変わる電気 光学的物質で形成された基板、(b)(1)時間的に変化する電圧信号に応答し て前記の基板の第1部分中に、この第1部分の屈折率を変化させてその偏光を変 えることなく受容光ビームを偏向させる時間的に変化する電界を確立することの できる少なくとも一つの電極、 (ii)受信した固定電圧信号に応答して前記の基板の第2部分中にこの第2部 分の屈折率を変化させる電界を確立して、この第2部分を、偏光光ビームを受信 し、複数のビームを形成し、この複数のビームのそれぞれを画像区域の特定の領 域において集束させるように適合させることのできる多レンズ形状の電極、 (iii)各画素部分が前記の複数のビームの一つを受けるように適合させられ ている複数の画素部分を規定する複数の変調用電極であつて、電圧信号に応答し て前記の画素部分の選択されたものの中にこの選択された画素部分のそれぞれの もののその光ビームの偏光面を変化させる電界を確立する前記の複数の変調用電 極を備えていて、前記のモノリシツク装置によつて受容された平面偏光光のビー ムが複数のビームに形成されて画像区域のそれ以上の領域において集束させられ て走査され、その際その複数のビームの偏光面が選択的に変えられるようになつ ている光弁配列体、 を含んでいる前記の基板上の複数の電極、を備えている前記のモノリシツク装置 。
  5. 5.所定のもの以外の平面偏向の方向を持つた光弁配列体から出たビームが画像 区域に達するのを阻止するために前記の光弁配列体と前記の画像区域との間に配 列された光学的阻止装置によつて特徴づけられる、請求の範囲第1項から第4項 までのいずれか一つに記載の装置。
  6. 6.前記の複数のビームのそれぞれのものの偏光面の方向が前記の光弁配列体に よつて前記の所定のものに変えられている場合にその各ビームが面像区域におい て走査されるのを前記の阻止装置が阻止する、請求の範囲第5項に記載の装置。
  7. 7.光ビームを発位して、この光ビームを選択的にオンオフすることによつてこ のビームを情報変調しながらこのビームを画像区域において走査するための方法 であつて、 (a)平面偏光光のビームを電気光学的物質中に通すこと、 (b)前記の基板中の電界を変化させてビームの偏光を変えることなくビームを 制御可能な角度により偏向させること、 (c)偏向したビームを複数のビームに変換すること、(d)ビームを画像区域 において集束させること、(e)複数のビームの選択されたものの偏光面を変え ること、及び (f)複数のビームのそれぞれのものの偏光面が変えられていないときにこのそ れぞれのビームが画像区域において走査されるのを阻止し、これにより偏光面が 変えられた集束した光ビームを画像区域において走査すること、 によつて特徴づけられる前記の方法。
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