JPS6248040A - 絶縁分離基板及びその製造方法 - Google Patents
絶縁分離基板及びその製造方法Info
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- JPS6248040A JPS6248040A JP19068385A JP19068385A JPS6248040A JP S6248040 A JPS6248040 A JP S6248040A JP 19068385 A JP19068385 A JP 19068385A JP 19068385 A JP19068385 A JP 19068385A JP S6248040 A JPS6248040 A JP S6248040A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は絶縁分離基板及びその製造方法に関し、特にモ
ノリシック半導体集積回路に用いられる誘電体絶縁分離
基板及びその製造方法に関する。
ノリシック半導体集積回路に用いられる誘電体絶縁分離
基板及びその製造方法に関する。
誘電体絶縁分離基板は支持領域に誘電体絶縁膜を介して
複数個のシリコン単結晶島領域を支持した構造を有する
もので高耐圧を有していることと、寄生容量が小さいこ
とから広く利用されている。
複数個のシリコン単結晶島領域を支持した構造を有する
もので高耐圧を有していることと、寄生容量が小さいこ
とから広く利用されている。
絶縁分離基板では多数の集積回路素子（トランジスタ、
ダイオード、サイリスタ、抵抗、容量等）は全てシリコ
ン単結晶島領域内に形成され、これらは電気的に絶縁分
離されている。この絶縁分離基板の構造並びにその製造
方法を第３図及び第４図に従って説明する。
ダイオード、サイリスタ、抵抗、容量等）は全てシリコ
ン単結晶島領域内に形成され、これらは電気的に絶縁分
離されている。この絶縁分離基板の構造並びにその製造
方法を第３図及び第４図に従って説明する。
第３図（ａ） 、 （ｂ）は従来の絶縁分離基板の構造
並びに製造方法を説明するために工程順に示した断面図
である。
並びに製造方法を説明するために工程順に示した断面図
である。
第３図（ａ）に示すように第一の導電型であるｎ型のシ
リコン単結晶ウェーノー１を用意し、この片側面に所要
の数及び形状の分離溝２を公知のアルカリ性溶液による
異方性エツチング技術により形成する。次いで分離溝２
を形成した面に熱酸化処理により絶縁膜としてのシリコ
ン酸化膜３を被着させる。次にシリコン酸化膜３の上に
気相成長反応等により支持体層４としてのシリコン多結
晶層４ａを成長させる。しかる後シリコン単結晶ウェハ
１の表面を基準としてシリコン多結晶層４ａを破線面Ａ
まで研磨して平坦面を作り、次にこの平坦面を基準とし
て反対側のシリコン単結晶ウェーハ１を破線面Ｂまで研
磨して分離溝２のシリコン酸化膜３で分離された所望深
さのシリコン単結晶島を形成する。以上の工程を終える
ことにより、第３図（ｂ）に示したような目的とする絶
縁分離基板５を得る。シリコン単結晶島領域１ａ、ｌｂ
。
リコン単結晶ウェーノー１を用意し、この片側面に所要
の数及び形状の分離溝２を公知のアルカリ性溶液による
異方性エツチング技術により形成する。次いで分離溝２
を形成した面に熱酸化処理により絶縁膜としてのシリコ
ン酸化膜３を被着させる。次にシリコン酸化膜３の上に
気相成長反応等により支持体層４としてのシリコン多結
晶層４ａを成長させる。しかる後シリコン単結晶ウェハ
１の表面を基準としてシリコン多結晶層４ａを破線面Ａ
まで研磨して平坦面を作り、次にこの平坦面を基準とし
て反対側のシリコン単結晶ウェーハ１を破線面Ｂまで研
磨して分離溝２のシリコン酸化膜３で分離された所望深
さのシリコン単結晶島を形成する。以上の工程を終える
ことにより、第３図（ｂ）に示したような目的とする絶
縁分離基板５を得る。シリコン単結晶島領域１ａ、ｌｂ
。
酸化膜、９はアルミニウム配線である。
第４図（ａ）、（ｂ）は従来の改良さｈた絶縁分離基板
の構造並びに製造方法を説明するための断面図であり、
第４図（ａ）に示すようにｎ型のシリコン単結晶ウェー
ハ１から分離溝２を形成しシリコン酸化膜３を被着させ
る工程までは前記第３図（ａ）の゛場合と同じである。
の構造並びに製造方法を説明するための断面図であり、
第４図（ａ）に示すようにｎ型のシリコン単結晶ウェー
ハ１から分離溝２を形成しシリコン酸化膜３を被着させ
る工程までは前記第３図（ａ）の゛場合と同じである。
支持体層４の形成にさいしてシリコン多結晶層４ａとシ
リコン酸化膜層４Ｃを交互に気相成長反応等により所定
の厚さだけ堆積させる。しかる後シリコン単結晶ウェー
ノ）ｌの表面を基準にしてシリコン多結晶層４ａとシリ
コン酸化膜層４Ｃの交互積層を破線面人まで研磨して平
坦化し、次にこの平坦面を基準として反対側のシリコン
単結晶ウェーノＳ１を破線面Ｂまで研磨して分離溝２の
シリコン酸化膜３で分離された所望深さのシリコン単結
晶島を形成する。以上の工程を終えることにより、第４
図（ｂ）に示したような絶縁分離基板５を得る。次いで
シリコン単結晶島領域１ａ、Ｉｂ、ｌｃには各稲の集積
回路素子６．７が所定の不純物拡散を行なうことによっ
て形成される。
リコン酸化膜層４Ｃを交互に気相成長反応等により所定
の厚さだけ堆積させる。しかる後シリコン単結晶ウェー
ノ）ｌの表面を基準にしてシリコン多結晶層４ａとシリ
コン酸化膜層４Ｃの交互積層を破線面人まで研磨して平
坦化し、次にこの平坦面を基準として反対側のシリコン
単結晶ウェーノＳ１を破線面Ｂまで研磨して分離溝２の
シリコン酸化膜３で分離された所望深さのシリコン単結
晶島を形成する。以上の工程を終えることにより、第４
図（ｂ）に示したような絶縁分離基板５を得る。次いで
シリコン単結晶島領域１ａ、Ｉｂ、ｌｃには各稲の集積
回路素子６．７が所定の不純物拡散を行なうことによっ
て形成される。
上述した第３図（ａ）、（ｂ）での絶縁分離基板の製法
では、支持体領域のシリコン多結晶層の形成が連続して
行なえる為、支持体層の形成が効率よく経済的に行なえ
るがシリコン単結晶とシリコン多結晶の熱膨張係数の差
と支持体層４としてシリコン多結晶層４ａを厚く（例え
ば３５０μｍ以上）積む必要がある為、シリコン多結晶
層４ａを形成した後に基板１がシリコン多結晶層４ａ側
が凹面となる方向に著しく湾曲する。この湾曲は不要な
シリコン単結晶ウェーハの研磨における精度を著しくそ
こなう原因となったり、研磨工程でのウェーハの割れを
生じたりする為絶縁分離基板のコストを上昇させ、また
シリコン単結晶島領域への結晶欠陥導入の要因となるな
どの理由により製品歩留りの低下を招く。一方策４図（
ａ） 、 （ｂ）で示す方法ではシリコン単結晶（熱膨
張係数２．５Ｘ１０−’／”Ｃ）とシリコン多結晶（熱
膨張係数７．６Ｘ１ ｏ−１１／ａｃ ）との熱膨張係
数の差より生ずる湾曲を支持体層４としてのシリコン多
結晶層４ａの形成にさいしてシリコン酸化膜層４ｃ（熱
膨張係数０．５Ｘ１０”−’／℃）を介在させて熱膨張
係数差を補償し湾曲の少ない基板を製造することができ
る。しかしながらシリコン多結晶層４ａとシリコン酸化
膜層４Ｃとの交互積層は気相化学反応装置を用いて、
Ｈｑと８ｔＨｎＸｍ （Ｘは元素Ｃ１！、 Ｂｒ、 Ｉ
の１種、ｎおよびｍはＯ〜４の数値、ｎ十ｍ＝４）とを
反応きせてシリコン多結晶層４ａを成長させ、次に同一
反応炉内で、Ｈ２と８ｉＨｎＸｍ反応ガスおよび８ｉＨ
ｎＸｍと反応してシリコン酸化膜（８ｉ０２）を生成す
るガスＹ（例えばＯ，ＣＯ２、Ｎ２０．Ｈ，０などがあ
る）との混合雰囲気中でシリコン単結晶ウェーハ１を加
熱しシリコン酸化膜層４Ｃを形成する。さらに引き続き
所定の支持体層厚さを得る為前記の気相化学反応サイク
ルを繰り返すことにより、シリコン多結晶層４ａとシリ
コン酸化膜層４Ｃの交互積層を形成する。しかしながら
シリコン多結晶層とシリコン酸化膜層の交互積層では同
一の気相化学反応装置内での反応である為反応ガスの置
換が必要であυ、積み重ねの回数を増すほどまたウェー
ハが大口径化するほど支持体Ｎ４を厚く精む必要がある
ため非常に時間と労力を要し、絶縁分離基板５のコスト
が高くなるという欠点があった。
では、支持体領域のシリコン多結晶層の形成が連続して
行なえる為、支持体層の形成が効率よく経済的に行なえ
るがシリコン単結晶とシリコン多結晶の熱膨張係数の差
と支持体層４としてシリコン多結晶層４ａを厚く（例え
ば３５０μｍ以上）積む必要がある為、シリコン多結晶
層４ａを形成した後に基板１がシリコン多結晶層４ａ側
が凹面となる方向に著しく湾曲する。この湾曲は不要な
シリコン単結晶ウェーハの研磨における精度を著しくそ
こなう原因となったり、研磨工程でのウェーハの割れを
生じたりする為絶縁分離基板のコストを上昇させ、また
シリコン単結晶島領域への結晶欠陥導入の要因となるな
どの理由により製品歩留りの低下を招く。一方策４図（
ａ） 、 （ｂ）で示す方法ではシリコン単結晶（熱膨
張係数２．５Ｘ１０−’／”Ｃ）とシリコン多結晶（熱
膨張係数７．６Ｘ１ ｏ−１１／ａｃ ）との熱膨張係
数の差より生ずる湾曲を支持体層４としてのシリコン多
結晶層４ａの形成にさいしてシリコン酸化膜層４ｃ（熱
膨張係数０．５Ｘ１０”−’／℃）を介在させて熱膨張
係数差を補償し湾曲の少ない基板を製造することができ
る。しかしながらシリコン多結晶層４ａとシリコン酸化
膜層４Ｃとの交互積層は気相化学反応装置を用いて、
Ｈｑと８ｔＨｎＸｍ （Ｘは元素Ｃ１！、 Ｂｒ、 Ｉ
の１種、ｎおよびｍはＯ〜４の数値、ｎ十ｍ＝４）とを
反応きせてシリコン多結晶層４ａを成長させ、次に同一
反応炉内で、Ｈ２と８ｉＨｎＸｍ反応ガスおよび８ｉＨ
ｎＸｍと反応してシリコン酸化膜（８ｉ０２）を生成す
るガスＹ（例えばＯ，ＣＯ２、Ｎ２０．Ｈ，０などがあ
る）との混合雰囲気中でシリコン単結晶ウェーハ１を加
熱しシリコン酸化膜層４Ｃを形成する。さらに引き続き
所定の支持体層厚さを得る為前記の気相化学反応サイク
ルを繰り返すことにより、シリコン多結晶層４ａとシリ
コン酸化膜層４Ｃの交互積層を形成する。しかしながら
シリコン多結晶層とシリコン酸化膜層の交互積層では同
一の気相化学反応装置内での反応である為反応ガスの置
換が必要であυ、積み重ねの回数を増すほどまたウェー
ハが大口径化するほど支持体Ｎ４を厚く精む必要がある
ため非常に時間と労力を要し、絶縁分離基板５のコスト
が高くなるという欠点があった。
本発明は上記した従来の欠点を除去し、シリコン単結晶
基板と支持体層の熱膨張係数差によるウェーハの湾曲が
補正され、シリコン単結晶島領域の分離精度が向上する
と共に湾曲によるウェーハの割れ、欠けが防止され工程
歩留りが向上し、更に支持体層の形成が高能率でかつ経
済的に形成できる絶縁分離基板及びその製造方法を提供
することを目的とする。
基板と支持体層の熱膨張係数差によるウェーハの湾曲が
補正され、シリコン単結晶島領域の分離精度が向上する
と共に湾曲によるウェーハの割れ、欠けが防止され工程
歩留りが向上し、更に支持体層の形成が高能率でかつ経
済的に形成できる絶縁分離基板及びその製造方法を提供
することを目的とする。
本発明の第１の発明の絶縁分離基板は、相互に電気的に
絶縁され各々に集積回路素子が形成される複数個のシリ
コン単結晶島領域と、これら各シリコン単結晶島領域を
一側において支持する支持体層領域とからなる絶縁分離
基板において、シリコン単結晶島領域を分離する為に分
離溝表面に被着された絶縁分離膜の一部が選択的に除去
され、支持体層はシリコン単結晶層とシリコン多結晶層
との混成支持体層から構成されている。また、本発明の
第２の発明の絶縁分離基板の製造方法は。
絶縁され各々に集積回路素子が形成される複数個のシリ
コン単結晶島領域と、これら各シリコン単結晶島領域を
一側において支持する支持体層領域とからなる絶縁分離
基板において、シリコン単結晶島領域を分離する為に分
離溝表面に被着された絶縁分離膜の一部が選択的に除去
され、支持体層はシリコン単結晶層とシリコン多結晶層
との混成支持体層から構成されている。また、本発明の
第２の発明の絶縁分離基板の製造方法は。
シリコン単結晶ウェーハに所定の数及び形状の分離溝を
異方性エツチングにより形成する工程と、形成した核分
離溝面に誘電体絶縁膜を被着する工程と、該誘電体絶縁
膜の一部を所定の形状に選択的に除去する工程と、前記
シリコン単結晶ウェーハの絶縁膜形成面に気相化学反応
により支持体層を形成する工程と、該支持体層を形成し
た単結晶ウェーハを研磨して所定の単結晶島領域に分離
する工程とを含んで構成される。
異方性エツチングにより形成する工程と、形成した核分
離溝面に誘電体絶縁膜を被着する工程と、該誘電体絶縁
膜の一部を所定の形状に選択的に除去する工程と、前記
シリコン単結晶ウェーハの絶縁膜形成面に気相化学反応
により支持体層を形成する工程と、該支持体層を形成し
た単結晶ウェーハを研磨して所定の単結晶島領域に分離
する工程とを含んで構成される。
（実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の絶縁分離基板を適用した半
導体集積回路素子の断面図である。
導体集積回路素子の断面図である。
第１図において、シリコン単結晶島領域は高耐圧回路素
子用シリコン単結晶島領域１ａと低耐圧回路素子用シリ
コン単結晶島領域１ｂと、回路素子を形成しないシリコ
ン単結晶島領域１ｃとからなる構成であシ、シリコン単
結晶島領域１ａでは島の底面および側面の全表面に絶縁
分離膜としてのシリコン酸化膜３ａが被着し、シリコン
単結晶領域１ｂでは島の側面にのみシリコン酸化膜３ｂ
が被着し、シリコン単結８島領域１ｃではシリコン酸化
膜がない形状で各々のシリコン単結晶島領域が分離され
る。支持体層はシリコン酸化膜３ａ。
子用シリコン単結晶島領域１ａと低耐圧回路素子用シリ
コン単結晶島領域１ｂと、回路素子を形成しないシリコ
ン単結晶島領域１ｃとからなる構成であシ、シリコン単
結晶島領域１ａでは島の底面および側面の全表面に絶縁
分離膜としてのシリコン酸化膜３ａが被着し、シリコン
単結晶領域１ｂでは島の側面にのみシリコン酸化膜３ｂ
が被着し、シリコン単結８島領域１ｃではシリコン酸化
膜がない形状で各々のシリコン単結晶島領域が分離され
る。支持体層はシリコン酸化膜３ａ。
３ｂが被着しているシリコン単結晶島領域下ではシリコ
ン多結晶層４ａとなシリコン酸化膜が被着していないシ
リコン単結晶島領域下ではシリコン単結晶層４ｂとなり
シリコン多結晶層とシリコン単結晶層から々る混成支持
体ＷＩ４１となる。回路素子の形成は高耐圧特性を要求
する高耐圧回路素子７（例えばサイリスメ、トランジス
タ）はシリコン単結晶島領域１ａに低耐圧特性の低耐圧
回路素子６（例えば抵抗、ダイオード）はシリコン単結
晶島領域１ｂに行ない、アルミ配線のみの領域、未使用
領域およびチップに分断する為の領域（スクライプ領域
）等はシリコン単結晶島領域ＩＣとする。
ン多結晶層４ａとなシリコン酸化膜が被着していないシ
リコン単結晶島領域下ではシリコン単結晶層４ｂとなり
シリコン多結晶層とシリコン単結晶層から々る混成支持
体ＷＩ４１となる。回路素子の形成は高耐圧特性を要求
する高耐圧回路素子７（例えばサイリスメ、トランジス
タ）はシリコン単結晶島領域１ａに低耐圧特性の低耐圧
回路素子６（例えば抵抗、ダイオード）はシリコン単結
晶島領域１ｂに行ない、アルミ配線のみの領域、未使用
領域およびチップに分断する為の領域（スクライプ領域
）等はシリコン単結晶島領域ＩＣとする。
第２図（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例の絶縁分離基
板の製造方法を説明するために工程順に示し九断面図で
ある。
板の製造方法を説明するために工程順に示し九断面図で
ある。
まず、第２図（ａ）は結晶面方位（１００）を有するｎ
型のシリコン単結晶基板１を示している。
型のシリコン単結晶基板１を示している。
次に、第２図（ｂ）に示すように、ｎ型のシリコン単結
晶基板１をアルカリ性水溶液（例えば水酸化カリウムＫ
ＯＨ）による異方性エッチン、グ技術によシリコン多結
晶基板ｌの表側に所定の数。
晶基板１をアルカリ性水溶液（例えば水酸化カリウムＫ
ＯＨ）による異方性エッチン、グ技術によシリコン多結
晶基板ｌの表側に所定の数。
形状の分離溝２を形成する。
次に、第２図（Ｃ）に示すように、形成された分離溝２
を含むシリコン単結晶基板１０表側にシリコン単結晶島
領域を形成する為の絶縁分離膜としてのシリコン酸化膜
３を熱酸化法等の方法により形成する。
を含むシリコン単結晶基板１０表側にシリコン単結晶島
領域を形成する為の絶縁分離膜としてのシリコン酸化膜
３を熱酸化法等の方法により形成する。
次に、第２図（ｄ）に示すように、シリコン単結晶基板
１の表側のシリコン酸化膜３をシリコン単結晶島領域に
形成する回路素子の特性によシ所定の形状に選択的に除
去し７、シリコン酸化膜３ａ。
１の表側のシリコン酸化膜３をシリコン単結晶島領域に
形成する回路素子の特性によシ所定の形状に選択的に除
去し７、シリコン酸化膜３ａ。
３ｂとする。ここで高耐圧回路素子部シリコン酸化膜３
ａで被着されたシリコン単結晶基板領域が高耐圧回路素
子用シリコン単結晶島領域４′１ａに低耐圧回路素子部
シリコン酸化膜３ｂで被着されたシリコン単結晶基板領
域が低耐圧回路素子用シリコン単結晶島領域：Ｊ／１ｂ
に、シリコン酸化膜が全面に除去されたシリコン単結晶
基板領域は素子分離を必要とし、ないシリコン単結晶島
領域ｅＩＣになる。
ａで被着されたシリコン単結晶基板領域が高耐圧回路素
子用シリコン単結晶島領域４′１ａに低耐圧回路素子部
シリコン酸化膜３ｂで被着されたシリコン単結晶基板領
域が低耐圧回路素子用シリコン単結晶島領域：Ｊ／１ｂ
に、シリコン酸化膜が全面に除去されたシリコン単結晶
基板領域は素子分離を必要とし、ないシリコン単結晶島
領域ｅＩＣになる。
次いで、第２図（ｅ）に示すように支持体層４をＨ２と
Ｓ ｉＨｎＨｍ （Ｘけ元素Ｃ／、Ｂｒ、Ｉの１種、ｎ
およびｍは０〜４の数値ｅ ｎ＋ｍ＝４）反応ガスに
よる気相化学反応により連続的に成長させる。
Ｓ ｉＨｎＨｍ （Ｘけ元素Ｃ／、Ｂｒ、Ｉの１種、ｎ
およびｍは０〜４の数値ｅ ｎ＋ｍ＝４）反応ガスに
よる気相化学反応により連続的に成長させる。
この際支持体層４けシリコン単結晶上に絶縁膜としての
シリコン酸化膜３ａ、３ｂが被着されている領域の上で
はシリコン多結晶層４ａがその他の領域（シリコン酸化
膜のない部分）ではシリコン単結晶層４ｂが成長する為
混成支持体層４１となる。また一般的にシリコン多結晶
層４ａとシリコン単結晶層４ｂの境界では結晶性の劣る
シリコン単結晶遷移領域（図示せず）が成長するが支持
体層として使う為特に問題とはならない。支持体層４１
の成長終えた基板はさらに支持体層側を破線画人まで研
磨またはエツチング等の方法により除去および平坦化し
、つぎに基板を裏返してシリコン単結晶基板側をシリコ
ン単結晶島領域が所定の深さで各々分離する破線面Ｂｔ
で除去し平坦化する。
シリコン酸化膜３ａ、３ｂが被着されている領域の上で
はシリコン多結晶層４ａがその他の領域（シリコン酸化
膜のない部分）ではシリコン単結晶層４ｂが成長する為
混成支持体層４１となる。また一般的にシリコン多結晶
層４ａとシリコン単結晶層４ｂの境界では結晶性の劣る
シリコン単結晶遷移領域（図示せず）が成長するが支持
体層として使う為特に問題とはならない。支持体層４１
の成長終えた基板はさらに支持体層側を破線画人まで研
磨またはエツチング等の方法により除去および平坦化し
、つぎに基板を裏返してシリコン単結晶基板側をシリコ
ン単結晶島領域が所定の深さで各々分離する破線面Ｂｔ
で除去し平坦化する。
第２図（ｆ）は上記の工程を終えることにより最終的に
形成された絶縁分離基板５の断面図である。
形成された絶縁分離基板５の断面図である。
シリコン単結晶島領域は分離の為のシリコン酸化膜の被
着形状により高耐圧回路素子用のシリコン単結晶島領域
１ａ、低耐圧回路素子用のシリコン単結晶島軸域１ｂ、
回路素子を形成しないシリコン単結晶島領域ＩＣとから
構成される。また支持体層４Ｆｉシリコン多結晶層４ａ
とシリコン単結晶層２４ｂとの混成支持体層４１となる
。
着形状により高耐圧回路素子用のシリコン単結晶島領域
１ａ、低耐圧回路素子用のシリコン単結晶島軸域１ｂ、
回路素子を形成しないシリコン単結晶島領域ＩＣとから
構成される。また支持体層４Ｆｉシリコン多結晶層４ａ
とシリコン単結晶層２４ｂとの混成支持体層４１となる
。
以上説明したように本発明はシリコン単結晶島領域の分
離においてシリコン単結晶島領域に形成する回路素子の
要求特性に対して分離のための絶縁膜の被着形状を変え
ることにより、支持体層をＨ・２と８ｉＨｎＸｍ 反応
ガスによる気相化学反応により成長させる場合、支持体
層はシリコン多結晶層とシリコン単結晶層との混成支持
体層となる為。
離においてシリコン単結晶島領域に形成する回路素子の
要求特性に対して分離のための絶縁膜の被着形状を変え
ることにより、支持体層をＨ・２と８ｉＨｎＸｍ 反応
ガスによる気相化学反応により成長させる場合、支持体
層はシリコン多結晶層とシリコン単結晶層との混成支持
体層となる為。
シリコン単結晶基板と支持体層との熱膨張係数差による
ウェーハの湾曲が補正され、研磨工程でのシリコン単結
晶島領域の分離精度が向上するとともに、湾曲によるウ
ェーハの割れ、欠けが防止される為工程歩留りが向上す
る。さらに支持体層の成長が同一気相化学反応装置によ
り連続的に行なえるので、ウェーハの大口径化に伴ない
厚い支持体層（４００μｍ〜５００μｍ程度）を積む必
要がある場合でも高能率でかつ経済的に形成できるとい
う効果がある。
ウェーハの湾曲が補正され、研磨工程でのシリコン単結
晶島領域の分離精度が向上するとともに、湾曲によるウ
ェーハの割れ、欠けが防止される為工程歩留りが向上す
る。さらに支持体層の成長が同一気相化学反応装置によ
り連続的に行なえるので、ウェーハの大口径化に伴ない
厚い支持体層（４００μｍ〜５００μｍ程度）を積む必
要がある場合でも高能率でかつ経済的に形成できるとい
う効果がある。
第１図は本発明の一実施例の絶縁分離基板を適用した半
導体集積回路素子の概略断面図、第２図（ａ）〜（ｆ）
は第１図の絶縁分離基板の製造方法を説明するために工
程順に示した概略断面図、第３図（ａ） 、 （ｂ）は
従来の絶縁分離基板及びその製造方法を説明するために
工程順に示した概略断面図、第４図（ａ） 、 （ｂ）
は従来の改良された絶縁分離基板及びその製造方法を説
明するために工程順に示した概略断面図である。 １・・・・・・シリコン単結晶基板、ｌａ、 ｌｂ、
ｌｃ・・・・・・シリコン単結晶島領域、２・・・
・・・分離溝、３・・・・・・シリコン酸化膜（絶縁分
離膜）、３ａ・・・・・・高耐圧回路素子部シリコン酸
化膜、３ｂ・・・・・・低耐圧回路素子部シリコン酸化
膜、４・・・・・・支持体層、４１・・・・・・混成支
持体層、４ａ・・・・・・シリコン多結晶層、４ｂ・・
・・・・シリコン単結晶層、４ｃ・・・・・・シリコン
酸化膜層、５・・・・・・絶縁分離基板、６・・・・・
・低耐圧回路素子（抵抗、ダイオード等）、７・・・・
・・高耐圧回路素子（サイリスタ、トランジスタ等）、
８・・・・・・表烟 −Ｑ
（竿 ３ 菌 〉リコン徘喰イ６耳晃々シ 乞ド ４ 図
導体集積回路素子の概略断面図、第２図（ａ）〜（ｆ）
は第１図の絶縁分離基板の製造方法を説明するために工
程順に示した概略断面図、第３図（ａ） 、 （ｂ）は
従来の絶縁分離基板及びその製造方法を説明するために
工程順に示した概略断面図、第４図（ａ） 、 （ｂ）
は従来の改良された絶縁分離基板及びその製造方法を説
明するために工程順に示した概略断面図である。 １・・・・・・シリコン単結晶基板、ｌａ、 ｌｂ、
ｌｃ・・・・・・シリコン単結晶島領域、２・・・
・・・分離溝、３・・・・・・シリコン酸化膜（絶縁分
離膜）、３ａ・・・・・・高耐圧回路素子部シリコン酸
化膜、３ｂ・・・・・・低耐圧回路素子部シリコン酸化
膜、４・・・・・・支持体層、４１・・・・・・混成支
持体層、４ａ・・・・・・シリコン多結晶層、４ｂ・・
・・・・シリコン単結晶層、４ｃ・・・・・・シリコン
酸化膜層、５・・・・・・絶縁分離基板、６・・・・・
・低耐圧回路素子（抵抗、ダイオード等）、７・・・・
・・高耐圧回路素子（サイリスタ、トランジスタ等）、
８・・・・・・表烟 −Ｑ
（竿 ３ 菌 〉リコン徘喰イ６耳晃々シ 乞ド ４ 図
Claims (2)
- （１）相互に電気的に絶縁され各々に集積回路素子が形
成される複数個のシリコン単結晶島領域とこれら各シリ
コン単結晶島領域を一側において支持する支持体層領域
とからなる絶縁分離基板において、シリコン単結晶島領
域を分離する為に分離溝表面に被着された絶縁分離膜の
一部が選択的に除去され、支持体層はシリコン単結晶層
とシリコン多結晶層との混成支持体層からなることを特
徴とする絶縁分離基板。 - （２）シリコン単結晶ウェーハに所定の数及び形状の分
離溝を異方性エッチングにより形成する工程と、形成し
た該分離溝面に誘電体絶縁膜を被着する工程と、該誘電
体絶縁膜の一部を所定の形状に選択的に除去する工程と
、前記シリコン単結晶ウェーハの絶縁膜形成面に気相化
学反応により支持体層を形成する工程と、該支持体層を
形成した単結晶ウェーハを研磨して所定の単結晶島領域
に分離する工程とを含むことを特徴とする絶縁分離基板
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19068385A JPS6248040A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | 絶縁分離基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19068385A JPS6248040A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | 絶縁分離基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6248040A true JPS6248040A (ja) | 1987-03-02 |
Family
ID=16262140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19068385A Pending JPS6248040A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | 絶縁分離基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6248040A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5051378A (en) * | 1988-11-09 | 1991-09-24 | Sony Corporation | Method of thinning a semiconductor wafer |
| US5081061A (en) * | 1990-02-23 | 1992-01-14 | Harris Corporation | Manufacturing ultra-thin dielectrically isolated wafers |
| JPH0491146U (ja) * | 1990-12-13 | 1992-08-07 |
-
1985
- 1985-08-28 JP JP19068385A patent/JPS6248040A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5051378A (en) * | 1988-11-09 | 1991-09-24 | Sony Corporation | Method of thinning a semiconductor wafer |
| US5081061A (en) * | 1990-02-23 | 1992-01-14 | Harris Corporation | Manufacturing ultra-thin dielectrically isolated wafers |
| JPH0491146U (ja) * | 1990-12-13 | 1992-08-07 |
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