JPS6240459A - プレ−トクリ−ナ - Google Patents

プレ−トクリ−ナ

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Publication number
JPS6240459A
JPS6240459A JP60180229A JP18022985A JPS6240459A JP S6240459 A JPS6240459 A JP S6240459A JP 60180229 A JP60180229 A JP 60180229A JP 18022985 A JP18022985 A JP 18022985A JP S6240459 A JPS6240459 A JP S6240459A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask plate
charge
gas
mask
plate
Prior art date
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Pending
Application number
JP60180229A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Yoshida
隆司 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP60180229A priority Critical patent/JPS6240459A/ja
Publication of JPS6240459A publication Critical patent/JPS6240459A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/40Electrostatic discharge [ESD] related features, e.g. antistatic coatings or a conductive metal layer around the periphery of the mask substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体ウェーハのマスク合せに使用するマスク
プレートを洗浄するプレートクリーナに関する。
(発明の技術的背角とその問題点) 第6図に従来のプレートクリーナの断面図を示す。この
プレートクリーナは、上部が開口された框体1と、框体
1内に設けられマスクプレート2を把持するチャック3
と、チャック3を回転さける[−夕4と、コンプレツサ
5に接続されマスクプレート2に純水等の洗浄水を加圧
状態で噴き付けるノズル6と、框体1の上部開口部から
熱線を照射するヒートランプ7と、このヒートランプ7
を支持すると共に框体1に旋回可能に取り付けられたフ
ード8とで構成されている。
このようなプレートクリーナは制御手段(図示せず)の
プログラムによって自動的に作動するようになっており
、次にその作動の一例を説明する。
マスクプレート2をチャック3にセットし、フード8を
旋回しヒートランプ7を框体1の上部開口部の上方に゛
位置させる。これにより、制御手段のスイッチがrON
Jとなり、以下、プログラミングされた順序に従って作
動する。まず、モータ4が駆動してチャック3が回転し
、この回転状態でノズル6から1000PSI〜200
0 Psiの高圧純水等の洗浄水が噴射する。この洗浄
水はマスクプレート2のほぼ中央部分に噴き付けられて
マスクプレート2に付着している埃、汚れ等を除去する
。次いで、洗浄水の噴射が停止してマスクプレート2が
空転した後、ヒートランプ7が点灯してマスクプレート
の乾燥が行なわれ、乾燥が終了した後、モータ4の駆動
が停止する。そして、フード8が自動的に旋回して元の
位置に復帰し、以後はチャック3からマスクプレート2
を取り外し、マスクケース内に収納することでマスクプ
レート2の再使用が可能となる。
このようなプレー1〜クリーナにおいては、・マスクプ
レートの洗浄、乾燥の際にマスクプレートが帯電し、こ
の帯電によってマスクプレートの再使用が不可能となる
事態を生じている。すなわら、洗浄水の噴射前にあって
は第7図のように、框体1内の各部材の電荷が中和され
た状態であるが、洗浄水の噴射によって、第8図のよう
に噴き付は部へでマスクプレー1−2との摩擦が生じ、
プレート2が帯電するためである。そして、この帯電に
よって第9図に示すように、プレート2と反対の電荷を
有する埃9がブート−2表面に付着すると共に、他の物
体10が近づくとその物体10との間に放電が生じ、ク
ロム膜等からなる表面のマスク膜が破壊される不都合を
生じる。第10図はこの放電状態を示しており、同図(
a)のようにマスク膜11.11間に放電が生じると、
同図(b)のようにマスクIFJ11.11間の近接箇
所に破壊が生じる。そして、このようなマスク膜の破壊
および埃の付着が生じると、マスクパターンが変化する
ため、半導体ウェー八に所定のパターン形成ができない
、という問題があった。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、マスクプ
レートの帯電を防止して埃の付着やマスク膜の破壊をな
くしたプレートクリーナを提供することを目的としてい
る。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するため、本発明によるプレートクリー
ナは、マスクプレー1〜の帯電による電荷と反対の電荷
のイオン化エアを框体内に供給して、マスクレートの帯
電を中和することを特徴としている。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例によるプレートクリーナを第1
図ないし第5図を参照して具体的に説明する。
第1図はプレートクリーナの斜視図、第2図および第3
図はその作動を示す断面図である。
これらの図において、中空状の框体21の上部が円形に
開口されており、框体21内部にはチャック22および
ノズル23が設けられている。チキ7ツク22は図示し
ないモータと接続されてJ5す、マスクプレート24を
把持しながら水平面内で回転するようになっている。ノ
ズル23はその噴出口がマスクプレート24のほぼ中央
部分に向けられてマスクプレート24の上方に配設され
ている。
又、框体21の上面には旋回軸25を介してフード26
が取り付けられ、このフード26内にヒートランプ27
が取り付けられている。さらに、框体21の側壁の一部
が開口されて排気口28となっており、蛇腹ホース29
によって後述するイオン化気体を框体21外に排出する
ようになっている。なお、チャック22に把持されるマ
スクプレート24は第2図に示すように、ガラス等の透
光板24a上面にクロム膜、酸化第一鉄(Fed)膜、
モリブデン膜あるいは炭素鋼膜からなるマスク膜24b
が形成されている。
このようなプレートクリーナにおいて、框体21には導
出ホース30を介してイオン化気体供給手段31が接続
されている。このイオン化気体供給手段31は供給ホー
ス32を介して清浄な窒素ガスや、ヘリウムガス、アル
ゴンガス等の不活性ガスを供給すると共に、これら気体
をイオン化させるイオン化機構(図示せず)が内部に設
けられている。ここで、イオン化機構は、例えば、交流
B電圧で電極間にコロナ放電を行なうコロナ放電装置が
使用されて不活性ガスをイオン化するようになっている
。かかるイオン化は気体がマスクプレート24上に帯電
した電荷と反対の電荷を帯電するように行なわれ、通常
はマスクプレ−ト 電するように放電が行なわれる。これにより、気体分子
がマスクプレート24上の電荷を中和し、マスクプレー
ト24上の電荷が消失する。なお、イオン化された気体
はマスクプレート24の洗浄時、乾燥時又はその後に框
体21内に供給されてマスクプレート24の中和が行な
われる。
第3図はかかるイオン化気体供給手段31から框体21
内にイオン化気体を供給している状態を示し、洗浄、乾
燥時にマスクプレート24に帯電した電荷がイオン化気
体に中和されて消失している。このようにして帯電した
電荷の消失が行なわれたスマクブレート24は第4図に
示すように静電気による埃9の付着がなく、また他の物
体10との間で放電することがない。従って、第5図に
示すようにマスクプレート24上面のマスク膜24aと
近接するマスク膜24bとの間の放電がないから、洗浄
乾燥前においても、洗浄乾燥後においてもマスク膜24
a、24bが破壊されることがない。
なお、本発明は上記実施例に限らず、種々の変更が可能
であり、例えば、ヒートランプのかわりに、ヒータなど
の発熱体を使用してもよく、気体のイオン化にコロナ放
電でなく、他の手段を用いてもよく、さらにはイオン化
気体を循環使用するようにしてもよい。
〔発明の効果〕
以上のとおり、本発明によればイオン化された気体を供
給してマスクプレートに帯電した電荷を中和するように
したから、マスクプレートに埃の付着がないと共にマス
ク膜の破壊も防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例によるプレートクリーナの斜
視図および断面図、第2図、第3図は同プレートクリー
ナの作動状態を示す断面図、第4図、第5図は同プレー
トクリーナにより処理されたマスクプレートの状態を示
す正面図および平面図、第6図は従来のプレートクリー
ナの断面図、第7図、第8図は同ブリー1−クリーナの
作動状態を示す断面図、第9図、第10図は同プレート
クリーナにより処理されたマスクプレートの状態を示す
正面図および平面図である。 21・・・框体、22・・・ヂャック、23・・・ノズ
ル、24・・・マスクプレート、27・・・ヒートラン
プ、31・・・気体供給手段。 出願人代理人  佐  藤  −雄 第1図 第2図 第3図 第4図 第7図 第8図 9・ 第10図 へ( 第9図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、框体と、この框体内に設けられマスクプレートを把
    持する回転可能なチャックと、このチャックを回転させ
    る回転手段と、この回転手段により回転される前記マス
    クプレートに洗浄水を噴射するノズルと、前記マスクプ
    レートを乾燥する乾燥手段と、前記マスクプレートの帯
    電を中和するためイオン化された気体を前記框体内に供
    給するイオン化気体供給手段とを備えたことを特徴とす
    るプレートクリーナ。 2、特許請求の範囲第1項記載の装置において、イオン
    化気体供給手段はコロナ放電によつて気体をイオン化す
    るものであることを特徴とするプレートクリーナ。
JP60180229A 1985-08-16 1985-08-16 プレ−トクリ−ナ Pending JPS6240459A (ja)

Priority Applications (1)

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JP60180229A JPS6240459A (ja) 1985-08-16 1985-08-16 プレ−トクリ−ナ

Applications Claiming Priority (1)

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JP60180229A JPS6240459A (ja) 1985-08-16 1985-08-16 プレ−トクリ−ナ

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Publication Number Publication Date
JPS6240459A true JPS6240459A (ja) 1987-02-21

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ID=16079634

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60180229A Pending JPS6240459A (ja) 1985-08-16 1985-08-16 プレ−トクリ−ナ

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JP (1) JPS6240459A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6289140U (ja) * 1985-11-26 1987-06-08
JPH04223085A (ja) * 1990-03-27 1992-08-12 Internatl Business Mach Corp <Ibm> コロナ空気イオン化装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6289140U (ja) * 1985-11-26 1987-06-08
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