JPS6235366A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS6235366A JPS6235366A JP17516785A JP17516785A JPS6235366A JP S6235366 A JPS6235366 A JP S6235366A JP 17516785 A JP17516785 A JP 17516785A JP 17516785 A JP17516785 A JP 17516785A JP S6235366 A JPS6235366 A JP S6235366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoconductive layer
- photoconductive
- amorphous silicon
- photoreceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、電子写真感光体に係り、特に、半導体レーザ
等の長波長光源を用いたプリンタに好適な電子写真感光
体に関する。
等の長波長光源を用いたプリンタに好適な電子写真感光
体に関する。
電子写真感光体は導電性基板上に光導電層を有するもの
であり、この光導電層を構成する材料としては、従来、
ＣｄＳ、Ｚｎ０，８ｅ、５ｅ−Ｔｅ。
であり、この光導電層を構成する材料としては、従来、
ＣｄＳ、Ｚｎ０，８ｅ、５ｅ−Ｔｅ。
アモルファスシリコン（ａ−８ｉ）等の無機材料や、ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ ）、トリニト
ロフルオレン（ＴＮＦ ）等の有機材料が用いられてい
る。
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ ）、トリニト
ロフルオレン（ＴＮＦ ）等の有機材料が用いられてい
る。
しかし、有機光導性材料のＰＶＣｚ やＴＮＦは、熱安
定性及び耐摩耗性が弱く感光体としての製品ライフが短
かい上、発がん性の疑いがある等人体的影響にも問題が
ある。又、無機光導電性材料のＳｅ、ＣｄＳ も本質的
に人体に対して有害な材料であり、製造にあたっては、
特別の安全対策を配慮しなければならず、このため複雑
な製造装置が必要となる。特にＳｅは回収の必要もあり
、回収費用も製造コストに加わるため、製品としての電
子写真感光体は一層高価になってしまう。
定性及び耐摩耗性が弱く感光体としての製品ライフが短
かい上、発がん性の疑いがある等人体的影響にも問題が
ある。又、無機光導電性材料のＳｅ、ＣｄＳ も本質的
に人体に対して有害な材料であり、製造にあたっては、
特別の安全対策を配慮しなければならず、このため複雑
な製造装置が必要となる。特にＳｅは回収の必要もあり
、回収費用も製造コストに加わるため、製品としての電
子写真感光体は一層高価になってしまう。
無機材料のＳｅ及び５ｅ−Ｔｅは、特性的にも結晶化温
度が６５°と低いため、複写を繰り返し行っている間に
結晶化が起り、その結果残置が生じ感光体としての寿命
が短時間に失われてしまう欠点がある。又、無機材料の
ＺｎＯについても、材料物性上、酸化還元が起こりやす
く環境雰囲気の影響を著しく受は易いため信頼性が低い
という問題がある。
度が６５°と低いため、複写を繰り返し行っている間に
結晶化が起り、その結果残置が生じ感光体としての寿命
が短時間に失われてしまう欠点がある。又、無機材料の
ＺｎＯについても、材料物性上、酸化還元が起こりやす
く環境雰囲気の影響を著しく受は易いため信頼性が低い
という問題がある。
そこで、近年、無公害材料で回収処理の必要がなく、シ
かも表面硬度が高く耐摩耗性、耐衝撃性に優れているア
モルファスシリコン（ａ−８ｉ）が光電変換材料として
注目を集めており、太陽電池、薄膜トランジスタ、イメ
ージセンサ等とともに電子写真感光体への応用も検討さ
れている。
かも表面硬度が高く耐摩耗性、耐衝撃性に優れているア
モルファスシリコン（ａ−８ｉ）が光電変換材料として
注目を集めており、太陽電池、薄膜トランジスタ、イメ
ージセンサ等とともに電子写真感光体への応用も検討さ
れている。
電子写真感光体光導電層としてのａ−８ｉψは、通常、
シラン類を用いたグロー放電分解法により形成されるが
、このａ−８ｉ膜形成時に、膜中に取り込まれる水素の
量により、その電気的、光学的特性が大きく左右される
。すなわち、ａ−８ｉ膜中に取り込まれる水素の量が多
くなると光学的バンドギャップが大きくなり高抵抗化す
るが、それに伴い、長波長に対する感度が低下してしま
うため、半導体レーザのような長波長光源を用いたレー
ザビームプリンタに使用する上で大きな問題となる。さ
らに、ａ−８ｉ膜中の水素の含有量が多い場合、成膜条
件によっては、（ＳｉＨ，）ｎ 。
シラン類を用いたグロー放電分解法により形成されるが
、このａ−８ｉ膜形成時に、膜中に取り込まれる水素の
量により、その電気的、光学的特性が大きく左右される
。すなわち、ａ−８ｉ膜中に取り込まれる水素の量が多
くなると光学的バンドギャップが大きくなり高抵抗化す
るが、それに伴い、長波長に対する感度が低下してしま
うため、半導体レーザのような長波長光源を用いたレー
ザビームプリンタに使用する上で大きな問題となる。さ
らに、ａ−８ｉ膜中の水素の含有量が多い場合、成膜条
件によっては、（ＳｉＨ，）ｎ 。
８ｉＨ，等の結合構造を有するものが膜中で支配的とな
り、その結果ボイドを多く含み、シリコングングリング
ボンドが増大するため光導電性が悪化し、電子写真感光
体として使用できなくなる欠点がある。
り、その結果ボイドを多く含み、シリコングングリング
ボンドが増大するため光導電性が悪化し、電子写真感光
体として使用できなくなる欠点がある。
逆に、ａ−８ｉ膜中に取り込まれる水素の量が低下する
と、光学的ギャップが小さくなり長波長光に対する光感
度は増加するものの、シリコンのダングリングボンドが
補償されなくなるため、発生したキャリアの移動度や寿
命が低下してしまい、やはり電子写真感光体として使用
し難いものになってしまう。
と、光学的ギャップが小さくなり長波長光に対する光感
度は増加するものの、シリコンのダングリングボンドが
補償されなくなるため、発生したキャリアの移動度や寿
命が低下してしまい、やはり電子写真感光体として使用
し難いものになってしまう。
このように、ａ−８ｉ層単独で、赤外光の長波長吸収の
できる電子写真感光体を構成したものは実用にならない
という欠点がある。
できる電子写真感光体を構成したものは実用にならない
という欠点がある。
本発明は、従来の電子写真感光体の、かかる諸問題を解
決し、７特に長波長を含めた広い波長領域に亘って高感
度で、かつ光導′ｗＬＮと支持体との密着性が良好で、
耐環境性に優れた電子写真感光体を提供するものである
。
決し、７特に長波長を含めた広い波長領域に亘って高感
度で、かつ光導′ｗＬＮと支持体との密着性が良好で、
耐環境性に優れた電子写真感光体を提供するものである
。
さらｌこ本発明は、半導体レーザプリンタに好適な、長
波長光に高感度で、電気的、光学的特性が常に安定して
おり、かつ暗減衰による光疲労が少なく繰返し特性に優
れた電子写真感光体を提供するものである。
波長光に高感度で、電気的、光学的特性が常に安定して
おり、かつ暗減衰による光疲労が少なく繰返し特性に優
れた電子写真感光体を提供するものである。
本発明は、導電性支持体上にブロッキング層を設け、そ
の上にマイクロクリスタリシリコンの第１光導１！層と
アモルファスシリコンの第２光導電層を重量形成するこ
とにより、光源強度を著しく高めることなく近赤外領域
まで高感度の電子写真感光体を提供するものである。
の上にマイクロクリスタリシリコンの第１光導１！層と
アモルファスシリコンの第２光導電層を重量形成するこ
とにより、光源強度を著しく高めることなく近赤外領域
まで高感度の電子写真感光体を提供するものである。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の電子写真感光体の層構造を説明する
一部断面図である。図において、支持体（１０）はアル
ミ等の導電性材料で形成されており、この支持体（１０
）上にキャリア注入ブロッキング層０２）が設けられて
いる。ブロッキング層は感光体表面にコロナ放電がかけ
られたときに支持体に生じるキャリアが光導電層中に注
入して、光導電層の記録を中和消去してしまうのを阻止
するためのもので、通常は高抵抗化するかもしくはバン
ドギャップを大きくする方法がとられる。高抵抗化は膜
中に炭素を入れることで得られ、バンドギャップはＰ型
材料を用いることで大きくすることができる。
一部断面図である。図において、支持体（１０）はアル
ミ等の導電性材料で形成されており、この支持体（１０
）上にキャリア注入ブロッキング層０２）が設けられて
いる。ブロッキング層は感光体表面にコロナ放電がかけ
られたときに支持体に生じるキャリアが光導電層中に注
入して、光導電層の記録を中和消去してしまうのを阻止
するためのもので、通常は高抵抗化するかもしくはバン
ドギャップを大きくする方法がとられる。高抵抗化は膜
中に炭素を入れることで得られ、バンドギャップはＰ型
材料を用いることで大きくすることができる。
本実施例におけるブロッキング層（１２）としても、例
えば炭化アモルファスシリコン（ａ−８ｊＣ）又は炭化
マイクロクリスタリンシリコン（μＣ−８ｉＣ）で膜形
成することができるが、後者は炭素を多量に入れること
に難点があるので前者が好ましい。
えば炭化アモルファスシリコン（ａ−８ｊＣ）又は炭化
マイクロクリスタリンシリコン（μＣ−８ｉＣ）で膜形
成することができるが、後者は炭素を多量に入れること
に難点があるので前者が好ましい。
上記の他、ブロッキング層として酸化アルミニツム膜を
用いることもできる。
用いることもできる。
次にこのブロッキング層１２上に光導電層を投光導電層
（１４）とアモルファスシリコン（ａ−８ｉ）で形成さ
れる第２の光導電層（１６Ｊとの重量により構成したこ
とである。即ち、感光体としては表面側にアモルファス
シリコン膜の光導電層が形成されるわけで、このため表
面の光キャリアが支持体（１０）側に抜けやすく、従っ
て残電流が無く感光体としての光疲労が生じにくくなり
かつトラップが少なくなる。
（１４）とアモルファスシリコン（ａ−８ｉ）で形成さ
れる第２の光導電層（１６Ｊとの重量により構成したこ
とである。即ち、感光体としては表面側にアモルファス
シリコン膜の光導電層が形成されるわけで、このため表
面の光キャリアが支持体（１０）側に抜けやすく、従っ
て残電流が無く感光体としての光疲労が生じにくくなり
かつトラップが少なくなる。
一方、アモルファスシリコン（ａ−８ｉ）感光体を用い
ると、半導体レーザー光のように波長が、アモルファス
シリコンの高感度領域より長い光源を用いる場合は、光
源強度を能力以上に強める必要があるため使用上の問題
が生じるが、本発明では、アモルファスシリコン（ａ−
８ｉ）Ｐの下に、アモルファスシリコンよりも光学的エ
ネルギーギャップ（ＥｇＯｐｔ）の小さいマイクロクリ
スタリンシリコン（μＣ−８ｉ）膜の第１光導電層（１
４）があるため、長波長の光はこの第１光導電層で吸収
されて電荷を発生させるので、レーザー強度をそれ程高
めずに、感光体の帯電能、電荷保持能を向上させること
ができる。
ると、半導体レーザー光のように波長が、アモルファス
シリコンの高感度領域より長い光源を用いる場合は、光
源強度を能力以上に強める必要があるため使用上の問題
が生じるが、本発明では、アモルファスシリコン（ａ−
８ｉ）Ｐの下に、アモルファスシリコンよりも光学的エ
ネルギーギャップ（ＥｇＯｐｔ）の小さいマイクロクリ
スタリンシリコン（μＣ−８ｉ）膜の第１光導電層（１
４）があるため、長波長の光はこの第１光導電層で吸収
されて電荷を発生させるので、レーザー強度をそれ程高
めずに、感光体の帯電能、電荷保持能を向上させること
ができる。
本実施例では、第１光導電層（１４）は水素を含むマイ
クロクリスタリンシリコン（μＣ−８ｉ：Ｈ）であり、
必要に応じて周期律表第１族かもしくは第■族の元素、
例えばＢ 、 ＡＪ 、 Ｇａ 、 Ｉｎ 、 １１３
又はＮ、Ｐ、Ａｓ、８ｂ、Ｂｉ等のいずれが一方をドー
ピングするのが好ましい。また帯電能、電荷保持能を向
上させるために炭素、酸素、窒素のうち少くとも１つ以
上を含有させることが可能である０ 又、第２光導電層（１６）は、水素を含むアモルファス
シリコン（ａ−８ｉ：Ｈ）であり、必要に応じ、前記マ
イクロクリスタリンシリコン層のときと同時、第１族元
素を不純物としてドーピングしてＰ型にすることができ
、又、第■族元素を不純物としてドーピングすることで
ｎ型にすることができる。これら不純物のドーピングは
支持体から電荷が光導電層に注入するのを防ぐためや、
感光体の光感度特性を高めるために必要に応じて行う。
クロクリスタリンシリコン（μＣ−８ｉ：Ｈ）であり、
必要に応じて周期律表第１族かもしくは第■族の元素、
例えばＢ 、 ＡＪ 、 Ｇａ 、 Ｉｎ 、 １１３
又はＮ、Ｐ、Ａｓ、８ｂ、Ｂｉ等のいずれが一方をドー
ピングするのが好ましい。また帯電能、電荷保持能を向
上させるために炭素、酸素、窒素のうち少くとも１つ以
上を含有させることが可能である０ 又、第２光導電層（１６）は、水素を含むアモルファス
シリコン（ａ−８ｉ：Ｈ）であり、必要に応じ、前記マ
イクロクリスタリンシリコン層のときと同時、第１族元
素を不純物としてドーピングしてＰ型にすることができ
、又、第■族元素を不純物としてドーピングすることで
ｎ型にすることができる。これら不純物のドーピングは
支持体から電荷が光導電層に注入するのを防ぐためや、
感光体の光感度特性を高めるために必要に応じて行う。
さらに、図示しないが、感光体表面即ち第２光導電層１
６上に表面保護層を設けてもよい。保護層材料は、Ｓｉ
、０４． Ｓｉｎ、 、 ＳｉＣ，Ａ１３．Ｏｓ ｅａ
−８ｉＮ：Ｈ，ａ−８ｉＣ：Ｈ等の無機化合物でもよく
、又ポリアミド、塩化ビニル等の有機材料でもよい。
６上に表面保護層を設けてもよい。保護層材料は、Ｓｉ
、０４． Ｓｉｎ、 、 ＳｉＣ，Ａ１３．Ｏｓ ｅａ
−８ｉＮ：Ｈ，ａ−８ｉＣ：Ｈ等の無機化合物でもよく
、又ポリアミド、塩化ビニル等の有機材料でもよい。
次に第２図を用いて、本発明の電子写真感光体の製造方
法を説明する。まずトリクレンで脱脂処理した直径８Ｑ
ｍｍ、長さ３５０ ｍｍの大きさのアルミニウム製ドラ
ム基体Ｃ１３】を反応容器（２２）内の支持台（２ＩＩ
）上に装填する。必要に応じ、干渉防止のために、アル
ミニウムドラム基体（１３）表面を酸処理、アルカリ処
理、もしくはサンドブラスト処理を行う。次いでゲート
バルブ（７）を介して反応容器（２２）内を図示しない
拡散ポンプにより排気し、約１Ｏ−５ＴＯｒｒの真空度
にする。その後、ヒータ（２９）の電源を入れてドラム
基体（１３）を均一に加熱し、基体（２０）の温度が３
００ｔに保持された後ゲートバルブ（１７）を閉じ、８
ｉＨ，ガスの充填されているボンベ（１ぬ減圧弁（５）
を開け、流量調節バルブ６により、５００ ＳＣＣＭ
の流量でＳｉＨ，を反応容器（２２）内１こ導入する。
法を説明する。まずトリクレンで脱脂処理した直径８Ｑ
ｍｍ、長さ３５０ ｍｍの大きさのアルミニウム製ドラ
ム基体Ｃ１３】を反応容器（２２）内の支持台（２ＩＩ
）上に装填する。必要に応じ、干渉防止のために、アル
ミニウムドラム基体（１３）表面を酸処理、アルカリ処
理、もしくはサンドブラスト処理を行う。次いでゲート
バルブ（７）を介して反応容器（２２）内を図示しない
拡散ポンプにより排気し、約１Ｏ−５ＴＯｒｒの真空度
にする。その後、ヒータ（２９）の電源を入れてドラム
基体（１３）を均一に加熱し、基体（２０）の温度が３
００ｔに保持された後ゲートバルブ（１７）を閉じ、８
ｉＨ，ガスの充填されているボンベ（１ぬ減圧弁（５）
を開け、流量調節バルブ６により、５００ ＳＣＣＭ
の流量でＳｉＨ，を反応容器（２２）内１こ導入する。
この時、ドラム基体１３ノは駆動モータ（２６Ａこより
自転を行なっている。
自転を行なっている。
更に、ボンベ（２）、Ｃ３）により同様の操作により、
Ｂ、Ｈ，、ＣＨ，をＢ、 Ｈ６／Ｓ １Ｈ４＝１０−３
゜１００ ８ＣＣＭの割合で反応容器（２２）に導入し
た後、ゲートバルブ（１７）を介して、図示しない、メ
カニカルブースターポンプとロータリーポンプにより反
応容器（２２）内を排気し、圧力をｌ ’ｆｏｒｒに調
整する。次に電源（２８）により周波数１３．５６ Ｍ
Ｈ２の高周波３００Ｗを円筒状電極（１１）に投入し、
ドラム基体（１３）と円筒状電極の間にＳ ｉ１１＋
、 ＢｔＨａ −ＣＨ，のプラズマを生起させて、ドラ
ム基体（１３肚にブロッキング層としてＰ形のアモルフ
ァス炭化シリコン層を形成する。次に、ボンベα）及び
αノの流ｉ調節バルブ（６）と（７）を絞り、８ｉＨ４
を２００ＳＣＣＭ 、 Ｂ、Ｈ，／８ｉＨ，ヲ１Ｏ−７
ｉｃし、Ｈ！が充填されているボンベｑノの減圧弁（５
）を開け、流１調節バルブ（９）により２ＳＬＭの流量
でＨｌを反応容器（２２）に導入し、反応圧力を１．２
ＴＯｒｒに調整後電源（２８）により、２ＫＷのパワ
ーを投入して、マイクロクリスタリンシリコン層を３０
μｍ形成する。
Ｂ、Ｈ，、ＣＨ，をＢ、 Ｈ６／Ｓ １Ｈ４＝１０−３
゜１００ ８ＣＣＭの割合で反応容器（２２）に導入し
た後、ゲートバルブ（１７）を介して、図示しない、メ
カニカルブースターポンプとロータリーポンプにより反
応容器（２２）内を排気し、圧力をｌ ’ｆｏｒｒに調
整する。次に電源（２８）により周波数１３．５６ Ｍ
Ｈ２の高周波３００Ｗを円筒状電極（１１）に投入し、
ドラム基体（１３）と円筒状電極の間にＳ ｉ１１＋
、 ＢｔＨａ −ＣＨ，のプラズマを生起させて、ドラ
ム基体（１３肚にブロッキング層としてＰ形のアモルフ
ァス炭化シリコン層を形成する。次に、ボンベα）及び
αノの流ｉ調節バルブ（６）と（７）を絞り、８ｉＨ４
を２００ＳＣＣＭ 、 Ｂ、Ｈ，／８ｉＨ，ヲ１Ｏ−７
ｉｃし、Ｈ！が充填されているボンベｑノの減圧弁（５
）を開け、流１調節バルブ（９）により２ＳＬＭの流量
でＨｌを反応容器（２２）に導入し、反応圧力を１．２
ＴＯｒｒに調整後電源（２８）により、２ＫＷのパワ
ーを投入して、マイクロクリスタリンシリコン層を３０
μｍ形成する。
最後に、表面保護層としてアモルファス炭化シリコン（
ａ−８ｉＣ）を形成し、第２図に示す電子写真感光体を
形成する。
ａ−８ｉＣ）を形成し、第２図に示す電子写真感光体を
形成する。
以上のように作成した感光体ドラムを半導体レーザープ
リンターに組込んでカールソンプロセスにより画像形成
を行なったところ感光体表面での露光奇が２５ ｅｒｇ
／ ｃｍ’でも鮮明で解像度の高いｉｉ！ｉｉ像を得
ろことができた。再に、転写プロセスの再現性、安定性
を調べるために、複写を操り返したところ転写画像は極
めて良好であり、本発明による電子写真感光体が耐コロ
ナ性、耐湿性、耐摩耗性に優れていることが実証された
。
リンターに組込んでカールソンプロセスにより画像形成
を行なったところ感光体表面での露光奇が２５ ｅｒｇ
／ ｃｍ’でも鮮明で解像度の高いｉｉ！ｉｉ像を得
ろことができた。再に、転写プロセスの再現性、安定性
を調べるために、複写を操り返したところ転写画像は極
めて良好であり、本発明による電子写真感光体が耐コロ
ナ性、耐湿性、耐摩耗性に優れていることが実証された
。
第１図は本発明の電子写真感光体の層構成を説明するた
めの一部断面図、第２図は本発明の電子写真感光体を製
造するための成膜装置の概略図である。 １０・・・４’［柱支持体、１２・・・ブロッキング層
、１４・・・マイクロクリスタリンシリコンの第１光導
電層、１６・・・アモルファスシリコンの第２光導電層
。 一部１
めの一部断面図、第２図は本発明の電子写真感光体を製
造するための成膜装置の概略図である。 １０・・・４’［柱支持体、１２・・・ブロッキング層
、１４・・・マイクロクリスタリンシリコンの第１光導
電層、１６・・・アモルファスシリコンの第２光導電層
。 一部１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性支持体と、 この支持体上に設けられるキャリア注入ブロッキング層
と、 このブロッキング層上に設けられマイクロクリスタリン
シリコンで形成される第１の光導電層と、この第１の光
導電層上に重畳して設けられアモルファスシリコンで形
成される第２の光導電層とを有することを特徴とする電
子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17516785A JPS6235366A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17516785A JPS6235366A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6235366A true JPS6235366A (ja) | 1987-02-16 |
Family
ID=15991433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17516785A Pending JPS6235366A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6235366A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200064981A (ko) * | 2017-10-26 | 2020-06-08 | 얀마 가부시키가이샤 | 엔진 |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP17516785A patent/JPS6235366A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200064981A (ko) * | 2017-10-26 | 2020-06-08 | 얀마 가부시키가이샤 | 엔진 |
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