JPS6232701A - 帯域阻止ろ波器 - Google Patents

帯域阻止ろ波器

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JPS6232701A
JPS6232701A JP17218285A JP17218285A JPS6232701A JP S6232701 A JPS6232701 A JP S6232701A JP 17218285 A JP17218285 A JP 17218285A JP 17218285 A JP17218285 A JP 17218285A JP S6232701 A JPS6232701 A JP S6232701A
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common
conductor
band
coupling
coaxial resonator
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JP17218285A
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Hiroshi Hatanaka
博 畠中
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NIPPON DENGIYOU KOSAKU KK
Nihon Dengyo Kosaku Co Ltd
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NIPPON DENGIYOU KOSAKU KK
Nihon Dengyo Kosaku Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、テレビジョン放送装置又は一般通信装置にお
いて、不要波を除去し、又は信号波を合成し、或いは不
要波を除去すると共に、信号波を合成する場合等に用い
られる定入力インピーダンスダイプレクサ等の構成素子
として好適な帯域阻止ろ波器に関するものである。
従来の技術 例えば、カラーテレビジョン放送装置において、音声信
号搬送波f^と映像信号搬送波fυとを合成するために
、従来、例えば、第14図に示すような定入力インピー
ダンスダイプレクサが用いられている。
第14図において、HYB、及びHYB2はハイブリッ
ド回路、NFI及びNF3はカラービート2fy −f
s (fsはカラー副搬送波)に同調する帯域阻止ろ波
器、NF2及びNF4は音声信号搬送波fAに同調する
帯域阻止ろ波器で、ハイブリッド回路HYBIの入力端
子T、に映像信号搬送波ruと映像信号送信機において
発生したカラービート2fυ−fSを加えると共に、ハ
イブリッド回路HYB2の入力端子T2に音声信号搬送
波fAを加えると、ハイブリッド回路HYBIのアイソ
レーション端子T4に接続した無反射終端器RTにカラ
ービート2fv  fsが吸収され、ハイブリッド回路
1(YB2のアイソレーション端子T3から映像信号搬
送波fu、!:音声信号搬送波fAが合成されて取り出
される。
第15図は、第14図に示した帯域阻止ろ波器NF、及
びNF2の具体構成の一例を示す断面図で、帯域阻止ろ
波器NFI は、外部導体151、内部導体161及び
容量結合用プローブ17.より成る同軸共振器を以て構
成され、カラービートに同調する。
帯域阻止ろ波器NF2 もまた外部導体152、内部導
体162及び容量結合用プローブ172 より成る同軸
共振器を以て構成され、音声信号搬送波f^に同調する
。18は縦続接続用同軸線路である。
帯域阻止ろ波器NF3及びNF4の縦続接続回路も全く
同様の構成である。
発明が解決しようとする問題点 従来の定入力インピーダンスダイプレクサは、第15図
に示すように、独立した帯域阻止ろ波器NF、及びNF
2 を同軸線路18を介して縦続接続した回路を2組用
いているため、部品数が多く、又、独立した帯域阻止ろ
波器間の同軸線路の長さを管内波長λgの繕又はその奇
数倍に選ぶ必要があるので、全体の構成が複雑大型でコ
スト高となるを免れることが出来ない。
本発明は、このような従来の欠点を除いて、例えば、定
入力インピーダンスダイプレクサを構成した場合、これ
を簡潔小形に形成し、コストを装置ならしめ得る帯域阻
止ろ波器を実現することを目的とする。
問題点を解決するための手段、実施例 第1図は、本発明の一実施例を示す正面図、第2図は、
その側面図、第3図は、第2図のB−B断面図、第4図
は、第1図のA−A断面図で、各図において、■は共通
外部導体、2は仕切導体板で、共通外部導体1の内部を
2室に分割する。3は空隙部、41及び42は内部導体
で、各軸長を管内波長入gのほぼ昼に形成すると共に、
各下端を短絡端に、各上端を開放端に形成し、共通外部
導体1の左半部と、仕切導体板2及び内部導体41 に
よって共振周波数f1なるλg/4同軸共振器を構成し
、共通外部導体1の右半部と、仕切導体板2及び内部導
体42 によって共振周波数f2なる入g/4同軸共振
器を構成しである。5は共通容量結合用プローブで、内
部導体41及び42との間の分布容量を介して各λg/
4同軸共振器と外部回路とを結合する。6は共通結合導
線又は棒で、一端を共通容量結合用プローブ5に接続し
、他端を共通外部導体lに穿った孔隙に嵌合した絶縁体
7を通して外部へ引出しである。
共通結合導線又は棒6は、共通容量結合用プローブ5を
そのまま延長するか、共通容量結合用プローブ5の端部
を細く形成する等の手段により共通容量結合用プローブ
5と一体に形成してもよい。
共通容量結合用プローブ5を設けるに当って、内部導体
41及び42の各中心軸を含む面内における空隙部3に
設けるようにすれば、両内部導体41及び42との各結
合度を最も密に、かつ、等しくなし得るが、共通容量結
合用プローブ5を空隙部3から左右何れかへ適宜離れた
個所に設けて、何れか一方の内部導体との結合が密に、
他方との結合が疎になるように形成してもよい。
空隙部3を共通外部導体1と仕切導体板2の上端との間
に設ける代りに、共通外部導体lの側壁と仕切導体板2
の側縁との間に設け、この空隙部に共通容量結合用プロ
ーブ5を設けるようにしてもよい。
仕切導体板2の周縁をすべて共通外部導体1の内壁に密
着せしめて共通外部導体1内を完全に2室に分割すると
共に、仕切導体板2の適宜個所に窓を穿ち、この窓の周
縁と接触することのないようにして窓の部分に共通容量
結合用プローブ5を設けるようにしても本発明を実施す
ることが出来る。
尚、図には示していないが、共通容量結合用プローブ5
及び共通結合導線又は棒6と、共通外部導体l及び仕切
導体板2間に適当な絶縁物を介在せしめて一体に固着す
ることにより、電気的絶縁を確実に保つと共に、機械的
強度を高めることが出来る。
外部回路との結合素子として上記のような共通容量結合
用プローブ5を用いる代りに、第5図に要部を示すよう
に、はぼλg/4の長さの共通磁気結合用ループ8を設
けるか、第6図に要部を示すように、何れか一方の内部
導体、例えば、41との結合素子としてほぼλg/4の
長さの磁気結合用ループ9を設け、他方の内部導体42
との結合素子として、棒状又は板状の容量結合用プロー
ブ10を設けるか、或は、第7図に要部を示すように、
内部導体41及び42と各別に結合するほぼλg/4の
長さの磁気結合用ループ111及び112を設けるよう
にしてもよい。
上記何れの実施例においても、結合素子が容量結合用プ
ローブの場合は、内部導体との間の分布容量を変化せし
めることにより、磁気結合用ループの場合は、磁界との
交鎖面積を変えることによって、結合度を適宜調整し得
ること勿論である。尚、第5図乃至第7図における他の
符号は、第3図と同様である。
第1図乃至第4図には、本発明の要旨たる部分のみを示
し、共振周波数微細調整素子等のように従来と同様の構
成部分は、これを図示するのを省いである。
次に、第1図乃至第7図において、12は同軸線路で、
共通結合導線又は棒6を線路の外部導体13に穿った孔
隙から線路内に挿入し、その端部を線路の内部導体14
に接続することにより、本発明帯域阻止ろ波器を外部回
路、例えば、ハイブリッド回路、サーキュレータ等に接
続する。
同軸線路12の代りに、例えば、同軸ケーブル又はスト
リップライン等の高周波用伝送線を用いてもよい。
第8図は1本発明帯域阻止ろ波器のブロック図で、NF
Iは周波数f1に減衰極を有する第1の帯域阻止ろ波器
部分で、第1図乃至第4図における共通外部導体lの左
半部、仕切導体板2及び内部導体41により形成される
λg/4同軸共振器に対応する部分、NF2は周波数f
2に減衰極を有する第2の帯域阻止ろ波器部分で、第1
図乃至第4図における共通外部導体lの右半部、仕切導
体板2及び内部導体42により形成されるλg/4同軸
共振器に対応する部分、Tは外部回路との結合端子であ
る。
第9図は、本発明帯域阻止ろ波器の等価回路図で、R1
は、第1図乃至第4図における共通外部導体1の左半部
、仕切導体板2、内部導体41により形成される共振回
路、C1はその容量分、Llはインダクタンス分、rl
は抵抗分、R2は、共通外部導体lの右半部、仕切導体
板2、内部導体42により形成される共振回路、C2は
その容量分、L2はイングクタンス分、「2は抵抗分で
ある。
共振回路R1のアドミタンスY1、共振回路R2のアド
ミタンスY2及びアドミタンスt1、T2の合成アドミ
タンスqを理論計算により求めると、次式のとおりであ
る。
Y+= 1/ [r++j(ωL+−ωG+) )= 
1/(r+ +jx1)      ・・・・ (1)
Y2= 1/ (r2+j(ωL2−ωc2) )−1
/(r2+jx2)      ・・・・ (2)Y=
’?+1?2         ・・・・ (3)但し
、 ω:角周波数 2  T QLI  :共振回路R1の負荷Q QL2  :共振回路R2の負荷Q Qu+  :共振回路R1の無負荷Q QU2  :共振回路R2の無負荷Q f :任意の伝送周波数 BW3ド共振回路R1の3dB減衰周波数帯域幅Bw3
2:共振回路R2の3dB減衰周波数帯域幅第9図に示
した等価回路図は、(3)式から第1O図のブロック図
を以って示すことが出来、その基本マトリクスは(8)
式で表わされる。
(8)式から第10図における2端子対間の伝送特性は
、(9)式で求められ、デシベル表示の場合は(10)
式で求められる。
第1O図における任意の1端子対を負荷インピーダンス
之りで終端した場合、他の端子対側から見た入力インピ
ーダンスZINは次式で求められる。
負荷インピーダンスZLを1とすると、したがって、入
力アドミタンスYINは、YIN=1+Y      
   ・・・・ (13)となる。
第1O図に示した回路の特性アドミタンスをtoとする
と、この回路における入力端子の電圧反射係数rrNは
(14)式で求められ、特性アドミタンスtoを1とし
た場合における電圧反射係数rlNは(15)式で求め
られる。
第11図は、本発明帯域阻止ろ波器2個をハイブリッド
回路2個と組合せて構成したグイプレクサのブロック図
で、NF+ 21及びNF122は第1図乃至第1θ図
について説明した本発明帯域阻止ろ波器、HYBI及び
HYB2はハイブリッド回路、T、及びT’lは入力端
子、Tりは出力端子、T3はアイソレーション端子、T
I、T2、To及びT1は結合端子、RTは無反射終端
器である。
第12図は、第11図におけるハイブリッド回路HYB
、の部分を示すブロック図で、符号は第11図と同様で
ある。
第12図における入力端子Toの入力電圧をEIN、結
合端子TI及びT2の各電圧をil及びき2、アイソレ
−ジョン端子T3の電圧をE3(=0)とし、ノ\イブ
リッド回路1(YB+の結合係数をC1電気角をθとす
ると、各端子の電圧間には次式で各示される関係がある
この電圧関係から、第12図におけるスキャタリングマ
トリクスは次式で与えられる。
・・・・ (16) 但し、(16)式は、第12図における4端子の中、測
定端子以外の端子を無反射終端した場合、各端子におけ
る入力反射係数が零であると仮定した場合である。
以上の関係は、第11図におけるハイブリッド回路HY
B2についても全く同様に成立する。
上記の関係から第11図におけるハイブリッド回路HY
BIの端子Toに電圧EIIINを印加した場合、各端
子To乃至T3に出力する電圧を、それぞれEOOlE
OI 、 EO2及びEO3とすると、これらの電圧は
(17)式で求めることが出来る。
即ち、端子TI及びT2の電圧食旧及びk。2は、次式
で求められることとなる。
上式おける端子T1及びT2の電圧EOI及びEO2と
、(15)式の電圧反射係数rrNがら端子T1及びT
2における反射電圧EVrNI”I及びEVIN/”2
は、それぞれ(20)式及び(21)式で求められる。
(16)式、(20)式及び(21)式より第11図に
おける回路HYB+の端子To乃至T3の反射波による
出力電圧Eoo乃至糺は、次式で求められる。
・ ・ ・ ・ (22) したがって、端子To及びT3の反射波出力電圧EHr
及びEo3rは(23)式及び(24)式で求められる
(23) 式及U (24) 式ニオイーc、c尭x7
r2、θミπ/2 なる場合には、一般的に反射波出力
電圧は −を負υIN (但し、F=’f/ (2+:
))となる。
C職x/fT−及び θ鴫π/2 なるときは、C2’
=、0.5  及び 5in2B = 1であるから、
(23)式は、 Eoor”+ O−−−−(23′) となり、(24)式は、 となる。
第11図における本発明帯域阻止ろ波器NF+ 21及
びNFI22 の電圧伝送関数Tυは、(9)式より(
25)式として求められる。尚、デシベル値で求める場
合は(10)式を用いる。
よって、第11図における端子TI及びT2に現われた
電圧EOI及びEO2か、本発明帯域阻止ろ波器NF1
21及びNF122 を介してハイブリッド回路HYB
2の端子T′o及びT’3に達すると、端子T2及びT
;の入力N 圧E’Q 及(J E’3 ハ、(1B)
式、(19) 式及ヒ(25)式から(26)式及び(
27)式で求められる。
よって、第11図におけるハイブリッド回路HYB2の
端子T’l及びTシの出力電圧は、(16)式、(26
)式及び(27)式より(28)式で求められる。
・ ・ ・ ・ (28) 即ち、端子T1及び↑ンの出力電圧I:51及びに62
は(29)式及び(30)式に示すとおりになる。
ハイブリッド回路における一般的な条件、即ち、c:1
/fH1θ=π/2を(29)式に代入すると、 ER、=。
となり、このことは、端子Toと端子T′1間の減衰量
が原理的に無限大であることを示している。
然しながらハイブリッド回路HYBI及びI(YB2の
各回路構成が厳密には非対称であり、帯域阻止ろ波器N
FI 21及びNF]22 を完全に同一ならしめ得な
い等の理由から実際にはほぼ40dB程度の減衰量とな
る。
又、(30)式にハイブリッド回路における一般的な条
件、cm175、θ鴇π/2を代入すると、(30)式
は、 となり・、一般的な帯域阻止ろ波器の電圧伝送特性と一
致する。
次に、端子To−T’2間の電力減衰特性は(31)式
で求めることが出来、デシベル値で表示する場合は(1
0)式を利用して求める。
・・・・ (31) C″、17n、  θ亀π/2 なる条件を代入すると
、  (31)式は(32)式となる。
第11図の回路は対称回路であるから伝送特性も対称で
、端子T′lに入力電圧EAINを加えた場合には、(
24)式におけるEVINをEAINで置換えることに
より(33)式から端子Tトの反射波出力電圧62rを
求めることが出来る。
(33)式から端子T’l−6間の電力伝送特性は(3
4)式で求めることが出来、デシベル値で表示した伝送
特性Ll’−2’は(35)式で求めることが出来る。
・・・・ (35) 上記説明から明らかなように、端子TO及び丁1に加え
た所要電圧は端子T;に合成されて出力し、不要波は端
子T3に接続された無反射終端器RTに吸収されて端子
Toに反射波が現れることなく、第11図に示したダイ
プレクサの入力インピーダンスは常に一定に保たれるこ
ととなる。
次に、第11図に示したグイプレクサを超短波帯のカラ
ーテレビジョン放送装置における映像信号搬送波fVと
音声信号搬送波f^の合成に用いた場合の伝送特性を具
体数値により説明する。
本発明帯域阻止ろ波器を構成する共振器の大きさ、即ち
、第4図におけるH(cm)及び共振周波数f(MHI
)から共振器の無負荷Q(Qυ)は(36)式で求めら
れる。
Quヒ42fTH−−−−(3B) 上式おいて、例えば、f =200MHz、 H=20
C(11とすれば、 Qu巳12000となる。
映像信号搬送波fVを205.25MHz 、カラー副
搬送波fsを208.83MH2、音声信号搬送波fA
を209.75MHz  とすると、カラービー) 2
fv −fsは201.67MHz となるから、音声
信号搬送波FAにおける共振器の負荷Q(QLA)を3
50、カラービートにおける共振器の負荷Q(Qcs)
を200とした場合、音声信号搬送波「八における共振
器の等価抵抗rAlよ、カラー副搬送波fSにおける共
振器の等価抵抗rsは、 音声信号搬送波fnにおける共振器の容量リアクタンス
Xへは、 カラー副搬送波fsにおける共振器の容量リアクタンス
XSは、 (39)式における周波数fを、例えば、200、Ef
EiMTo に選ぶと、 共振器のアドミタンスYは、 rへ+j2xA    rS+j2x5= −+ −=
j O、5 0,03−j31  0.017−j2第11図におけ
る端子T、 −T’2間の伝送特性LO−2’は− 4+(0,5)2 LO−2′= 101 og−= 0.28 (dB)
端子T’1−Ti間の伝送特性し1″−2゛は、となる
以」二、手計算によって伝送特性を求めた結果の一部を
示したが、本発明帯域阻止ろ波器における各部品の寸法
及び伝送局波数等を適宜選択し、計算機によって求めた
理論計算値と、試作機による実Jll値とは極めて良く
一致している。
以上は、互いに周波数の異なる2波によって内部導体4
1側の共振器と内部導体42側の共振器とを励振する場
合について説明したが、単一波によって何れか一方の共
振器のみを励振せしめてもよく、この場合にも第1図乃
至第7図に示したように、同軸線路12の中間部に共通
容量結合用プローブ5等の結合素子を介して接続するこ
とにより励振可能であるが、同軸線路12の端部に接続
してもよいこと勿論である。
発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明帯域阻止ろ波器
は、減衰極を形成する周波数の異なる第1及び第2の帯
域阻止ろ波器を共通外部導体内に構成しであるので、第
1及び第2の帯域阻止ろ波器を縦統接続するための同軸
線路を必要としないから、それだけ全体を小形化するこ
とが可能であり、又、第13図のA曲線を以て試作機に
おける特性の一例を示すように、伝送特性も良好で、本
発明帯域阻止ろ波器を用いて定入力インピーダンスダイ
プレクサを構成した場合には、ダイプレクサ全体を簡潔
小形ならしめることが出来、第11図における端子To
−T+、間の伝送特性は、第13図のA曲線と全く同一
であり、第11図における端子T’1−Ti間の伝送特
性は、第13図の8曲線を以て示すように極めて良好で
ある。
尚、第13図において、横軸は伝送周波数f (MB2
 )、縦軸は伝送損失L (dB)である。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第4図は、本発明の一実施例を示す図、第5
図乃至第7図は、本発明の他の実施例の要部を示す図、
第8図及び第10図は、その作動説明のためのブロック
図、第9図は、その等価回路図、第11図は、本発明帯
域阻止ろ波器を用いて構成した定入力インピーダンスダ
イプレクサを示す図、第12図は、その作動説明のため
の図、第13図は、本発明帯域阻止ろ波器の伝送特性の
一例を示す図、第14図は、従来の定入力インピーダン
スダイプレクサを示す図、第15図は、その構成素子た
る従来の帯域阻止ろ波器を示す図で、l:共通外部導体
、2:仕切導体板、3:空隙部、41及び4,2:内部
導体、5;共通容量結合用プローブ、6:共通結合導線
又は棒、7:絶縁体、8.9.11、及び112:磁気
結合用ループ、10.171及び172:容量結合用プ
ローブ、12及び18:同軸線路、l長線路の外部導体
、14:線路の内部導体、15、及び152:外部導体
、161及び182:内部導体、NF、乃至NF4 、
 NFI2+及びNFI22  :帯域阻止ろ波器、T
、To乃至T4及びT′o乃至T′3:端子、HYBI
及びHYB2 :ハイブリッド回路である。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)共通外部導体の内部を仕切導体板によって2室に
    分割し、各室に管内波長のほぼ1/4の軸長を有する内
    部導体を設けて互いに共振周波数の異なる同軸共振器を
    形成すると共に、各同軸共振器を外部回路と結合せしめ
    る結合素子を設けたことを特徴とする帯域阻止ろ波器。
  2. (2)結合素子が、共通外部導体と仕切導体板の端縁と
    の間に形成した空隙部に設けられ、各同軸共振器に共通
    の容量結合用プローブより成る特許請求の範囲第1項記
    載の帯域阻止ろ波器。
  3. (3)結合素子が、共通外部導体と仕切導体板の端縁と
    の間に形成した空隙部に設けられ、各同軸共振器に共通
    の磁気結合用ループより成る特許請求の範囲第1項記載
    の帯域阻止ろ波器。
  4. (4)結合素子が、仕切導体板に穿った窓に設けられ、
    各同軸共振器に共通の容量結合用プローブより成る特許
    請求の範囲第1項記載の帯域阻止ろ波器。
  5. (5)結合素子が、仕切導体板に穿った窓に設けられ、
    各同軸共振器に共通の磁気結合用ループより成る特許請
    求の範囲第1項記載の帯域阻止ろ波器。
  6. (6)結合素子が、一方の同軸共振器と結合する容量結
    合用プローブと、他方の同軸共振器と結合する磁気結合
    用ループとより成る特許請求の範囲第1項記載の帯域阻
    止ろ波器。
  7. (7)結合素子が、一方の同軸共振器と結合する第1の
    磁気結合用ループと、他方の同軸共振器と結合する第2
    の磁気結合用ループとより成る特許請求の範囲第1項記
    載の帯域阻止ろ波器。
  8. (8)結合素子を、各同軸共振器を形成する各内部導体
    から不等距離の個所に設けた特許請求の範囲第2項又は
    第3項に記載の帯域阻止ろ波器。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006073027A1 (ja) * 2005-01-07 2006-07-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. 空胴半同軸共振器、それを用いたフィルタ及び通信機装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2006073027A1 (ja) * 2005-01-07 2006-07-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. 空胴半同軸共振器、それを用いたフィルタ及び通信機装置
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