JPS6232311A

JPS6232311A - 測距装置

Info

Publication number: JPS6232311A
Application number: JP17161085A
Authority: JP
Inventors: Juichi Yoneyama; 米山　寿一; Tsugukazu Atsumi; 二一渥美
Original assignee: Nippon Kogaku KK
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1985-08-03
Filing date: 1985-08-03
Publication date: 1987-02-12

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は測距装置に関し、例えばカメラなどに適用し得
るものである。

〔従来の技術〕

カメラにおける測距装置として、第５図に示すような二
角測距手法を用いたものがある。第５図において、例え
ばＬＥＤ　（発光ダイオード）光源でなる発光素子ｌか
ら瞬時的に発生された光は、発光レンズ２においてビー
ム状測距光パルスＬＰに変換されてカメラ本体３から発
射され、位Ｈｐ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４にそれぞれ測距対
象として被写体ＳＢＩ、５Ｉ３２、ＳＢ３、ＳＢ４があ
るとき、当該被写体ＳＢＩ、ＳＢ２、ＳＢ３、ＳＢ４に
おいて反射されてカメ゛う本体３側に戻って来る。

カメラ本体３には、発光レンズ２と並ぶように受光レン
ズ４が設けられ、被写体ＳＢＩ、ＳＢ２、ＳＢ３、ＳＢ
４からの反射光パルスＲＰＬを受光レンズ４において集
光して受光素子ＬＬＩ、ＬＬ２、ＬＬ３、ＬＬ４を配列
してなる受光素子列ＬＬに入射する。受光素子ＬＬＩ、
ＬＬ２、ＬＬ３、ＬＬ４は光電変換素子でなり、各受光
素子ＬＬＩ、ＬＬ２、ＬＬ３、ＬＬ４が受光した反射光
パルスＲＰＬのうち、最も振幅の大きい反射光パルスＲ
ＰＬを受光した受光素子を検出することにより、被写体
の位置（従ってカメラ本体３から被写体までの距Ｍ）を
知ることができる。

ところでこのような三角測距手法によって被写体までの
距離を測距しようとする場合、受光素子ＬＬＩ、ＬＬ２
、ＬＬ３、Ｌ　Ｌ　４に入射する反射光パルスＲＰＬの
強度及び断面形状は、実際上被写体までの距離によって
変化するのみならず、被写体の反射率などの測距条件に
よって変化することを避は得す、これが外乱となるおそ
れがある。

゛　かかる外乱を除去する方法として、従来第６図に示
すようなピーク検出回路１１が用いられている。受光素
子Ｌ　Ｌ　１〜Ｌ　Ｌ　４の光電変換信号Ｓ１〜Ｓ４は
、増幅回路１２〜１５を通じてピーク検出回路１１に与
えられる。ピーク検出回路１１は、それぞれ比較回路Ｃ
ＯＮ及び基準電流調整用トランジスタＴＲを存する調整
回路１６〜１９を有し、比較回路ＣＯＮの非反転入力端
に増幅回路１２〜１５の出力を受ける。

各調整回路１６〜１９において、比較回路ＣＯＮの出力
が基準電流調整用トランジスタＴＲのベースに与えられ
、トランジスタＴＲを通じて電源＋ＶＣＣから流入する
電流を制御するようになされている。各調整回路１６〜
１９のトランジスタＴＲのエミッタは共通に接続されて
抵抗２０及び２１の直列回路に接続されると共に、比較
回路ＣＯＮの反転入力端に接続される。

かくして受光素子ＬＬＩ〜ＬＬ４に反射光パルスＲＰＬ
が入力されたとき、その最大振幅値を有する光電変換信
号が供給された比較回路ＣＯＮを通じて対応するトラン
ジスタが導通状態になり、このトランジスタＴＲを通じ
て電源＋ｖｃｅから抵抗２０及び２１の直列回路に電流
が流れる。このとき抵抗２０及び２１のトランジスタＴ
Ｒ側端の電圧、従ってトランジスタＴＲのエミッタの電
圧は、反射光パルスＲＰＬの最大振幅値に対応する値に
上昇されるので、当該最大振幅値の反射光パルスを受け
た受光素子以外の受光素子のトランジスタＴＲはオフ動
作し、これによりピーク値が検出される。また、抵抗２
０．２１の接続中点の電圧はピーク値より、わずかに低
い電圧となる。

この時オン動作していたトランジスタＴＲのエミッタ電
圧に基づいて全ての調整回路ＣＯＮに対する比較基準電
圧が決まることにより、反射光パルスの振幅値が測距条
件に応じて変化しても、これに応動してピーク検出動作
を誤ることはない。

かかる構成に加えて抵抗２０及び２１の接続中点に得ら
れる電圧が、出力比較回路２２〜２５の反転入力端に与
えられ、またその非反転入力端にそれぞれ増幅回路１２
〜１５の出力が供給され、かくして出力比較回路２２〜
２５の出力に得られる論理出力が、測距信号として送出
される。

ここで最大振幅値を有する光電変換信号が供給された出
力比較回路には、反転入力として当該振幅に対応する基
準電圧が抵抗２０及び２１の接続中点から供給されるこ
とにより、出力端に高い電圧でなる論理ｒ　ＨＪレベル
の検出出力が得られる。

これに対して最大振幅の反射光パルスＲＰＬを受けた受
光素子以外の受光素子には、抵抗２−０．２１の接続中
点の電圧よりも低い電圧が入力されているので、対応す
る比較回路からは低い電圧でなる論理「■、」レベルの
検出出力が得られることになる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが第６図のピーク検出回路１１は、各受光素子Ｌ
　Ｌ　１〜ＬＬ４に対してそれぞれ比較回路ＣＯＮ及び
基準電流調整用トランジスタＴＲでなる調整回路を設け
なければならない。従って測距装置全体として見たとき
の回路構成が複雑になるという欠点があった。

本発明は以上の点を考慮してなされたもので、たとえ反
射光パルスＲＰ　Ｌの強度が変化したり、断面形状が変
形したりなどの外乱条件が生じたとしても、その影響を
軽減した測距信号を得ることができるようにした簡易な
構成の測距装置を提案しようとするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

かかる問題点を解決するため第１の発明においては、測
距対象ＳＢＩ〜ＳＢ４に対して測距光ＬＰを発射し、測
距対象ＳＢＩ〜ＳＢ４からの反射光ＲＰＬを複数の受光
素子ＬＬＩ〜ＬＬ４を配列してなる受光素子列ＬＬに照
射して各受光素子ＬＬ１〜ＬＬ４から得られる光電変換
信号Ｓ１〜Ｓ４に基づいて測距検出信号を得るようにな
された測距装置において、複数の受光素子ＬＬＩ〜Ｌ　
Ｌ４からそれぞれ得た光電変換信号Ｓ１〜Ｓ４のうち、
１つ置いて隣り合う２つの受光素子の光電変換信号に基
づいて、当該２つの光電変換信号の信号レベルの相対的
変化によって受光素子列Ｌｌ−上の反射光ＲＰＬの位置
を判定して当該信号レベルの相対的変化に対応して論理
レベルが変化する測距検出信号ＤＲＩ〜ＤＲ５、ＤＲ−
ＩＩ〜ＤＲ１４を形成する測距信号形成手段３０を設け
る。

また第２の発明においては、第１の発明の構成に加えて
測距信号形成手段３０として、互いに隣り合う２つの受
光素子の光電変換信号に基づいて、当該２つの光電変換
信号の信号レベルの相対的関係によって受光素子列ＬＬ
上の反射光ＲＰＬＯ位置を判定して第２の判定結果を得
、当該第１及び第２の判定結果から、測距信号を形成す
るようにする。

〔作用〕

受光素子列ＬＬ上の反射光ＲＰＬの位置は、測距対象ま
での距離が変化すればこれに応じて変化する。従って受
光素子列を形成している各受光素子には、反射光ＲＰＬ
の照射位置が変化すればこれに応じて振幅値が変化する
光電変ｔ＃！信号が得られる。

その結果各受光素子から得られる光電変換信号の相対的
な信号レベルは反射光ＲＰＬの照射位置が変化すればこ
れに応じて変化する。この点に着目して、隣り合う２つ
の受光素子から得られる光電変換信号の相対的信号レベ
ルの変化、又は１つ置いて隣り合う２つの受光素子から
得られる光電変換信号の相対的信号レベルの変化、又は
隣り合う受光素子から得られる光電変換信号及び１つ置
いて隣り合う２つの受光素子から得られる光電変換信号
の相対的信号レベルの変化を判定し、当該判定結果に基
づいて測距信号を測距信号形成手段３０において形成す
るようにする。

このようにすると、各受光素子から得られる光電変換信
号の変化はたとえ反射光ＲＰＬの断面形状が変化したと
しても、実際上受光素子列ＬＬ上における反射光ＲＰＬ
の移動方向の垂直方向に対して対称的に変形して行くの
で、光電変換信号の信号レベルの変化は実質上反射光Ｒ
ＰＬのほぼ中心点の移動に相当することになる。

また２つの受光素子から得られる光電変換信号の相対的
信号レベルの変化に基づいて測距信号を得るようにした
ことにより、たとえ反射光ＲＰＬの強さが変化したよう
な場合においても、その影響に基づいて誤判定するおそ
れを軽減し得る。その結果高い精度の測距信号を得るこ
とができる。

〔実施例〕

以下図面に基づいて本発明の一実施例を一詳述する。第
６図との対応部分に同一符号を付して示す第１図の測距
回路において、受光素子列ＬＬの受光素子ＬＬ１〜ＬＬ
４から得られる光電変換信号Ｓ１〜Ｓ４が増幅回路１２
〜１５を通じて必要に応じて紹み合わされた比較回路３
１〜３５に与えられる。

すなわち受光素子ＬＬＩの光電変換信号Ｓ１は、第１の
比較回路３１の非反転入力端に与えられ、隣の受光素子
ＬＬ２光電変換信号Ｓ２は該比較回路３１の反転入力端
に与えられる。また第２の比較回路３２には第１の受光
素子Ｌ　Ｌ　１の光電変換信号Ｓ１が非反転入力端に与
えられると共に、１つ置いた隣の第３の受光素子ＬＬ３
の光電変換信号Ｓ３が反転入力端に与えられる。以下同
様にして、第３の比較回路３３には第２の受光素子ＬＬ
２の光電変換信号＄２及びその隣の第３の受光素子ＬＬ
３の光電変換信号Ｓ３が与えられ、第４の比較回路３４
には第２の受光素子ＬＬ２の光電変換信号Ｓ２及び１つ
置いて隣の第４の受光素子ＬＬ４の光電変換信号Ｓ４が
与えられ、第５の比較回路３５には第３の受光素子ＬＬ
３の光電変換信号Ｓ３及び第４の受光素子ＬＬ４の光電
変換信号Ｓ４が与えられる。

この実施例の場合光電変換素子ＬＬ１．ＬＬ２、ＬＬ３
、Ｌ　Ｌ　４は、第２図（Ａ）に示すように順次隣接す
るようにその順序で配列されており、かくして第５図に
ついて上述したように被写体が位１１Ｐ１近傍のゾーン
にあるとき、反射光パルスＲＰ　Ｌが第１の受光素子Ｌ
ＬＩの中央部上に照射する状態になる。この状態から被
写体が遠のいて行ってこの第１のゾーンより遠い位１Ｚ
Ｐ２近傍のゾーンに移動していくと、受光素子上の反射
光パルスＲＰ　Ｌは第２の受光素子【、Ｌ２側に移動し
て行き、やがて受光素子ＬＬＩ及びＬ　Ｌ　２の境界位
置を越えて受光素子ＬＬ２を照射する位置に移って行く
。

さらに被写体が遠のいて行って位置Ｐ３近傍のゾーンに
入ると、反射光パルスＲＰ　Ｌは、第３の受光素子Ｌ　
Ｌ　３の方に移動して行き、やがて受光素子ＬＬ２及び
Ｌ　Ｌ　３間の境界を越えて受光素子ＬＬ　３を照射す
る状態になる。さらに被写体が遠のいて行って第４の位
ｉＰ４近傍のゾーンに入ると、反射光パルスＲＰＬは第
４の受光素子ＬＬ４の方向に移動して行き、やがて受光
素子Ｌ　Ｌ　３及びＬＬ４間の境界を越えて第４の受光
素子ＬＬ４に入って行く。

このように受光素子ＬＬＩ〜ＬＬ４上の反射光パルスＲ
ＰＬの位置は、被写体がカメラ本体３から遠くなるに従
って受光素子ＬＬＩからＬＬ４の方向に移動して行くが
、反射光パルスＲＰＬの強度及びその断面形状が、上述
のように被写体の距離及び反射率などによって変化する
ために、反射光パルスＲＰＬの強度及び形状もこれに応
じて変化することになる。

光電変換信号Ｓ１〜Ｓ４の波形は第２図（Ｉ３）におい
て破線で示すように少しなまる。しかしこの波形なまり
は、対称的に生ずるので、反射光パルスＲＰＬの中心点
の位置に変動は生じない。

第１図の測距回路は、かかる現象を利用して、反射光パ
ルスＲＰＬの受光素子ＬＬＩ〜ＬＬＡ上の位置を表す測
距信号ＤＲＩ〜ＤＲ５を、光電変換信号５ｌ−３４に基
づいて形成する。先ず受光素子Ｌ　Ｌ　１から得られる
光電変換信号Ｓ１は、第２図（１３）に示すように、反
射光パルスＲＰＩ、が第１の受光素子ＬＬＩの左端付近
から中央部に行くに従って次第に信号レベルが上昇して
行き、やがて中央位置に来たとき最大信号レベルになり
、その後中央位置を通過して隣の受光素子Ｉ、Ｌ　２と
の境界位置を通って当該受光素子Ｌ１．２の右端付近の
方へ移って行くに従って信号レベルが低下して行（。

また第２の受光素子ＬＬ２の光電変換信号Ｓ２は、反射
光パルスＲＰＬが第１の受光素子Ｌ　Ｌ　１の左端付近
にある状態から境界位置を通って第２の受光素子ＬＬ２
の中央部に向かって行くに従って次第に信号レベルが上
昇して行き、受光素子ＬＬ２のほぼ中央位置に来たとき
最大信号レベルになり、やがて中央位置を通り過ぎて隣
の受光素子ＬＬ３との境界位置を通り過ぎて当該受光素
子の右端付近に行くに従って次第に信号レベルが低下し
て行く。

以下同様にして第３の受光素子ＬＬ３の光電変換信号Ｓ
３は、第２の受光素子ＬＬ２の左端付近から、第３の受
光素子ＬＬ３の中央部に行（に従って信号レベルが次第
に上昇して行き、中央位置を通って第４の受光素子Ｌ　
Ｌ　４の右端付近に行くに従って次第に信号レベルが低
下して行く。

また第４の受光素子ＬＬ４の光電変換信号Ｓ４は、第３
の受光素子ＬＬ３の左端付近から第４の受光素子ＬＬ４
の中央部に行（に従って信号レベルが次第に上昇して行
き、その後中央部を通り過ぎて第４の受光素子Ｌ■、４
の右端付近に行くに従って信号レベルが徐々に低下して
行く。

反射光パルスＲＰＬが、例えば受光素子Ｌ　Ｌ　１とＬ
Ｌ２の境界線上で対称的に投影されている時には出力信
号Ｓｌ及びＳ２は等しいレベルになっており、他の受光
素子の境界線上に投影されている時も同様である。また
反射光パルスＲＰＬが、例えば受光素子ＬＬ２の中心に
投影されている時には出力信号Ｓ１及びＳ３は等しいレ
ベルになっており、他の受光素子に投影されている時も
同様である。このように反射光パルスＲＰ　Ｌが受光素
子の境界線上あるいは中心に投影されている時には第２
図（Ｂ）に示される如くそこでの各出力信号は等しくな
っている。

従って、反射光パルスＲＰＬが受光素子Ｌ　Ｉ、１〜Ｌ
ＬＡ上を移動するに従ってこれに応じて光電変換信号Ｓ
１〜Ｓ４の信号レベルが変化して行くと、比較回路３１
〜３５の測距信号ＤＲＩ−ＤＲ５は、第２図（Ｃ１）〜
（Ｃ５）に示すように、反射光パルスＲＰ　Ｌが所定の
位置に来たとき論理レベルを反転するような変化を呈す
る。

先ず第１の比較回路３１の測距信号ＤＲＩは、光電変換
信号Ｓｌ及びＳ２の信号レベルを比較し、光電変換信号
ＳＬの信号レベルが光電変換信号Ｓ２の信号レベルより
高いとき論理ｒ　Ｉ−Ｉ　Ｊかつ低いとき論理ｒＬＪに
なる。そしてこの論理レベルの変化は、反射光パルスＲ
ＰＬが互いに隣り合う第１及び第２の受光素子Ｌ　Ｌ　
１及びＬ　Ｌ　２の境界位置を丁度通過するときに生ず
る。

また第２の比較回路３２の測距信号ＤＲ２は、光電変換
信号Ｓ１及びＳ３の信号レベルを比較して光電変換信号
Ｓ１の信号レベルが光電変換信号Ｓ３の信号レベルより
高いとき論理「Ｈ」かつ低いとき論理ｒＬＪになる。そ
してこの論理レベルの変化は、反射光パルスＲＰＬが１
つ置いて隣り合う第１の受光素子ＬＬＩ及び第３の受光
素子ＬＬ３の中央位置（すなわち第２の受光素子ＬＬ２
の中央位置）を通過したとき生ずる。

さらに第３の比較回路３３の測距信号ＤＲ３は、光電変
換信号Ｓ２及びＳ３の信号レベルを比較して光電変換信
号Ｓ２の信号レベルが光電変換信号Ｓ３の信号レベルよ
り高いとき論理ｒ　ＩＴ　Ｊかつ低いとき論理ｒＬＪに
なる。そして当該信号レベルの変化は、隣り合う受光素
子ＬＬ２及びＬＬ３の境界位置を反射光パルスＲＰＬが
通過したとき生ずる。

また第４の比較回路３４の測距信号ＤＲ４は、光電変換
信号Ｓ２及びＳ４の信号レベルを比較して光電変換信号
Ｓ２の信号レベルが光電変換信号Ｓ４の信号レベルより
高いとき論理ｒ　）ｉ　Ｊかつ低いとき論理ｒＬＪにな
る。そしてこの信号レベルの変化は、反射光パルスＲＰ
Ｌが１つ置いて隣り合う受光素子ＬＬ２及びＬ　Ｌ　４
の中央位置（すなわち第３の受光素子ＬＬ３の中央位置
）を通過したとき生ずる。

さらに第５の比較回路３５の測距信号ＤＲ５は、光電変
換信号Ｓ３及びＳ４の信号レベルを比較して光電変換信
号Ｓ３の信号レベルが光７Ｆ１変換信号Ｓ４の信号レベ
ルより高いとき論理ｒ　ＨＪかつ低いとき論理ｒＬＪに
なる。そしてこの信号レベルの変化は、隣り合う受光素
子ＬＬ３及びＬＬ４の境界位置を反射光パルスＲＰＬが
通過したとき生ずる。

ここで第２図（Ｃ１）〜（Ｃ５）に示す測距信号ＤＲＩ
〜ＤＲ５の論理レベルの変化を組み合わせて、論理レベ
ルに変化が生ずるごとに測距ゾーンＺＦＯ−ＺＦ５を割
り当ててみると、測距信号ＤＲＩ〜ＤＲ５は反射光パル
スＲＰＬが受光素子Ｌ　Ｌ　１〜ＬＬ４上の６つの測距
ゾーンＺＦ−０−ＺＦ５に対応するコードを表す。

すなわち反射光パルスＲＰＬが受光素子ＬＬＩ上にある
第０番目のゾーンＺＦＯにおいては、別表１に示すよう
に、測距信号ＤＰＩ、ＤＲ２、ＤＲ３、ＤＲ４、ＤＲ５
の論理レベルで表されるコードはｒ　ＨＩ−Ｉ　Ｉ（Ｈ
ＩＩＪになる。また反射光パルスＲＰＬが第２の受光素
子ＬＬ２の左側の半部にあるとき、測距信号ＤＲＩ〜Ｄ
Ｒ４のコードは「ＬＨＨＨＨＪになる。以下同様にして
測距信号ＤＲ１〜ＤＲ５のコードは、反射光パルスＲＰ
　Ｌが第２の受光素子ＬＬ２の右側半部にあるときｒＬ
Ｉ、ＨＨｔＩ　Ｊになり、第３の受光素子Ｌｌ、３の左
側半部のゾーンＺＦ３にあるときｒ　Ｌ　Ｌ　Ｌ　ＨＨ
Ｊになり、第３の受光素子ＬＬ３の右側半部のゾーンＺ
Ｆ４にあるときはｒ　Ｌ　Ｌ　Ｌ　Ｌ　ＨＪになり、第
４の受光素子Ｌ　Ｌ　４のゾーンＺＦ５にあるときｒＬ
ＬＬＬＬＪになる。

第１図の測距回路によれば、受光素子列ＬＬを構成する
受光素子のうち、互いに隣り合う受光素子及び１つ置き
の受光素子から得られる光電変換信号の相対的信号レベ
ルの変化に基づいて、４っの受光素子ＬＬＩ〜ＬＬ４に
ついて６つのゾーンＺＦＯ〜ＺＦ５に反射光パルスＲＰ
Ｌが入れば、これに応じて所定のコードをもつ測距信号
ＤＲＩ〜ＤＲ５を得ることができることになる。かくす
るにつき第１図の測距回路によれば、第６図の従来の構
成と比較して、はぼ従来のピーク検出回路１１の構成を
省略したと同様の簡易な構成で済む。

第３図は本発明の他の実施例を示すもので、この場合第
１図との対応部分に同一符号を付して示すように、受光
素子ＬＬＩ〜ＬＬ４の光電変換信号Ｓ１〜Ｓ４を直接２
つの差動増幅回路４１及び４２に与え、その差出力Ｓｌ
ｌ及びＳ１２に基づいて比較回路５１．５２．５３．５
４を用いて測距信号ＤＲ１１〜ＤＲ１４を形成する。こ
こで差動増幅回路４１及び４２は、例えばツートン型差
動電流増幅器を適用し得る。

第１の差動増幅回路４１の非反転入力端には第１の受光
素子ＬＬＩの光電変換信号Ｓ１が直接与えられると共に
、反転入力端に１つ置いた隣の受光素子ＬＬ３の光電変
換信号Ｓ３が与えられる（第４図（Ｂ））。従って差動
増幅回路４１の出力端には、光電変換信号Ｓ１及びＳ３
の差を表す差信号Ｓｌｌ　　（＝Ｓ１−３３）が得られ
る（第４図（Ｃ））。

また差動増幅回路４２の非反転入力端には、第２の受光
素子ＬＬ２の光電変換信号Ｓ２が与えられると共に、反
転入力端に１つ置いた隣の受光素子ＬＬ４の光電変換信
号Ｓ４が与えられ（第４図（Ｂ））　、従って差動増幅
回路４２の出力端には、光電変換信号Ｓ２及びＳ４の差
信号５１２（＝３２−Ｓ　４）が得られる（第４図（Ｃ
））。

この差信号Ｓｌｌ及びＳ１２は必要に応じて組み合わせ
られて比較回路５１〜５４に選択的に入力され、これに
より、受光素子ＬＬＩ−ＬＬ４上の所定位置において論
理レベルが反転する測距信号ＤＲＩＩ〜ＤＲ１４が形成
される。

すなわち比較回路５１の非反転入力端に差信号Ｓｌｌが
与えられると共に反転入力端に差信号Ｓ１２が与えられ
、かくして第４図（ＤＩ）に示すように、第１及び第２
の受光素子ＬＬＩ及びＬＬ２の境界位置において論理ｒ
　ＨＪレベルから「Ｌ」に立ち下がりかつ第３及び第４
の受光素子ＬＬ３及びＬＬ４間の境界位置において論理
ｒＬＪレベルからｒ　ＨＪレベルに立ち上がるような測
距信号ＤＲＩＩが得られる。

また比較回路５２の非反転入力端には差信号＄１１が与
えられて反転入力端に与えられたアース電位と比較され
、かくしてその出力端に、第４図（Ｄ２）に示すように
、差信号Ｓｌｌが正の間論理ｒ　ＨＪレベルになる測距
信号ＤＲ１２を発生し、かくして測距信号ＤＲ１２は、
第２の受光素子ＬＬ２のほぼ中央位置において論理レベ
ルを反転する。尚、受光素子ＬＬ４の右側では測距信号
ＤＲ１２が第４図（Ｄ２）で示すようにｒ　ＨＪか「Ｌ
」レベルか不安定な領域となっている。

また差信号Ｓｌｌ及びＳ１２は、抵抗６１及び６２を通
じて比較回路５３の非反転入力端に共通に与えられる。

ここで抵抗６１及び６２の値は、比較回路５３への入力
信号Ｓ１３が差信号Ｓｌｌ及びＳ１２の平均値を表すよ
うな値に予め選定され、かくして入力信号Ｓ１３は、第
４図（Ｃ）に示すように、受光素子ＬＬＩ〜ＬＬ４の各
位置において、差信号Ｓｌｌ及びＳ１２の平均値を表す
ような変化をする。これに加えて比較回路５３の反転入
力端にはアース電位が与えられ、これにより比較回路５
３の出力端には、第４図（Ｄ３）に示すように、平均値
出力３１３が正の間論理ｒ　Ｈ」レベルに立ち上がる測
距信号ＤＲ１３が得られる。かくして測距信号ＤＲ１３
は、第２及び第３の受光素子ＬＬ２及びＬＬ３の境界位
置において論理レベルを反転する。

さらに比較回路５４の非反転入力端には差信号Ｓ１２が
与えられ、反転入力端に与えられたアース電位と比較さ
れる。か（して比較回路５４の出力端には、第４図（Ｄ
４）に示すように第３の受光素子ＬＬ３のほぼ中央位置
において論理ｒ　ＩＴ　ＪレベルからｒＬＪレベルに立
ち下がる測距信号ＤＲ１４が得られる。尚、受光素子Ｌ
ＬＩの左側では測距信号ＤＲ１４が第４図（Ｄ４）で示
すようにｒ　ＨＪかｒＬＪレベルか不安定な領域となっ
ている。

このようにして形成した測距信号ＤＲＩＩ〜ＤＲ１４は
、反射光パルスＲＰＬが所定位置に来たとき、論理レベ
ルを変化して行（ので、測距信号ＤＲＩＩ〜ＤＲ１４の
論理レベルによって表されたコードの変化によって反射
光パルスＲＰＬが照射している受光素子ＬＬＩ〜ＬＬＡ
上のゾーンを表すことができる。すなわち別表２に示す
ように、測距信号ＤＲＩＩ〜ＤＲ１４のコードは、反射
光パルスＲＰＬが第１の受光素子Ｌ　Ｌ　ｌの右側半部
゛のゾーンＺＦＯ１にあるときｒ　ＨＨＨＩＴ　ｊにな
り、第２の受光素子ＬＬ２の左側半部のゾーンＺＦＩに
あるときｒ　Ｌ　Ｈ１１ＨＪになり、・・・・・・、第
４の受光素子ＬＬ４の左側半部のゾーンＺＦ５１にある
ときｒ　ＨＬ　Ｌ　Ｌ　Ｊになる。

従って第３図の構成によれば、受光素子列Ｌ　Ｌを構成
する受光素子のうち、１つ置きの受光素子から得られる
光電変換信号の相対的信号レベルの変化に基づいて、反
射光パルスＲＰＬの照射位置従ってカメラ本体３から被
写体までの距離を表す測距データを測距信号ＤＲ１１〜
ＤＲ１４の論理レベルで表されたコードとして得ること
ができる。

か（するにつき第３図の場合は、第１図の場合と比較し
て、増幅回路ないし比較回路の数を一段と少なくするこ
とができ、かくして測距回路の構成を簡易化し得る。

なお上述においては、本発明をカメラの測距装置に適用
した場合について述べたが、応用範囲はこれに限らず、
要は反射光パルスが測距距離に対応して受光素子上を移
動するような原理の下に構成された測距装置に広く適用
し得る。

また上述の実施例においては、受光素子の数が必要に応
じて変更し得る。

さらに上述の実施例においては受光素子ＬＬＩ〜ＬＬ４
をほぼ等しい幅をもつように構成したが、これに限らず
、各受光素子の幅を必要に応じて変更しても上述の場合
と同様の効果を得ることができる。

さらに、上述した実施例において分割ゾーンを少なくし
ても良い時には、１つおいて隣り合う２つの受光素子の
光電変換信号に基づいて求められた測距信号ＤＲ２、Ｄ
Ｒ４（又ＤＲ１２、ＤＲＩ４）によって対象物の位置を
検出することも可能である。

〔発明の効果〕以上のように本発明によれば、反射光が測距距離に対応
して受光素子列上に位置するように構成することにより
測距距離に対応した測距信号を得るにつき、反射光の強
度及び断面形状などが測距条件によって変化したような
場合に、その影響を軽減し得る簡易な構成の測距装置を
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による測距装置の一実施例を示す接続図
、第２図はその受光素子と反射光パルスの入射位置との
関係を示す路線的信号波形図、第３図は本発明による測
距装置の他の実施例を示す接続図、第４図はその受光素
子と反射光パルスとの関係を示す路線的信号波形図、第
５図は三角測距手法の原理を示す路線図、第６図は従来
の測距装置を示す接続図である。１・・・・・・発光素子、２・・・・・・発光レンズ、
３・・・・・・カメラ本体、４・・・・・・受光レンズ
、ＬＬ・・・・・・受光素子列、ＬＬＩ〜ＬＬ４・・・
・・・受光素子、ＲＰＬ・・・・・・反射光パルス、Ｄ
ＲＩ〜ＤＲ５、ＤＲＩＩ〜ＤＲＩ４・・・・・・測距検
出信号。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）測距対象に対して測距光を発射し、上記測距対象
からの反射光を複数の受光素子を配列してなる受光素子
列で受光して各受光素子から得られる光電変換信号に基
づいて測距検出信号を得るようになされた測距装置にお
いて、上記複数の受光素子からそれぞれ得た光電変換信号のう
ち、１つ置いて隣り合う２つの受光素子の光電変換信号
に基づいて、当該２つの光電変換信号の信号レベルの相
対的変化に対応して論理レベルが変化する測距検出信号
を形成する測距検出信号形成手段を具えることを特徴とする測距装置。
（２）測距対象に対して測距光を発射し、測距対象から
の反射光を複数の受光素子を配列してなる受光素子列で
受光して各受光素子から得られる光電変換信号に基づい
て測距信号を得るようになされた測距装置において、上記複数の受光素子からそれぞれ得た光電変換信号のう
ち、１つ置いて隣り合う２つの受光素子の光電変換信号
に基づいて、当該２つの光電変換信号の信号レベルの相
対的関係を示す第１の判定結果を得ると共に、互いに隣
り合う２つの受光素子の光電変換信号に基づいて、当該
２つの光電変換信号の信号レベルの相対的関係を示す第
２の判定結果を得、上記第１及び第２の判定結果から、
上記信号レベルの相対的関係に対応して測距信号を形成
する測距信号形成手段を具えることを特徴とする測距装置。