JPS6232045Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6232045Y2 JPS6232045Y2 JP1982053972U JP5397282U JPS6232045Y2 JP S6232045 Y2 JPS6232045 Y2 JP S6232045Y2 JP 1982053972 U JP1982053972 U JP 1982053972U JP 5397282 U JP5397282 U JP 5397282U JP S6232045 Y2 JPS6232045 Y2 JP S6232045Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- low
- low frequency
- head
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Electrotherapy Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、低周波電界を皮膚の表面に作用させ
て、皮膚に物理的または生理的変化を与える低周
波マツサージ装置に関する。
て、皮膚に物理的または生理的変化を与える低周
波マツサージ装置に関する。
前記低周波電界を皮膚の表面に作用させるマツ
サージ方法はすでに知られており、前記マツサー
ジ装置方法を実施する専門家のための大型のマツ
サージ装置がすでに実施されている。
サージ方法はすでに知られており、前記マツサー
ジ装置方法を実施する専門家のための大型のマツ
サージ装置がすでに実施されている。
本考案の目的は、一般の人が誤りなく使用する
ことができ、携帯および操作が簡単であり、さら
に製造も容易である低周波マツサージ装置を提供
することにある。
ことができ、携帯および操作が簡単であり、さら
に製造も容易である低周波マツサージ装置を提供
することにある。
前記目的を達成するために、本考案による低周
波マツサージ装置は、樹脂成形による本体ケース
内に電池と低周波発振器を収容し、前記ケースの
表面に前記低周波発振器の基準電位点に接続され
る導体面を設け、前記導体面とは絶縁されて支持
され前記低周波発振器の出力が接続される円筒状
の導電ヘツドからなる低周波マツサージ装置にお
いて、前記本体ケースを複数の樹脂成形品より形
成し、前記導体面を前記樹脂成形品の少なくとも
一つにケースの内側にも現れるように密着一体に
設け、前記低周波発振器の前記ヘツドに接続され
る電位の基準となる電位点を前記ケースの内部か
ら前記導電面に接続する導電性の接続ばねを設け
て構成されている。
波マツサージ装置は、樹脂成形による本体ケース
内に電池と低周波発振器を収容し、前記ケースの
表面に前記低周波発振器の基準電位点に接続され
る導体面を設け、前記導体面とは絶縁されて支持
され前記低周波発振器の出力が接続される円筒状
の導電ヘツドからなる低周波マツサージ装置にお
いて、前記本体ケースを複数の樹脂成形品より形
成し、前記導体面を前記樹脂成形品の少なくとも
一つにケースの内側にも現れるように密着一体に
設け、前記低周波発振器の前記ヘツドに接続され
る電位の基準となる電位点を前記ケースの内部か
ら前記導電面に接続する導電性の接続ばねを設け
て構成されている。
前記構成によれば、導電面の使用時の手への密
着性を向上させることができる。
着性を向上させることができる。
さらに、製造組立およびび操作性等も従来の装
置に比較して向上させることができる。
置に比較して向上させることができる。
以下図面を参照して本考案をさらに詳しく説明
する。
する。
まず第１図から第５図を参照して実施例装置の
構造部分を説明する。
構造部分を説明する。
第１図は本考案による低周波マツサージ装置の
実施例の正面図、第２図は回路部分を取り外して
示した平面断面図、第３図は実施例の側面断面
図、第４図は導体面が形成されるケースの電池蓋
の側面図、第５図はケースの電池蓋の底面図であ
る。本体ケースはケースの底部１とケースの上側
部２とケースの電池蓋３から成形されている。前
記ケースの各部分は樹脂を成形して構成されたも
のである。ケースの底部１には電池７を受け入れ
る部分と、後述する低周波発生回路を受け入れる
部分が設けられており、低周波発生回路を構成す
るためのプリント基板１１（第３図参照）はヘツ
ド保持金具５とともにケースの底部１にねじで固
定されている。ケースの上側部２はねじ１０でケ
ースの底部１に固定される。ヘツド保持金具５に
はヘツド６がヘツド軸７ａ，７ｂで回転可能に支
持されている。このヘツド６は導電性をもつ必要
があるが必ずしも金属である必要はない。この実
施例では、体積固有抵抗が10〜20Ωcmの導電性樹
脂を筒状に成形したヘツドを用いた。
実施例の正面図、第２図は回路部分を取り外して
示した平面断面図、第３図は実施例の側面断面
図、第４図は導体面が形成されるケースの電池蓋
の側面図、第５図はケースの電池蓋の底面図であ
る。本体ケースはケースの底部１とケースの上側
部２とケースの電池蓋３から成形されている。前
記ケースの各部分は樹脂を成形して構成されたも
のである。ケースの底部１には電池７を受け入れ
る部分と、後述する低周波発生回路を受け入れる
部分が設けられており、低周波発生回路を構成す
るためのプリント基板１１（第３図参照）はヘツ
ド保持金具５とともにケースの底部１にねじで固
定されている。ケースの上側部２はねじ１０でケ
ースの底部１に固定される。ヘツド保持金具５に
はヘツド６がヘツド軸７ａ，７ｂで回転可能に支
持されている。このヘツド６は導電性をもつ必要
があるが必ずしも金属である必要はない。この実
施例では、体積固有抵抗が10〜20Ωcmの導電性樹
脂を筒状に成形したヘツドを用いた。
ケースの電池蓋３には第４図に示すようにケー
スの底部１に設けられている突起に係合する溝孔
３ｂと、ケースの上側部２の内面に設けられてい
る溝孔に係合させられる突起３ａが設けられてい
る。このケースの電池蓋３は無電界メツキにより
全表面に金属層が形成されており、表面の金属層
はこの考案に言う本体ケースの表面に設けられた
導電面を形成する。ケースの電池蓋３はケースの
底部１とケースの上側部２に結合されたとき、前
記突起３ａの部分が回路に接続されている接続ば
ね８に接触して前記導電面を低周波出力の一極に
接続する。
スの底部１に設けられている突起に係合する溝孔
３ｂと、ケースの上側部２の内面に設けられてい
る溝孔に係合させられる突起３ａが設けられてい
る。このケースの電池蓋３は無電界メツキにより
全表面に金属層が形成されており、表面の金属層
はこの考案に言う本体ケースの表面に設けられた
導電面を形成する。ケースの電池蓋３はケースの
底部１とケースの上側部２に結合されたとき、前
記突起３ａの部分が回路に接続されている接続ば
ね８に接触して前記導電面を低周波出力の一極に
接続する。
第６図は本体ケース内に収容される低周波発生
回路の実施例を示す回路図である。
回路の実施例を示す回路図である。
プリント基板１１に形成される低周波発生回路
は電池４，ＢからスイツチSWを介して動作電力
が供給される。集積回路IC１はインターシール
社のCMOSタイマであつて、抵抗R1，R2、コン
デンサC1，C2が接続されて、発振周波数約1000
Hz程度の非安定マルチバイブレータを形成してい
る。その出力は抵抗R4を介してトランジスタTr
１に接続されている。トランジスタTr１のエミ
ツタには昇圧トランスＴの１次側のコイルの一端
と、ダイオードＤ１が接続されている。集積回路
IC１には、昇圧トランスＴの１次側のコイルと
抵抗R3を介して動作電力が供給される。昇圧ト
ランスＴの２次側には、可変抵抗器VR、抵抗
R8、整流ダイオードD3の直列回路が接続されて
いる。抵抗R8と整流ダイオードD3の接続端は電
源電池４，Ｂの負端子に接続されている。電源電
池４，Ｂの負端子は前述した接続ばね８に接続さ
れ、ケースの電池蓋３がケースの底部１とケース
の上側部２に結合させられたときにケースの電池
蓋３の表面に設けられた導電面に接続される。抵
抗R5は安定化抵抗であつてスイツチSWが投入さ
れたときに、この抵抗R5に接続されている発光
ダイオードD2が点灯する。
は電池４，ＢからスイツチSWを介して動作電力
が供給される。集積回路IC１はインターシール
社のCMOSタイマであつて、抵抗R1，R2、コン
デンサC1，C2が接続されて、発振周波数約1000
Hz程度の非安定マルチバイブレータを形成してい
る。その出力は抵抗R4を介してトランジスタTr
１に接続されている。トランジスタTr１のエミ
ツタには昇圧トランスＴの１次側のコイルの一端
と、ダイオードＤ１が接続されている。集積回路
IC１には、昇圧トランスＴの１次側のコイルと
抵抗R3を介して動作電力が供給される。昇圧ト
ランスＴの２次側には、可変抵抗器VR、抵抗
R8、整流ダイオードD3の直列回路が接続されて
いる。抵抗R8と整流ダイオードD3の接続端は電
源電池４，Ｂの負端子に接続されている。電源電
池４，Ｂの負端子は前述した接続ばね８に接続さ
れ、ケースの電池蓋３がケースの底部１とケース
の上側部２に結合させられたときにケースの電池
蓋３の表面に設けられた導電面に接続される。抵
抗R5は安定化抵抗であつてスイツチSWが投入さ
れたときに、この抵抗R5に接続されている発光
ダイオードD2が点灯する。
次に前記構成の装置の使用例を説明する。
前記装置のスイツチSWを投入しケースを手で
握りヘツドを皮膚にあてると、低周波発生源（ト
ランスＴの一極）−ヘツド６−皮膚−人体−手−
低周波発生源（トランスＴの他極）のループが形
成され皮膚に低周波電界が発生する。このとき人
体を流れる低周波電流は１〜3mA程度で有る。
昇圧トランスＴの２次側には整流ダイオードD3
が挿入されているので、ヘツド６が正極、皮膚が
負極側となり皮膚に電界が作用する。
握りヘツドを皮膚にあてると、低周波発生源（ト
ランスＴの一極）−ヘツド６−皮膚−人体−手−
低周波発生源（トランスＴの他極）のループが形
成され皮膚に低周波電界が発生する。このとき人
体を流れる低周波電流は１〜3mA程度で有る。
昇圧トランスＴの２次側には整流ダイオードD3
が挿入されているので、ヘツド６が正極、皮膚が
負極側となり皮膚に電界が作用する。
一般的に前記方向で皮膚に電界を作用させると
皮膚に対して鎮静効果を発揮することが知られて
いる。本件考案者は前記装置で実験を重ねた結
果、皮脂分泌や発汗が抑制されることを確認して
いる。すなわち前記極性での使用は脂肌やにきび
の抑制に利用できる。
皮膚に対して鎮静効果を発揮することが知られて
いる。本件考案者は前記装置で実験を重ねた結
果、皮脂分泌や発汗が抑制されることを確認して
いる。すなわち前記極性での使用は脂肌やにきび
の抑制に利用できる。
以上詳しく説明したように、本考案による装置
は携帯可能であり、他人の介助を必要とすること
なく一人で使用できる。したがつて本人が定期的
に使用することにより皮膚の状態を良好に保つこ
とができる。
は携帯可能であり、他人の介助を必要とすること
なく一人で使用できる。したがつて本人が定期的
に使用することにより皮膚の状態を良好に保つこ
とができる。
以上一実施例について詳細な説明を行なつた
が、前記実施例について種々のの変形を施すこと
ができる。
が、前記実施例について種々のの変形を施すこと
ができる。
前記ローラ状の回転可能なヘツドを回路に接続
する構造としてヘツド保持金具５を用いたが、ケ
ースに受け部を設け、そこでヘツドを回転可能に
支持するように構成することも可能である。
する構造としてヘツド保持金具５を用いたが、ケ
ースに受け部を設け、そこでヘツドを回転可能に
支持するように構成することも可能である。
また実施例はヘツドが正極になる例を示した
が、ヘツドを負極にするように回路接続を変える
ことも可能である。前記極性を逆にして、ヘツド
を負極にすると、皮膚の機能を活性化し、新陳代
謝を促進し皮膚の老化を防止できることが知られ
ている。整流ダイオードの極性を変えるとか、ス
イツチ切換えによりいずれかの極性を選択するこ
とも可能である。
が、ヘツドを負極にするように回路接続を変える
ことも可能である。前記極性を逆にして、ヘツド
を負極にすると、皮膚の機能を活性化し、新陳代
謝を促進し皮膚の老化を防止できることが知られ
ている。整流ダイオードの極性を変えるとか、ス
イツチ切換えによりいずれかの極性を選択するこ
とも可能である。
第１図は本考案による低周波マツサージ装置の
実施例の正面図、第２図は本考案による低周波マ
ツサージ装置の実施例の平面断面図、第３図は本
考案による低周波マツサージ装置の実施例の側面
断面図、第４図は導体面が形成されるケースの電
池蓋の側面図、第５図はケースの電池蓋の底面
図、第６図は本体ケース内に収容される低周波発
生回路の実施例を示す回路図である。 １……ケースの底部、２……ケースの上側部、
３……ケースの電池蓋、４……電池、５……ヘツ
ド保持金具、６……ヘツド、７……ヘツド軸、８
……接続ばね、９……つまみ、１０……ケースの
上側部止めねじ、１１……プリント基板、R1，
R2，R3，R4，R5，R6……抵抗、C1，C2，C3……
コンデンサ、Ｔ……トランス、D1……ダイオー
ド、VR1……可変抵抗器、D2……発光ダイオー
ド、D3……整流ダイオード、Ｂ……電池、SW…
…スイツチ。
実施例の正面図、第２図は本考案による低周波マ
ツサージ装置の実施例の平面断面図、第３図は本
考案による低周波マツサージ装置の実施例の側面
断面図、第４図は導体面が形成されるケースの電
池蓋の側面図、第５図はケースの電池蓋の底面
図、第６図は本体ケース内に収容される低周波発
生回路の実施例を示す回路図である。 １……ケースの底部、２……ケースの上側部、
３……ケースの電池蓋、４……電池、５……ヘツ
ド保持金具、６……ヘツド、７……ヘツド軸、８
……接続ばね、９……つまみ、１０……ケースの
上側部止めねじ、１１……プリント基板、R1，
R2，R3，R4，R5，R6……抵抗、C1，C2，C3……
コンデンサ、Ｔ……トランス、D1……ダイオー
ド、VR1……可変抵抗器、D2……発光ダイオー
ド、D3……整流ダイオード、Ｂ……電池、SW…
…スイツチ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 樹脂成形による本体ケース内に電池と低周波
発振器を収容し、前記ケースの表面に前記低周
波発振器の基準電位点に接続される導体面を設
け、前記導体面とは絶縁されて支持され前記低
周波発振器の出力が接続される円筒状の導電ヘ
ツドからなる低周波マツサージ装置において、
前記本体ケースを複数の樹脂成形品より形成
し、前記導体面を前記樹脂成形品の少なくとも
一つにケースの内側にも現れるように密着一体
に設け、前記低周波発振器の前記ヘツドに接続
される電位の基準となる電位点を前記ケースの
内部から前記導電面に接続する導電性の接続ば
ねを設けて構成したことを特徴とする低周波マ
ツサージ装置。 (2) 前記導電面は、ケースの一部を形成する電池
蓋に設けられている実用新案登録請求の範囲第
１項記載の低周波マツサージ装置。 (3) 前記導電性の接続ばねは電池の負端子に接続
されている実用新案登録請求の範囲第１項記載
の低周波マツサージ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5397282U JPS58157144U (ja) | 1982-04-13 | 1982-04-13 | 低周波マツサ−ジ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5397282U JPS58157144U (ja) | 1982-04-13 | 1982-04-13 | 低周波マツサ−ジ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58157144U JPS58157144U (ja) | 1983-10-20 |
| JPS6232045Y2 true JPS6232045Y2 (ja) | 1987-08-17 |
Family
ID=30064609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5397282U Granted JPS58157144U (ja) | 1982-04-13 | 1982-04-13 | 低周波マツサ−ジ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58157144U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH039745Y2 (ja) * | 1985-05-21 | 1991-03-11 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS571349A (en) * | 1980-06-05 | 1982-01-06 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Low-frequency treating appliance |
-
1982
- 1982-04-13 JP JP5397282U patent/JPS58157144U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58157144U (ja) | 1983-10-20 |
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