JPS6231217A - 複合型論理回路 - Google Patents

複合型論理回路

Info

Publication number
JPS6231217A
JPS6231217A JP60169862A JP16986285A JPS6231217A JP S6231217 A JPS6231217 A JP S6231217A JP 60169862 A JP60169862 A JP 60169862A JP 16986285 A JP16986285 A JP 16986285A JP S6231217 A JPS6231217 A JP S6231217A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
logic
turned
npn
base
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60169862A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0775314B2 (ja
Inventor
Masahiro Iwamura
将弘 岩村
Masahiro Ueno
雅弘 上野
Hideo Maejima
前島 英雄
Kozaburo Kurita
公三郎 栗田
Takashi Hotta
多加志 堀田
Ikuro Masuda
郁朗 増田
Tatsumi Yamauchi
辰美 山内
Tetsuo Nakano
哲郎 中野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60169862A priority Critical patent/JPH0775314B2/ja
Publication of JPS6231217A publication Critical patent/JPS6231217A/ja
Publication of JPH0775314B2 publication Critical patent/JPH0775314B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は電界効果トランジスタとバイポーラ−トランジ
スタを組合せた複合型論理回路に係る。
〔発明の背景〕
従来低消費電力を目的とした論理LSIではCMO3論
理回路が多用されている1例えば1978年モトローラ
(MOTROLA )社より発行されたモトロー5 C
MO5集積回路(MOTROLA CMOS INTE
GRATEDCIRCLIITS) J !、:は第1
2図(7) 0MO52人、f) NANDゲートが示
されている。図において、111,122ハPMO3,
123、124ハNMOSテアル、 PMO3121と
122のソースは電源+■に共通接続され、ドレインは
出力端子に共通接続され、ゲートは夫々入力A、Bに接
続されテいルウ一方、NMO5I 23 。
124は直列接続され、NMO3123のドレインは出
力端子に接続され、NMO5l 24のソースは基準電
位に接続され、夫々のゲートは入力B、Aに接続されて
いる。
いま、入力A、Bが共に1′11ルベルのとき、PMO
3121,122は共にオフ、NMO3I 23 。
124は共にオンになる。したがって、出力Fは基準電
位まで下がって# O#jレベルとなる。一方、入力A
、Hの少くとも1つが1101+レベルのとき、NMO
3123,124の少くとも1つがオフになり。
PMO8121,122の少くとも1つオンになる。
したがって、出力Fは電源電圧+Vまで上がって“1”
レベルとなる0以上の説明で明らかなように、 CMO
S回路は定常状態ではPにO8又はNHO2のいずれか
がオフのため本質的に低消費電力という特徴がある一方
、相補型回路のためトランジスタ数が多くなることやM
OSトランジスタの負荷駆動能が弱く、シかも論理振幅
が大きいため高速化が困難という欠点がある。
CMOS回路の低負荷駆動能力を改善するものとして近
年、種々のB I −CMO5論理回路が提案されてい
る。例えば198年8月に発行されたrVLSIデザイ
ン(Design) JのFig、2(a)には第13
図のB I−CMO52人力NANDゲートが示されて
いる。
第13図において、131,132はPMO5であり、
133〜137はNHO2である。また、138゜13
9はNPNトランジスタである。PMO5131。
132のソースは電源+Vに共通接続され、ドレインは
NPN138のベースに共通接続され、夫々のゲートは
入力A、Hに接続される。NMO3133゜134は直
列接続され、 NMO3I 33のドレインは、NPN
138のベースにゲートは入力Bに接続され、NHO2
134のソースは基準電位にゲートは入力Aに接続され
る。NMO5135,136も直列接続され、NHO2
135のドレインはNPN138のエミッタとNPN1
39のコレクタに共通接続され出力端子となり、ゲート
は入力Bに接続される。
NHO2136のソースはNPN139のベースにゲー
トは入力Aに接続される。NHO2137のドレインは
NPN139のベースに、ゲートはNPN138のベー
スに、ソースは基準電位に接続される。また、NPN1
38のコレクタは電源+Vに接続され、NPN139の
エミッタは基準電位に接続されている。
いま、入力A、Bが共に“1”のとき、PMO3・  
131,132は共にオフ、 NN05I 33〜13
6はオンになり、 NMO5I 37はオフになる。そ
の結果、NPN138はオフになり、NPN139はオ
ンになる。したがって、出力Fは“O”レベルになる0
次に、入力A、Bの少くとも1つが0”のとき、NMO
3133,134の少くとも1つがオフになり、NMO
5135,136の少くとも1つがオフになる。一方、
PMO3131,132の少くとも1つがオンになる。
その結果、NPN139はオフになり、NPN138と
NMO8I 37がオンになる。したがって、出力Fは
“1″レベルになる。
この回路は0MO3と同様に定常状態での電力消費が無
いばかりでなく、0MO3の弱い駆動電流をバイポーラ
トランジスタで増幅しているため高負荷時も高速スイッ
チングできると云う利点がある。一方、CMOS回路と
同様にトランジスタ数が多くなる欠点があり、さらに論
理振幅が大きいため入力信号が付勢されてから、出力側
バイポーラトランジスタが動作を開始するまでの遅延時
間を小さくできない欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は以上のような従来技術の欠点を除去した
新規な複合型論理回路を提供することにある。
〔発明の概要〕 本発明の複合型論理回路では単一チャネル電界効果トラ
ンジスタで構成される組合せ論理をバイ−ポーラトラン
ジスタのベース・エミッタ間に接続し、バイポーラトラ
ンジスタのコレクタから論理回路の出力を導出する。
〔発明の実施例〕
第1図に本発明の実施例を示す。
図において、10は電界効果トランジスタとするNMO
Sトランジスタ(以下単にNHO2と称す)による組合
せ論理であり、NHO2の直列接続、並列接続または直
列接続と並列の組合せにより所定の論理機能を満足する
ように構成され、NPNトランジスタ13のベース・エ
ミッタ間に接続される。
11はベースバイアス抵抗であり、電源+v1とNPN
13のベース間に接続される。12は負荷抵抗であり電
源+v2とNPN13のコレクタ間に接続される。また
、NPN13のエミッタは電源−Vδに接続される。
いま、入力If〜工、が所定の論理状態を満足しない場
合、N803組合せ論理10はオフになる。このとき、
抵抗11を通ってNPN13のベース電流が流れ、NP
Nはオンになる。したがって、出力Fは“0”レベルに
なる。なお、このとき、NPN13(7)ベース電圧は
(−Va+VaIりである。次に入力11〜I工が所定
の論理状態を満足した場合、N803組合せ論理10は
オンになる。このとき、NPN13のベース電流はN8
03組合せ論理10にバイパスされ、NPN13はオフ
になる。
したがって、出力Fは“1”レベルになる。なお。
このとき、NPN13のベース電位は−v8+R1+R
x 抗11の抵抗値であり、RXはN803組合せ論理のオ
ン抵抗である。したがって、N803組合せ論理り、N
PNトランジスタ13のベース・エミッタ接合電圧Vs
e (約0.8  V)よりも小さい値に抑えられる。
周知のように、容量性負荷を駆動する場合の遅延時の駆
動電流に反比例し、電圧振幅と負荷の大きさに比例する
ので、論理振幅を0MO5の10分の1の0.5  V
にすると10倍の高速化が図れることになる。また1本
実施例の組合せ論理部10は単チャンネルMO8で構成
されるためMOSトランジスタ数は0MO5の1/2に
少くすることができる。
第2図に本発明の他の実施例を示す。図において、20
はPMO5による組合せ論理であり、PIIIO5の直
列接続、並列接続または直列接続と並列接続の組合せに
より所定の論理機能を満足するように構成され、PNP
 トランジスタ23のベース・エミッタ間に接続される
。21はベースバイアス抵抗であり、電源−VδとPN
P23のベース間に接続される。22は負荷抵抗であり
、電源−v8とPNP23のコレクタ間に接続される。
いま、入カニ1〜工、が所定の論理状態を満足しない場
合、 PH10組合せ論理20はオフになる。
このとき、抵抗21を通してPNP23のベース電流が
流れ、PNP23はオンになる。したがって、出力Fは
“1″レベルになる。なお、このとき、PNP23の/
<−スミ位は(+VI  Vaiりである。次に入カニ
z〜工、が所定の論理状態を満足した場合、PH10組
合せ論理20はオンになる。
このとき、PNP23のベース電位が上昇し。
PNP23はオフになる。したがって、出力Fは“0″
レベルになる。なお、このとき、PNPなる。ただし、
R1は抵抗21の抵抗値であり、RXはPMO3論理2
0のオン抵抗である。したがって、PH10組合せ論理
20の論理振幅はVaa−R1+ Rx り23のベース・エミッタ接合電圧Vaf!(約0.8
V)より小さい値に抑えられる。
したがって1本実施例でも第1図の実施例と同様に組合
せ論理部の低振幅化による高速化が実現できlMOSト
ランジスタの数をCMO3の172に少くすることがで
きる。
なお、第1図、第2図の実施例および以後の実施例では
バイポーラトランジスタのベースバイアス手段とコレク
タ負荷は抵抗素子で示しているが。
これらのアクティブ素子や受動素子とアクティブ素子の
組合せなど様々な回路手段を適用することは当業者にと
って容易である。
以下に本発明の更に具体的な実施例を説明するが第1図
、第2図と同一部分は同一番号で示し、同一部分の接続
構成の説明は省略する。
第3図は本発明をAND −ORゲートに適用した実施
例を示している。第3図(a)はその論理シンボルと論
理関数を示し、第3図(b)に回路構成を示す。
第3図(b)において、31〜34はNHO2であり、
NHO531、32の直列接続とNHO333、34の
直列接続がNPNトランジスタ13のベース・エミッタ
間に並列に接続される。また、NMOS31〜34のゲ
ートには図示のように入力信号A−Dが接続される。
いま、入力信号がA−B=On’且”DC” D=0の
とき、抵抗11を通ってNPNI3にベース電流が流れ
、NPNI3はオンになる。したがって、出力Fは“0
”レベルになる。
次に、A−B=1又はC−D=1のとき、NPNI3の
ベース電流はMO8論理側に、バイパスされ、NPNI
3はオフになる。したがって、出力Fはsr 1 uレ
ベルになる。
第4図は、本発明を0R−ANDゲートに適用した実施
例を示している。第4図(a)はその論理シンボルと論
理関数を示し、第4図(b)に回路構成を示す。
第4図(b)において、41〜44はNHO2であり、
NHO341、42の並列接続とNHO543、44の
並列接続がNPNトランジスタ13のベース・エミッタ
間に直列に接続される。また、 NHO341〜44の
ゲートには図示のように入力信号A−Dが接続される。
いま、入力信号がA+B=O又はC+D=Oのとき、抵
抗11を通ってNPNI3にベース電流が流れ、NPN
I3はオンになる。したがって、出力Fは“O”レベル
になる。
次に、A+B=1で且つC+D−=1のとき、NPNI
3のベース電流はMO8論理側に、バイパスされ、NP
NI3はオフになる。したがって、出力Fは“1″レベ
ルになる。
第5図は本発明を0R−ANDゲートに適用した実施例
を示している。第5図(、)はその論理シンボルと論理
関数を示し、第5図(b)に回路構成を示す、第5図(
b)において、51〜54はNHO2であり、NHO3
51、52の直列接続とNHO253。
54の並列接続がNPNI 3のベース・エミッタ間に
直列に接続される。また、NHO541〜44のゲート
には図示のように入力信号A−Dが接続される。
いま、入力信号がA−B=OまたはC+D=0のとき、
抵抗11を通ってNPNI3にベース電流が流れ、NP
NI3はオンになる。したがって、出力Fは“O”レベ
ルになる。
次に、A−B=1で且つC+D=1のとき。
NPNI3のベース電流はMO8論理側にバイパスされ
、NPNI3はオフになる。したがって、゛出力計は“
1”レベルになる。
第6図は本発明を0R−AND−ORゲートに適用した
実施例を示している。第6図(a)はその論理シンボル
と論理関数を示し、第6図(b)に回路構成を示す0図
において、61〜64はNHO2であり、NMOS61
,62の並列接続とNMOS63がNPNI3のベース
・エミッタ間に直列に接続され、さらにNHO264が
NPNI3のベース・エミッタ間に接続される。また、
NMOS61〜64のゲートには図示のように入力信号
A−Dが接続される。
いま、入力信号がA+B=O又はC=0で且つD=Oの
とき、抵抗11を通って、NPNI3にベース電流が流
れ、NPNI3はオンになる。したがって、このとき出
力Fは“07ルベルになる。
次に、A+B=1で且つC=1のとき、又はD=1のと
き、NPNI3のベース電流はMO8論理側にバイパス
され、NPNI3はオフになる。
したがって、このとき出力Fは1”レベルになる。
第7図は本発明を3人力多数決論理回路に適用した実施
例を示している。第7図(a)はその論理シンボルと論
理関数を示し、第7図(b)に回路構成を示す、71〜
75はNHO2であり、NMOS71とNHO372、
73の並列接続がNPNI3のベース・エミッタ間に直
列に接続され、さらにNHO274。
75の直列接続がNPNI3のベース・エミッタ間に接
続される。また、NMOS71〜75のゲートには図示
のように入力信号A−Cが接続される。
いま、入力信号がB+C=Oのとき、およびA=Oで且
つB−C=Oのとき抵抗11を通ってNPNI3にベー
ス電流が流れ、NPNI3はオンになる。したがって、
このとき出力Fは“0″レベルになる。
次に、A=1で且つB+C=1のとき、およびB−C=
1のとき、NPNl3のベース電流はMO3論理側↓こ
バイパスされ、NPNl3はオフになる。したがって、
このとき、出力FはII I 11レベルになる。
第8図は本発明を4ビツトのキャリールックアヘッド回
路に適用した実施例を示している。第8図(a)はその
論理シンボルと論理関数を示し、第7図(b)に回路構
成を示す。第7図(b)において。
81〜89はNHO3であり、NMO581〜85の直
列液1m カN P N 13のベース・エミッタ間に
接続される。また、NMO586〜89のソースはNP
Nl3のエミッタに共通接続され、NHO386のドレ
インはNHO583と84の接続点に、NHO587の
ドレインはNHO382と83の接続点に、 NHO3
88のドレインはNHO381と82の接続点に接続さ
れ、NHO589のドレインはNHO581のドレイン
と共通にNPNl3のベースに接続される。また、NM
O581〜89のゲートには図示のように入力信号A〜
■が接続される。
いま、入力信号がA−B−C−D−E=O,A・B−C
−F=O,A−B−G=O,A−H=O。
I=Oのとき、抵抗11を通ってNPNl 3にベース
電流が流れ、NPNl3はオンになる。したがって、こ
のとき出力Fは“0″レベルになる。
次に、A−B−C−D−E=1.A−B−C・F=1.
A−B−G=1.A−H=1.I=1のいずれかの条件
が成立するとNPNl3のベース電流はMO8論理側に
バイパスされ、NPNl3はオフになる。したがって、
このとき、出力Fは“1”レベルになる。
第9図は本発明を差動型論理回路に適用した実施例を示
す。第9図(a)はその論理シンボルと論理関数を示し
、第9図(b)に回路構成を示す。第9図(b)におい
て、91〜94はNHO2であり、NHO591、92
の直列接続がNPNl3のベース・エミッタ間に接続さ
れ、NHO393、94の並列接続がNPN13’ の
ベース・エミッタ間に接続される。また、95.96は
PMO5であり、PMO595のソースは電源+vに、
ゲートはNPN13’のコレクタに、ドレインはNPN
l3のコレクタに接続され、PMO396のソースは電
源+Vに、ゲートはNPNl3のコレクタに、ドレイン
はNPN13′のコレクタに接続される。また、NHO
391〜94のゲートには図示のように入力信号A、B
およびA、Bが接続される。
いま、入力信号がA−B=1のとき、NHO391。
92がオンになり、NPNl3のベース電流はNHO3
91、92を通ってバイパスされ、NPNl3はオフに
なる。一方、 NHO393,94はオフのため、抵抗
11′を通ってNPN13’ にベース電流が流れ、N
PN13’はオンになる。したがって、このとき、出力
FはIt OI+レベルになり、その結果PMO395
がオンになり、出力FはII I Hレベルになる。
次に、A−B=Oのとき、NHO391、92の少くと
も1つがオフになり、NHO393、94の少くとも1
つがオンになる。したがって、このとき、抵抗11を通
ってNPNl、3にベース電流が流れ。
NPNl3はオンになり、出力Fは“0”レベルになる
。その結果PMO596がオンになる。一方、NPN1
3’のベース電流はNHO393、94のオンしている
方を通してバイパスされ、NPN13’はオフになる。
したがって、このとき、出力F′は“1″レベルになる
第10図は本発明を0R−ANDゲートに適用した実施
例を示す、第10図(a)はその論理シンボルと論理関
数を示し、第10図(b)に回路構成を示す、、第10
図(b)において、101〜104はPMO3テあり、
PMO5IOI、102の直列接続とPMO5I O3
,104の直列接続がPNP23のベース・エミッタ間
に並列に接続される。
マタ、PMO3I O1−104(7)ゲートには図示
のように入力信号A−Dが接続される。いま、A+B=
OまたはC+ l) = Oのとき、PNP23のベー
ス電流が上昇し、PNP23はオフになる。したがって
、このとき、出力Fは“0”レベルになる。
次に、A+B=1で且つC+D=1のとき、抵抗21を
通ってPNP23のベース電流が流れ。
PNP23はオンになる。したがって、このとき、出力
Fは“1″レベルになる。
第11図は本発明をAND−ORゲートに適用した実施
例を示す。第11図(a)はその論理シンボルと論理関
数を示し、第11図(b)にその回路構成を示す。第1
1図(b)において、111〜114はPMO3であり
、PMO3I 11. l 12の並列接続とPMO3
113,114の並列接続がPNP23のベース・エミ
ッタ間に直列に接続される。
また、PMO5111〜114のゲートには図示のよう
に入力信号A−Dが接続される。
いま、A−B=Oで且つC−D=Oのとき、PNP23
のベース電位が上昇し、PNP23はオフになる。その
結果、出力Fは“0″レベルになる。
次に、A−B=1またはC−D=1のとき、抵抗21を
通ってPNP23のベース電流が流れ、PNP23はオ
ンになる。したがって、このとき、出力Fは“1”レベ
ルになる。
なお、本発明は以上の実施例に限定されるものではなく
、本発明の精神を逸脱しない範囲で種々の変形が可能で
ある。
〔発明の効果゛ 以上の実施例の説明で明らかなように、本発明の複合型
論理回路では、組合せ論理が単一チャンネル電界効果ト
ランジスタで構成されるためより少いトランジスタで複
雑な論理を実現できる効果がある。また、MOSの組合
せ論理部はバイポーラトランジスタのベース・エミッタ
間に接続された構成となるため論理ノードの振幅が小さ
くなり高速動作を実現できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はNMO3論理とNPNによる本発明の実施例を
示す図、第2図はPMO5論理とPNPによる本発明の
実施例を示す図、第3図はAND−ORゲートの実施例
を示す図、第4図は0R−ANDゲートの実施例を示す
図、第5図は0R−ANDゲートの実施例を示す図、第
6図は0R−AND−ORゲートの実施例を示す図、第
7図は3人力多数決論理の実施例を示す図、第8図は4
ビツトキャリールックアヘッド回路の実施例を示す図、
第9図は差動型論理回路の実施例を示す図、第10図は
0R−ANDゲートの実施例を示す図、第11図はAN
D−ORゲートの実施例を示す図、第12図は従来のC
MO82人力NANDゲート回路を示す図、第13図は
従来のB I −CMO32人力NANDゲート回路を
示す図である。 10・・・NMO3組合せ論理、2o・・・PH10組
合せ論理、13・・・NPNトランジスタ、23・・・
PNPトランジスタ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ゲート電極に入力信号が与えられる一方導電型単一
    チャンネル電界効果トランジスタの直列及び/または並
    列接続の組合せ論理回路の一方のノードがバイポーラト
    ランジスタの他方導電型ベースに接続され、他方のノー
    ドがバイポーラトランジスタの一方導電型エミッタに接
    続され、バイポーラトランジスタの一方導電型コレクタ
    から出力を取り出すように構成したことを特徴とする複
    合型論理回路。 2、特許請求の範囲第1項において、一方導電型電界効
    果トランジスタはN型電界効果トランジスタであり、バ
    イポーラトランジスタNPNトランジスタであることを
    特徴とする複合型論理回路。 3、特許請求の範囲第1項において、一方導電型電界効
    果トランジスタはP型電界効果トランジスタであり、バ
    イポーラトランジスタはPNPトランジスタであること
    を特徴とする複合型論理回路。
JP60169862A 1985-08-02 1985-08-02 複合型論理回路 Expired - Fee Related JPH0775314B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60169862A JPH0775314B2 (ja) 1985-08-02 1985-08-02 複合型論理回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60169862A JPH0775314B2 (ja) 1985-08-02 1985-08-02 複合型論理回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6231217A true JPS6231217A (ja) 1987-02-10
JPH0775314B2 JPH0775314B2 (ja) 1995-08-09

Family

ID=15894320

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60169862A Expired - Fee Related JPH0775314B2 (ja) 1985-08-02 1985-08-02 複合型論理回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0775314B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59147132A (ja) * 1983-02-09 1984-08-23 Tsubakimoto Chain Co 油圧緩衝器
JPS64815A (en) * 1987-03-16 1989-01-05 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Bifet logic circuit
JPH02105622A (ja) * 1988-10-13 1990-04-18 Nec Corp 論理ゲート回路

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4825820U (ja) * 1971-08-04 1973-03-28
JPS4825820A (ja) * 1971-08-10 1973-04-04
JPS6021626A (ja) * 1983-07-18 1985-02-04 Nec Corp 出力回路

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4825820U (ja) * 1971-08-04 1973-03-28
JPS4825820A (ja) * 1971-08-10 1973-04-04
JPS6021626A (ja) * 1983-07-18 1985-02-04 Nec Corp 出力回路

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59147132A (ja) * 1983-02-09 1984-08-23 Tsubakimoto Chain Co 油圧緩衝器
JPS6231217B2 (ja) * 1983-02-09 1987-07-07 Tsubakimoto Chain Co
JPS64815A (en) * 1987-03-16 1989-01-05 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Bifet logic circuit
JP2549141B2 (ja) * 1987-03-16 1996-10-30 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン Bifet論理回路
JPH02105622A (ja) * 1988-10-13 1990-04-18 Nec Corp 論理ゲート回路

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0775314B2 (ja) 1995-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4769561A (en) Bipolar transistor-field effect transistor composite circuit
US4733110A (en) BICMOS logical circuits
JP2544343B2 (ja) 半導体集積回路装置
GB2156614A (en) A switching circuit
JPS626369B2 (ja)
US4926069A (en) Bi-MOS circuit capable of high speed operation with low power consumption
JPH06244711A (ja) Ecl回路を駆動する低電圧スイング出力mos回路
US5075579A (en) Level shift circuit for achieving a high-speed processing and an improved output current capability
US5444401A (en) Current limited output driver for a gate array circuit
US4158782A (en) I2 L interface with external inputs and method thereof
JPH03158018A (ja) 入力回路
JPS6231217A (ja) 複合型論理回路
US4435656A (en) Phase inverter circuit
JP2749185B2 (ja) 複合論理回路
JPH08251007A (ja) BiCMOS論理ゲート回路
US5426382A (en) Complementary logic recovered energy circuit
US5182472A (en) Logic circuit with bipolar CMOS configuration
JP2637773B2 (ja) 相補型mos集積回路
JPS6175618A (ja) 相補形BiMIS3ステ−トゲ−ト回路
JPH0355912A (ja) ヒステリシス回路
JPH04108218A (ja) 論理回路
JP3073064B2 (ja) 多入力論理回路及び半導体メモリ
JPS6094740A (ja) マスタ−スライスic
JP2595074B2 (ja) 半導体集積回路装置
JP3008426B2 (ja) BiCMOSゲート回路

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees